显示装置和用于制造显示装置的方法与流程
本发明涉及显示装置和制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
背景技术：
诸如向用户提供图像的智能电话、数码摄像机、笔记本电脑、导航系统和智能电视的电子装置包括用于显示图像的显示装置。
随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。因此，已经开发了诸如液晶显示(lcd)装置和有机发光二极管(oled)显示装置等的各种类型的显示装置。
在这些显示装置当中，oled显示装置包括是自发光元件的有机发光元件。有机发光元件可以包括两个相对的电极和插入其间的有机发光层。从两个相对的电极提供的电子和空穴在发光层中复合以生成激子，并且生成的激子从激发态跃迁到基态，并且因此可以发光。
技术实现要素：
技术问题
本发明的方面旨在提供其中被设置在发光元件上的全反射层的工艺稳定性被确保的显示装置。
本发明的另一个方面旨在提供其中被设置在发光元件上的全反射层的工艺稳定性被确保的制造显示装置的方法。
应注意，本发明的目的不限于以上描述的目的，并且根据以下描述，本发明的其它目的对于本领域技术人员将是显而易见的。
技术方案
根据一个实施例的显示装置包括：基板，包括多个像素；堤层，沿着像素中的每一个的边界被设置在基板上并且被配置为限定发光区域；有机发光层，被设置在由堤层限定的发光区域中；薄膜密封层，被配置为覆盖有机发光层和堤层；无机层，包括被设置在薄膜密封层上的基部部分以及在厚度方向上从基部部分突出并且包括具有倒锥角的侧表面的突出图案部分；第一低折射有机层，被设置在无机层的基部部分上，其中，第一低折射有机层的侧表面与突出图案部分的侧表面接触，并且第一低折射有机层的上表面在厚度方向上比突出图案部分的上表面突出更多；和高折射有机层，被配置为覆盖第一低折射有机层和无机层。
显示装置可以被划分为堤层被设置在其中的第一区域和发光区域被设置在其中的第二区域，无机层的基部部分可以遍及第一区域和第二区域设置，无机层的突出图案部分可以位于第二区域中，第一低折射有机层可以位于第一区域中，并且高折射有机层可以遍及第一区域和第二区域设置。
第一低折射有机层的折射率可以低于高折射有机层的折射率，并且无机层的折射率可以高于高折射有机层的折射率。
突出图案部分和基部部分可以包括相同的材料，并且可以彼此联接而在突出图案部分与基部部分之间没有物理边界。
第一低折射有机层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
突出图案部分和基部部分可以包括不同的材料，并且可以被形成为分离的层。
第一低折射有机层可以包括与突出图案部分的侧表面接触的下低折射有机层和在厚度方向上比突出图案部分的上表面突出更多的上低折射有机层。
下低折射有机层可以包括与像素相邻的第一锥形表面，上低折射有机层可以包括与像素相邻的第二锥形表面，第一锥形表面的倾角可以被定义为第一锥角，第二锥形表面的倾角可以被定义为第二锥角，并且第一锥角和第二锥角中的每一个可以在60°至85°的范围内。
第二锥角可以等于第一锥角。
第二锥角可以与第一锥角不同。
第一锥形表面和第二锥形表面可以被设置在不同的平面上。
第一锥角可以在70°至75°的范围内。
下低折射有机层可以具有比上低折射有机层的厚度小的厚度。
显示装置可以进一步包括被设置在薄膜密封层与无机层之间的缓冲膜，其中，缓冲膜可以包括与无机层相同的材料。
显示装置可以进一步包括被设置在薄膜密封层上的触摸感测器层，其中，触摸感测器层可以被设置在第一区域中。
触摸感测器层可以不与第一低折射有机层重叠。
触摸感测器层可以包括被设置在缓冲膜上的第一金属层和被设置在无机层上的第二金属层。
显示装置可以进一步包括第二低折射有机层，该第二低折射有机层被设置在第一区域中并且被配置为在平面图中围绕第一低折射有机层。
无机层可以进一步包括被设置在第一低折射有机层与第二低折射有机层之间的第二突出图案部分。
根据一个实施例的制造显示装置的方法，该显示装置包括发光元件和被设置在发光元件上的薄膜密封层，该方法包括：在薄膜密封层上形成基部无机层；蚀刻基部无机层以形成包括基部部分和突出图案部分的无机层；在无机层上形成基部有机层；蚀刻基部有机层以形成被设置在基部部分上的低折射有机层；以及形成覆盖低折射有机层并且具有比低折射有机层的折射率高的折射率的高折射有机层，其中，突出图案部分包括在厚度方向上从基部部分突出并且具有倒锥角的侧表面，并且低折射有机层包括与突出图案部分的侧表面接触的侧表面和在厚度方向上比突出图案部分的上表面突出更多的上表面。
实施例的用于解决以上问题的其它细节被包括在详细描述和附图中。
有益效果
按照根据一个实施例的显示装置，其中工艺稳定性被确保的显示装置能够通过包括能够支撑全反射层的侧表面的突出图案部分来提供。
按照根据一个实施例的制造显示装置的方法，其中工艺稳定性被确保的制造显示装置的方法能够通过形成能够支撑全反射层的侧表面的突出图案部分来提供。
根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，并且更多的各种效果被包括在本说明书中。
附图说明
图1是根据一个实施例的显示装置的透视图。
图2是根据一个实施例的显示装置的平面图。
图3和图4是根据一个实施例的显示装置的侧视图。
图5是图示图2的区域q1的一个示例的放大平面图。
图6是图示图2的区域q1的另一个示例的放大平面图。
图7是图示沿着图5的线vii-vii’截取的截面的一个示例的截面图。
图8是图示图7的区域q2的一个示例的放大截面图。
图9至图11是图示图7的区域q2的其它示例的放大截面图。
图12是图示沿着图5的线vii-vii’截取的截面的另一个示例的截面图。
图13是图示图2的区域q1的又一个示例的放大平面图。
图14是图示图2的区域q1的再一个示例的放大平面图。
图15是图示沿着图13的线xv-xv’截取的截面的一个示例的截面图。
图16是图示沿着图13的线xv-xv’截取的截面的另一个示例的截面图。
图17是图示图2的区域q1的再一个示例的放大平面图。
图18是图示沿着图17的线xviii-xviii’截取的截面的一个示例的截面图。
图19是图示沿着图17的线xviii-xviii’截取的截面的另一个示例的截面图。
图20是图示图2的区域q1的再一个示例的放大平面图。
图21是图示沿着图20的线xxi-xxi’截取的截面的一个示例的截面图。
图22是图示沿着图20的线xxi-xxi’截取的截面的另一个示例的截面图。
图23是图示根据一个实施例的制造显示装置的方法的流程图。
图24至图31是沿着图5的线vii-vii’截取的依次图示根据一个实施例的制造显示装置的方法的截面图。
图32是图示根据另一个实施例的制造显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
从下面参考附图描述的实施例中将更清楚地理解本发明及用于实现本发明的方法的优点和特征。然而，本发明不限于以下实施例，而是可以以各种不同形式实现。提供实施例仅是为了使本发明完整，并且向本发明所属领域的普通技术人员完全提供本发明的范畴，并且本发明将由所附权利要求限定。
将理解，当元件或层被称为在另一个元件或层“上”或者“上方”时，它能够直接在另一个元件或层上或者上方，或者可以存在中间元件或者层。另一方面，元件或层“直接”在另一个元件或层“上”或者“直接”在另一个元件或层“上方”的情况是指没有其它元件或层插在该元件或层与另一个元件或层之间的情况。遍及说明书，相同的附图标记表示相同的部件。
尽管术语第一、第二、第三和第四等用于描述各种部件，但是这些部件基本上不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件。因此，在本发明的技术精神内，下面描述的第一部件可以基本上是第二部件、第三部件和第四部件中的一个。
本文中描述的实施例将参考是本发明的理想化示意图的平面图和截面图来描述。因此，可以通过制造技术和/或容许误差等以示例性视图的形式进行修改。因此，本发明的实施例将不限于附图中所示的特定形式，并且包括由制造工艺做出的改变。因此，附图中图示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示元件的区域的精确形状，也不旨在限制本发明的范围。
遍及本说明书，相同或者相似的部分由相同的附图标记表示。
在下文中，将参考附图描述具体实施例。
图1是根据一个实施例的显示装置的透视图。图2是根据一个实施例的显示装置的平面图。图3和图4是根据一个实施例的显示装置的侧视图。
显示装置10可以是用于显示静止图像或者运动图像的装置，并且显示装置10不仅可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置或者超移动pc(umpc)的移动电子装置的显示屏，而且可以用作诸如电视、笔记本电脑、监控器、广告牌和物联网(iot)装置的各种其它产品的显示屏。显示装置10可以是有机发光二极管(oled)显示装置、液晶显示(lcd)装置、等离子体显示装置、场发射显示(fed)装置、电泳显示(epd)装置、电润湿显示装置、量子点发光二极管(qled)显示装置和微发光二极管(mled)显示装置中的一种。在下文中，显示装置10将被描述为是oled显示装置，但本发明不限于此。
根据一个实施例的显示装置10包括显示面板100、显示驱动电路200、电路板300和触摸驱动电路400。
显示面板100可以包括主区域ma和从主区域ma的一侧突出的突出区域pa。
主区域ma可以被形成为矩形平面，该矩形平面具有在第一方向(x轴方向)上的短边和在与第一方向(x轴方向)相交的第二方向(y轴方向)上的长边。在第一方向(x轴方向)上的短边与在第二方向(y轴方向)上的长边相接处的拐角可以被形成为倒圆的以具有预定曲率或者被形成为直角。显示装置10的平面形状不限于矩形形状，而是可以被形成为其它多边形形状、圆形形状或者椭圆形形状。
主区域ma可以被形成为平坦的，但本发明不限于此。主区域ma可以具有在其左端和右端处形成的弯曲部分。在此情形下，弯曲部分可以具有恒定的或者可变的曲率。
主区域ma可以包括像素在其中形成以显示图像的显示区域da和是显示区域da的外围区域的非显示区域nda。
在显示区域da中，不仅可以设置像素，而且可以设置连接到像素的扫描线、数据线和电力线。当主区域ma包括弯曲部分时，显示区域da可以被设置在弯曲部分中。在此情形下，即使在弯曲部分中也可以观看到由显示面板100显示的图像。
非显示区域nda可以被定义为范围从显示区域da的外侧到显示面板100的边缘的区域。在非显示区域nda中，用于向扫描线施加扫描信号的扫描驱动器以及用于连接数据线和显示驱动电路200的链接线可以被设置。
突出区域pa可以从主区域ma的一侧突出。例如，如图2中图示的，突出区域pa可以从主区域ma的下侧突出。突出区域pa在第一方向(x轴方向)上的长度可以小于主区域ma在第一方向(x轴方向)上的长度。
突出区域pa可以包括弯折区域ba和焊盘区域pda。在此情形下，焊盘区域pda可以被设置在弯折区域ba的一侧，并且主区域ma可以被设置在弯折区域ba的另一侧。例如，焊盘区域pda可以被设置在弯折区域ba的下侧，并且主区域ma可以被设置在弯折区域ba的上侧。
显示面板100可以被形成为柔性的，并且因此可以是柔性的、可弯折的、可折叠的或者可卷曲的。因此，显示面板100可以在弯折区域ba中在厚度方向(z轴方向)上弯折。在此情形下，如图3中所示，在显示面板100弯折之前，显示面板100的焊盘区域pda的一个表面面向上方，但是如图4中所示，在显示面板100弯折之后，显示面板100的焊盘区域pda的一个表面面向下方。因此，如图4中所示，焊盘区域pda可以被设置在主区域ma之下，并且因此可以与主区域ma重叠。
在显示面板100的焊盘区域pda中，电连接到显示驱动电路200和电路板300的焊盘可以被设置。
显示驱动电路200输出用于驱动显示面板100的信号和电压。例如，显示驱动电路200可以向数据线供给数据电压。此外，显示驱动电路200可以向电力线供给电力电压，并且可以向扫描驱动器供给扫描控制信号。显示驱动电路200可以被形成为集成电路(ic)，并且可以使用玻璃上芯片(cog)或塑料上芯片(cop)方法或者超声波结合方法被安装在显示面板100上、焊盘区域pda中，但本发明不限于此。例如，显示驱动电路200可以被安装在电路板300上。
焊盘可以包括电连接到显示驱动电路200的显示焊盘和电连接到触摸线的触摸焊盘。
电路板300可以使用各向异性导电膜附接到焊盘。因此，电路板300的引线可以电连接到焊盘。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或者诸如膜上芯片的柔性膜。
触摸驱动电路400可以连接到显示面板100的触摸感测器层tsl的触摸电极。触摸驱动电路400将驱动信号施加到触摸感测器层tsl的触摸电极，并且测量触摸电极的电容值。驱动信号可以是具有多个驱动脉冲的信号。触摸驱动电路400不仅可以确定触摸是否被输入，而且可以基于电容值计算触摸被输入到的触摸坐标。
触摸驱动电路400可以被设置在电路板300上。触摸驱动电路400可以被形成为ic并且被安装在电路板300上。
图5是图示图2的区域q1的一个示例的放大平面图。图6是图示图2的区域q1的另一个示例的放大平面图。图7是图示沿着图5的线vii-vii’截取的截面的一个示例的截面图。图8是图示图7的区域q2的一个示例的放大截面图。图9至图11是图示图7的区域q2的其它示例的放大截面图。图12是图示沿着图5的线vii-vii’截取的截面的另一个示例的截面图。
参考图5至图12，显示区域da包括多个像素p。像素中的每一个包括发光区域ema。非发光区域nem被设置在各个像素的发光区域ema之间。
像素p可以包括第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素。各个颜色像素可以以各种方式布置。在一个实施例中，在第一行中，第一颜色像素(例如，红色像素)和第二颜色像素(例如，蓝色像素)可以沿着第一方向(x轴)交替布置。在与第一行相邻的第二行中，第三颜色像素(例如，绿色像素)可以沿着第一方向(x轴)布置。属于第二行的像素可以相对于属于第一行的像素在第一方向(x轴)上交错。属于第二行的第三颜色像素的数目可以是属于第一行的第一颜色像素或者第二颜色像素的数目的两倍。第一行和第二行的布置可以沿着第二方向(y轴)重复。
例如，第一颜色像素可以是红色子像素r，第二颜色像素可以是蓝色子像素b，并且第三颜色像素可以是绿色子像素g。一个红色子像素r、一个蓝色子像素b和两个绿色子像素g可以被定义为一个像素p。
发光区域ema包括第一颜色像素中的发光区域ema_r、第二颜色像素中的发光区域ema_b和第三颜色像素中的发光区域ema_g，并且每个颜色像素中的发光区域ema的大小可以不同。例如，第一颜色像素中的发光区域ema_r在大小上可以大于第二颜色像素中的发光区域ema_b，并且第三颜色像素中的发光区域ema_g在大小上可以小于第二颜色像素中的发光区域ema_b，但本发明不限于此，并且第三颜色像素中的发光区域ema_g在大小上可以大于第二颜色像素中的发光区域ema_b。此外，如附图中所示，发光区域ema中的每一个的大小可以相同。
在附图中，作为示例，发光区域ema中的每一个的平面形状被图示为是菱形的，但是每个颜色像素的发光区域ema的平面形状可以变化。例如，发光区域ema中的每一个的形状可以是八边形形状、圆形形状、其它多边形形状或者具有倒圆拐角的多边形形状。
显示区域da可以进一步包括围绕发光区域ema中的每一个以提高光输出到外部的效率的全反射层trl(在图7中)。具体地，全反射层trl可以包括无机层170、低折射有机层180和高折射有机层190，并且可以将从发光区域ema发射的光当中的朝向外部行进的光反射为向上行进。如图5中所示，每个低折射有机层180可以对应于每个发光区域ema设置，但本发明不限于此。
作为另一个示例，如图6中所示，低折射有机层180’可以延伸并且可以完全形成在非发光区域nem中。在低折射有机层180’中，开口可以在与每个发光区域ema相对应的区域中形成以暴露子像素r、g和b中的每一个。
在下文中，将参考图7详细描述显示装置的整体堆叠结构和全反射层trl的工作原理。
显示面板100包括基板sub以及被依次设置在基板sub上的薄膜晶体管层tftl、发光元件层eml、密封层160和全反射层trl。
基板sub可以由诸如玻璃、石英或者聚合物树脂的绝缘材料制成。聚合物材料的示例可以包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(pa)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙酯、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纤维素(cat)、醋酸丙酸纤维素(cap)或者它们的组合。可替代地，基板sub可以包括金属材料。
基板sub可以是刚性基板或者可弯折的、可折叠的或者可卷曲的柔性基板。当基板sub是柔性基板时，基板sub可以由聚酰亚胺(pi)制成，但本发明不限于此。
薄膜晶体管层tftl形成在基板sub上。薄膜晶体管层tftl包括栅绝缘膜121、层间绝缘膜122、保护膜123、平坦化膜130和多个薄膜晶体管110。
第一缓冲膜bf1可以形成在基板sub的一个表面上。第一缓冲膜bf1可以形成在基板sub的一个表面上以保护发光元件层eml的有机发光层142和薄膜晶体管110免受渗过易受湿气渗透的影响的基板sub的湿气的影响。第一缓冲膜bf1可以包括被交替堆叠的多个无机膜。例如，第一缓冲膜bf1可以被形成为多层膜，在该多层膜中，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层当中的一个或者多个无机膜被交替堆叠。在一些实施例中，第一缓冲膜bf1可以被省略。
薄膜晶体管110形成在第一缓冲膜bf1上。薄膜晶体管110中的每一个包括有源层111、栅电极112、源电极113和漏电极114。在图7中，薄膜晶体管110中的每一个被图示为被形成为栅电极112位于有源层111上方的顶栅型，但本发明不限于此。也就是说，薄膜晶体管110中的每一个也可以被形成为栅电极112位于有源层111下方的底栅型或者栅电极112位于有源层111上方和下方的双栅型。
有源层111形成在缓冲膜上。有源层111可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或者氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括包含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(hf)、锆(zr)和镁(mg)等的二元化合物(abx)、三元化合物(abxcy)或者四元化合物(abxcydz)。例如，有源层111可以包括itzo(包括铟、锡和钛的氧化物)或者igzo(包括铟、镓和锡的氧化物)。被配置为阻挡入射在有源层111上的外部光的光阻挡层可以形成在缓冲膜与有源层111之间。
栅绝缘膜121可以形成在有源层111上。栅绝缘膜121可以被形成为无机膜，例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层。
栅电极112和栅线可以形成在栅绝缘膜121上。栅电极112和栅线中的每一个可以被形成为由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)当中的一种或者它们的合金制成的单层或者多层。
层间绝缘膜122可以形成在栅电极112和栅线上。层间绝缘膜122可以被形成为无机膜，例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层。
源电极113和漏电极114可以形成在层间绝缘膜122上。源电极113和漏电极114中的每一个可以通过穿过栅绝缘膜121和层间绝缘膜122的接触孔连接到有源层111。源电极113和漏电极114中的每一个可以被形成为由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)当中的一种或者它们的合金制成的单层或者多层。
用于使薄膜晶体管110绝缘的保护膜123可以形成在源电极113和漏电极114上。保护膜123可以被形成为无机膜，例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层。
平坦化膜130可以形成在保护膜123上，以平坦化由于薄膜晶体管110而引起的阶差。平坦化膜130可以被形成为由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂制成的有机膜。
发光元件层eml可以形成在薄膜晶体管层tftl上。发光元件层eml可以包括发光元件140和堤层150。
发光元件140和堤层150形成在平坦化膜130上。发光元件140中的每一个可以包括第一电极141、有机发光层142和第二电极143。
第一电极141可以形成在平坦化膜130上。第一电极141通过穿过保护膜123和平坦化膜130的接触孔连接到薄膜晶体管110的源电极113。
在其中光相对于有机发光层142在第二电极143的方向上发射的顶发射结构中，第一电极141可以由诸如铝和钛的堆叠结构(ti/al/ti)、铝和铟锡氧化物(ito)的堆叠结构(ito/al/ito)、银-钯-铜(apc)合金以及ito和apc合金的堆叠结构(ito/apc/ito)的具有高反射率的导电(金属)材料制成。apc合金是银(ag)、钯(pd)和铜(cu)的合金。
在其中光相对于有机发光层142在第一电极141的方向上发射的底发射结构中，第一电极141可以由诸如ito或者铟锌氧化物(izo)的能够透射光的透明导电材料(tco)制成，或者可以由诸如镁(mg)、银(ag)或者镁(mg)和银(ag)的合金的半透射导电材料制成。在此情形下，当第一电极141由半透射导电材料制成时，光输出效率可以通过微腔提高。
堤层150可以被形成为分割平坦化膜130上的第一电极141，以用作用于限定每个子像素r、g和b的堤层。堤层150可以被形成为覆盖第一电极141的边缘。堤层150可以被形成为由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂制成的有机膜。
子像素r、g和b中的每一个是指其中第一电极141、有机发光层142和第二电极143被依次堆叠并且来自第一电极141的空穴和来自第二电极143的电子在有机发光层142中彼此组合以发光的区域。
有机发光层142形成在第一电极141和堤层150上。有机发光层142可以包括有机材料以发射特定颜色。例如，有机发光层142可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。在此情形下，红色子像素r的有机发光层142可以发射红光，绿色子像素g的有机发光层142可以发射绿光，并且蓝色子像素b的有机发光层142可以发射蓝光。然而，本发明不限于此，并且子像素r、g和b的有机发光层142可以发射白光，并且在此情形下，红色子像素r可以进一步包括红色滤色器层，绿色子像素g可以进一步包括绿色滤色器层，并且蓝色子像素b可以进一步包括蓝色滤色器层。
第二电极173形成在有机发光层142上。第二电极173可以被形成为覆盖有机发光层142。第二电极173可以是在像素p中共同形成的公共层。尽管附图中未图示，但是被配置为保护第二电极173的覆盖层可以进一步形成在第二电极173上。
在顶发射结构中，第二电极173可以由诸如ito或者izo的能够透射光的透明导电材料(tco)制成，或者可以由诸如镁(mg)、银(ag)或者镁(mg)和银(ag)的合金的半透射导电材料制成。当第二电极173由半透射导电材料制成时，光输出效率可以通过微腔提高。
薄膜密封层160形成在发光元件层eml上。
薄膜密封层160被设置在第二电极173上。薄膜密封层160可以包括至少一个无机膜以防止氧气或者湿气渗入有机发光层142和第二电极173。此外，薄膜密封层160可以包括至少一个有机膜以保护发光元件层eml免受诸如灰尘的异物的影响。例如，薄膜密封层160可以包括被设置在第二电极173上的第一密封无机膜、被设置在第一密封无机膜上的密封有机膜和被设置在密封有机膜上的第二密封无机膜。第一密封无机膜和第二密封无机膜可以被形成为氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层，但本发明不限于此。密封有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂等制成，但本发明不限于此。
全反射层trl可以被设置在薄膜密封层160上。全反射层trl包括无机层170以及被设置在无机层170上的低折射有机层180和高折射有机层190。无机层170可以包括被设置在薄膜密封层160上的基部部分和在厚度方向上从基部部分突出的突出图案部分170p。
第二缓冲膜bf2可以完全形成在薄膜密封层160上。第二缓冲膜bf2可以被直接设置在薄膜密封层160上，以更牢固地保护有机发光层142免受从外部渗透的湿气的影响，并且以提供以上描述的全反射层trl被设置在其中的空间。在一些实施例中，当触摸感测器层被进一步设置在薄膜密封层160上时，可以提供触摸感测器层被设置在其中的空间。下面将参考图17至图22描述其中进一步设置触摸感测器层的实施例。
第二缓冲膜bf2可以被形成为包括无机材料的单层膜。例如，第二缓冲膜bf2可以被形成为包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一种材料的单层膜。例如，第二缓冲膜bf2可以包括氮化硅，并且可以被形成为具有大约
包括突出图案部分170p的无机层170可以被设置在第二缓冲膜bf2上。
无机层170可以完全形成在第二缓冲膜bf2上以覆盖薄膜密封层160。在一些实施例中，当触摸感测器层被设置在薄膜密封层160上时，无机层170可以用作使包括在触摸感测器层中的第一金属层和第二金属层绝缘的绝缘层。此外，在此情形下，在无机层170中可以形成穿过无机层170的暴露第一金属层的接触孔。
无机层170可以被形成为包括无机材料的单层膜。例如，无机层170可以被形成为包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一种材料的单层膜。例如，无机层170可以包括氮化硅，并且可以被形成为在除了突出图案部分170s之外的区域中具有
突出图案部分170p可以是用于在形成低折射有机层180期间确保工艺稳定性的支撑层，这将在下面描述。具体地，突出图案部分170p可以支撑低折射有机层180的侧表面，使得当形成低折射有机层180时，低折射有机层180的形状在光刻工艺期间不塌陷。在不设置突出图案部分170p的情况下，底切或者残余膜可以在光刻工艺期间形成在低折射有机层180的下部分上，以降低可加工性。
突出图案部分170p的两个截面侧表面各自可以具有大体倒锥形形状，并且因此低折射有机层180的全反射表面的至少一部分可以被支撑为具有倾斜表面。也就是说，突出图案部分170p的截面形状可以是倒梯形形状，但不限于此，并且可以是三角形形状、各种多边形形状中的一种或者具有弯曲表面的形状。被设置在突出图案部分170p上的低折射有机层180的形状可以根据突出图案部分170p的截面形状而变化。
突出图案部分170p可以在基本上垂直于基板sub的方向上与发光区域ema重叠。突出图案部分170p的宽度可以等于或者大于发光区域ema的宽度。在一些实施例中，突出图案部分170p的至少一部分可以与非发光区域nem重叠。
此外，尽管附图中未图示，但是在一些实施例中，无机层170可以进一步包括甚至被完全设置在非发光区域nem中的突出图案部分170p。
突出图案部分170p可以通过各种方法形成。作为一个实施例，突出图案部分170p可以是通过堆叠具有大厚度的无机层170并且然后去除无机层170的一部分使得与发光区域重叠的区域突出而形成的一部分。在此情形下，突出图案部分170p可以是从无机层170的上表面突出的一部分，并且无机层170和突出图案部分170p可以彼此接触而在它们之间没有物理边界。然而，突出图案部分170p不限于此，并且作为另一个示例，可以被形成为与无机层170分离的层。
在突出图案部分170p通过去除无机层170的一部分形成的情况下，突出图案部分170p可以包括与无机层170相同的材料。也就是说，突出图案部分170p可以被形成为包括无机材料的单层膜。无机材料的示例可以与包括在无机层170中的无机材料的示例相同，并且因此将省略其详细描述。
突出图案部分170p可以被形成为具有从突出图案部分170p未在其上形成的无机层170的上表面起
与以上描述不同，突出图案部分170p可以被形成为与无机层170分离的层。图12例示了突出图案部分170p_1被形成为无机层170_1上的分离的层。在此情形下，无机层170_1可以被设置成沿着第二缓冲膜bf2的表面具有基本上均匀的厚度，并且突出图案部分170p_1可以被设置成分离的层以与发光区域ema重叠。
当突出图案部分170p_1被设置成与无机层170_1分离的层时，突出图案部分170p_1的厚度可以被自由调节，并且突出图案部分170p_1可以由与无机层170_1的无机材料不同的无机材料形成。因此，被设置在无机层170_1和突出图案部分170p_1上的低折射有机层180的形状可以被更多样地设计。
低折射有机层180和高折射有机层190可以被设置在无机层170上。
低折射有机层180可以被设置为与发光区域ema相邻，并且可以向上输出从发光区域ema发射的光当中的被指向到外部的光。低折射有机层180与以上描述的无机层170和将在以下描述的高折射有机层190相比可以具有较低的折射率。例如，无机层170可以具有1.89的折射率，并且低折射有机层180可以具有1.51的折射率。
此外，低折射有机层180可以包括在与发光区域ema相邻的侧表面处具有斜率的全反射表面180tr。入射在全反射表面180tr上的光l可以被反射并且被向上输出。
作为一个实施例，低折射有机层180可以被设置为与发光区域ema相邻，可以被设置成在垂直于基板sub的方向上不与发光区域ema重叠，并且可以被设置成与非发光区域nem重叠。当低折射有机层180不与发光区域ema重叠时，发光区域ema中的光输出路径不被阻挡，使得光输出效率不被降低，并且向外指向的光可以被有效地向上输出。
低折射有机层180可以包括有机材料。例如，低折射有机层180可以被形成为包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂的有机材料的单层膜，但本发明不限于此。作为一个实施例，低折射有机层180可以被形成为具有大约3μm厚度的丙烯酸透明有机膜。
将参考图8至图11更详细地描述无机层170和低折射有机层180中的每一个的结构。如以上描述的，低折射有机层180被设置在无机层170上，并且高折射有机层190被设置在低折射有机层180上。
低折射有机层180可以包括下低折射有机层180p和上低折射有机层180q。具体地，下低折射有机层180p可以是由无机层170的突出图案部分170p支撑的一部分，并且上低折射有机层180q可以是不由突出图案部分170p支撑的一部分。
下低折射有机层180p的至少一部分可以被设置在是由突出图案部分170p的侧表面170ps支撑的区域的保护区域sa中。下低折射有机层180p可以由保护区域sa保护，并且可以例如使当在无机材料上形成有机材料时可能形成的底切或者残余膜的发生最小化。也就是说，当形成低折射有机层180时，工艺稳定性可以被提高。
此外，即使当低折射有机层180在低折射有机层180形成后的后续工艺中遭受外力时，低折射有机层180的形状也可以被保持而不塌陷，使得光学性能的可靠性也可以被提高。
下低折射有机层180p可以包括与突出图案部分170p的侧表面170ps接触的第一锥形表面180ps。第一锥形表面180ps可以具有相对于下低折射有机层180p的底表面的第一锥角θ1。第一锥角θ1可以在60°至85°的范围内，并且优选地在70°至75°的范围内，使得第一锥形表面180ps有效地反射从发光元件140发射的光。
上低折射有机层180q可以包括与高折射有机层190接触的第二锥形表面180qs。第二锥形表面180qs可以具有相对于突出图案部分170p的上表面的延伸线的第二锥角θ2。与第一锥角θ1一样，第二锥角θ2也可以在60°至85°的范围内，并且优选地在70°至75°的范围内。
第一锥角θ1和第二锥角θ2可以彼此相等，但本发明不限于此。例如，下低折射有机层180p的第一锥角θ1可以由无机层170的突出图案部分170p确定，并且上低折射有机层180q的第二锥角θ2可以根据形成低折射有机层180的工艺而变化。也就是说，第二锥角θ2可以与第一锥角θ1不同。图9和图10例示了其中第二锥角θ2与第一锥角θ1不同的结构。
图9的上低折射有机层180qa包括具有小于第一锥角θ1的第二锥角θ2a的第二锥形表面180qas。由于第二锥形表面180qas与第一锥形表面180ps相比具有较小的斜率，因此具有大于第一锥形表面180ps的锥角的入射角的光可以被全反射并且被向上输出。
图10的上低折射有机层180qb包括具有大于第一锥角θ1的第二锥角θ2b的第二锥形表面180qbs。由于第二锥形表面180qbs与第一锥形表面180ps相比具有较大的斜率，因此即使当具有小于第一锥形表面180ps的锥角的入射角的光入射时，光也可以被全反射并且被向上输出。
也就是说，在第一锥形表面180ps和第二锥形表面180qas或180qbs如图9和图10的示例中那样具有不同的斜率的情况下，与第一锥形表面180ps和第二锥形表面180qas或180qbs具有相同的斜率的情况相比，具有各种入射角的入射光可以被更多地向上输出。
下低折射有机层180p的第一锥形表面180ps和上低折射有机层180q的第二锥形表面180qs可以形成低折射有机层180的以上描述的全反射表面180tr。
下低折射有机层180p的第一锥形表面180ps的一个端部和上低折射有机层180q的第二锥形表面180qs的一个端部可以如图8至图10中图示的彼此接触，但可以不彼此接触。也就是说，第一锥形表面180ps和第二锥形表面180qs可以彼此不对准。
图11例示了下低折射有机层180p的第一锥形表面180ps和上低折射有机层180qc的第二锥形表面180qcs彼此不对准的结构。如在图11的示例中，当在形成低折射有机层180c的工艺中没有充分去除上低折射有机层180qc时，第二锥形表面180qcs可以向外突出。然而，本发明不限于第二锥形表面180qcs比第一锥形表面180ps更向外突出的情况，并且根据形成低折射有机层180c的工艺，第二锥形表面180qcs可以比第一锥形表面180ps更向内缩进。
此外，第二锥形表面180qcs的第二锥角θ2c和第一锥角θ1可以彼此相等，但是当然也可以如图9和图10中所示的彼此不同。
在下文中，将描述低折射有机层180，其中，如在图8中图示的结构中，第一锥角θ1等于第二锥角θ2，并且第一锥形表面180ps和第二锥形表面180qs彼此对准。然而，图9至图11中图示的结构可以被应用于下面将描述的所有实施例。
再次参考图7，高折射有机层190可以被设置在无机层170和低折射有机层180上。高折射有机层190可以被形成为覆盖无机层170和低折射有机层180，使得被设置在薄膜密封层160上的全反射层trl可以被大体上平坦化。
高折射有机层190可以由与低折射有机层180相比具有较高的折射率的材料制成。例如，低折射有机层180可以具有1.51的折射率，并且高折射有机层180可以具有1.65的折射率。也就是说，入射到高折射有机层190与低折射有机层180之间的界面上的光可以被全反射并且被向上输出。
高折射有机层190可以包括有机材料。例如，高折射有机层190可以被形成为包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂的有机材料的单层膜，但本发明不限于此，只要该有机材料是具有比低折射有机层180的折射率高的折射率的有机材料即可。
高折射有机层190可以被形成为具有从无机层170的上表面起5μm以上的厚度。也就是说，高折射有机层190可以被形成为比低折射有机层180厚。
在下文中，将描述显示装置的其它实施例。在以下实施例中，与以上描述的实施例中的部件相同的部件将用相同的附图标记表示，并且将省略或者简化其描述，并且将主要描述不同之处。
图13至图16的实施例与图5至图12的实施例的不同之处在于，低折射有机层180_2包括第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2。在下文中，将主要描述与以上描述的实施例的不同之处。
图13是图示图2的区域q1的又一个示例的放大平面图。图14是图示图2的区域q1的再一个示例的放大平面图。图15是图示沿着图13的线xv-xv’截取的截面的一个示例的截面图。图16是图示沿着图13的线xv-xv’截取的截面的另一个示例的截面图。
参考图13至图16，显示区域da包括多个像素p，并且每个像素包括发光区域ema。非发光区域nem被设置在各个像素的发光区域ema之间。
显示区域da可以进一步包括围绕发光区域ema中的每一个以提高光输出到外部的效率的全反射层trl(在图15中)。具体地，全反射层trl可以包括无机层170_2、低折射有机层180_2和高折射有机层190，并且可以将从发光区域ema发射的光当中的朝向外部行进的光反射为向上行进。
低折射有机层180_2可以包括第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2。第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2可以被设置成在平面图中围绕发光区域ema，并且第一低折射有机层181_2可以被设置在第二低折射有机层182_2的内侧。第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2可以被设置成彼此物理地间隔开。如图13中所示，每个第二低折射有机层182_2可以对应于每个发光区域ema设置，但本发明不限于此。
作为另一个示例，如图14中所示，低折射有机层180_2可以包括第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2’，并且第二低折射有机层182_2’可以延伸并且可以完全形成在非发光区域nem中。在低折射有机层180_2’中，开口在与每个发光区域ema相对应的区域中形成以暴露子像素r、g和b中的每一个。
全反射层trl可以被设置在薄膜密封层160上。全反射层trl包括无机层170_2以及被设置在无机层170_2上的低折射有机层180_2和高折射有机层190。
无机层170_2可以包括被设置在薄膜密封层160上的基部部分和在厚度方向上从基部部分突出的突出图案部分170p_2。突出图案部分170p_2可以包括第一突出图案部分171p_2和第二突出图案部分172p_2。
低折射有机层180_2可以包括第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2。
无机层170_2可以完全形成在第二缓冲膜bf2上以覆盖薄膜密封层160。
突出图案部分170p_2可以是用于在形成低折射有机层180_2期间确保工艺稳定性的支撑层。具体地，突出图案部分170p_2可以支撑低折射有机层180_2，使得当形成低折射有机层180_2时，低折射有机层180_2的形状在光刻工艺期间不塌陷。第一突出图案部分171p_2可以支撑第一低折射有机层181_2的全反射表面181_2tr，并且第二突出图案部分172p_2可以支撑第二低折射有机层182_2的全反射表面182_2tr。
突出图案部分170p_2的两个截面侧表面各自可以具有大体倒锥形形状，并且因此低折射有机层180_2的全反射表面的至少一部分可以被支撑为具有倾斜表面。突出图案部分170p_2的截面形状可以是倒梯形形状，但不限于此，并且可以是三角形形状、各种多边形形状中的一种或者具有弯曲表面的形状。被设置在突出图案部分170p_2上的低折射有机层180_2的形状可以根据突出图案部分170p_2的截面形状而变化。
第一突出图案部分171p_2可以被设置在第一低折射有机层181_2的内侧，并且可以在基本上垂直于基板sub的方向上与发光区域ema重叠。第一突出图案部分171p_2的宽度可以等于或者大于发光区域ema的宽度。在一些实施例中，第一突出图案部分171p_2的至少一部分可以与非发光区域nem重叠。
第二突出图案部分172p_2可以被设置在第一低折射有机层181_2与第二低折射有机层182_2之间，并且被设置在非发光区域nem中。
尽管附图中未图示，但是无机层170_2可以进一步包括被设置在第二低折射有机层182_2之间并且被完全设置在非发光区域nem中的第三突出图案部分。
第一突出图案部分171p_2和第二突出图案部分172p_2各自可以被形成为具有从无机层170_2的上表面起
图16例示了突出图案部分170p_3被形成为无机层170_3上的分离的层。突出图案部分170p_3包括第一突出图案部分171p_3和第二突出图案部分172p_3。在图16中，第一突出图案部分171p_3和第二突出图案部分172p_3两者被图示为被形成为与无机层170_3分离的层，但本发明不限于此。也就是说，第一突出图案部分171p_3和第二突出图案部分172p_3中的一个可以被形成为与无机层170_3分离的层，并且它们中的另一个可以被形成为从无机层170_3延伸。
当突出图案部分170p_3被形成为与无机层170_3分离的层时，无机层170_3可以被设置成沿着第二缓冲膜bf2的表面具有大致均匀的厚度。突出图案部分170p_3可以由与无机层170_3的材料不同的材料形成，并且突出图案部分170p_3的厚度可以被自由调节。因此，被设置在无机层170_3和突出图案部分170p_3上的低折射有机层180_3的形状可以被更多样地设计。
再次参考图15，高折射有机层190和低折射有机层180_2可以被设置在无机层170_2上。低折射有机层180_2可以包括第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2。
低折射有机层180_2可以被设置为与发光区域ema相邻，并且可以向上输出从发光区域ema发射的光当中的被指向到外部的光l1和l2。低折射有机层180_2与无机层170_2和高折射有机层190相比可以具有较低的折射率。
当低折射有机层180_2形成在无机层170_2上时，低折射有机层180_2的与突出图案部分170p_2相接的全反射表面181_2tr和182_2tr可以具有相对于无机层170_2的预定斜率。具体地，第一低折射有机层181_2可以包括具有斜率的第一全反射表面181tr_2，并且第二低折射有机层182_2可以包括具有斜率的第二全反射表面182tr_2。
作为一个实施例，在第一低折射有机层181_2的底表面与第一低折射有机层181_2的全反射表面181_2tr之间形成的斜率可以具有60°至85°的角度，并且在第二低折射有机层182_2的底表面与第二低折射有机层182_2的全反射表面182_2tr之间形成的斜率可以小于或者等于在第一低折射有机层181_2的底表面与第一低折射有机层181_2的全反射表面181_2tr之间形成的斜率。
如以上描述的，低折射有机层180_2的全反射表面181_2tr和182_2tr可以是倾斜表面，并且因此低折射有机层180_2的截面可以具有锥形表面。
与参考图5至图8描述的实施例不同，本实施例包括第一低折射有机层181_2和第二低折射有机层182_2，并且因此可以向外部输出更多的光。例如，低折射有机层180_2包括第一全反射表面181_2tr和第二全反射表面182_2tr，并且因此可以通过与以上描述的实施例相比反射更多的光来有效地向上输出光。
高折射有机层190可以被设置在无机层170_2和低折射有机层180_2上。高折射有机层190可以被形成为完全覆盖无机层170_2和低折射有机层180_2，并且因此可以大体上平坦化被设置在薄膜密封层160上的全反射层trl。
高折射有机层190可以被形成为具有从无机层170_2的上表面起5μm以上的厚度。也就是说，高折射有机层190可以被形成为比低折射有机层180_2厚。
图17至图22中图示的实施例与参考图5至图16描述的实施例的不同之处在于，触摸感测器层tsl被进一步设置在薄膜密封层160上。在下文中，将主要描述与参考图5至图16描述的实施例的不同之处。
图17是图示图2的区域q1的再一个示例的放大平面图。图18是图示沿着图17的线xviii-xviii’截取的截面的一个示例的截面图。图19是图示沿着图17的线xviii-xviii’截取的截面的另一个示例的截面图。
显示区域da可以进一步包括围绕每个发光区域ema以提高光输出到外部的效率的全反射层trl(在图18中)。具体地，全反射层trl可以包括无机层170_4、低折射有机层180_4和高折射有机层190，并且可以将从发光区域ema发射的光当中的朝向外部行进的光反射为向上行进。
此外，显示区域da可以进一步包括用于以电容方式感测用户的触摸的触摸感测器层tsl。例如，触摸感测器层tsl可以以自电容方式或者互电容方式感测用户的触摸。触摸感测器层tsl可以感测用户的触摸并且将触摸信号传输到触摸驱动电路400(在图1中)。
触摸感测器层tsl可以由网状电极形成，并且可以沿着每个子像素r、g和b的边界被设置在非发光区域nem中。触摸感测器层tsl可以不与发光区域ema重叠。触摸感测器层tsl的宽度可以小于非发光区域nem的宽度。在一个实施例中，触摸感测器层tsl暴露的区域可以具有大体菱形形状。每个触摸感测器层tsl暴露的区域的大小可以相同，但是可以根据对应的区域暴露的发光区域ema的大小而不同，并且可以与对应的区域暴露的发光区域ema的大小无关而不同。触摸感测器层tsl暴露的一个区域在附图中被图示为与一个发光区域ema相对应，但不限于此，并且可以与两个或者更多个发光区域ema相对应。
触摸感测器层tsl形成在薄膜密封层160上。触摸感测器层tsl可以包括被设置在第二缓冲膜bf2上的第一金属层mtl1和被设置在无机层170_4上的第二金属层mtl2。第一金属层mtl1和第二金属层mtl2可以由铝和钛的堆叠结构(ti/al/ti)、铝和ito的堆叠结构(ito/al/ito)、银-钯-铜(apc)合金以及apc合金和ito的堆叠结构(ito/apc/ito)中的一种形成。另外，第一金属层mtl1和第二金属层mtl2可以由相同的材料制成，但本发明不限于此。
通过穿过无机层170_4而暴露第一金属层mtl1的接触孔可以形成在被设置在第一金属层mtl1与第二金属层mtl2之间的无机层170_4中，以电连接第一金属层mtl1和第二金属层mtl2。尽管在下面的附图中仅一个金属层被图示为触摸感测器层tsl，但是触摸感测器层tsl可以包括第一金属层mtl1和第二金属层mtl2。
由于触摸感测器层tsl直接形成在薄膜密封层160上，因此与包括触摸电极的分离的触摸面板被附接到薄膜密封层160的情况相比，显示装置的厚度可以被减小更多。另外，触摸感测器层tsl不仅由网状电极形成，而且被设置成与堤层150重叠。因此，可以防止子像素r、g和b中的每一个的开口面积减小。
低折射有机层180_4可以被设置成在平面图中围绕发光区域ema，并且开口可以在与每个发光区域ema相对应的区域中形成以暴露子像素r、g和b中的每一个。
全反射层trl可以被设置在薄膜密封层160上。全反射层trl包括无机层170_4以及被设置在无机层170_4上的低折射有机层180_4和高折射有机层190。无机层170_4可以包括被设置在薄膜密封层160上的基部部分和在厚度方向上从基部部分突出的突出图案部分170p_4。
无机层170_4可以完全形成在第二缓冲膜bf2上以覆盖薄膜密封层160。突出图案部分170p_4可以是用于在形成低折射有机层180_4期间确保工艺稳定性的支撑层。
突出图案部分170p_4的两个截面侧表面各自可以具有大体倒锥形形状，并且因此低折射有机层180_4的全反射表面的至少一部分可以被支撑为具有倾斜表面。突出图案部分170p_4的截面形状可以是倒梯形形状，但不限于此，并且可以是三角形形状、各种多边形形状中的一种或者具有弯曲表面的形状。被设置在突出图案部分170p_4上的低折射有机层180_4的形状可以根据突出图案部分170p_4的截面形状而变化。
突出图案部分170p_4可以在垂直于基板sub的方向上与发光区域ema重叠。突出图案部分170p_4的宽度可以等于或者大于发光区域ema的宽度。在一些实施例中，突出图案部分170p_4的至少一部分可以与非发光区域nem重叠。
尽管附图中未图示，但是无机层170_4可以进一步包括被设置在低折射有机层180_4之间并且被完全设置在非发光区域nem中的突出图案部分。在此情形下，触摸感测器层tsl的第二金属层可以被设置在突出图案部分170p_4上。
图19例示了突出图案部分170p_5被形成为无机层170_5上的分离的层。当突出图案部分170p_5被形成为与无机层170_5分离的层时，无机层170_5可以被设置成沿着第二缓冲膜bf2的表面具有大致均匀的厚度。此外，突出图案部分170p_5的厚度可以被自由调节，并且突出图案部分170p_5可以由与无机层170_5的材料不同的材料制成。因此，被设置在无机层170_5和突出图案部分170p_5上的低折射有机层180_5的形状可以被更多样地设计。
再次参考图18，高折射有机层190和低折射有机层180_4可以被设置在无机层170_4上。低折射有机层180_4与以上描述的无机层170_4和高折射有机层190相比可以具有较低的折射率。
当低折射有机层180_4形成在无机层170_4上时，低折射有机层180_4的与突出图案部分170p_4相接的全反射表面的至少一部分可以具有相对于无机层170_4的预定斜率。
高折射有机层190可以被设置在无机层170_4、触摸感测器层tsl和低折射有机层180_4上。高折射有机层190可以被形成为完全覆盖无机层170_4、触摸感测器层tsl和低折射有机层180_4，并且因此可以大体上平坦化被设置在薄膜密封层160上的全反射层trl并且覆盖和保护触摸感测器层tsl。
图20至图22的实施例与以上描述的图17至图19的实施例的不同之处在于，低折射有机层180_6包括第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6。在下文中，将主要描述与参考图17至图19描述的实施例的不同之处。
图20是图示图2的区域q1的再一个示例的放大平面图。图21是图示沿着图20的线xxi-xxi’截取的截面的一个示例的截面图。图22是图示沿着图20的线xxi-xxi’截取的截面的另一个示例的截面图。
显示区域da可以进一步包括围绕每个发光区域ema以提高光输出到外部的效率的全反射层trl(在图21中)。具体地，全反射层trl可以包括无机层170_6、低折射有机层180_6和高折射有机层190，并且可以将从发光区域ema发射的光当中的朝向外部行进的光反射为向上行进。
低折射有机层180_6可以包括第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6。第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6可以被设置成在平面图中围绕发光区域ema，并且第一低折射有机层181_6可以被设置在第二低折射有机层182_6的内侧。第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6可以被设置成彼此物理地间隔开。如图20中所示，每个第二低折射有机层182_6可以对应于每个发光区域ema设置，但本发明不限于此。
全反射层trl可以被设置在薄膜密封层160上。全反射层trl包括无机层170_6以及被设置在无机层170_6上的低折射有机层180_6和高折射有机层190。
低折射有机层180_6可以包括第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6。
无机层170_6可以包括被设置在薄膜密封层160上的基部部分和在厚度方向上从基部部分突出的突出图案部分170p_6。另外，突出图案部分170p_6可以包括第一突出图案部分171p_6和第二突出图案部分172p_6。
无机层170_6可以完全形成在第二缓冲膜bf2上以覆盖薄膜密封层160。
突出图案部分170p_6可以是用于在形成低折射有机层180_6期间确保工艺稳定性的支撑层。第一突出图案部分171p_6可以支撑第一低折射有机层181_6的全反射表面181_6tr，并且第二突出图案部分172p_6可以支撑第二低折射有机层182_6的全反射表面182_6tr。
第一突出图案部分171p_6可以被设置在第一低折射有机层181_6的内侧，并且可以在基本上垂直于基板sub的方向上与发光区域ema重叠。第一突出图案部分171p_6的宽度可以等于或者大于发光区域ema的宽度。在一些实施例中，第一突出图案部分171p_6的至少一部分可以与非发光区域nem重叠。
第二突出图案部分172p_6可以被设置在第一低折射有机层181_6与第二低折射有机层182_6之间，并且被设置在非发光区域nem中。
第一突出图案部分171p_6和第二突出图案部分172p_6各自可以被形成为具有从无机层170_6的上表面起
图22例示了突出图案部分170p_7被形成为无机层170_7上的分离的层。突出图案部分170p_7可以包括第一突出图案部分171p_7和第二突出图案部分172p_7。在图22中，第一突出图案部分171p_7和第二突出图案部分172p_7两者被图示为被形成为与无机层170_7分离的层，但本发明不限于此。也就是说，第一突出图案部分171p_7和第二突出图案部分172p_7中的一个可以被形成为与无机层170_7分离的层，并且它们中的另一个可以被形成为从无机层170_7延伸。当突出图案部分170p_7被形成为与无机层170_7分离的层时，无机层170_7可以被设置成沿着第二缓冲膜bf2的表面具有大致均匀的厚度。
再次参考图21，高折射有机层190和低折射有机层180_6可以被设置在无机层170_6上。低折射有机层180_6可以包括第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6。
低折射有机层180_6可以被设置为与发光区域ema相邻，并且可以向上输出从发光区域ema发射的光当中的被指向到外部的光。低折射有机层180_6与以上描述的无机层170_6和高折射有机层190相比可以具有较低的折射率。
当低折射有机层180_6形成在无机层170_6上时，低折射有机层180_6的与突出图案部分170p_6相接的全反射表面的至少一部分可以具有相对于无机层170_6的预定斜率。因此，低折射有机层180_6的截面可以具有锥形表面。
作为一个实施例，在第一低折射有机层181_6的底表面与第一低折射有机层181_6的全反射表面之间形成的斜率可以具有60°至85°的角度，并且在第二低折射有机层182_6的底表面与第二低折射有机层182_6的全反射表面之间形成的斜率可以小于或者等于在第一低折射有机层181_6的底表面与第一低折射有机层181_6的全反射表面之间形成的斜率。
与参考图17至图19描述的实施例不同，本实施例包括第一低折射有机层181_6和第二低折射有机层182_6，并且因此可以向外部输出更多的光。例如，低折射有机层180_6包括第一低折射有机层181_6的全反射表面和第二低折射有机层182_6的全反射表面，并且因此与以上描述的实施例相比，可以向上输出更多的光。
高折射有机层190可以被设置在无机层170_6和低折射有机层180_6上。高折射有机层190可以被形成为完全覆盖无机层170_6和低折射有机层180_6，并且因此可以大体上平坦化被设置在薄膜密封层160上的全反射层trl。高折射有机层190可以被形成为具有从无机层170_6的上表面起5μm以上的厚度。也就是说，高折射有机层190可以被形成为比低折射有机层180_6厚。
图23是图示根据一个实施例的制造显示装置的方法的流程图。图24至图31是沿着图5的线vii-vii’截取的依次图示根据一个实施例的制造显示装置的方法的截面图。图32是图示根据另一个实施例的制造显示装置的方法的截面图。
图24至图31涉及制造图7中所示的显示装置的方法。因此，相同的附图标记被分配给相同的部件。具有相同的附图标记的部件与以上描述的部件相同或者相似，并且因此将省略其详细描述。在下文中，将参考图23以及图24至图31详细描述根据一个实施例的制造显示装置的方法。
参考图23至图31，根据一个实施例的制造显示装置的方法可以包括：在基板上形成薄膜晶体管、发光元件和薄膜密封层(s101)，在薄膜密封层上形成基部无机层(s103)，在基部无机层上形成光刻胶图案(s105)，蚀刻基部无机层以形成无机层(s107)，去除光刻胶图案(s109)，在无机层上形成基部有机层(s111)，蚀刻基部有机层以形成低折射有机层(s113)，以及在低折射有机层上形成高折射有机层(s115)。
第一，薄膜晶体管层tftl、发光元件层eml和薄膜密封层160形成在基板sub上。
具体地，第一缓冲膜bf1可以形成在基板sub上。第一缓冲膜bf1可以被形成以保护薄膜晶体管110和发光元件140免受渗过易受湿气渗透的影响的基板sub的湿气的影响，并且可以包括被交替堆叠的多个无机膜。例如，第一缓冲膜bf1可以被形成为其中氧化硅膜(siox)、氮化硅膜(sinx)和氮氧化硅膜(sion)当中的一个或者多个无机膜被交替堆叠的多层膜。第一缓冲膜bf1可以使用化学气相沉积(cvd)法形成。
此后，薄膜晶体管的有源层111形成在第一缓冲膜bf1上。具体地，有源金属层使用溅射法或者金属有机化学气相沉积(mocvd)法形成在第一缓冲膜bf1的整个表面上。此后，有源金属层通过使用光刻胶图案的掩模工艺被图案化以形成有源层111。有源层111可以由硅类半导体材料或者氧化物类半导体材料形成。
此后，栅绝缘膜121形成在有源层111上。栅绝缘膜121可以被形成为诸如氧化硅膜(siox)、氮化硅膜(sinx)或者它们的多层膜的无机膜。
此后，薄膜晶体管110的栅电极112形成在栅绝缘膜121上。具体地，第一金属层使用溅射法或mocvd法等形成在栅绝缘膜121的整个表面上。之后，第一金属层通过使用光刻胶图案的掩模工艺被图案化以形成栅电极112。栅电极112可以被形成为由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)当中的一种或者它们的合金制成的单层或者多层。
此后，层间绝缘膜122形成在栅电极112上。层间绝缘膜122可以被形成为诸如氧化硅膜(siox)、氮化硅膜(sinx)或者它们的多层膜的无机膜。
此后，形成通过穿过栅绝缘膜121和层间绝缘膜122而暴露有源层111的接触孔。
此后，薄膜晶体管110的源电极113和漏电极114形成在层间绝缘膜122上。具体地，第二金属层使用溅射法或mocvd法等形成在层间绝缘膜122的整个表面上。之后，第二金属层通过使用光刻胶图案的掩模工艺被图案化以形成源电极113和漏电极114。源电极113和漏电极114中的每一个可以通过穿过栅绝缘膜121和层间绝缘膜122的接触孔连接到有源层111。源电极113和漏电极114中的每一个可以被形成为由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)当中的一种或者它们的合金制成的单层或者多层。
此后，保护膜123形成在薄膜晶体管110的源电极113和漏电极114上。保护膜123可以被形成为诸如氧化硅膜(siox)、氮化硅膜(sinx)或者它们的多层膜的无机膜。保护膜123可以使用cvd法形成。
此后，平坦化膜130形成在保护膜123上，以平坦化由于薄膜晶体管110而引起的阶差。平坦化膜130可以被形成为由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂等制成的有机膜。
此后，发光元件140的第一电极141形成在平坦化膜130上。具体地，第三金属层使用溅射法或mocvd法等形成在平坦化膜130的整个表面上。
此后，第三金属层通过使用光刻胶图案的掩模工艺被图案化以形成第一电极141。第一电极141可以通过穿过保护膜123和平坦化膜130的接触孔连接到薄膜晶体管110的漏电极114。第一电极141可以由诸如铝和钛的堆叠结构(ti/al/ti)、铝和ito的堆叠结构(ito/al/ito)、银-钯-铜(apc)合金以及apc合金和ito的堆叠结构(ito/apc/ito)的具有高反射率的导电(金属)材料制成。
此后，为了分割像素，堤层150被形成为覆盖平坦化膜130上的第一电极141的边缘。堤层150可以被形成为由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂制成的有机膜。
此后，有机发光层142通过沉积工艺或者溶液工艺形成在第一电极141和堤层150上。有机发光层142可以是在像素中共同形成的公共层。在一些实施例中，有机发光层142可以被形成为具有两个或者更多个堆叠的串联结构。堆叠中的每一个可以包括空穴传输层、电子传输层和至少一个发光层。此外，电荷生成层可以在堆叠之间形成。电荷生成层可以包括与底部堆叠相邻定位的n型电荷生成层和形成在n型电荷生成层上并且与顶部堆叠相邻定位的p型电荷生成层。n型电荷生成层将电子注入到底部堆叠，并且p型电荷生成层将空穴注入到顶部堆叠。n型电荷生成层可以被形成为用诸如li、na、k或cs的碱金属或者诸如mg、sr、ba或ra的碱土金属掺杂的有机层。p型电荷生成层可以通过用掺杂剂掺杂具有空穴传输能力的有机材料来形成。
此后，第二电极143形成在有机发光层142上。第二电极143可以是在像素p中共同形成的公共层。第二电极143可以由诸如ito或者izo的透射光的透明导电材料(tco)制成，或者由诸如镁(mg)、银(ag)或者镁(mg)和银(ag)的合金的半透射导电材料制成。第二电极143可以通过诸如溅射法的物理气相沉积法形成。覆盖层可以形成在第二电极143上。
此后，薄膜密封层160形成在第二电极143上。薄膜密封层160用于防止氧气或者湿气渗入有机发光层142和第二电极143。为此，薄膜密封层160可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
例如，薄膜密封层160可以包括第一密封无机膜、密封有机膜和第二密封无机膜。在此情形下，第一密封无机膜被形成为覆盖第二电极143。密封有机膜被形成为覆盖第一密封无机膜。密封有机膜可以被形成为具有足够的厚度，以防止颗粒穿透第一密封无机膜并且进入有机发光层142和第二电极143。第二密封无机膜被形成为覆盖密封有机膜。第一密封无机膜和第二密封无机膜中的每一个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或者氧化钛制成。密封有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂等制成。
第二，基部无机层170a形成在薄膜密封层160上。
在基部无机层170a形成之前，第二缓冲膜bf2可以进一步形成在薄膜密封层160上。第二缓冲膜bf2可以被形成为包括无机材料的单层膜。
例如，基部无机层170a可以被形成为包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一种材料的单层膜，并且通过沉积工艺完全形成在薄膜密封层160上。基部无机层170a的厚度h1可以是例如
第三，光刻胶图案pr形成在基部无机层170a上。光刻胶图案pr可以被形成为与将在下面描述的突出图案部分170p形成在其上的位置重叠。光刻胶图案pr可以被形成为与发光元件140的有机发光层142基本上重叠。
第四，基部无机层170a被蚀刻以形成无机层170和突出图案部分170p。
不包括被光刻胶图案pr覆盖的一部分的、光刻胶图案pr之间的基部无机层170a可以被蚀刻。被光刻胶图案pr覆盖的区域不被蚀刻，使得突出图案部分170p可以形成。根据蚀刻工艺，突出图案部分170p的侧表面部分也可以被部分地蚀刻，并且因此突出图案部分170p的侧表面可以具有倒锥形形状。
无机层170的突出图案部分170p没有形成在其中的区域的厚度h2可以小于基部无机层170a的厚度h1，而无机层170的突出图案部分170p形成在其中的区域的厚度可以等于或者类似于基部无机层170a的厚度h1。
第五，光刻胶图案pr被去除。
第六，基部有机层180aa形成在无机层170上。
基部有机层180aa可以完全形成在无机层170上以覆盖无机层170。基部有机层180aa可以通过沉积工艺或者溶液工艺形成。
基部有机层180aa可以包括有机材料。例如，基部有机层180aa可以被形成为包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂的有机材料的单层膜，但本发明不限于此。此外，基部有机层180aa可以包括当暴露于光时其性质改变的光敏材料。例如，基部有机层180aa是负性光刻胶，并且因此当暴露于光时，暴露区域可以被固化并且不被显影剂溶解。
第七，基部有机层180aa被蚀刻以形成低折射有机层180。
如以上描述的，在基部有机层180aa是负性光刻胶的情况下，掩模m可以被设置在基部有机层180aa上并且光l_ex可以照射在掩模m上以形成低折射有机层180。掩模m可以包括透射区域ma和非透射区域mb，使得仅用于形成低折射有机层180的区域选择性地透射光l_ex。
低折射有机层180可以通过选择性地将基部有机层180aa暴露于光l_ex，并且然后使用显影剂去除基部有机层180aa的未暴露于光l_ex的一部分而形成。
在本操作中，如以上参考图9至图11描述的，根据工艺容限，低折射有机层180的全反射表面可以被形成为双锥形表面，或者可以具有锥形表面不对准的结构。
最后，高折射有机层190形成在低折射有机层180上。
高折射有机层190可以被形成为覆盖无机层170和低折射有机层180，使得被设置在薄膜密封层160上的全反射层trl可以被大体上平坦化。高折射有机层190可以通过沉积工艺或者溶液工艺形成。
高折射有机层190可以包括有机材料。例如，高折射有机层190可以被形成为包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂的有机材料的单层膜，但本发明不限于此，只要该有机材料是具有比低折射有机层180的折射率高的折射率的有机材料即可。高折射有机层190可以包括与低折射有机层180相比具有较高的折射率的材料，并且可以被形成为比低折射有机层180厚。
同时，由于图24至图31中所示的形成全反射层trl的工艺是在覆盖发光元件140的薄膜密封层160上执行的形成工艺，因此为了防止发光元件140被损坏，该形成工艺可以是100℃以下的低温工艺。
图32图示了如在图12、图20、图23和图26中所示的实施例中当突出图案部分170p_1、170p_3、170p_5或者170p_7与无机层170分离地形成时制造显示装置的方法的差异。作为示例，将参考图12给出描述。
进一步参考图32，其中突出图案部分170p_1被形成为与无机层170_1分离的层的显示装置的制造方法进一步包括在基部无机层170a上形成基部支撑层170pa。
基部支撑层170pa是被形成为形成突出图案部分170p的层，并且可以包括无机材料。例如，基部支撑层170pa可以被形成为包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一种材料的单层膜。基部支撑层170pa可以通过沉积工艺形成，但本发明不限于此。
基部支撑层170pa可以由与基部无机层170a的材料不同的材料制成。此外，基部支撑层170pa的厚度可以小于基部无机层170a的厚度。然而，本发明不限于此，并且基部支撑层170pa可以由与基部无机层170a相同的材料制成，或者可以被形成为比基部无机层170a厚。
除了基部无机层170a被形成为无机层170_1(图8)，并且基部支撑层170pa被形成为突出图案部分170p_1(图8)之外，随后的制造方法与以上描述的制造方法的实施例相同或者相似，并且因此将省略其详细描述。
虽然已经参考附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员应理解，可以进行各种修改而不脱离本发明的范围并且不改变本发明的基本特征。因此，应理解，以上描述的实施例在所有方面都不是限制性的而是说明性的。
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