电容元件的制作方法

本实用新型涉及组装于电子设备的电容元件，特别是涉及适合低esr(等效串联电阻)的电容元件。

背景技术：

通过薄膜工序形成电介质层和夹着该电介质层的电极而成的薄膜电容元件通常利用小型且esl(等效串联电感)较低的特性，例如用于高频电路中的滤波器或匹配电路。

以往的薄膜电容元件像例如专利文献1、专利文献2所示那样具备如下的mim(metal-insulator-metal：金属-绝缘体-金属)构造：利用上部电极和下部电极夹着由钙钛矿型氧化物电介质材料构成的高介电常数的电介质层。

基于钙钛矿型氧化物电介质材料的电介质膜在氧化性环境中在高温下被处理，因此下部电极使用耐氧化性优越的pt(白金)薄膜。

专利文献1所示的电容元件具备：下部共用电极、以及与下部共用电极对置配置的第1上部电极和第2上部电极，第1上部电极和第2上部电极为了增长对置的边彼此的对置长度而具有相互啮合的形状。

关于专利文献2所示的电容元件，在基板上沿左右方向隔开间隔地配置多个下部电极，并且在多个下部电极中的至少一个下部电极上沿左右方向隔开间隔地设置2个电介质层，进一步在2个电介质层上分别设置上部电极层，并且将2个上部电极层沿左右方向隔开间隔地配置，由此构成利用下部电极层和上部电极层夹着电介质层而成的2个电容产生部，在2个上部电极层分别独立地设置有引出电极层。

专利文献1：日本特许第4738182号公报

专利文献2：日本特许第4535817号公报

薄膜电容元件每单位体积所得的电容较大，因此能够作为小型且高电容的电容器元件而使用。但是，对于例如滤波电路的q值或插入损失的特性来说，薄膜电容元件的esr(等效串联电阻)为较大的因素。薄膜电容元件像上述那样，上部电极和下部电极使用pt薄膜，因此由于这些电极的导电率低而不能得到低esr性。

图19(a)是专利文献2所示的电容元件的概略构造的俯视图，图19(b)是专利文献2所示的电容元件的概略构造的剖视图。

另外，图20是示出在专利文献2所示的构造的电容元件的各电极中流动的电流的取向的例子的图。

关于图19(a)、图19(b)所示的以往构造的电容元件，在基板上沿左右方向隔开间隔地配置多个下部电极10，并且在各下部电极10上沿左右方向隔开间隔地设置2个电介质层和上部电极41、42，并且将2个上部电极41、42沿左右方向隔开间隔地配置，在2个上部电极41、42分别独立地设置有引出电极60。

在图20中，实线的箭头表示实际电流的路径，虚线的箭头表示位移电流的路径。像图20中表示的那样，在俯视时，在第1上部电极41与第2上部电极42接近地对置的长边间流动的电流的路径ps在下部电极上为最短。但是，通过第1上部电极41与第2上部电极42的、未对置的长边间的周边的电流的路径pl最长。换句话说，电流路径的长度不均匀，电流密度的分布产生偏差。换言之，下部电极的面积未被有效利用，电流集中在电流路径较短的部位，在该部位的电阻损失相对较大。

由于构成电流路径ps、pl的下部电极10为薄层电阻较高的材料，因此若电流密度不均匀，则因下部电极10引起的esr(等效串联电阻)无法充分小。并且，在接近地对置的长边间流动的电流的路径ps的电流密度变高，因此还存在在高频电流的通电时在下部电极容易发热的问题。

技术实现要素：

因此，本实用新型的目的在于，提供一种电容元件，在电极的形状和配置上下工夫，而有效地减少esr。

本实用新型的电容元件具备：基板；下部电极，其形成于上述基板；多个第1上部电极，其与上述下部电极对置配置；多个第2上部电极，其与上述下部电极对置配置；电介质层，其配置在上述下部电极与上述多个第1上部电极之间、以及上述下部电极与上述多个第2上部电极之间；第1布线导体，其将上述多个第1上部电极相互连接；以及第2布线导体，其将上述多个第2上部电极相互连接，上述多个第1上部电极和上述多个第2上部电极被配置成如下状态，在沿着上述下部电极的面方向上且在第1轴向上，上述第1上部电极与上述第2上部电极邻接，并且在沿着上述下部电极的面方向上且在第2轴向上，上述第1上部电极与上述第2上部电极邻接。

通过上述结构，从第1上部电极到与该第1上部电极邻接的多个第2上部电极为止的各个电流路径的路径长度相等或者近似，因此向下部电极流动的电流的密度分布均匀化。由此，得到低esr的电容元件。

根据本实用新型，得到一种电容元件，向下部电极流动的电流的密度分布均匀化，电流集中被缓和，因此有效地减少esr。

附图说明

图1是第1实施方式的电容元件101的主要部分的俯视图。

图2(a)是图1的y1－y1部分的剖视图，图2(b)是图1的y2－y2部分的剖视图。图2(c)是图1的x1－x1部分的剖视图，图2(d)是图1的x2－x2部分的剖视图。

图3(a)是示出电容元件101所具备的电容形成部的连接关系的电路图，图3(b)是用电阻元件表达下部电极10的电阻成分的等效电路图。

图4(a)、图4(b)是将下部电极与其他的电路部连接的构造的情况下的电路图。

图5是示出第1实施方式的电容元件101和以往构造的电容元件的q值的频率特性的图。

图6是第2实施方式的可变电容元件102的主要部分的剖视图。

图7(a)、图7(b)、图7(c)、图7(d)是可变电容元件102的制造工序的各阶段的剖视图。

图8(a)、图8(b)、图8(c)、图8(d)是可变电容元件102的制造工序的各阶段的剖视图。

图9(a)、图9(b)、图9(c)、图9(d)是可变电容元件102的制造工序的各阶段的剖视图。

图10(a)、图10(b)、图10(c)、图10(d)是可变电容元件102的制造工序的各阶段的剖视图。

图11(a)是第2实施方式的可变电容元件102的电路图。图11(b)是具备生成偏置电压的电阻分压电路的可变电容元件202的电路图。

图12是示出具备第2实施方式的可变电容元件202的通信电路的一例的图。

图13是第3实施方式的可变电容元件103的俯视图。

图14是可变电容元件103的电路图。

图15(a)是下部电极10的俯视图，图15(b)是上部电极41a、41b、42a、42b的俯视图，图15(c)是耐湿保护膜pc1的俯视图，图15(d)是第1布线导体61和第2布线导体62的俯视图。

图16(a)是层间绝缘膜sr1的俯视图，图16(b)是电阻元件9的俯视图，图16(c)是层间绝缘膜sr2的俯视图，图16(d)是布线导体膜wf3的俯视图。

图17(a)是形成在外部连接电极p11、p12、p13、p14的位置的au/ni镀膜的俯视图，图17(b)是阻焊剂膜sr3的俯视图。

图18是第4实施方式的电容元件104的主要部分的俯视图。

图19(a)是专利文献2所示的电容元件的概略构造的俯视图，图19(b)是专利文献2所示的电容元件的概略构造的剖视图。

图20是示出在专利文献2所示的构造的电容元件的各电极中流动的电流的取向的例子的图。

具体实施方式

以下，参照附图而列举几个具体的例子，示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对相同部位标注相同的附图标记。在第2实施方式之后，省略与第1实施方式共用的事项的记述，对不同点进行说明。特别是，关于基于相同的结构的相同的作用效果，没有在每个实施方式中依次提到。

《第1实施方式》

图1是第1实施方式的电容元件101的主要部分的俯视图。图2(a)是图1的y1－y1部分的剖视图，图2(b)是图1的y2－y2部分的剖视图。图2(c)是图1的x1－x1部分的剖视图，图2(d)是图1的x2－x2部分的剖视图。但是，在图2(a)～图2(d)中，示出电容形成部的范围。

电容元件101由基板1、形成在该基板1的导体、电介质、绝缘体等构成。基板1在x－y正交坐标系中具有沿x轴方向和y轴方向扩展的面。在基板1的面形成有下部电极10。在下部电极10上形成有电介质层30。在电介质层30的上表面形成有二个第1上部电极41a、41b和二个第2上部电极42a、42b。

在沿着下部电极10的面方向上，第1上部电极41a与第2上部电极42a在x轴方向上邻接，同样地，第1上部电极41b与第2上部电极42b在x轴方向上邻接。另外，在沿着下部电极10的面方向上，第1上部电极41a与第2上部电极42b在y轴方向上邻接，同样地，第1上部电极41b与第2上部电极42a在y轴方向上邻接。在本实施方式中，x轴方向相当于本实用新型的“第1轴向”，y轴方向相当于本实用新型的“第2轴向”。

第1上部电极41a、41b和第2上部电极42a、42b各自的x轴方向的宽度和y轴方向的宽度实际上相等。在本实施方式中，采用在角部具有圆角的概略正方形。另外，第1上部电极41a、41b与第2上部电极42a、42b的间隔在x轴方向和y轴方向上实际相等。

在基板1上还形成有第1布线导体61、第2布线导体62、第1外部电极71和第2外部电极72。第1布线导体61、第2布线导体62的形成层与上部电极41a、41b、42a、42b的形成层不同。另外，第1布线导体61、第2布线导体62的形成层与第1外部电极71、第2外部电极72的形成层不同。

二个第1上部电极41a、41b经由第1布线导体61而相互电连接。另外，二个第2上部电极42a、42b经由第2布线导体62而相互电连接。而且，第1布线导体61与第1外部电极71连接，第2布线导体62与第2外部电极72连接。下部电极10为以pt膜或者pt为主成分的金属膜，而第1布线导体61和第2布线导体62为ti/cu/ti膜等、以cu层为主层的金属膜或al膜等金属膜。换句话说，第1布线导体61和第2布线导体62的薄层电阻比下部电极10的薄层电阻低。因此，即使第1布线导体61和第2布线导体62没有像下部电极10那样纵横地扩展，线路电阻也较小，第1上部电极彼此的并联连接部以及第2上部电极彼此的并联连接部的esr没有实际的增加。

如图2(a)～图2(d)所示，通过下部电极10、第1上部电极41a以及电介质层30而形成电容形成部c11，通过下部电极10、第1上部电极41b以及电介质层30而形成电容形成部c12。同样地，通过下部电极10、第2上部电极42a以及电介质层30而形成电容形成部c21，通过下部电极10、第2上部电极42b以及电介质层30而形成电容形成部c22。

图3(a)是示出电容元件101所具备的电容形成部的连接关系的电路图，图3(b)是用电阻元件表达下部电极10的电阻成分的等效电路图。

像图3(a)表示的那样，在电容元件101中，在电路上，电容形成部c11与电容形成部c12经由下部电极10而并联连接，同样地，电容形成部c21与电容形成部c22经由下部电极10而并联连接。另外，电容形成部c11、c12的并联连接电路与电容形成部c21、c22的并联连接电路经由下部电极10而串联连接。

下部电极10与第1布线导体61、第2布线导体62相比，导电率较低(电阻率较高)，因此若用电阻元件表示下部电极10，则如图3(b)所示，表示为电容形成部c11的一个电极与电容形成部c21、c22的一个电极之间由电阻连接，电容形成部c12的一个电极与电容形成部c21、c22的一个电极之间由电阻连接。这里，用端口p1表示第1外部电极71，用端口p2表示第2外部电极72。

这样，电流向下部电极10分散地流动。换句话说，得到如下的电容元件：电流集中被缓和，因此有效地减少esr。

特别是，第1上部电极41a、41b与第2上部电极42a、42b的间隔在x轴方向和y轴方向上实际上相等，因此在x轴方向、y轴方向的任意的方向上，电流都容易向下部电极10分散地流动，esr的减少效果较高。

图4(a)、图4(b)是采用将下部电极与其他的电路部连接的构造的情况下的电路图。图4(a)是示出电容元件101所具备的电容形成部的连接关系的电路图，图4(b)是用电阻元件表达下部电极10的电阻成分的等效电路图。

在图4(a)所示的例中，从下部电极10引出与例如电阻元件等其他的电路部连接的端口p0。在这样的电容元件中，如图4(b)所示，表示为电容形成部c11的一个电极与电容形成部c21、c22的一个电极之间由电阻连接，电容形成部c12的一个电极与电容形成部c21、c22的一个电极之间由电阻连接，表示为进一步经由电阻而连接有端口p0。

图5是示出本实施方式的电容元件101和以往构造的电容元件的q值的频率特性的图。在图5中，q1为本实施方式的电容元件101的特性，q2为第1比较例的电容元件的特性，q3为第2比较例的电容元件的特性。

像专利文献1所示那样，第1比较例的电容元件为第1上部电极的一边与第2上部电极的一边形成为相互啮合的形状的电容元件。如图19(a)、图19(b)所示，第2比较例的电容元件为将下部电极与第1上部电极和第2上部电极所成的组呈多组地排成一列的构造的电容元件。

本实施方式的电容元件101、第1比较例的电容元件、第2比较例的电容元件都是，以所得到的电容相等的方式确定各电极的大小。其中，相互邻接的第1上部电极与第2上部电极的间隔是相同的条件。

这里，若用r表示电容元件的esr，用c表示电容，则电容元件的电阻z由

z＝r+jx

x＝1/(2πfc)表示。

电容元件的q值由q＝x/r表示，因此像图5表示的那样，频率越高则q值越降低。

本实施方式的电容元件101的esr较低，因此该q值比上述二个比较例的q值高。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出具备偏置电压施加电路的可变电容元件的例子。

图6是第2实施方式的可变电容元件102的主要部分的剖视图。图7、图8、图9、图10是可变电容元件102的制造工序的各阶段的剖视图。

像图6表示的那样，本实施方式的可变电容元件102为在基板1上通过薄膜工序形成各种图案的元件。在图6中基板1为在表面形成有sio2膜sof的si基板。在该基板1上依次形成有强电介质膜fs1、下部电极10、电介质层30、第1上部电极41、第2上部电极42、强电介质膜fs2。由此，形成有8个电容形成部(电容形成部c11、c12、c21、c22为2组)。

上述下部电极10、第1上部电极41、第2上部电极42都为以例如pt膜或者pt为主成分的金属膜。该下部电极10、第1上部电极41、第2上部电极42也可以为au膜等。上述电介质层30为例如(ba、sr)tio3(bst)等强电介质膜。强电介质膜fs1、fs2也同样地为bst膜等强电介质膜。

在2组的电容形成部c11、c12、c21、c22的上部和基板1的上部覆盖sio2膜等耐湿保护膜pc1。在该耐湿保护膜pc1的上部形成有聚苯并恶唑(pbo)树脂等有机保护膜pc2。

在有机保护膜pc2的上部形成有布线导体膜wf2。另外，该布线导体膜wf2经由接触孔而与第1上部电极41、第2上部电极42的规定的部位连接。另外，布线导体膜wf2经由接触孔而与后述的布线导体膜wf1连接。

在布线导体膜wf2的表面形成有层间绝缘膜sr1。在该层间绝缘膜sr1的表面形成有电阻元件9。

电阻元件9的电阻膜通过薄膜工序(利用光刻和蚀刻技术的工序)或者厚膜工序(利用丝网印刷等印刷技术的工序)形成。各电阻元件的电阻值由电阻膜图案的宽度、长度和厚度决定。

在层间绝缘膜sr1的表面形成有层间绝缘膜sr2。在该层间绝缘膜sr2的表面形成有布线导体膜wf3。另外，该布线导体膜wf3经由形成于层间绝缘膜sr1、sr2的接触孔而与布线导体膜wf2连接。

在层间绝缘膜sr2的表面覆盖阻焊剂膜sr3。而且，在该阻焊剂膜sr3的开口且布线导体膜wf3的表面形成有端子t1、t2、tg等。

强电介质膜fs1为相对于sio2膜sof和耐湿保护膜pc1的紧贴用·扩散防止用的绝缘膜。另外，强电介质膜fs2为相对于耐湿保护膜pc1的紧贴用的绝缘膜。

布线导体膜wf2、wf3由ti/cu/ti这三层构成，ti层的厚度为例如100nm，cu层的厚度为例如1000nm。

端子t1、t2、tg等由au/ni这二层构成，下层的ni层的厚度为例如2000nm，上层的au层的厚度为例如200nm。

耐湿保护膜pc1防止从有机保护膜pc2放出的水分浸入电容元件部。作为该耐湿保护膜pc1，除了使用上述sio2以外，还能够使用sinx、al2o3、tio2等。另外，有机保护膜pc2吸收来自外部的机械式的应力。作为该有机保护膜pc2，除了使用上述pbo树脂以外，还能够使用聚酰亚胺树脂、环氧树脂等。

上述电阻元件9的电阻材料例如为以ni和cr为主成分的合金。

另外，作为电介质层30、强电介质膜fs1、fs2所使用的薄膜材料，除了使用上述bst以外，还能够使用srtio3、batio3、pb(zr、ti)o3等钙钛矿化合物、srbi4ti4o15等铋层状化合物等具有高介电常数的电介质材料。

布线导体膜wf2中的、将第1上部电极41彼此连接的部分相当于本实用新型的“第1布线导体”，将第2上部电极42彼此连接的部分相当于本实用新型的“第2布线导体”。

布线导体膜wf2、wf3除了使用上述ti/cu/ti膜以外，还可以使用al膜。

在基板1形成有n型扩散区域51，在该n型扩散区域51内形成有二个p型扩散区域52。在耐湿保护膜pc1上形成有布线导体膜wf1，该布线导体膜wf1经由形成于耐湿保护膜pc1和sio2膜sof的接触孔而与扩散区域52连接。通过该扩散区域51、52而构成将方向相互不同的二个齐纳二极管串联连接的构造的esd(electro-static-discharge：静电放电)保护元件。在图6的剖面中仅表示一个部位，但在可变电容元件102构成二组esd保护元件。

接下来，参照图7～图10对可变电容元件102的制造工序进行说明。

首先，如图7(a)所示，相对于基板1，通过例如离子注入而形成n型扩散区域51，在该n型扩散区域51内通过离子注入而形成二个p型扩散区域52。

然后，如图7(b)所示，通过例如cvd法而在基板1的表面形成sio2膜sof。

接下来，如图7(c)所示，在sio2膜sof上交替地形成pt膜和bst膜而形成mim(metal-insulator-metal)层。通过重复旋涂、烧制、溅射而形成该mim层。

然后，如图7(d)所示，通过例如icp-rie法而将mim层形成为规定的图案，在烧制炉中进行烧制。

接下来，如图8(a)所示，通过sio2膜的溅射而在sio2膜sof和mim层上覆盖耐湿保护膜pc1。

然后，如图8(b)所示，通过例如ice-rie法而在扩散区域52上形成接触孔。

接着，如图8(c)所示，通过例如al的溅射和icp-rie而在耐湿保护膜pc1上形成布线导体膜wf1。

接下来，如图8(d)所示，在耐湿保护膜pc1和布线导体膜wf1上涂覆pbo，通过光刻和固化而形成接触孔，通过icp-rie对sio2膜sof和mim层的bst膜进行加工。由此，形成规定的图案的有机保护膜pc2。

然后，如图9(a)所示，在有机保护膜pc2上，通过ti/cu/ti的溅射和湿式蚀刻法而形成布线导体膜wf2。

然后，如图9(b)所示，在布线导体膜wf2和有机保护膜pc2上涂覆阻焊剂膜，通过光刻和固化而形成层间绝缘膜sr1。

然后，如图9(c)所示，在层间绝缘膜sr1上，通过电子束蒸镀法形成nicrsi膜，通过进行刻画而形成电阻元件9。

然后，如图9(d)所示，在层间绝缘膜sr1的表面和电阻元件9的表面涂覆阻焊剂膜，通过光刻和固化而形成层间绝缘膜sr2。

然后，如图10(a)所示，在层间绝缘膜sr2上通过ti/cu/ti的溅射和湿式蚀刻法而形成布线导体膜wf3。

接着，如图10(b)所示，在布线导体膜wf3的表面形成au/ni镀膜，通过进行刻画而形成端子t1、t2、tg等。

然后，如图10(c)所示，通过湿式蚀刻法而刻画出布线导体膜wf3。

最后，如图10(d)所示，在层间绝缘膜sr2、布线导体膜wf3以及端子t1、t2、tg等的表面上涂覆阻焊剂膜，通过光刻和固化而覆盖阻焊剂膜sr3。

图11(a)是本实施方式的可变电容元件102的电路图。在图11(a)中，用电容器的符号表示电容形成部c11、c12、c21、c22。该可变电容元件102由共二组的4个电容形成部(c11、c12、c21、c22)而合计8个电容形成部、多个电阻元件r和esd保护元件esd1、esd2构成。电容形成部c11、c12被并联连接，电容形成部c21、c22被并联连接，这2个并联连接部被串联连接。多个电阻元件r作为对多个电容形成部施加直流或者低频的偏置电压的电压施加路径而发挥作用。

对端子tc与端子tg之间施加上述偏置电压。端子t1与端子t2之间的电容与上述偏置电压对应地确定。

图11(b)是具备生成偏置电压的电阻分压电路的可变电容元件202的电路图。在图11(b)中，可变电容元件部vc与图11(a)所示的电路相同。图11(b)所示的电阻元件r11～r15的电阻值是以这些电阻值中的最低的值为基准按照2的幂次方的比率来确定。例如，电阻元件r11、r12、r13、r14、r15的电阻值的比率被确定为1：2：4：8：16。因此，根据将端子t11～t15是与高电平连接还是与低电平连接，通过其组合，对可变电容元件部vc施加的偏置电压可以为2的5次方(＝32)的值。

图12是示出具备本实施方式的可变电容元件202的通信电路的一例的图。该通信电路为例如nfc(nearfieldcommunication：近场通信技术)用的发送接收电路。在图12中，还表示与rfic11的二个tx端子(发送信号端子)连接的电路。在图12中，电容元件c51、c52是用于rfic11和天线线圈13的耦合度调整的元件。另外，电感器l51、l52和电容元件c61、c62、c71、c72构成发送滤波器。例如在通信电路以卡模式进行动作的情况下，rfic11被动工作，因此根据对rx端子的输入信号而生成电源电压，并且读取接收信号，在发送时对与tx端子连接的电路(负载)进行负载变调。另外，例如在通信电路以读写模式进行动作的情况下，rfic11进行激活动作，因此在发送时将rx端子开放而从tx端子将发送信号发送，在接收时将tx端子开放而从rx端子输入接收信号。这样，通信电路与动作模式对应地，从rfic11观察天线线圈13侧的电阻发生变化。以与动作模式对应地使天线电路的共振频率最佳的方式、换句话说以从rfic11观察天线线圈13侧的电阻进行匹配的方式，控制可变电容元件202的电容。

另外，在可变电容元件202的两端与接地之间分别连接有esd保护元件esd1、esd2。这些esd保护元件esd1、esd2防止从天线线圈13进入的静电放电电涌旁通到接地而对rfic11施加过电压。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，示出具备偏置电压施加电路的可变电容元件的例子。

图13是可变电容元件103的俯视图，图14是可变电容元件103的电路图。在图13中构成可变电容元件103的各层的图案被重叠地表示。各层的图案如后所示。

本实施方式的可变电容元件103的剖面构造与第2实施方式中图6所示的构造基本上相同。其中，本实施方式的可变电容元件103不具备esd保护元件。

如图14所示，本实施方式的可变电容元件103由共四组的4个电容形成部(c11、c12、c21、c22)而合计16个的电容形成部和多个电阻元件r构成。

图15、图16、图17是可变电容元件103的各层的俯视图。如图15(a)所示，下部电极10形成于4个部位。另外，如图15(b)所示，上部电极41a、41b、42a、42b的组形成于4个部位。如图15(c)所示，在这些上部电极上形成有耐湿保护膜pc1。如图15(d)所示，在该耐湿保护膜pc1上形成有多组的第1布线导体61和第2布线导体62。

在上述布线导体上形成有层间绝缘膜sr1，在该层间绝缘膜sr1上形成有图16(b)所示的基于电阻膜的电阻元件9。

如图16(c)所示，在电阻膜上形成有层间绝缘膜sr2。如图16(d)所示，在该层间绝缘膜sr2上形成有端子用和电阻膜连接用的布线导体膜wf3。

如图17(a)所示，在上述端子用布线导体膜的表面上，在外部连接电极p11、p12、p13、p14的位置形成有au/ni镀膜。在该au/ni镀膜的形成层上覆盖阻焊剂膜sr3。

《第4实施方式》

在第4实施方式中，示出与这之前所示的电容元件相比电容形成部的数量较多的电容元件。

图18是第4实施方式的电容元件104的主要部分的俯视图。

电容元件104由形成于基板1的导体、电介质、绝缘体等构成。基板1在x－y正交坐标系中具有在x轴方向和y轴方向上扩展的面。在基板1的面形成有下部电极10。在下部电极10上形成有电介质层，在该电介质层的上表面形成有5个第1上部电极41a、41b、41c、41d、41e和4个第2上部电极42a、42b、42c、42d。

合计9个上部电极配置成如下的关系。首先，在沿着下部电极10的面方向上并且在x轴方向上，在第1上部电极41a、41b之间配置有第2上部电极42a。另外，在第2上部电极42b、42d之间配置有第1上部电极41c。另外，在第1上部电极41d、41e之间配置有第2上部电极42c。并且，在沿着下部电极10的面方向上并且在y轴方向上，在第1上部电极41a、41d之间配置有第2上部电极42b。另外，在第2上部电极42a、42c之间配置有第1上部电极41c。另外，在第1上部电极41b、41e之间配置有第2上部电极42d。

换句话说，多个第1上部电极和多个第2上部电极配置成如下的状态：在沿着下部电极10的面方向上且在x轴方向上，第1上部电极与第2上部电极邻接，并且在沿着下部电极10的面方向上且在y轴方向上，第1上部电极与第2上部电极邻接。

这样，通过下部电极10、上部电极41a～41e、42a～42d和电介质层而形成9个电容形成部。

与第1上部电极41a～41e中的、邻接的第1上部电极彼此的间隔以及第2上部电极42a～42d中的、邻接的第2上部电极彼此的间隔相比，邻接的第1上部电极与第2上部电极的间隔较窄。例如，与第1上部电极41a、41c间的间隔、第2上部电极42a、42b间的间隔等相比，第1上部电极41a与第2上部电极42a的间隔较窄。

在上述基板1还形成有第1布线导体61a、61b、第2布线导体62。第1布线导体61a、61b、第2布线导体62的形成层与上部电极41a～41e、42a～42d的形成层不同。

第1上部电极41a、41b、41c经由第1布线导体61a而相互电连接。另外，第1上部电极41d、41e经由第1布线导体61b而相互电连接。另外，第2上部电极42a、42b、42c、42d经由第2布线导体62而相互电连接。第1布线导体61a、61b通过其他的层而相互连接。而且，第1布线导体61a、61b和第2布线导体62分别与外部电极、其他的电路连接。

这样，也可以通过将第1上部电极和第2上部电极沿着1个轴向、或者分别沿着2个轴向交替地配置，而构成具有5个以上的上部电极的电容元件。

最后，上述的实施方式的说明在全部的方面是例示，并不是限制性的内容。能够通过本领域技术人员适当地变形和变更。例如，能够进行不同的实施方式所示的结构的局部性的替换或者组合。本实用新型的范围并没有通过上述的实施方式来示出，而是通过权利要求来示出。并且，本实用新型的范围包含与权利要求均等的范围内的实施方式的变更。

例如，本实用新型的第1上部电极和第2上部电极的形状不限于正方形或大致正方形，也可以是长方形或大致长方形。

另外，本实用新型的“第1轴向”与“第2轴向”不限于正交关系，也可以为以60度或120度交叉的关系。

附图标记的说明

c11、c12、c21、c22...电容形成部；c51、c52、c61、c62、c71、c72...电容元件；esd1、esd2...esd保护元件；fs1、fs2...强电介质膜；l51、l52...电感器；p0、p1、p2...端口；p11、p12、p13、p14...外部连接电极；pc1...耐湿保护膜；pc2...有机保护膜；ps、pl...电流路径；r...电阻元件；r11、r12、r13、r14、r15...电阻元件；sr1、sr2...层间绝缘膜；sr3...阻焊剂膜；t1、t2、tc、tg...端子；t11～t15...端子；vc...可变电容元件部；wf1、wf2、wf3...布线导体膜；1...基板；9...电阻元件；10...下部电极；11...rfic；13...天线线圈；30...电介质层；41、41a、41b、41c、41d、41e...第1上部电极；42、42a、42b、42c、42d...第2上部电极；51、52...扩散区域；60...引出电极；61、61a、61b...第1布线导体；62...第2布线导体；71...第1外部电极；72...第2外部电极；101、104...电容元件；102、103、202...可变电容元件。