1.一种方法，包括：
制造包括多个iii族氮化物半导体层的器件，其中所述多个iii族氮化物半导体层包含嵌入其中的至少一个椎体形小丘，并且当将多个基于iii族氮化物的半导体层中的至少一个沉积在基板上或上方时在生长限制掩模的开口区域内形成所述椎体形小丘。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述生长限制掩模和外延横向过生长在所述基板上或上方形成所述iii族氮化物半导体层中的至少一些，并且在所述iii族氮化物半导体层聚结之前停止所述外延横向过生长。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述外延横向过生长期间形成所述椎体形小丘，并且，所述椎体形小丘被嵌入在所述外延横向过生长中。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述生长限制掩模限制所述椎体形小丘在横向方向上的扩展。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个iii族氮化物半导体层在iii族氮化物基板上或上方生长。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个iii族氮化物半导体层在异质基板上或上方生长，并且在所述多个iii族氮化物半导体层之前，在所述异质基板上或上方沉积iii族氮化物模板。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述岛状iii族氮化物半导体层不与邻近的岛状iii族氮化物半导体层聚结。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述iii族氮化物基板移除所述多个iii族氮化物半导体层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过以下从所述iii族氮化物基板移除所述多个iii族氮化物半导体层：
将膜施加到iii族氮化物半导体层；
将压力施加到所述膜上；
改变所述膜和所述基板的温度；以及
在施加压力并改变温度之后，从基板上剥离具有iii族氮化物半导体层的膜。
10.一种通过权利要求1的方法制造的器件。
11.一种器件，包括：
由多个iii族氮化物半导体层构成的器件，其中所述多个iii族氮化物半导体层包含嵌入其中的至少一个椎体形小丘，并且当将多个基于iii族氮化物的半导体层中的至少一个沉积在基板上或上方时在生长限制掩模的开口区域内形成所述椎体形小丘。
12.根据权利要求11所述的器件，其中，使用所述生长限制掩模和外延横向过生长在所述基板上或上方形成所述iii族氮化物半导体层中的至少一些，并且在所述iii族氮化物半导体层聚结之前停止所述外延横向过生长。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，在所述外延横向过生长期间形成所述椎体形小丘，并且在所述外延横向过生长中嵌入所述椎体形小丘。
14.根据权利要求12所述的器件，其中，所述生长限制掩模限制所述椎体形小丘在横向方向上的扩展。
15.根据权利要求11所述的器件，其中，所述多个iii族氮化物半导体层在iii族氮化物基板上或上方生长。
16.根据权利要求11所述的器件，其中，所述多个iii族氮化物半导体层在异质基板上或上方生长，并且在所述多个iii族氮化物半导体层之前，在所述异质基板上或上方沉积iii族氮化物模板。
17.根据权利要求11所述的器件，其中，所述岛状iii族氮化物半导体层不与相邻的岛状iii族氮化物半导体层聚结。
18.根据权利要求11所述的器件，其中，从所述iii族氮化物基板移除所述多个iii族氮化物半导体层。
19.一种制造根据权利要求11所述的器件的方法。