技术特征：
技术总结
本公开的实施例提供了一种用于在半导体器件中形成孔结构的方法。该方法包括在堆叠结构上方形成第一蚀刻掩模，以及去除堆叠结构中的由第一蚀刻掩模暴露的部分。第一蚀刻掩模可以具有第一掩模开口，第一掩模开口具有第一横向尺寸。该方法还可以包括由第一蚀刻掩模形成第二蚀刻掩模。第二蚀刻掩模可以具有第二掩模开口，第二掩模开口具有大于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还可以包括去除堆叠结构中的由第二蚀刻掩模暴露的另一部分以形成孔结构，该孔结构具有第一孔部分和连接到第一孔部分并在第一孔部分上方的第二孔部分。
技术研发人员：杨罡;赵祥辉;郑标;曾最新;任连娟;戴健
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.01.25
技术公布日：2019.06.07