技术特征：
1.一种半导体模块，具有：散热器；逻辑芯片，其与所述散热器的一个面邻接配置，并在作为与所述散热器邻接的面的反面的露出面具有多个逻辑芯片用电源端子和多个逻辑芯片用信号端子；电源部，其在所述逻辑芯片的露出面的面内方向与所述逻辑芯片并排地设置，并在朝向与所述逻辑芯片的露出面相同的方向的露出面具有多个电源部用电源端子；ram部，其作为ram模块，具有相向地配置在所述逻辑芯片的露出面和所述电源部的露出面的相向面，并且以跨多个所述逻辑芯片用信号端子的一部分和多个所述电源部用电源端子的一部分的方式配置；以及支承基板，其具有能够向所述逻辑芯片和所述电源部供电的供电电路，并且一个主面与所述ram部的作为相向面的反面的散热面邻接配置，所述支承基板使用所述供电电路与所述逻辑芯片用电源端子的至少一部分和所述电源部用电源端子的另一部分电连接，并且，在与所述ram部重叠的位置，具有与所述ram部的散热面接触且在厚度方向贯通的散热导孔。2.根据权利1所述的半导体模块，其中，所述电源部配置在所述散热器的与所述逻辑芯片的配置面相同的面。3.根据权利1或2所述的半导体模块，其中，所述支承基板在所述一个主面中的与所述ram部重叠的位置具有在厚度方向上凹陷的凹部。4.一种半导体模块，具有：散热器；逻辑芯片，其与所述散热器的一个面邻接配置，并在作为与所述散热器邻接的面的反面的露出面具有多个逻辑芯片用电源端子和多个逻辑芯片用信号端子；电源部，其在所述逻辑芯片的露出面的面内方向与所述逻辑芯片并排地设置，并在朝向与所述逻辑芯片的露出面相同的方向的露出面具有多个电源部用电源端子；ram部，其作为ram模块，具有相向地配置在所述逻辑芯片的露出面和所述电源部的露出面的相向面，并且以跨多个所述逻辑芯片用信号端子的一部分和多个所述电源部用电源端子的一部分的方式配置；支承基板，其具有能够向所述逻辑芯片和所述电源部供电的供电电路，并且相向地配置在所述逻辑芯片或所述电源部的露出面；以及散热板，其与所述ram部的散热面邻接配置。5.一种半导体部件，其用作半导体模块的制造部件，具有：散热器；逻辑芯片，其与所述散热器的一个面邻接配置，并在作为与所述散热器邻接的面的反面的露出面具有多个逻辑芯片用电源端子和多个逻辑芯片用信号端子；电源部，其配置在所述散热器的与所述逻辑芯片的配置面相同的面，并且在作为与所述散热器邻接的面的反面的露出面具有多个电源部用电源端子；以及ram部，其作为ram模块，具有相向地配置在所述逻辑芯片的露出面和所述电源部的露出面的相向面，并且以跨多个所述逻辑芯片用信号端子的一部分和多个所述电源部用电源
端子的一部分的方式配置，多个所述逻辑芯片用电源端子的至少一部分和多个所述电源部用电源端子的另一部分，以能够与其他模块连接的方式露出。6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，还具有：散热球，其连接在所述散热导孔的一端，并且，配置在所述支承基板的与所述ram部相向的面的反面侧。7.一种半导体模块的制造方法，包括：将作为ram模块的ram部与逻辑芯片电连接，使作为所述逻辑芯片的一个面的露出面的一部分与作为所述ram部的一个面的相向面的一部分相向并连接的步骤；将所述ram部与电源部电连接，使作为所述电源部的一个面的露出面的一部分与所述ram部的相向面的另一部分相向并连接的步骤；与所述逻辑芯片的露出面的反面邻接配置散热器的步骤；与所述ram部的作为相向面的反面的散热面邻接配置支承基板的一个主面，使在厚度方向上贯通的散热导孔与所述散热面接触地配置所述支承基板的步骤；以及在所述支承基板的作为与所述ram部相向的面的反面的一个主面侧，将散热球连接在所述散热导孔的一端的步骤。8.一种半导体部件的制造方法，所述半导体部件用作半导体模块的制造部件，所述半导体部件的制造方法包括：在散热器的一个面上邻接配置逻辑芯片和电源部的步骤；以及在所述逻辑芯片和所述电源部各自的作为与所述散热器相向的面的反面的露出面上，分别以跨所述逻辑芯片和所述电源部的方式配置作为ram模块的ram部的步骤。
技术总结
本发明提供一种能够提高散热效率的半导体模块、半导体部件及其制造方法。半导体模块(1)具有：电源部(40)；RAM部(50)，其作为RAM模块，具有与逻辑芯片(20)的露出面和电源部(40)的露出面的相向配置的相向面，并且以跨多个逻辑芯片用信号端子(22)的一部分和多个电源部用电源端子(41)的一部分的方式配置；以及支承基板(10)，其具有能够向逻辑芯片和电源部(40)供电的供电电路，并且一个主面与RAM部(50)的作为相向面的反面的散热面邻接配置，支承基板(10)通过供电电路(12)而与逻辑芯片用电源端子(21)的至少一部分和电源部用电源端子(41)的另一部分电连接，并且，在与RAM部(50)重叠的位置，具有与RAM部(50)的散热面接触且在厚度方向贯通的散热导孔(11)。方向贯通的散热导孔(11)。方向贯通的散热导孔(11)。
技术研发人员：奥津文武 安达隆郎
受保护的技术使用者：超极存储器股份有限公司
技术研发日：2019.01.30
技术公布日：2021/10/8