摄像元件和摄像装置的制作方法

1.本公开涉及摄像元件和摄像装置。更具体地，本公开涉及其中摄像芯片安装在封装体内的摄像元件以及包含该摄像元件的摄像装置。


背景技术：

2.通常，拍摄对象并产生图像数据的诸如数码相机、数码摄像机(例如，相机一体型记录器)以及监视摄像机等的摄像装置已经广泛普及。此外，作为设置在这些摄像装置中的摄像元件，例如，存在其中在安装有摄像芯片的封装体内部设置配线的摄像元件。但是，近年来，由于增加了用于流过大电流的规格，因此重要的是防止由于来自设置在封装体内部的配线的磁场线的影响而导致摄像元件的特性劣化。
3.因此，例如，已经提出了一种摄像元件，其中，在设置于封装体内部的配线与容纳在封装体的凹部中的摄像芯片之间布置有屏蔽件，该屏蔽件用于防止在配线中产生的磁场线到达摄像芯片(例如，参见专利文献1)。
4.引用列表
5.专利文献
6.专利文献1：wo 2017/081840 a


技术实现要素：

7.技术问题
8.在上述传统技术中，能够防止在设置在封装体内部的配线中生成的磁场线到达摄像芯片。这里，在封装体的凹部中可以设置有将设置在封装体内部的配线电连接至摄像芯片的接合配线或内部引线等。在这种情况下，由于上述屏蔽件是磁性材料或导体，因此重要的是防止屏蔽件与封装体的凹部中的内部引线等之间的短路。
9.鉴于上述问题做出了本发明，并且本发明的目的是防止布置有屏蔽件的摄像元件中的短路。
10.技术问题的解决方案
11.本公开的第一方面是一种摄像元件，其包括：电磁屏蔽件，在内部具有配线并且设置有用于安装摄像芯片的凹部的封装体中，所述电磁屏蔽件被布置在所述配线和所述摄像芯片之间；和粘合剂，其用于安装所述摄像芯片，所述粘合剂被布置为覆盖所述电磁屏蔽件。
12.此外，在第一方面中，所述粘合剂可以被布置为完全覆盖所述电磁屏蔽件。
13.此外，在第一方面中，所述粘合剂可以被布置为完全覆盖所述电磁屏蔽件的外表面。
14.此外，在第一方面中，所述电磁屏蔽件可以通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜形成。
15.此外，在第一方面中，所述粘合剂可以被布置为完全覆盖暴露在电磁屏蔽件的外
表面上的所述金属膜。
16.此外，在第一方面中，在俯视图中所述摄像芯片可以具有大致矩形形状，在俯视图中所述电磁屏蔽件可以具有大致矩形形状，在俯视图中所述粘合剂可以被布置为口字型形状，以完全覆盖所述电磁屏蔽件的外表面，并且所述摄像芯片可以安装在以所述口字型形状布置的所述粘合剂的上侧。
17.此外，在第一方面中，所述电磁屏蔽件可以是通过在俯视图中成为大致矩形形状的部分处将粘合膜层叠在金属膜的两个表面上而形成的，并且在与所述大致矩形形状的一侧相对应的部分处设置有仅由粘合膜形成的涂覆端部，并且所述粘合剂被布置为完全覆盖暴露在所述电磁屏蔽件的外表面上的所述金属膜。
18.此外，在第一方面中，在俯视图中所述摄像芯片可以具有大致矩形形状，在俯视图中所述粘合剂可以被布置为没有对应于所述涂覆端部的部分的大致口字型形状，并且所述摄像芯片可以安装在以所述大致口字型形状布置的所述粘合剂的上侧。
19.此外，在第一方面中，在俯视图中所述电磁屏蔽件的尺寸可以小于所述摄像芯片的尺寸。
20.此外，在第一方面中，在俯视图中所述电磁屏蔽件的尺寸与所述摄像芯片的光接收表面的尺寸可以基本相同。
21.此外，在第一方面中，所述金属膜可以包括在100khz下的相对磁导率为1000以上的软磁性材料。
22.此外，在第一方面中，所述金属膜在100khz下的相对磁导率可以为5000以上。
23.此外，在第一方面中，所述金属膜可以包括铜或铝。
24.此外，在第一方面中，所述电磁屏蔽件可以包括磁力屏蔽或静电屏蔽。
25.此外，本公开的第二方面是一种摄像装置，其包括：摄像元件，其包括电磁屏蔽件和粘合剂，所述电磁屏蔽件在内部具有配线并且设置有用于安装摄像芯片的凹部的封装体中布置在所述配线与所述摄像芯片之间，所述粘合剂用于安装所述摄像芯片并且被布置为覆盖所述电磁屏蔽件；和处理电路，其处理由所述摄像元件产生的图像信号。
26.通过采用这些方面，提供了一种操作，其中在封装体的凹部中用粘合剂覆盖电磁密封件，以防止发生所述电磁屏蔽件与另一导体之间的短路。
附图说明
27.图1是示出根据本公开的第一实施例的摄像元件100的构造示例的横截面图。
28.图2是示出根据本公开的第一实施例的摄像元件100的构造示例的平面图。
29.图3是示出用于制造根据本公开的第一实施例的电磁屏蔽件140的方法的示例的图。
30.图4是示出用于制造根据本公开的第一实施例的摄像元件100的方法的示例的图。
31.图5是示出根据比较示例的摄像元件500的构造示例的横截面图。
32.图6是示出根据本公开的第二实施例的摄像元件200的构造示例的横截面图。
33.图7是示出根据本公开的第二实施例的摄像元件200的构造示例的平面图。
34.图8是示出用于制造根据本公开的第二实施例的电磁屏蔽件240的方法的示例的图。
35.图9是示出根据本公开的第二实施例的电磁屏蔽件240的构造示例的平面图和横截面图。
36.图10是示出用于制造根据本公开的第二实施例的摄像元件200的方法的示例的图。
37.图11是示出根据本公开的第二实施例的变形例的电磁屏蔽件的构造示例的平面图。
38.图12是示出相机的示意性构造示例的框图，该相机是可以应用本公开的摄像装置的示例。
具体实施方式
39.接下来，将参考附图说明用于实施本公开的形式(在下文中，称为实施例)。在以下附图中，相同或相似的部分采用相同或相似的附图标记。此外，将按以下顺序说明实施例。
40.1.第一实施例
41.2.第二实施例
42.3.变形例
43.4.相机的应用示例
44.<1.第一实施例>
45.[摄像元件的构造]
[0046]
图1是示出根据本公开的第一实施例的摄像元件100的构造示例的横截面图。图2是示出根据本公开的第一实施例的摄像元件100的构造示例的平面图。注意，在以下每个附图中，x方向，y方向和z方向是彼此正交的三个方向。
[0047]
摄像元件100包括封装体110、摄像芯片120、密封玻璃130、电磁屏蔽件140、晶片接合树脂150、接合配线160a和160b以及内部引线161a和161b。
[0048]
封装体110具有凹部111，并且摄像芯片120被容纳在凹部111中。凹部111在封装体110中被形成为比摄像芯片120和晶片接合树脂150的厚度(z方向上的距离)更深。注意，可以使用具有绝缘性的材料作为封装体110的材料。例如，诸如合成树脂或陶瓷等材料可以用作封装体110的材料。
[0049]
此外，封装体110可以是例如诸如低温共烧陶瓷(ltcc)或高温共烧陶瓷(htcc)等层叠型封装体。此外，封装配线112a至112c设置在封装体110内部。封装配线112a至112c可以设置在构成封装体110的各层之间。
[0050]
封装配线112a至112c将设置在封装体110上的外部端子(未示出)电连接至摄像芯片120。此外，封装配线112a至112c通过例如接合配线160a和160b电连接至摄像芯片120。此外，在封装件110的凹部111中形成有与接合配线160a连接的内部引线161a和与接合配线160b连接的内部引线161b。注意，可以使用例如钨、铜等作为封装配线112a至112c的材料。
[0051]
摄像芯片120是如下半导体芯片，其接收经由光学系统(未示出)照射到像素区域121(光接收表面)的光并根据每个像素接收的光的光量输出图像信号。摄像芯片120包括例如信号处理区域和布置在信号处理区域周围的电路区域。信号处理区域包括像素区域121(光接收表面)以及布置在像素区域121周围的放大器电路和存储器等，在像素区域121中一维地或二维地布置有将光转换成电信号的多个光电二极管。此外，摄像芯片120通过使用晶
片接合树脂150而被安装在电磁屏蔽件140的上侧(z方向的上侧)，电磁屏蔽件140粘附于封装体110的凹部111的晶片粘附表面。注意，例如，可以使用电荷耦合器件(ccd)或互补金属氧化物半导体(cmos)传感器等作为摄像元件。
[0052]
密封玻璃130以覆盖摄像芯片120的像素区域121(光接收表面)的方式被固定于封装件110，并气密地密封其中设置有摄像芯片120的空间113。例如，密封玻璃130通过粘合剂等接合至封装体110，以封闭封装体110的凹部111。此外，密封玻璃130具有透光性并且具有防止划痕、灰尘等附着至摄像芯片120上的功能。
[0053]
例如，可以使用硼硅酸盐玻璃、石英玻璃、无碱玻璃和派热克斯(pyrex，注册商标)等作为密封玻璃130的材料。注意，可以使用阻挡红外光的红外(ir)截止滤波器或晶体低通滤波器等代替密封玻璃130。
[0054]
电磁屏蔽件140是通过在金属膜141的两个表面上层叠粘合膜142和143而制造的电磁屏蔽件(磁力屏蔽件或静电屏蔽件)，并且它被粘附到封装体110的凹部111的晶片粘附表面上。此外，在电磁屏蔽件140的上侧(z方向的上侧)，使用晶片接合树脂150安装摄像芯片120。在此，来自设置在封装体110内部的封装配线112a至112c的磁性会导致产生噪声(例如，带状噪声)。因此，在本公开中，电磁屏蔽件140布置在摄像芯片120与封装配线112a至112c(封装体110)之间。因此，能够抑制由来自封装配线112a至112c的磁性产生的噪声(例如，带状噪声)，并且能够防止摄像芯片120的特性劣化。
[0055]
此外，在俯视图中(在从z方向的上侧观察的情况下)，电磁屏蔽件140的尺寸被设置为小于摄像芯片120的尺寸。即，在俯视图中，电磁屏蔽件140的矩形区域被设置为小于摄像芯片120的矩形区域。例如，如图2所示，在俯视图中，电磁屏蔽件140的尺寸可以与像素区域121的尺寸(小于摄像芯片120的尺寸)基本相同。
[0056]
注意，电磁屏蔽件140的总厚度(厚度(z方向上的距离))可以为100μm以下。因此，能够在保持屏蔽效果的同时减小布置在晶片粘附表面上的摄像芯片120的高度。此外，能够使用诸如磁性膜、铜(例如，铜箔)或铝等导体作为金属膜141的材料。金属膜141优选由诸如铜等高导电性的材料构成。这是因为能够提高电磁屏蔽件140的静电屏蔽效果。此外，例如，在使用含有铁作为主要成分的软磁性材料作为金属膜141的材料的情况下，在100khz时的相对磁导率优选为1000以上，并且更进一步地，在100khz时的相对磁导率优选为5000以上。这是因为能够提高电磁屏蔽件140的磁屏蔽效果。注意，将参照图3详细描述电磁屏蔽件140的制造方法。
[0057]
晶片接合树脂150是用于将摄像芯片120安装在封装体110的凹部111中的用于晶片接合的粘合剂。具体地，晶片接合树脂150用于将摄像芯片120安装在粘附至封装体110的凹部111的晶片粘附表面的电磁屏蔽件140的上侧(z方向的上侧)上。此外，晶片接合树脂150被涂布为覆盖电磁屏蔽件140的侧表面。即，晶片接合树脂150被涂布为使得晶片接合树脂150覆盖(保护)位于电磁屏蔽件140的侧表面上的金属膜141。以此方式，晶片接合树脂150以仅覆盖电磁屏蔽件140的外周部的方式被布置为口字型。注意，晶片接合树脂150是权利要求书中记载的粘合剂的示例。
[0058]
[电磁屏蔽件的制造示例]
[0059]
图3是示出根据本公开的第一实施例的用于制造电磁屏蔽件140的方法的示例的图。图3a示出了通过在大面积金属膜的两个表面上层叠大面积粘合膜而形成的大面积电磁
屏蔽件的俯视图。图3b示出了在通过切割构件171至173切割图3a所示的大面积电磁屏蔽件的情况下的电磁屏蔽件的侧视图。注意，为了便于描述，图3示出了将大面积电磁屏蔽件切割成六个电磁屏蔽件的示例，但是本发明不限于此。
[0060]
在图3a中，虚线表示用于切割通过在大面积金属膜的两个表面上层叠大面积粘合膜而形成的大面积电磁屏蔽件的部分。
[0061]
图3b示出了从图3a所示的箭头170的方向观察时的大面积电磁屏蔽件的侧表面。如图3b中所示，大面积电磁屏蔽件通过在大面积金属膜181的两个表面上层叠具有与金属膜181相同(或基本相同)的尺寸的粘合膜182和183形成。然后，通过利用切割部件171至173将由大面积金属膜181和大面积粘合膜182和183形成的大面积电磁屏蔽件切割成期望的尺寸来制造电磁屏蔽件140。
[0062]
在此，例如，可以想到的是，将已经预先个体化分离的多个金属膜的两个表面夹在大面积的粘合膜之间，然后将粘合膜切割成比金属膜大，以制造电磁屏蔽件。在这种情况下，电磁屏蔽件的侧表面(金属膜的侧表面)可以被切割得较大的粘合膜保护。然而，在这种情况下，由于必须对预先个体化分离的多个金属膜进行诸如包夹(sandwiching)或切割等处理，因此认为生产率低。
[0063]
另一方面，在第一实施例中，可以切割通过在大面积金属膜181的两个表面上层叠大面积粘合膜182和183而形成的大面积电磁屏蔽件，以制造用于摄像元件100的电磁屏蔽件140。因此，能够提高电磁屏蔽件140的生产率，并且能够降低摄像元件100的制造成本。
[0064]
然而，由于切割大面积电磁屏蔽件以制造用于摄像元件的电磁屏蔽件，因此金属膜暴露在电磁屏蔽件的侧表面上。将参照图5说明在金属膜暴露在电磁屏蔽件的侧表面上的情况下安装摄像元件的影响。
[0065]
[摄像元件的制造示例]
[0066]
图4是示出用于制造根据本公开的第一实施例的摄像元件100的方法的示例的图。
[0067]
首先，如图4a所示，将通过在金属膜141的两个表面上层叠粘合膜142和143而形成的电磁屏蔽件140粘附至封装体110的凹部111的晶片粘附表面。
[0068]
接着，如图4b所示，涂布晶片接合树脂150，以覆盖附着在封装体110的凹部111的晶片粘附表面上的电磁屏蔽件140的外周部的侧表面(露出金属膜141的表面)。即，以口字型涂布晶片接合树脂150，从而覆盖电磁屏蔽件140的外周部的侧表面。因此，位于电磁屏蔽件140的侧表面上的金属膜141被晶片接合树脂150保护。
[0069]
接下来，如图4c所示，将摄像芯片120放置在涂布至电磁屏蔽件140的外周部的侧表面的晶片接合树脂150上，电磁屏蔽件14粘附在封装体110的凹部111的晶片粘附表面上。在安装摄像芯片120之后，使晶片接合树脂150固化。之后，执行配线接合，并且通过接合配线160a和160b将封装体110的封装配线112a至112c与摄像芯片120电连接。
[0070]
接下来，如图4d所示，通过将密封玻璃130固定在封装体110上而将布置有摄像芯片120的空间113气密密封。
[0071]
[晶片接合树脂的效果]
[0072]
将参照比较示例来说明图1和图2所示的晶片接合树脂150的效果。
[0073]
图5是示出根据比较示例的摄像元件500的构造示例的横截面图。
[0074]
摄像元件500包括封装体510、摄像芯片520、密封玻璃530、电磁屏蔽件540、晶片接
合树脂550、接合配线560a和560b以及内部引线561a和561b。
[0075]
注意，摄像元件500的每个部分对应于图1所示的摄像元件100的相同名称的那个部分。然而，摄像元件100中的晶片接合树脂150被涂布为覆盖电磁屏蔽件140的侧表面，而摄像元件500中的晶片接合树脂550被涂布至电磁体屏蔽件540的上侧。即，电磁屏蔽件540被安装在封装体510的凹部511的晶片粘附表面上并且侧表面上的金属膜541被露出。
[0076]
在此，假设摄像元件500经过高温高湿测试。在这种情况下，由于电磁屏蔽件540被安装在封装510的凹部511中并且金属膜541暴露在电磁屏蔽件540的侧表面上，所以金属膜541在高温高湿试验中可能洗脱。当金属膜541以这种方式洗脱时，如箭头571所示，在洗脱的金属膜541和封装510的内部引线561a之间可能发生短路。
[0077]
另一方面，在图1和图2所示的摄像元件100中，电磁屏蔽件140的侧表面被晶片接合树脂150覆盖以保护金属膜141。这样，由于电磁屏蔽件140被安装在封装体110的凹部111中并且电磁屏蔽件140的侧表面上的金属膜141被保护，能够防止金属膜141被高温高湿测试洗脱。因此，能够防止在金属膜141与封装体110的内部引线161a和161b之间发生短路。
[0078]
注意，在第一实施例中，示出了其中晶片接合树脂150以口字型布置以仅覆盖电磁屏蔽件140的外周部的示例。然而，晶片接合树脂150可以被涂布并布置成覆盖电磁屏蔽件140的上表面和所有侧表面。
[0079]
如上所述，根据本公开的第一实施例的摄像元件100，布置在摄像芯片120的底表面上的电磁屏蔽件140的侧表面被晶片接合树脂150的粘合剂覆盖，从而能够防止电磁屏蔽件140和其他导体之间的短路。
[0080]
<2.第二实施例>
[0081]
在第一实施例中，示出了这样的示例：其中，晶片接合树脂150被涂布为覆盖安装在封装体110的凹部111的晶片粘附表面上的电磁屏蔽件140的侧表面。以这种方式，在以口字型的形式涂布晶片接合树脂150的情况下，由摄像芯片120、晶片接合树脂150和电磁屏蔽件140包围的空间被密封。因此，考虑到上述空间中压力的增加，可以想到在该空间中设置气孔。因此，在第二实施例中，示出了如下示例：其中，口字型的晶片接合树脂的一部分是狭缝，并且在被摄像芯片、晶片接合树脂和电磁屏蔽件包围的空间中设置有气孔。
[0082]
[摄像元件的构造]
[0083]
图6是示出根据本公开的第二实施例的摄像元件200的构造示例的横截面图。图7是示出根据本公开的第二实施例的摄像元件200的构造示例的平面图。
[0084]
摄像元件200与摄像元件100的不同之处在于，设置有具有涂覆端部245的电磁屏蔽件240来代替图1和图2中所示的摄像元件100中的电磁屏蔽件140，并且晶片接合树脂250不被涂布至与涂覆端部245相对应的部分。注意，由于除上述以外的方面与图1和图2中所示的摄像元件100相似，因此与摄像元件100相同的部分用相同的附图标记表示，并且将省略对这些部分的说明。此外，将参照图8和图9详细说明涂覆端部245。
[0085]
[电磁屏蔽件的构造示例]
[0086]
图8是示出用于制造根据本公开的第二实施例的电磁屏蔽件240的方法的示例的图。图9是示出根据本公开的第二实施例的电磁屏蔽件240的构造示例的平面图和横截面图。
[0087]
图8a示出了构成大面积电磁屏蔽件的大面积粘合膜的俯视图。图8b示出了构成大
面积电磁屏蔽件的大面积金属膜的俯视图。在图8a和图8b中，用虚线示出了用于切割大面积粘合膜和大面积金属膜的部分。注意，为了便于说明，图8示出了将大面积的电磁屏蔽件切成六个电磁屏蔽件的示例，但是不限于此。
[0088]
如图8b所示，大面积金属膜被制造成辊状(带状)并且其宽度l1窄于大面积粘合膜的宽度l3。注意，大面积金属膜的长度l2可以与大面积粘合膜的长度l2相同(或基本相同)。
[0089]
此外，如图8a所示，大面积粘合膜被切割为在辊(带)的两端(在宽度方向上的两端)提供涂覆端部(没有金属膜的部分，突起部)245。
[0090]
以此方式，在制造具有涂覆端部245的电磁屏蔽件240的情况下，使用通过在图8b中所示的大面积金属膜的两个表面上层叠在图8a中所示的大面积粘合膜而形成的大面积电磁屏蔽件。换句话说，使用如下的辊形电磁屏蔽件：其中，左右方向(图8中所示的左右方向)明显长于上下方向(图8中所示的上下方向)，并且在上下方向的两端处存在不具有金属膜而仅具有粘合膜的外围部(包括涂覆端部的部分)。此外，所述外围部被制造为与电磁屏蔽件240的一侧相对应，并且所述外围部被切出为具有涂覆端部245的形状。
[0091]
图9示出了通过被切割为设置涂覆端部245的粘合膜和被切割为不设置涂覆端部的金属膜而形成的电磁屏蔽件240。
[0092]
图9a示出了电磁屏蔽件240的平面图，该电磁屏蔽件240通过将设置有涂覆端部245的粘合膜层叠在没有设置涂覆端部的金属膜的两个表面上而形成。图9b示出了从图9a的箭头a1和a2的方向观看时的电磁屏蔽件240的横截面图。
[0093]
如图8所示，粘合膜设置有涂覆端部245，但是金属膜未设置有涂覆端部。因此，如图9b所示，在涂覆端部245上未形成有金属膜241的层，并且金属膜241未暴露在电磁屏蔽件240的涂覆端部245的侧表面上。如上所述，电磁屏蔽件240的金属膜241的与电磁屏蔽件240的涂覆端部245相对应的侧表面的部分被形成在金属膜241的两个表面上的粘合膜242保护。特别地，在电磁屏蔽件240的涂覆端部245的末端处的侧表面(箭头a3所指示的侧表面)上，金属膜241未露出，并且金属膜241的侧表面被形成涂覆端部245的粘合膜242保护。
[0094]
如上所述，关于电磁屏蔽件240的涂覆端部245，金属膜241的侧表面被形成涂覆端部245的粘合膜242保护，使得金属膜241不露出并且不需要被晶片接合树脂250保护。因此，在将晶片接合树脂250涂布至电磁屏蔽件240的侧表面的情况下，如图6和图7中所示，晶片接合树脂250未被涂布至与涂覆端部245相对应的部分。也就是说，晶片接合树脂250能够被涂布为使得涂覆端部245成为晶片接合树脂250的狭缝(slit)。
[0095]
如上所述，晶片接合树脂250以仅覆盖电磁屏蔽件240的外周部(外表面)的方式被布置为口字型，并且在该口字型的至少一个位置处形成有狭缝。此外，电磁屏蔽件240的涂覆端部245布置在狭缝中。此外，如图6和图7所示，可以在涂覆端部245的上侧(z方向的上侧)的狭缝中形成孔243。
[0096]
[摄像元件的制造示例]
[0097]
图10是示出根据本公开的第二实施例的用于制造摄像元件200的方法的示例的图。
[0098]
首先，如图10a所示，将通过在金属膜241的两个表面上层叠粘合膜242而形成的电磁屏蔽件240粘合至封装体110的凹部111的晶片粘附表面。注意，关于电磁屏蔽件240的涂覆端部245，金属膜241的侧面被形成涂覆端部245的粘合膜242保护。
[0099]
接下来，如图10b所示，涂布晶片接合树脂250以覆盖粘附到封装体110的凹部111的晶片粘附表面上的电磁屏蔽件240的外周部的侧表面(除了电磁屏蔽件240的涂覆端部245的顶端的侧表面以外的侧表面)。也就是说，晶片接合树脂250被涂布为口字型，以覆盖电磁屏蔽件240的外周部的侧表面，但是晶片接合树脂250仅在电磁屏蔽件240的涂覆端部245处不存在。也就是说，晶片接合树脂250被涂布为口字型以覆盖电磁屏蔽件240的外周部的侧表面，并且在口字型的至少一个位置(电磁屏蔽件240的涂覆端部245的位置)处形成狭缝。通过以这种方式在被涂布为口字型的晶片接合树脂250的至少一个位置处形成狭缝，在涂覆端部245的上侧(z方向的上侧)形成有孔243。因此，能够防止由摄像芯片120、晶片接合树脂250和电磁屏蔽件240所包围的空间被密封。在执行加热处理以使粘合剂等固化的情况下，能够防止摄像芯片120由于空间中的压力增大而浮动或被损坏。
[0100]
如上所述，暴露在电磁屏蔽件240的侧表面上的金属膜241受到晶片接合树脂250的保护。此外，电磁屏蔽件240的涂覆端部245布置在不存在晶片接合树脂250的狭缝部分，但是金属膜241没有在涂覆端部245的侧表面上露出。此外，电磁屏蔽件240的涂覆端部245的附近的金属膜241受到形成涂覆端部245的粘合膜242保护。
[0101]
接下来，如图10c所示，将摄像芯片120放置在被涂布至电磁屏蔽件240(电磁屏蔽件240被粘附至封装体110的凹部111的晶片粘附表面)的外周部的侧表面的晶片接合树脂250上。在放置摄像芯片120之后，将晶片接合树脂250固化，并且通过接合配线160a、160b将封装体110的封装配线112a至112c与摄像芯片120电连接。
[0102]
接下来，如图10d所示，通过将密封玻璃130固定到封装体110上，将设置有摄像芯片120的空间113气密密封。
[0103]
如上所述，根据本公开的第二实施例的摄像元件200能够通过使用包括包覆端部245的电磁屏蔽件240来简化电磁屏蔽件240的制造过程。此外，通过省略包覆端部245上的晶片接合树脂250，能够防止在摄像元件200的制造过程中对摄像芯片120的损坏等。
[0104]
<3.变形例>
[0105]
尽管上述电磁屏蔽件240的涂覆端部245的形状是矩形(每一侧都小于电磁屏蔽件240的一侧)的示例，但是涂覆端部也可以采用其他形状。因此，下面将示出设置在电磁屏蔽件上的涂覆端部的变形例。
[0106]
图11是示出根据本公开的第二实施例的变形例的电磁屏蔽件的构造示例的平面图。
[0107]
电磁屏蔽件310、320、330、340、350和360是电磁屏蔽件240的变形例，并且涂覆端部的形状与电磁屏蔽件240的形状不同。因此，这里将主要描述涂覆端部的形状。注意，在图11中，通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形电磁屏蔽件与仅由粘合膜形成的涂覆端部311、321、331、341、351和361之间的边界用虚线表示。
[0108]
电磁屏蔽件310在矩形的电磁屏蔽件310(通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形)的一侧设置有矩形的涂覆端部311。即，在电磁屏蔽件310中，电磁屏蔽件310的矩形的整个一侧是一个矩形的涂覆端部311。
[0109]
电磁屏蔽件320在矩形的电磁屏蔽件320(通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形)的一侧设置有三角形的涂覆端部321。即，在电磁屏蔽件320中，电磁屏蔽件320的矩形的整个一侧是一个三角形的涂覆端部321。
[0110]
电磁屏蔽件330在矩形的电磁屏蔽件330(通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形)的一侧设置有圆弧形的涂覆端部331。即，在电磁屏蔽件330中，电磁屏蔽件330的矩形的整个一侧是一个圆弧形的涂覆端部331。
[0111]
电磁屏蔽件340在矩形的电磁屏蔽件340(通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形)的一侧设置有矩形的涂覆端部341。即，在电磁屏蔽件340中，矩形的涂覆端部341仅设置在电磁屏蔽件340的矩形的一侧的一部分上。注意，电磁屏蔽件340是通过仅改变图9所示的电磁屏蔽件240的在左右方向(图11中的左右方向)上的长度而获得的。
[0112]
电磁屏蔽件350在矩形的电磁屏蔽件350(通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形)的一侧设置有三角形的涂覆端部351。即，在电磁屏蔽件350中，三角形的涂覆端部351仅设置在电磁屏蔽件350的矩形的一侧的一部分上。
[0113]
电磁屏蔽件360在矩形的电磁屏蔽件360(通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的矩形)的一侧设置有圆弧形的涂覆端部361。即，在电磁屏蔽件360中，圆弧形的涂覆端部361仅设置在电磁屏蔽件360的矩形的一侧的一部分上。
[0114]
<4.相机的应用示例>
[0115]
根据本公开的技术(本技术)适用于多种产品。例如，本技术可以被实现为安装在诸如相机等摄像装置中的摄像元件。
[0116]
图12是示出相机的示意性构造示例的框图，该相机是可以应用本技术的摄像装置的示例。图中的相机1000包括透镜1001、摄像元件1002、摄像控制单元1003、透镜驱动单元1004、图像处理单元1005、操作输入单元1006、帧存储器1007、显示单元1008、记录单元1009。
[0117]
透镜1001是相机1000的摄像透镜。透镜1001收集来自被摄体的光，并使光入射到稍后描述的摄像元件1002上以形成被摄体的图像。
[0118]
摄像元件1002是半导体元件，其捕获由透镜1001收集的来自被摄体的光的图像。摄像元件1002根据照射光产生模拟图像信号，将其转换为数字图像信号并将其输出。
[0119]
摄像控制单元1003通过摄像元件1002控制摄像。摄像控制单元1003通过产生控制信号并将该控制信号输出到摄像元件1002来控制摄像元件1002。此外，摄像控制单元1003可以基于从摄像元件1002输出的图像信号进行相机1000中的自动对焦。在此，自动对焦是检测透镜1001的焦点位置并自动调整的系统。作为该自动对焦，可以使用如下方法：使用布置在摄像元件1002中的相位差像素来检测图像平面相位差并检测焦点位置(图像平面相位差自动对焦)。此外，还可以应用检测图像的对比度最高的位置作为焦点位置的方法(对比度自动对焦)。摄像控制单元1003基于检测到的焦点位置，经由透镜驱动单元1004来调整透镜1001的位置，并进行自动对焦。注意，摄像控制单元1003可以由例如配备有固件的数字信号处理器(dsp)来构造。
[0120]
透镜驱动单元1004基于摄像控制单元1003的控制来驱动透镜1001。透镜驱动单元1004可以通过使用内置电动机改变透镜1001的位置来驱动透镜1001。
[0121]
图像处理单元1005处理由摄像元件1002产生的图像信号。该处理对应于例如去马赛克(用于针对每个像素生成在与红色、绿色和蓝色相对应的图像信号之中的丢失的颜色的图像信号)、用于去除图像信号的噪声的降噪以及图像信号的编码等。图像处理单元1005可以由例如配备有固件的微型计算机来构造。
[0122]
操作输入单元1006从相机1000的用户接收操作输入。例如，可以使用按钮或触摸面板作为操作输入单元1006。由操作输入单元1006接收的操作输入被传输到摄像控制单元1003或图像处理单元1005。此后，开始与该操作输入相对应的处理，例如，诸如拍摄被摄体等处理。
[0123]
帧存储器1007是存储作为一个画面的图像信号的帧的存储器。帧存储器1007由图像处理单元1005控制，并在图像处理过程中保持帧。
[0124]
显示单元1008显示由图像处理单元1005处理的图像。例如，液晶面板可以用于显示单元1008。
[0125]
记录单元1009记录由图像处理单元1005处理的图像。对于记录单元1009，例如，可以使用存储卡或硬盘。
[0126]
上面已经描述了可以应用本发明的相机。本技术可以应用于上述构造中的摄像元件1002。具体地，可以将图1、图2、图6、图7等中描述的摄像元件100和200应用于摄像元件1002。通过将摄像元件100和200应用于摄像元件1002，可以提高摄像元件1002中所包括的电磁屏蔽件的生产率，并且可以降低相机1000的制造成本。此外，通过将摄像元件100和200应用于摄像元件1002，能够防止在摄像元件1002的封装体的凹部中发生短路。注意，图像处理单元1005是权利要求中描述的处理电路的示例。相机1000是权利要求中描述的摄像装置的示例。
[0127]
注意，尽管这里以相机为例进行了说明，但是根据本发明的技术可以应用于例如监视装置。
[0128]
最后，上述每个实施例的说明是本公开的示例，并且本公开不限于上述实施例。因此，不言而喻，在不脱离根据本公开的技术构思的情况下，能够根据设计等来进行各种变形，甚至可以进行与上述实施例不同的变形。
[0129]
此外，上述实施例中的附图是示意性的，并且每个部分的尺寸的比率等并不总是与实际的一致。此外，不言而喻，附图中可以包括一些在各个附图之间具有不同尺寸关系和比例的部分。
[0130]
注意，可以如下构造本技术。
[0131]
(1)一种摄像元件，其包括：
[0132]
电磁屏蔽件，在内部具有配线并且设置有用于安装摄像芯片的凹部的封装体中，所述电磁屏蔽件被布置在所述配线和所述摄像芯片之间；和
[0133]
用于安装所述摄像芯片的粘合剂，所述粘合剂被布置为覆盖所述电磁屏蔽件。
[0134]
(2)根据(1)所述的摄像元件，其中，所述粘合剂被布置为完全覆盖所述电磁屏蔽件。
[0135]
(3)根据(1)或(2)所述的摄像元件，其中，所述粘合剂被布置为完全覆盖所述电磁屏蔽件的外表面。
[0136]
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的摄像元件，其中，所述电磁屏蔽件是通过在金属膜的两个表面上层叠粘合膜而形成的。
[0137]
(5)根据(4)所述的摄像元件，其中，所述粘合剂被布置为完全覆盖暴露在所述电磁屏蔽件的外表面上的所述金属膜。
[0138]
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的摄像元件，其中，
[0139]
在俯视图中所述摄像芯片具有大致矩形形状，
[0140]
在俯视图中所述电磁屏蔽件具有大致矩形形状，
[0141]
在俯视图中所述粘合剂被布置为口字型形状，以完全覆盖所述电磁屏蔽件的外表面，并且
[0142]
所述摄像芯片安装在以口字型形状布置的所述粘合剂的上侧。
[0143]
(7)根据(1)至(5)中任一项所述的摄像元件，其中，
[0144]
所述电磁屏蔽件是通过在俯视图中成为大致矩形形状的部分处将粘合膜层叠在金属膜的两个表面上而形成的，并且在与所述大致矩形形状的一侧相对应的部分处设置有仅由粘合膜形成的涂覆端部，并且
[0145]
所述粘合剂被布置为完全覆盖暴露在所述电磁屏蔽件的外表面上的所述金属膜。
[0146]
(8)根据(7)所述的摄像元件，其中
[0147]
在俯视图中所述摄像芯片具有大致矩形形状，
[0148]
在俯视图中所述粘合剂被布置为没有对应于所述涂覆端部的部分的大致口字型形状，并且
[0149]
所述摄像芯片安装在以所述大致口字型形状布置的所述粘合剂的上侧。
[0150]
(9)根据(8)所述的摄像元件，其中，在俯视图中所述电磁屏蔽件的尺寸小于所述摄像芯片的尺寸。
[0151]
(10)根据(1)至(9)中任一项所述的摄像元件，其中，在俯视图中所述电磁屏蔽件的尺寸与所述摄像芯片的光接收表面的尺寸基本相同。
[0152]
(11)根据(4)或(5)所述的摄像元件，其中，所述金属膜包含100khz下的相对磁导率为1000以上的软磁性材料。
[0153]
(12)根据(11)所述的摄像元件，其中，所述金属膜在100khz下的相对磁导率为5000以上。
[0154]
(13)根据(4)、(5)、(11)和(12)中任一项所述的摄像元件，其中，所述金属膜包含铜或铝。
[0155]
(14)根据(1)至(13)中任一项所述的摄像元件，其中，所述电磁屏蔽件包括磁力屏蔽件或静电屏蔽件。
[0156]
(15)一种摄像装置，其包括：
[0157]
摄像元件，其包括电磁屏蔽件和粘合剂，所述电磁屏蔽件在内部具有配线并且设置有用于安装摄像芯片的凹部的封装体中并且布置在所述配线和所述摄像芯片之间，所述粘合剂用于安装所述摄像芯片并且被布置为覆盖所述电磁屏蔽件；和
[0158]
处理电路，其处理由所述摄像元件生成的图像信号。
[0159]
附图标记的列表
[0160]
100,200,500 摄像元件
[0161]
110,510 封装体
[0162]
111,511 凹部
[0163]
112a至112c,512a至512c 封装配线
[0164]
113,513 空间
[0165]
120,520 摄像芯片
[0166]
121,521 像素区域
[0167]
130,530 密封玻璃
[0168]
140,240,310,320,330,340,350,360,540 电磁屏蔽件
[0169]
141,241,181,541 金属膜
[0170]
142,143,182,183,242,542,543 粘合膜
[0171]
150,250,550 晶片接合树脂
[0172]
160a,160b,560a,560b 接合配线
[0173]
161a,161b,561a,561b 内部引线
[0174]
243 孔
[0175]
245,311,321,331,341,351,361 涂覆端部
[0176]
1000 相机
[0177]
1002 摄像元件
[0178]
1005 图像处理单元