1.一种用于利用处理喷雾来处理微电子工件的系统，包括：
a.真空处理室，其包括工件保持器，在处理期间所述微电子工件被定位在所述工件保持器上，其中，所述真空处理室包括可控真空压力；
b.辅助室，其以使得从所述辅助室分配到所述真空处理室中的流体处理射束瞄准到被定位在所述工件保持器上的所述微电子工件上的方式与所述真空处理室流体连通，其中，分配到所述真空处理室中的所述流体处理射束包括响应于所述真空处理室中的压力变化可调整的射束大小，使得所述射束大小能够根据需要通过调整所述可控真空压力来调整；以及
c.至少一个喷嘴，其与所述辅助室流体连通使得所述喷嘴以下述方式将所述流体喷雾分配到所述辅助室中：所述方式使得从所述喷嘴分配的流体喷雾在作为所述流体处理射束从所述辅助室分配到所述真空处理室中之前在所述辅助室中被限制和成形为成形流体射束。
2.根据权利要求1所述的系统，还包括控制系统，所述控制系统包括通过一个或更多个过程控制步骤可控地使所述流体处理射束的射束大小准直的程序指令，所述一个或更多个过程控制步骤包括控制所述真空压力。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述处理室包括在所述工件上方的顶板，并且其中，所述处理室的所述顶板以有效于提供所述顶板与所述衬底之间的间隙的方式定位，所述间隙有助于使所述处理射束在所述微电子工件上径向向外流动。
4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述间隙在20mm至100mm的范围内。
5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述控制系统在处理的过程期间调节所述可控真空压力。
6.根据权利要求2所述的系统，其中，所述控制系统在不同处理的过程期间调节所述可控真空压力。
7.根据权利要求2所述的系统，其中，所述控制系统调整所述可控真空压力以具有不同大小的流体处理射束的序列处理衬底上的共同区域。
8.根据权利要求2所述的系统，其中，所述控制系统以使得第一处理部分以相对大的流体处理射束产生并且在第一处理之前或之后第二处理部分使用相对更集中的流体处理射束产生的方式调整所述可控真空压力。
9.根据权利要求1所述的系统，其中，所述可控真空压力在1毫托至750托的范围内。
10.根据权利要求1所述的系统，其中，所述可控真空压力在50托以下。
11.根据权利要求1所述的系统，其中，所述可控真空压力在25托以下。
12.根据权利要求1所述的系统，其中，所述喷嘴在所述辅助室中具有对称且凹陷的部署。
13.根据权利要求1所述的系统，其中，所述辅助室包括侧壁和盖，并且其中，所述喷嘴从所述辅助室的所述侧壁和所述盖凹陷。
14.根据权利要求1所述的系统，其中，所述辅助室具有柱形几何形状，所述柱形几何形状具有中心轴线，并且其中，所述喷嘴被部署在所述中心轴线上。
15.根据权利要求1所述的系统，其中，加压且冷却的流体被供应至所述喷嘴，其中，所述加压且冷却的流体处于70k至150k的范围内的温度下和10psig至100psig的范围内的压力下，使得至少99重量百分比的所述加压且冷却的流体处于气相。
16.根据权利要求1所述的系统，其中，加压且冷却的流体被供应至所述喷嘴，其中，所述加压且冷却的流体处于70k至150k的范围内的温度下和10psig至100psig的范围内的压力下，使得至少10重量百分比的所述加压且冷却的流体处于液相，并且小于1重量百分比处于固相。
17.根据权利要求1所述的系统，其中，加压且冷却的流体被供应至所述喷嘴，其中，所述加压且冷却的流体包括氮气和/或氩气。
18.根据权利要求1所述的系统，其中，加压且冷却的流体被供应至所述喷嘴，其中，所述加压且冷却的流体包括氮气。
19.根据权利要求1所述的系统，其中，加压且冷却的流体被供应至所述喷嘴，其中，所述加压且冷却的流体包括氩气。
20.根据权利要求1所述的系统，其中，所述喷嘴具有出口孔，所述出口孔在所述辅助室中相对于所述辅助室的出口凹陷5mm至200mm范围内的距离。
21.根据权利要求1所述的系统，其中，所述喷嘴包括耦接至流体供应装置的第一本体和包括喷嘴孔的第二本体，其中，所述第二本体可移除地附接至所述第一本体。
22.一种用于利用处理喷雾来处理微电子工件的系统，包括：
a.真空处理室，其包括工件保持器，所述微电子工件在处理期间被定位在所述工件保持器上，其中，所述真空处理室包括可控真空压力；
b.喷嘴系统，其将流体处理射束递送到所述真空处理室中和所述微电子工件上，所述喷嘴系统包括(i)与所述真空处理室流体连通的辅助室和(ii)容置且凹陷在所述辅助室中的至少一个喷嘴，其中：
i.所述喷嘴流体耦接至包括加压且冷却的流体的流体供应系统，
所述喷嘴将所述加压且冷却的流体喷射到所述辅助室中；
ii.分配到所述辅助室中的流体喷雾在所述辅助室中被限制和成形为成形流体射束；以及
iii.所述辅助室与所述真空处理室流体连通并且以使得将所述成形流体射束从所述辅助室分配到所述真空处理室中作为瞄准被定位在所述工件保持器上的所述微电子工件的流体处理射束的方式定位在所述工件保持器上，其中，分配到所述真空处理室中的所述流体处理射束包括响应于所述真空处理室中的压力变化可调整的射束大小，使得所述射束大小能够根据需要通过调整所述可控真空压力来调整。
23.根据权利要求22所述的系统，其中，所述处理室还包括在所述工件上方的顶板，其中，所述处理室的所述顶板以有效于提供所述顶板与所述衬底之间的间隙的方式定位，所述间隙有助于使所述处理射束在所述微电子工件上径向向外流动。
24.一种利用处理流体处理微电子工件的方法，包括以下步骤：
a.提供微电子工件，其中，所述微电子工件被支承在真空处理室中的工件保持器上，其中，所述真空处理室具有可控真空压力；
b.将加压且冷却的流体通过喷嘴喷射到具有侧壁和盖的辅助室中，其中，所述喷嘴包括至少一个喷嘴孔，所述至少一个喷嘴孔在所述辅助室内相对于通向所述真空处理室的辅助室出口凹陷达凹陷距离，并且其中，所述喷嘴孔从所述辅助室的所述侧壁和所述盖凹陷；
c.在所述辅助室中对所喷射的加压且冷却的流体成形以提供成形流体射束；
d.将所述成形流体射束从所述辅助室分配到所述真空处理室中和所述微电子工件上作为具有射束大小的分配的流体处理射束，其中，所述射束大小通过所述真空处理室中的压力变化来调整，使得可以根据需要通过调整所述可控真空压力来调整所述射束大小；以及
e.提供改变所述可控真空压力以保持或调整所述流体处理射束的射束大小的控制系统。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述处理室包括在所述工件上方的顶板，并且还包括将所述顶板定位成足够靠近所述衬底以提供所述顶板与所述衬底之间的间隙的步骤，所述间隙有助于使所述处理射束在所述微电子工件上径向向外流动。
26.一种利用处理流体处理微电子工件的方法，包括以下步骤：
a)提供微电子工件，其中，所述微电子工件被支承在真空处理室中的保持器上，其中，所述真空处理室具有可控真空压力；
b)提供辅助室，其经由所述微电子工件上方的至少一个辅助室出口与所述真空处理室流体连通；
c)将加压且冷却的流体从喷嘴孔喷射到所述辅助室中，所述喷嘴孔从辅助出口、所述辅助室的侧壁和所述辅助室的盖凹陷到所述辅助室内；
d)使用分配到所述辅助室中的所喷射的流体形成具有射束大小的流体处理射束，其中，所述射束大小通过所述真空处理室中的压力变化来调整，使得可以根据需要通过调整所述可控真空压力来调整所述射束大小；以及
e)将所述流体处理射束从所述辅助室分配到所述微电子工件上。
27.根据权利要求25所述的方法，还包括控制所述真空处理室的真空压力以调整所述流体处理射束的射束大小的步骤。
28.一种用于利用处理喷雾来处理微电子工件的系统，包括：
a.限定真空处理室的壳体，所述真空处理室包括工件保持器，在处理期间所述微电子工件被定位在所述工件保持器上，并且其中，所述壳体包括盖结构；
b.辅助室，其通过所述盖结构中的辅助室出口流体耦接至所述真空处理室，所述辅助室出口提供从所述辅助室到所述真空处理室中的通路，其中，所述辅助室出口的覆盖区小于所述微电子工件的覆盖区；
c.流体供应系统，其包括一种或更多种流体；以及
d.至少一个喷雾喷嘴，其中，所述喷雾喷嘴以有效于分配作为流体喷雾的所述一种或更多种流体的方式耦接至所述流体供应系统，并且其中，所述喷雾喷嘴凹陷在所述辅助室中，使得所述流体喷雾被分配到所述辅助室中，并且然后从所述辅助室分配到所述真空处理室中的所述微电子工件上。
29.一种用于利用处理喷雾来处理微电子工件的系统，包括：
a.真空处理室，其包括工件保持器，在处理期间所述微电子工件被定位在所述工件保持器上，其中，所述真空处理室包括可控真空压力；
b.辅助室，其在所述处理期间与所述真空处理室流体连通并且具有在所述工件上方的出口；以及
c.至少一个喷嘴，所述至少一个喷嘴具有通向所述真空处理室中的喷嘴出口孔并且被定位成使得当从所述喷嘴出口孔分配所述处理喷雾以处理所述工件时所述辅助室的出口在所述喷嘴出口孔上方。