天线元件的制作方法

本实用新型普遍涉及天线元件，更详细地，涉及在包含非磁性部和磁性部的层叠体内设置有线圈导体的天线元件。

背景技术：

以往，已知一种具备天线线圈(线圈导体)的天线装置(天线元件)(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1记载的天线装置中，层叠有多个磁性体层(磁性层)，天线线圈具备形成在多个磁性体层的表面的多个布线图案(导体图案部)。专利文献1记载的天线线圈使线圈卷绕轴与磁性体层的层叠方向一致地形成于磁性体层。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/008704号

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

可是，在如专利文献1记载的天线装置那样的以往的天线元件中，存在如下问题，即，若线圈导体被磁性部覆盖，则磁性损耗变大。在欲消除该问题的情况下，例如，可考虑不由磁性部覆盖线圈导体，将线圈导体设置在与磁性部分离的位置。但是，若线圈导体与磁性部分离，则有可能产生如下问题，即，变得不易使磁通高效率地辐射，天线元件的通信性能下降。

本实用新型是鉴于上述的方面而完成的实用新型，本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制磁性损耗并且提高天线元件的通信性能的天线元件。

用于解决课题的手段

本实用新型的一个方式涉及的天线元件具备层叠体和线圈导体。所述层叠体包含第1非磁性部和第1磁性部。所述第1磁性部与所述第1非磁性部层叠。所述线圈导体设置在所述层叠体内。所述线圈导体的卷绕轴与所述层叠体的层叠方向平行。所述层叠体具有第1主面和第2主面。所述第2主面在所述层叠方向上与所述第1主面对置，且为安装面。所述第1磁性部在所述层叠方向上与所述第1非磁性部相比更接近所述第1主面。所述线圈导体包含第1导体图案部和第1绝缘部。所述第1导体图案部在所述层叠方向上位于所述第1非磁性部与所述第1磁性部之间。所述第1绝缘部设置在所述第1导体图案部的所述第2主面侧，具有比所述第1导体图案部的线宽更细的宽度。在从所述层叠方向的俯视下，所述第1绝缘部与所述第1导体图案部重叠。

实用新型效果

根据本实用新型的上述方式涉及的天线元件，能够抑制磁性损耗，并且提高天线元件的通信性能。

附图说明

图1a是实施方式1涉及的天线元件的剖视图。图1b是同上的天线元件的主要部分的放大图。

图2是同上的天线元件的立体图。

图3是同上的天线元件的主视图。

图4a是示出同上的天线元件的磁通的概略图。图4b是示出比较例的天线元件的磁通的概略图。

图5是构成同上的天线元件的多个基材层的一部分的俯视图。

图6是构成同上的天线元件的多个基材层的剩余部分的俯视图。

图7a是实施方式2涉及的天线元件的剖视图。图7b是同上的天线元件的主要部分的放大图。

图8是实施方式3涉及的天线元件的剖视图。

图9是实施方式4涉及的天线元件的剖视图。

图10是实施方式5涉及的天线元件的剖视图。

图11是构成同上的天线元件的多个基材层的一部分的俯视图。

图12是构成同上的天线元件的多个基材层的剩余部分的俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式1～5涉及的天线元件以及天线元件的制造方法进行说明。在下述的实施方式等中，重点说明与已经说明的实施方式不同的点。尤其是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，不在全部的实施方式等中逐一说明，省略一部分或全部。在下述的实施方式等中说明的各图为示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必一定反映了实际的尺寸比。另外，图1a、图1b、图7a、图7b、图8～图10均为剖视图，但为使构造易懂，用点图案示出结构的一部分。图1a是图3的x-x线剖视图。

各实施方式涉及的“天线元件”是用于“无线传输系统”的天线元件。在此，“无线传输系统”是与传输对方(外部设备的天线)进行基于磁场耦合的无线传输的系统。“传输”包含信号的收发和电力的收发这两者的意思。此外，“无线传输系统”包含近距离无线通信系统和无线供电系统这两者的意思。由于天线元件进行基于磁场耦合的无线传输，因此天线元件的电流路径的长度即后述的线圈导体的线路长度与在无线传输中使用的频率下的波长λ相比充分小，为λ/10以下。因此，在无线传输的使用频带中电磁波的辐射效率低。另外，在此所说的波长λ是考虑了设置有线圈导体的基材的介电性以及导磁性所引起的波长缩短效应的有效的波长。线圈导体的两端与供电电路连接，在天线的电流路径即线圈导体中流过大致一样的大小的电流。

此外，作为使用各实施方式涉及的“天线元件”的近距离无线通信，例如有nfc(nearfieldcommunication，近场通信)。在近距离无线通信中使用的频带例如为hf频带，特别是13.56mhz及其附近的频带。

此外，作为用于各实施方式涉及的“天线元件”的无线供电的方式，例如有电磁感应方式以及磁场共振方式那样的磁场耦合方式。作为电磁感应方式的无线供电标准，例如有wpc(wirelesspowerconsortium，无线充电联盟)所制定的标准“qi(注册商标)”。在电磁感应方式中使用的频带例如包含于110khz以上且205khz以下的范围以及上述范围的附近的频带。作为磁场共振方式的无线供电标准，例如有airfuel(注册商标)alliance所制定的标准“airfuelresonant”。在磁场共振方式中使用的频带例如为6.78mhz频带或者100khz频带。

(实施方式1)

(1)实施方式1的概要

首先，参照图1a以及图1b对实施方式1的概要进行说明。

实施方式1涉及的天线元件1具备层叠体2和线圈导体3。在天线元件1中，层叠体2包含第1非磁性部41和与第1非磁性部41层叠的第1磁性部51。线圈导体3设置在层叠体2内，卷绕轴与层叠体2的层叠方向d1平行。在此，本说明书中的“平行”并不是仅意味着一定严格地“平行”，也可以相对于给定方向形成0°～±15°的角度。即，只要实质上平行即可。线圈导体3的卷绕轴例如也可以相对于层叠方向d1形成0°～±15°的角度。

层叠体2具有第1主面21和第2主面22。第2主面22在层叠方向d1上与第1主面21对置，且为安装面。第1磁性部51在层叠方向d1上与第1非磁性部41相比更接近第1主面21。

在如上述那样的天线元件1中，线圈导体3包含第1导体图案部61和第1绝缘图案部71。第1导体图案部61在层叠方向d1上位于第1非磁性部41与第1磁性部51之间。第1绝缘图案部71设置在第1导体图案部61的第2主面22侧，具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21。而且，在从层叠方向d1的俯视下，第1绝缘图案部71与第1导体图案部61重叠。

在本说明书中，所谓“在层叠方向d1上导体图案部位于非磁性部与磁性部之间”，是指在层叠方向d1上导体图案部与非磁性部和磁性部这两者相接。

根据上述，在天线元件1中，在第1磁性部51与第1非磁性部41之间设置有线圈导体3的第1导体图案部61。由此，与线圈导体3被磁性部覆盖的情况相比，能够抑制磁性损耗。

此外，在天线元件1中，在位于第1非磁性部41与第1磁性部51之间的第1导体图案部61中，在第1导体图案部61的第2主面22侧，设置有具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21的第1绝缘图案部71。由此，经过按压等工序，能够将第1导体图案部61做成为向第1主面21侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向d1正交的方向d2更接近层叠方向d1。尤其是，能够使第1导体图案部61的第1主面21侧的侧面比第1导体图案部61的第2主面22侧的侧面更大地突出，因此能够使磁通的方向容易地接近层叠方向d1。其结果，能够提高天线元件1的通信性能。

由此，能够抑制磁性损耗并且提高天线元件1的通信性能。

(2)实施方式1的详情

其次，对实施方式1的详情进行说明。

(2.1)天线元件的整体结构

如图1a、图2以及图3所示，实施方式1涉及的天线元件1具备层叠体2和线圈导体3。如图2所示，天线元件1例如形成为长方体状。天线元件1的尺寸例如是纵长6mm程度、宽度3mm程度、高度1mm程度。另外，天线元件1不限定于上述的尺寸。

(2.2)天线元件的各构成要素

其次，参照附图对实施方式1涉及的天线元件1的各构成要素进行说明。

(2.2.1)层叠体

如图1a所示，层叠体2包含第1非磁性部41和与第1非磁性部41层叠的第1磁性部51。层叠体2还包含第2磁性部52。

层叠体2具有第1主面21和第2主面22。第2主面22在层叠体2的层叠方向d1上与第1主面21对置，且为安装面。

(2.2.2)第1非磁性部

第1非磁性部41层叠多个非磁性层s3～s9(参照图5以及图6)而构成。第1非磁性部41在层叠方向d1上被第1磁性部51和第2磁性部52夹着。构成第1非磁性部41的多个非磁性层s3～s9例如为低温同时烧成陶瓷(ltcc)的非磁性体铁氧体等烧结体。

(2.2.3)第1磁性部

第1磁性部51在层叠方向d1上与第1非磁性部41相比更接近第1主面21。更详细地，第1磁性部51配置在第1非磁性部41的辐射面侧。第1磁性部51由包含磁性层s10(参照图6)的至少一个磁性层构成。构成第1磁性部51的磁性层s10例如为低温同时烧成陶瓷的磁性体铁氧体等烧结体。另外，“第1磁性部51在层叠方向d1上与第1非磁性部41相比更接近第1主面21”，包含如图1a所示第1磁性部51的主面成为第1主面21的情况、和第1磁性部51的主面与第1主面21不同的情况这两者。

(2.2.4)第2磁性部

第2磁性部52在层叠方向d1上与第1非磁性部41相比更接近第2主面22。更详细地，第2磁性部52配置在第1非磁性部41的安装面侧。第2磁性部52由包含磁性层s2(参照图5)的至少一个磁性层构成。构成第2磁性部52的磁性层s2例如为低温同时烧成陶瓷的磁性体铁氧体等烧结体。另外，“第2磁性部52在层叠方向d1上与第1非磁性部41相比更接近第2主面22”，包含如图1a所示第2磁性部52的主面成为第2主面22的情况、和第2磁性部52的主面与第2主面22不同的情况这两者。

(2.2.5)线圈导体

如图1a所示，线圈导体3设置在层叠体2内。线圈导体3的卷绕轴与层叠体2的层叠方向d1平行。更详细地，线圈导体3设置在第1非磁性部41、第1非磁性部41与第1磁性部51的边界、或者第1非磁性部41与第2磁性部52的边界。

线圈导体3包含：第1导体图案部61、第2导体图案部62、多个(在图示例中为6个)第3导体图案部63、和第1绝缘图案部71。

(2.2.6)第1导体图案部

第1导体图案部61在层叠方向d1上位于第1非磁性部41与第1磁性部51之间。更详细地，第1导体图案部61是线圈导体3之中最接近第1主面21(辐射面)的部分，设置在第1非磁性部41和第1磁性部51的边界。第1导体图案部61例如是以ag为主成分的导体图案部。

(2.2.7)第2导体图案部

第2导体图案部62在层叠方向d1上位于第1非磁性部41与第2磁性部52之间。更详细地，第2导体图案部62是线圈导体3之中最接近第2主面22(安装面)的部分，设置在第1非磁性部41和第2磁性部52的边界。第2导体图案部62例如是以ag为主成分的导体图案部。

(2.2.8)第3导体图案部

多个第3导体图案部63各自位于第1非磁性部41内。即，各第3导体图案部63被第1非磁性部41覆盖。第3导体图案部63例如是以ag为主成分的导体图案部。

多个第3导体图案部63之中与第1导体图案部61相邻的第3导体图案部63通过层间连接导体而与第1导体图案部61电连接。上述层间连接导体设置于第1非磁性部41。更详细地，上述层间连接导体设置为贯通构成第1非磁性部41的非磁性层s9(参照图6)。

多个第3导体图案部63之中与第2导体图案部62相邻的第3导体图案部63通过层间连接导体而与第2导体图案部62电连接。上述层间连接导体设置于第1非磁性部41。更详细地，上述层间连接导体设置为贯通构成第1非磁性部41的非磁性层s3(参照图5)。

(2.2.9)第1绝缘图案部

第1绝缘图案部71设置在第1导体图案部61的第2主面22侧，具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21。在从层叠方向d1的俯视下，第1绝缘图案部71与第1导体图案部61重叠。即，具有比第1导体图案部61的线宽δ11窄的线宽δ21的第1绝缘图案部71沿着第1导体图案部61配置。在此，本说明书中的“绝缘图案部”对应于本实用新型中的“绝缘部”。第1绝缘图案部71对应于本实用新型中的第1绝缘部。

第1绝缘图案部71的线宽δ21比第1导体图案部61的线宽δ11细，第1绝缘图案部71的厚度比第1导体图案部61的厚度薄。另外，第1绝缘图案部71以及第1导体图案部61的尺寸的大小关系不限定于上述。

在第1导体图案部61的第2主面22侧设置有第1绝缘图案部71，由此经由后述的制造的工序，第1导体图案部61成为向第1主面21(辐射面)侧凸起的形状。

在此，第1导体图案部61为如图1b所示那样的形状。即，第1导体图案部61为凸状。或者，第1导体图案部61的中央部比两端部更向第1磁性部51侧突出。或者，在层叠方向d1上，第1导体图案部61的重心o1位于第1磁性部51侧。即，第1导体图案部61的重心o1与平坦的第1导体图案部相比，在层叠方向d1上位于第1主面21侧。另外，第1导体图案部61可以不陡峭地突出，也可以平滑地突出。

在第1导体图案部61上，在形成第1绝缘图案部71的位置设置了辅助膜701(参照图6)之后，从层叠方向d1按压第1非磁性部41、第1磁性部51和第2磁性部52的层叠体的情况下，第1导体图案部61通过从层叠方向d1被按压而成为中央部比两端部更向第1主面21侧突出的形状。进而，若对上述层叠体在从层叠方向d1按压的状态下进行烧结，则辅助膜701燃烧，形成第1绝缘图案部71。另一方面，不具有如第1绝缘图案部71那样的绝缘图案部的第2导体图案部62以及多个第3导体图案部63不成为如第1导体图案部61那样的形状，成为平坦的形状。

另外，第1绝缘图案部71为空隙。即，第1绝缘图案部71是具有空隙的图案的空隙图案部。

(2.3)磁通的流动

其次，参照图4a以及图4b对磁通的流动进行说明。

如图4a所示，具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21的第1绝缘图案部71设置在第1导体图案部61的第2主面22侧。由此，如上述那样，第1导体图案部61成为向第1主面21侧凸起的形状。

第1导体图案部61成为向第1主面21侧凸起的形状，由此如图4a的箭头所示，在第1磁性部51中，能够使磁通的方向从与层叠方向d1正交的方向d2接近层叠方向d1。即，关于磁通能够增大层叠方向d1的分量。其结果，能够提高天线元件1的通信性能。

另一方面，在未设置第1绝缘图案部71的比较例的情况下，如图4b所示，位于第1非磁性部92与第1磁性部93之间的第1导体图案部91不成为凸起的形状。第1磁性部93中的磁通的方向与实施方式1的情况相比，更接近与层叠方向d1正交的方向d2。因而，层叠方向d1的分量小，不容易提高天线元件的通信性能。

即，实施方式1涉及的天线元件1通过将第1导体图案部61做成为向第1主面21侧凸起的形状，由此与第1导体图案部91不凸起的比较例相比，能够提高天线元件1的通信性能。

(2.4)天线元件的制造方法

其次，参照图5以及图6对实施方式1涉及的天线元件1的制造方法进行说明。实施方式1涉及的天线元件1通过第1工序至第7工序来制造。图5以及图6所示的多个基材层为非磁性层s3～s9以及磁性层s2、s10。另外，图5以及图6中的单点划线示出基于层间连接导体的主要的连接关系。图5的非磁性层s6和图6的非磁性层s7通过层间连接导体而电连接。

在第1工序中，准备构成第1非磁性部41的多个非磁性层s3～s9、构成第2磁性部52的磁性层s2、和构成第1磁性部51的磁性层s10。非磁性层s3～s9例如为低温同时烧成陶瓷的非磁性体铁氧体等烧结体(生片)。磁性层s2、s10例如为低温同时烧成陶瓷的磁性体铁氧体等烧结体(生片)。

在第2工序中，在磁性层s2的背面形成多个端子电极t1～t6。多个端子电极的t1～t6各自为大致矩形的导体图案。端子电极t1～t6的材料例如是以ag为主成分的导体。

另外，在磁性层s2的背面形成对端子电极t1～t6的外缘部进行覆盖的框状的绝缘膜(未图示)。更详细地，在磁性层s2的背面形成了端子电极t1～t6之后，对印刷为框状使得覆盖端子电极t1～t6的外缘部的非磁性体(非磁性铁氧体)膏进行烧成，形成为绝缘膜。

在第3工序中，在非磁性层s3的背面设置第2导体图案部62，在非磁性层s4～s9的背面设置第3导体图案部63，在磁性层s10的背面(主面)设置第1导体图案部61。更详细地，在非磁性层s3的背面形成约1匝的第2导体图案部62。在非磁性层s4～s9各自的背面形成约1匝的第3导体图案部63。在磁性层s10的背面形成约1匝的第1导体图案部61。第1导体图案部61、第2导体图案部62、以及各第3导体图案部63各自的材料例如是以ag为主成分的导体。

在第4工序中，在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上设置辅助膜701。辅助膜701例如为碳膜，具有比第1导体图案部61的线宽δ11(参照图1b)细的线宽δ21(参照图1b)。

在第5工序中，依次层叠磁性层s2、非磁性层s3、非磁性层s4、非磁性层s5、非磁性层s6、非磁性层s7、非磁性层s8、非磁性层s9、和磁性层s10。在层叠体中，磁性层s2为最下层，磁性层s10为最上层。更详细地，在第5工序中，将非磁性层s9层叠于磁性层s10，使得覆盖设置有第1导体图案部61以及辅助膜701的背面。

在第6工序中，在使磁性层和非磁性层层叠的状态下从层叠方向d1按压，使第1导体图案部61中的设置有辅助膜701的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s10侧。

在第7工序中，烧结层叠体，形成具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21的第1绝缘图案部71。此时，设置在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上的辅助膜701燃烧，由此在存在辅助膜701的位置形成作为第1绝缘图案部71的空隙。

另外，在层叠体2，也可以包含非磁性层s3～s9以外的未设置导体图案部的非磁性层。此外，在层叠体2，也可以包含磁性层s2、s10以外的未设置导体图案部的磁性层。省略关于这些非磁性层以及磁性层的图示以及说明。

(3)效果

在实施方式1涉及的天线元件1中，在第1磁性部51与第1非磁性部41之间(第1磁性部51和第1非磁性部41的边界)设置有线圈导体3的第1导体图案部61。由此，与线圈导体3被磁性部覆盖的情况相比，能够抑制磁性损耗。

此外，在实施方式1涉及的天线元件1中，在位于第1非磁性部41与第1磁性部51之间的第1导体图案部61中，在第1导体图案部61的第2主面22侧，设置了具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21的第1绝缘图案部71。由此，经由按压等的工序，能够将第1导体图案部61做成为向第1主面21侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向d1正交的方向d2更接近层叠方向d1。尤其是，能够使第1导体图案部61的第1主面21侧的侧面比第1导体图案部61的第2主面22侧的侧面更大地突出，因此能够使磁通的方向容易接近层叠方向d1。其结果，能够提高天线元件1的通信性能。

根据上述，根据实施方式1涉及的天线元件1，能够抑制磁性损耗并且提高天线元件1的通信性能。

在实施方式1涉及的天线元件1中，第1绝缘图案部71是配置在第1导体图案部61与其他导体(第3导体图案部63等)之间的空隙。在此，在第1导体图案部61的周围存在其他导体的情况下，在第1导体图案部61与其他导体之间产生杂散电容。但是，若空隙位于第1导体图案部61与其他导体之间，则较之于在第1导体图案部61与其他导体之间不存在空隙(第1导体图案部61与其他导体之间全部为第1非磁性部41)的时候，产生于第1导体图案部61与其他导体之间的杂散电容变低。即，第1绝缘图案部71为空隙，因此与第1非磁性部41相比第1绝缘图案部71的相对介电常数小。因此，与未设置第1绝缘图案部71的情况(第1导体图案部61与其他导体之间全部为第1非磁性部41的情况)相比，能够降低产生于第1导体图案部61与其他导体之间的杂散电容。其结果，能够提高天线元件1的q值。

在实施方式1涉及的天线元件1的制造方法中，制造如下天线元件1，即，在构成第1磁性部51的磁性层s10与构成第1非磁性部41的非磁性层s9之间(磁性层s10和非磁性层s9的边界)设置有线圈导体3的第1导体图案部61。由此，在天线元件1中，与线圈导体3被磁性部覆盖的情况相比，能够抑制磁性损耗。

此外，在实施方式1涉及的天线元件1的制造方法中，在位于非磁性层s9与磁性层s10之间的第1导体图案部61中，在第1导体图案部61的非磁性层s9侧，由具有比第1导体图案部61的线宽δ11细的线宽δ21的辅助膜701形成第1绝缘图案部71。由此，在天线元件1中，能够将第1导体图案部61做成为向磁性层s10侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向d1正交的方向(例如方向d2)更接近层叠方向d1。尤其是，能够使第1导体图案部61的磁性层s10侧的侧面比第1导体图案部61的非磁性层s9侧的侧面更大地突出，因此能够使磁通的方向容易接近层叠方向d1。其结果，能够提高天线元件1的通信性能。

根据上述，根据实施方式1涉及的天线元件1的制造方法，能够制造抑制磁性损耗并且提高天线元件1的通信性能的天线元件1。

(4)变形例

以下，对实施方式1的变形例进行说明。

作为实施方式1的变形例，也可以是，第1绝缘图案部71不为空隙，由相对介电常数比第1非磁性部41小的绝缘膏形成。在本变形例的情况下，通过在第1导体图案部61的第2主面22侧设置绝缘膏，由此形成第1绝缘图案部71。

此外，作为实施方式1的变形例，线圈导体3也可以包含仅一个第3导体图案部63。总之，线圈导体3包含至少一个第3导体图案部63即可。

在上述的各变形例涉及的天线元件中，也发挥与实施方式1涉及的天线元件1同样的效果。

(实施方式2)

实施方式2涉及的天线元件1a与实施方式1涉及的天线元件1(参照图1a以及图1b)的不同点在于，如图7a以及图7b所示，在第2导体图案部62a上设置有第2绝缘图案部72。另外，关于实施方式2涉及的天线元件1a，对于与实施方式1涉及的天线元件1同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

实施方式2涉及的天线元件1a取代实施方式1的线圈导体3而具备如图7a所示那样的线圈导体3a。在实施方式2涉及的天线元件1a中，与实施方式1同样地，在第1非磁性部41的第2主面22(安装面)侧配置有第2磁性部52。

线圈导体3a取代实施方式1的第2导体图案部62而包含第2导体图案部62a。此外，线圈导体3a还包含第2绝缘图案部72。另外，关于实施方式2的线圈导体3a，对于与实施方式1的线圈导体3(参照图1a)同样的结构以及功能，省略说明。

第2导体图案部62a与实施方式1的第2导体图案部62同样地，在层叠方向d1上位于第1非磁性部41与第2磁性部52之间。

第2绝缘图案部72设置在第2导体图案部62a的第1主面21侧，具有比第2导体图案部62的线宽δ12细的线宽δ22。在从层叠方向d1的俯视下，第2绝缘图案部72与第2导体图案部62a重叠。即，具有比第2导体图案部62a的线宽δ12窄的线宽δ22的第2绝缘图案部72沿着第2导体图案部62a配置。第2绝缘图案部72对应于本实用新型中的第2绝缘部。

第2绝缘图案部72的线宽δ22比第2导体图案部62a的线宽δ12细，第2绝缘图案部72的厚度比第2导体图案部62a的厚度薄。另外，第2绝缘图案部72以及第2导体图案部62a的尺寸的大小关系不限定于上述。

在第2导体图案部62a的第1主面21侧设置有第2绝缘图案部72，由此第2导体图案部62a成为向第2主面22(安装面)侧凸起的形状。

在此，第2导体图案部62a为如图7b所示那样的形状。即，第2导体图案部62a为凸状。或者，第2导体图案部62a的中央部比两端部更向第2磁性部52侧突出。或者，在层叠方向d1上，第2导体图案部62a的重心o2位于第2磁性部52侧。即，第2导体图案部62a的重心o2与平坦的第2导体图案部相比，在层叠方向d1上位于第2主面22侧。另外，第2导体图案部62a可以不陡峭地突出，也可以平滑地突出。

在第2导体图案部62a上，在形成第2绝缘图案部72的位置设置了辅助膜之后，从层叠方向d1按压了第1非磁性部41、第1磁性部51和第2磁性部52的层叠体的情况下，第2导体图案部62a通过从层叠方向d1被按压而成为中央部比两端部更向第2主面22侧突出的形状。进而，若对上述层叠体在从层叠方向d1按压的状态下进行烧结，则辅助膜燃烧，形成第2绝缘图案部72。另一方面，不具有如第2绝缘图案部72那样的绝缘图案部的多个第3导体图案部63不成为如第2导体图案部62a那样的形状，成为平坦的形状。

另外，第2绝缘图案部72为空隙。即，第2绝缘图案部72是具有空隙的图案的空隙图案部。

其次，参照图7b对磁通的流动进行说明。

如图7b所示，具有比第2导体图案部62a的线宽δ12细的线宽δ22的第2绝缘图案部72设置在第2导体图案部62a的第1主面21侧。由此，如上述那样，第2导体图案部62a成为向第2主面22侧凸起的形状。

第2导体图案部62a成为向第2主面22侧凸起的形状，由此如图7b的箭头所示，在第2磁性部52中，能够使磁通的方向从与层叠方向d1正交的方向d2接近层叠方向d1。即，能够增大层叠方向d1的分量。其结果，能够提高天线元件1a的通信性能。

另一方面，在未设置第2绝缘图案部72的比较例的情况下，第2导体图案部不成为凸起的形状。此外，在该比较例的情况下，与实施方式2的情况相比，第2磁性部中的磁通的方向更接近与层叠方向d1正交的方向d2。因而，层叠方向d1的分量小，不容易提高天线元件的通信性能。

如上述那样，实施方式2涉及的天线元件1a通过将第2导体图案部62a做成为向第2主面22侧凸起的形状，由此与第2导体图案部不凸起的比较例相比，能够提高天线元件1a的通信性能。

其次，对实施方式2涉及的天线元件1a的制造方法进行说明。实施方式2涉及的天线元件1a通过第1工序至第7工序来制造。

首先，与实施方式1同样地，进行第1工序至第3工序。更详细地，在第1工序中，准备多个非磁性层s3～s9(参照图5以及图6)、和磁性层s2、s10(参照图5以及图6)。在第2工序中，在磁性层s2的背面形成多个端子电极t1～t6(参照图5)。在第3工序中，在非磁性层s3的背面设置第2导体图案部62a，在非磁性层s4～s9的背面设置第3导体图案部63，在磁性层s10的背面设置第1导体图案部61。

在实施方式2的第4工序中，在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上设置辅助膜701，并且在非磁性层s3的背面处的第2导体图案部62a上形成辅助膜。形成在第2导体图案部62a上的辅助膜与形成在第1导体图案部61上的辅助膜701同样地，例如为碳膜。形成在第2导体图案部62a上的辅助膜具有比第2导体图案部62a的线宽δ12细的线宽。

然后，与实施方式1同样地，进行第5工序。更详细地，在第5工序中，依次层叠磁性层s2、非磁性层s3、非磁性层s4、非磁性层s5、非磁性层s6、非磁性层s7、非磁性层s8、非磁性层s9、和磁性层s10。

在实施方式2的第6工序中，与实施方式1同样地，在使磁性层和非磁性层层叠的状态下从层叠方向d1按压，使第1导体图案部61中的设置有辅助膜701的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s10侧。进而，在实施方式2中，使第2导体图案部62a中的设置有辅助膜的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s2侧。

在实施方式2的第7工序中，烧结层叠体，与实施方式1同样地形成空隙的第1绝缘图案部71。进而，在实施方式2中，形成具有比第2导体图案部62a的线宽δ12细的线宽δ22的第2绝缘图案部72。此时，形成在非磁性层s3的背面处的第2导体图案部62a上的辅助膜燃烧，由此在存在辅助膜的位置形成作为第2绝缘图案部72的空隙。

如以上说明的那样，在实施方式2涉及的天线元件1a中，在位于第1非磁性部41与第2磁性部52之间的第2导体图案部62a中，在第2导体图案部62a的第1主面21侧，设置了具有比第2导体图案部62a的线宽δ12细的线宽δ22的第2绝缘图案部72。由此，能够将第2导体图案部62a做成为向第2主面22侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向d1正交的方向(例如方向d2)更接近层叠方向d1。其结果，能够进一步提高天线元件1a的通信性能。

另外，作为实施方式2的变形例，也可以是，第2绝缘图案部72不为空隙，由相对介电常数比第1非磁性部41小的绝缘膏形成。在本变形例的情况下，通过在第2导体图案部62a的第1主面21侧设置绝缘膏，由此形成第2绝缘图案部72。

在上述的变形例涉及的天线元件中，也发挥与实施方式2涉及的天线元件1a同样的效果。

(实施方式3)

实施方式3涉及的天线元件1b与实施方式1涉及的天线元件1(参照图1a)的不同点在于，如图8所示，具备多个(在图示例中为7个)第3绝缘图案部73。另外，关于实施方式3涉及的天线元件1b，对于与实施方式1涉及的天线元件1同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

实施方式3涉及的天线元件1b取代实施方式1的线圈导体3而具备如图8所示那样的线圈导体3b。

线圈导体3b具备第1导体图案部61、第2导体图案部62、多个(在图示例中为7个)第3导体图案部63b、和第1绝缘图案部71，并且还包含多个(在图示例中为7个)第3绝缘图案部73。另外，关于实施方式3的线圈导体3b，对于与实施方式1的线圈导体3(参照图1a)同样的结构以及功能，省略说明。

多个第3导体图案部63b各自与实施方式1的第3导体图案部63同样地位于第1非磁性部41内。

多个第3绝缘图案部73各自与多个第3导体图案部63b一对一地对应，设置在所对应的第3导体图案部63b的第2主面22侧。各第3绝缘图案部73具有比所对应的第3导体图案部63b的线宽细的线宽。在从层叠方向d1的俯视下，各第3绝缘图案部73与所对应的第3导体图案部63b重叠。即，具有比第3导体图案部63b的线宽窄的线宽的第3绝缘图案部73沿着第3导体图案部63b配置。第3绝缘图案部73对应于本实用新型中的第3绝缘部。

第3绝缘图案部73的线宽比第3导体图案部63b的线宽细，第3绝缘图案部73的厚度比第3导体图案部63b的厚度薄。另外，第3绝缘图案部73以及第3导体图案部63b的尺寸不限定于上述。

在第3导体图案部63b的第2主面22侧设置有第3绝缘图案部73，由此第3导体图案部63b成为向第1主面21(辐射面)侧凸起的形状。

在此，第3导体图案部63b为如图8所示那样的形状。即，第3导体图案部63b为凸状。或者，第3导体图案部63b的中央部比两端部更向第1磁性部51侧突出。或者，在层叠方向d1上，第3导体图案部63b的重心位于第1磁性部51侧。即，第3导体图案部63b的重心与平坦的第3导体图案部相比，在层叠方向d1上位于第1主面21侧。另外，第3导体图案部63b可以不陡峭地突出，也可以平滑地突出。

在第3导体图案部63b上设置了第3绝缘图案部73之后，对第1非磁性部41、第1磁性部51和第2磁性部52的层叠体在从层叠方向d1按压的状态下进行了烧结的情况下，第3导体图案部63b通过从层叠方向d1被按压而成为中央部比两端部更向第1主面21侧突出的形状。另一方面，不具有如第2绝缘图案部72那样的绝缘图案部的第2导体图案部62不成为如第3导体图案部63b那样的形状，成为平坦的形状。

若如实施方式3那样多个第3绝缘图案部73设置在所对应的第3导体图案部63b上，则通过按压，各第3导体图案部63b成为向第1主面21侧凸起的形状。此时，根据多个第3导体图案部63b的凸起程度，在层叠方向d1上，与多个第3导体图案部63b并排的第3绝缘图案部73的厚度被积累，因此能够增大第1导体图案部61的凸起程度。换言之，若多个第3绝缘图案部73设置在所对应的第3导体图案部63b上，则通过按压的工序，各第3导体图案部63b成为向第1主面21侧凸起的形状。此时，根据多个第3导体图案部63b的凸起程度，在层叠方向d1上，能够增大与多个第3导体图案部63b并排的第1导体图案部61的凸起程度。若第1导体图案部61的凸起程度变大，则能够使第1磁性部51中的磁通(参照图4a)的方向更接近层叠方向d1。

另外，多个第3绝缘图案部73为空隙。即，各第3绝缘图案部73是具有空隙的图案的空隙图案部。

由于多个第3绝缘图案部73为空隙，因此与第1非磁性部41相比，各第3绝缘图案部73的相对介电常数小。因此，与未设置第3绝缘图案部73的情况相比，能够使在层叠方向d1上相邻的两个第3导体图案部63b间的相对介电常数接近1。由此，能够减少在层叠方向d1上相邻的两个第3导体图案部63b间的杂散电容、以及、最接近第2导体图案部62的第3导体图案部63b与第2导体图案部62之间的杂散电容。其结果，能够提高天线元件1b的q值。

此外，多个第3绝缘图案部73为空隙，由此能够缓和由于第1非磁性部41与第1磁性部51之间的线膨胀系数差而产生于第1非磁性部41的内部的应力。此外，能够缓和由于第1非磁性部41与第2磁性部52之间的线膨胀系数差而产生于第1非磁性部41的内部的应力。由此，能够降低向与层叠方向d1正交的方向(例如方向d2)的裂纹的产生。

其次，对实施方式3涉及的天线元件1b的制造方法进行说明。实施方式3涉及的天线元件1b通过第1工序至第7工序来制造。

首先，与实施方式1同样地，进行第1工序至第3工序。更详细地，在第1工序中，准备多个非磁性层s3～s9(参照图5以及图6)和磁性层s2、s10(参照图5以及图6)。在第2工序中，在磁性层s2的背面形成多个端子电极t1～t6(参照图5)。在第3工序中，在非磁性层s3的背面设置第2导体图案部62，在非磁性层s4～s9的背面设置第3导体图案部63b，在磁性层s10的背面(主面)设置第1导体图案部61。

在实施方式3的第4工序中，在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上设置辅助膜701(参照图12)，并且在非磁性层s4～s9的背面处的第3导体图案部63b上设置辅助膜703(参照图11以及图12)。设置在第3导体图案部63b上的辅助膜703与设置在第1导体图案部61上的辅助膜701同样地，例如为碳膜。设置在第3导体图案部63b上的辅助膜703具有比第3导体图案部63b的线宽更细的线宽。

然后，与实施方式1同样地，进行第5工序。更详细地，在第5工序中，依次层叠磁性层s2、非磁性层s3、非磁性层s4、非磁性层s5、非磁性层s6、非磁性层s7、非磁性层s8、非磁性层s9、和磁性层s10。

在实施方式3的第6工序中，与实施方式1同样地，在使磁性层和非磁性层层叠的状态下从层叠方向d1按压，使第1导体图案部61中的设置有辅助膜701的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s10侧。进而，在实施方式3中，使第3导体图案部63b中的设置有辅助膜703的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s10侧。

在实施方式3的第7工序中，烧结层叠体，与实施方式1同样地形成空隙的第1绝缘图案部71。进而，在实施方式3中，形成具有比第3导体图案部63b的线宽更细的线宽的第3绝缘图案部73。此时，形成在非磁性层s4～s9的背面处的第3导体图案部63b上的辅助膜703燃烧，由此在存在辅助膜703的位置形成作为第3绝缘图案部73的空隙。

如以上说明的那样，在实施方式3涉及的天线元件1b中，在位于第1非磁性部41内的第3导体图案部63b，设置了具有比第3导体图案部63b的线宽更细的线宽的第3绝缘图案部73。由此，在层叠方向d1上，第1绝缘图案部71和第3绝缘图案部73的厚度被积累，因此能够增大第1导体图案部61的凸起程度。其结果，能够使磁通的方向进一步朝向层叠方向d1。

此外，在实施方式3涉及的天线元件1b中，在第3绝缘图案部73为空隙的情况下，能够降低第2导体图案部62与第3导体图案部63b之间的杂散电容，因此能够提高天线元件1b的q值。

进而，在实施方式3涉及的天线元件1b中，在第3绝缘图案部73为空隙的情况下，能够缓和由于非磁性部(例如第1非磁性部41)与磁性部(例如第1磁性部51)的线膨胀系数差而产生于非磁性部的内部的应力。由此，在导体图案间(第1导体图案部61与第3导体图案部63b之间、两个第3导体图案部63b间)，能够降低与层叠方向d1正交的方向d2的裂纹的产生。

另外，作为实施方式3的变形例，线圈导体3b也可以包含仅一个第3导体图案部63b。总之，线圈导体3b包含至少一个第3导体图案部63b即可。

此外，作为实施方式3的变形例，线圈导体3b也可以包含仅一个第3绝缘图案部73。总之，线圈导体3b包含至少一个第3绝缘图案部73即可。

作为实施方式3的变形例，也可以是，多个第3绝缘图案部73各自不为空隙，由相对介电常数比第1非磁性部41小的绝缘膏形成。在本变形例的情况下，通过在多个第3导体图案部63b各自的第2主面22侧设置绝缘膏，由此形成多个第3绝缘图案部73。

在上述的各变形例涉及的天线元件中，也发挥与实施方式3涉及的天线元件1b同样的效果。

(实施方式4)

实施方式4涉及的天线元件1c与实施方式1涉及的天线元件1(参照图1a)的不同点在于，如图9所示，在第1非磁性部41之间设置有第3磁性部53。另外，关于实施方式4涉及的天线元件1c，对于与实施方式1涉及的天线元件1同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

实施方式4涉及的天线元件1c取代实施方式1的层叠体2而具备如图9所示那样的层叠体2c。

层叠体2c还包含第3磁性部53。另外，关于实施方式4的层叠体2c，对于与实施方式1的层叠体2(参照图1a)同样的结构以及功能，省略说明。

第3磁性部53设置为在层叠方向d1上将第1非磁性部41分割为两个。第3磁性部53设置在第1非磁性部41的中间。第3磁性部53由包含磁性层s6a(参照图11)的至少一个磁性层构成。构成第3磁性部53的磁性层s6a例如为低温同时烧成陶瓷的磁性体铁氧体等烧结体。

通过如实施方式4那样在第1非磁性部41的中间设置有第3磁性部53，由此能够使划分为两个的非磁性部411、412变薄。由此，能够降低第1磁性部51以及第2磁性部52从第1非磁性部41受到的拉伸应力(由于第1非磁性部41与第1磁性部51以及第2磁性部52的线膨胀系数差而产生的、与层叠方向d1正交的方向的应力)。其结果，能够降低第1磁性部51以及第2磁性部52中的层叠方向d1的裂纹的产生。

此外，层叠体2c还包含第2非磁性部42。第2非磁性部42在层叠方向d1上比第1磁性部51更接近第1主面21。第2非磁性部42由非磁性层s11(参照图12)构成。构成第2非磁性部42的非磁性层s11例如为低温同时烧成陶瓷的非磁性体铁氧体等烧结体。

进而，层叠体2c还包含第3非磁性部43。第3非磁性部43在层叠方向d1上比第2磁性部52更接近第2主面22。第3非磁性部43由非磁性层s1(参照图11)构成。构成第3非磁性部43的非磁性层s1例如为低温同时烧成陶瓷的非磁性体铁氧体等烧结体。

根据上述，在层叠体2c中，层叠方向d1的两端成为非磁性部。一般地，与非磁性部相比，磁性部更脆弱，因此通过将层叠体2c的两端设为非磁性部，由此能够提高机械强度。

其次，对实施方式4涉及的天线元件1c的制造方法进行说明。实施方式4涉及的天线元件1c通过第1工序至第8工序来制造。

在第1工序中，准备多个非磁性层s1、s3～s5、s7～s9、s11(参照图11以及图12)、和磁性层s2、s10(参照图11以及图12)。进而，在实施方式4的第1工序中，取代实施方式1的非磁性层s6而准备磁性层s6a(参照图11)。

在第2工序中，在非磁性层s1的背面形成多个端子电极t1～t6(参照图11)，在磁性层s2的背面形成多个导体23～28(参照图11)。

与实施方式1同样地，进行第3工序以及第4工序。更详细地，在第3工序中，与实施方式1同样地，在非磁性层s3的背面设置第2导体图案部62，在非磁性层s4、s5、s7～s9以及磁性层s6a的背面设置第3导体图案部63，在磁性层s10的背面设置第1导体图案部61。在第4工序中，在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上设置辅助膜701。

在第5工序中，在非磁性层s11的表面形成定位标记705(参照图12)，在非磁性层s11的背面形成导体704(参照图12)。

在第6工序中，依次层叠非磁性层s1、磁性层s2、非磁性层s3、非磁性层s4、非磁性层s5、磁性层s6a、非磁性层s7、非磁性层s8、非磁性层s9、磁性层s10、和非磁性层s11。

然后，与实施方式1的第6工序以及第7工序同样地，进行第7工序以及第8工序。更详细地，在第7工序中，在使磁性层和非磁性层层叠的状态下从层叠方向d1按压，使第1导体图案部61中的设置有辅助膜701的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s10侧。在第8工序中，烧结层叠体，形成空隙的第1绝缘图案部71。

如以上说明的那样，在实施方式4涉及的天线元件1c中，设置有第3磁性部53，使得将第1非磁性部41分断为至少两个。由此，能够使分断为两个的第1非磁性部41的每一个的厚度变薄，因此能够降低第1磁性部51等磁性部受到的拉伸应力。其结果，能够降低磁性部的层叠方向d1的裂纹的产生。

在实施方式4涉及的天线元件1c中，强度比第1磁性部51高的第2非磁性部42比第1磁性部51更接近第1主面21(设置在外侧)，并且，强度比第2磁性部52高的第3非磁性部43比第2磁性部52更接近第2主面22(设置在外侧)。由此，能够提高天线元件1c的强度。

另外，作为实施方式4的变形例，层叠体2c也可以包含多个第3磁性部53。在本变形例的情况下，多个第3磁性部53设置为将第1非磁性部41分断为两个以上。

在上述的变形例涉及的天线元件中，也发挥与实施方式4涉及的天线元件1c同样的效果。

(实施方式5)

实施方式5涉及的天线元件1d与实施方式1涉及的天线元件1(参照图1a)的不同点在于，如图10所示，在第3导体图案部63d上设置有第3绝缘图案部73，并且，在第1非磁性部41之间设置有第3磁性部53。另外，关于实施方式5涉及的天线元件1d，对于与实施方式1涉及的天线元件1同样的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。

实施方式5涉及的天线元件1d取代实施方式1的层叠体2以及线圈导体3而具备如图10所示那样的层叠体2d以及线圈导体3d。

层叠体2d还包含第3磁性部53。另外，关于实施方式5的层叠体2d，对于与实施方式1的层叠体2(参照图1a)同样的结构以及功能，省略说明。

第3磁性部53设置为在层叠方向d1上将第1非磁性部41分割为两个。第3磁性部53设置在第1非磁性部41的中间。第3磁性部53由包含磁性层s6a(参照图11)的至少一个磁性层构成。构成第3磁性部53的磁性层s6a例如为低温同时烧成陶瓷的磁性体铁氧体等烧结体。

通过如实施方式5那样在第1非磁性部41的中间设置有第3磁性部53，由此能够使划分为两个的非磁性部411、412变薄。由此，能够降低第1磁性部51以及第2磁性部52从第1非磁性部41受到的拉伸应力(与层叠方向d1正交的方向的应力)。其结果，能够降低第1磁性部51以及第2磁性部52中的层叠方向d1的裂纹的产生。

此外，层叠体2d还包含第2非磁性部42。第2非磁性部42在层叠方向d1上比第1磁性部51更接近第1主面21。第2非磁性部42由非磁性层s11(参照图12)构成。构成第2非磁性部42的非磁性层s11例如为低温同时烧成陶瓷的非磁性体铁氧体等烧结体。

进而，层叠体2d还包含第3非磁性部43。第3非磁性部43在层叠方向d1上比第2磁性部52更接近第2主面22。第3非磁性部43由非磁性层s1(参照图11)构成。构成第3非磁性部43的非磁性层s1例如为低温同时烧成陶瓷的非磁性体铁氧体等烧结体。

根据上述，在层叠体2d中，层叠方向d1的两端成为非磁性部。一般地，与非磁性部相比，磁性部更脆弱，因此通过将层叠体2d的两端设为非磁性部，由此能够提高机械强度。

进而，线圈导体3d具备第1导体图案部61、第2导体图案部62、多个(在图示例中为7个)第3导体图案部63d、和第1绝缘图案部71，并且还包含多个(在图示例中为7个)第3绝缘图案部73。另外，关于实施方式5的线圈导体3d，对于与实施方式1的线圈导体3(参照图1a)同样的结构以及功能，省略说明。

多个第3导体图案部63d的一部分与实施方式1的第3导体图案部63同样地位于第1非磁性部41内。另一方面，多个第3导体图案部63d的剩余部分设置在第1非磁性部41和第3磁性部53的边界。

多个第3绝缘图案部73各自与多个第3导体图案部63d一对一地对应，设置在所对应的第3导体图案部63d的第2主面22侧。各第3绝缘图案部73具有比所对应的第3导体图案部63d的线宽更细的线宽。在从层叠方向d1的俯视下，各第3绝缘图案部73与所对应的第3导体图案部63d重叠。即，具有比第3导体图案部63d的线宽窄的线宽的第3绝缘图案部73沿着第3导体图案部63d配置。

第3绝缘图案部73的线宽比第3导体图案部63d的线宽细，第3绝缘图案部73的厚度比第3导体图案部63d的厚度薄。另外，第3绝缘图案部73以及第3导体图案部63d的尺寸不限定于上述。

在第3导体图案部63d的第2主面22侧设置有第3绝缘图案部73，由此第3导体图案部63d成为向第1主面21(辐射面)侧凸起的形状。

在此，第3导体图案部63d为如图10所示那样的形状。即，第3导体图案部63d为凸状。或者，第3导体图案部63d的中央部比两端部更向第1磁性部51侧突出。或者，在层叠方向d1上，第3导体图案部63d的重心位于第1磁性部51侧。即，第3导体图案部63d的重心与平坦的第3导体图案部相比，在层叠方向d1上位于第1主面21侧。另外，第3导体图案部63d可以不陡峭地突出，也可以平滑地突出。

在第3导体图案部63d上设置了第3绝缘图案部73之后，对第1非磁性部41、第1磁性部51和第2磁性部52的层叠体在从层叠方向d1按压的状态下进行烧结的情况下，第3导体图案部63d通过从层叠方向d1被按压而成为中央部比两端部更向第1主面21侧突出的形状。另一方面，不具有如第2绝缘图案部72那样的绝缘图案部的第2导体图案部62不成为如第3导体图案部63d那样的形状，成为平坦的形状。

若如实施方式5那样多个第3绝缘图案部73设置在所对应的第3导体图案部63d上，则第3绝缘图案部73的厚度被积累，因此能够增大第1导体图案部61的凸起程度。若第1导体图案部61的凸起程度变大，则能够使第1磁性部51中的磁通(参照图4a)的方向更接近层叠方向d1。

另外，多个第3绝缘图案部73为空隙。即，各第3绝缘图案部73是具有空隙的图案的空隙图案部。

由于多个第3绝缘图案部73为空隙，因此与第1非磁性部41相比，各第3绝缘图案部73的相对介电常数小。因此，与未设置第3绝缘图案部73的情况相比，能够减少在层叠方向d1上相邻的两个第3导体图案部63d间的杂散电容、以及、最接近第2导体图案部62的第3绝缘图案部73与第2导体图案部62之间的杂散电容。其结果，能够提高天线元件1d的q值。

此外，多个第3绝缘图案部73为空隙，由此能够缓和由于第1非磁性部41与第1磁性部51之间的线膨胀系数差而产生于第1非磁性部41的内部的应力。此外，能够缓和由于第1非磁性部41与第2磁性部52之间的线膨胀系数差而产生于第1非磁性部41的内部的应力。由此，能够降低向与层叠方向d1正交的方向(例如方向d2)的裂纹的产生。

其次，参照图11以及图12对实施方式5涉及的天线元件1d的制造方法进行说明。实施方式5涉及的天线元件1d通过第1工序至第8工序来制造。图11以及图12所示的多个基材层为非磁性层s1、s3～s5、s7～s9、s11以及磁性层s2、s6a、s10。另外，图11以及图12中的单点划线示出基于层间连接导体的主要的连接关系。图11的磁性层s6a和图12的非磁性层s7通过层间连接导体而电连接。

在第1工序中，准备多个非磁性层s1、s3～s5、s7～s9、s11以及多个磁性层s2、s6a、s10。非磁性层s1、s3～s5、s7～s9、s11例如为低温同时烧成陶瓷的非磁性体铁氧体等烧结体。磁性层s2、s6a、s10例如为低温同时烧成陶瓷的磁性体铁氧体等烧结体。

在第2工序中，在非磁性层s1的背面形成多个端子电极t1～t6。多个端子电极的t1～t6各自为大致矩形的导体图案。在磁性层s2的背面形成多个导体23～28。多个导体23～28分别是与端子电极t1～t6类似的形状(大致矩形)的导体图案。端子电极t1～t6以及导体23～28例如是以ag为主成分的导体图案。

另外，在非磁性层s1的背面形成对端子电极t1～t6的外缘部进行覆盖的框状的绝缘膜(未图示)。更详细地，在非磁性层s1的背面形成了端子电极t1～t6之后，对印刷为框状使得覆盖端子电极t1～t6的外缘部的非磁性体(非磁性铁氧体)膏进行烧成，形成为绝缘膜。

在第3工序中，在非磁性层s3的背面设置第2导体图案部62，在非磁性层s4～s5、s7～s9以及磁性层s6a的背面形成第3导体图案部63d，在磁性层s10的背面设置第1导体图案部61。更详细地，在非磁性层s3的背面形成约1匝的第2导体图案部62。在非磁性层s4的背面形成约1匝的第3导体图案部63d。在非磁性层s5的背面形成约1匝的第3导体图案部63d。在磁性层s6a的背面形成约1匝的第3导体图案部63d。在非磁性层s7的背面形成约1匝的第3导体图案部63d。在非磁性层s8的背面形成约1匝的第3导体图案部63d。在非磁性层s9的背面形成约1匝的第3导体图案部63d。在磁性层s10的背面形成约1匝的第1导体图案部61。

在第4工序中，在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上设置约1匝的辅助膜701，并且在非磁性层s4、s5、s7～s9以及磁性层s6a的背面处的第3导体图案部63d上设置约1匝的辅助膜703。

在第5工序中，在非磁性层s11的表面形成定位标记705(使制造时的定位变得容易的标记)。在非磁性层s11的背面形成导体704。定位标记705为矩形的导体图案。导体704为与定位标记705类似的形状(大致矩形)的导体图案。定位标记705以及导体704例如是以ag为主成分的导体图案。

在第6工序中，依次层叠非磁性层s1、磁性层s2、非磁性层s3、非磁性层s4、非磁性层s5、磁性层s6a、非磁性层s7、非磁性层s8、非磁性层s9、磁性层s10、和非磁性层s11。在层叠体中，非磁性层s1为最下层，非磁性层s11为最上层。更详细地，更详细地，在第6工序中，将非磁性层s9层叠于磁性层s10，使得覆盖设置有第1导体图案部61以及辅助膜701的背面。

在第7工序中，在使磁性层和非磁性层层叠的状态下从层叠方向d1按压，使第1导体图案部61中的设置有辅助膜701的部分位于比剩余的部分更靠磁性层s10侧。

在第8工序中，烧结层叠体，形成具有比第1导体图案部61的线宽δ11(参照图1b)细的线宽δ21(参照图1b)的第1绝缘图案部71。此时，设置在磁性层s10的背面处的第1导体图案部61上的辅助膜701燃烧，由此在存在辅助膜701的位置形成作为第1绝缘图案部71的空隙。

如以上说明的那样，在实施方式5涉及的天线元件1d中，设置有第3磁性部53，使得将第1非磁性部41分断为至少两个。由此，能够使分断为两个的第1非磁性部41的每一个的厚度变薄，因此能够降低第1磁性部51等磁性部受到的拉伸应力。其结果，能够降低磁性部的层叠方向d1的裂纹的产生。

在实施方式5涉及的天线元件1d中，强度比第1磁性部51高的第2非磁性部42比第1磁性部51更接近第1主面21(设置在外侧)，并且，强度比第2磁性部52高的第3非磁性部43比第2磁性部52更接近第2主面22(设置在外侧)。由此，能够提高天线元件1d的强度。

另外，作为实施方式5的变形例，层叠体2d也可以包含多个第3磁性部53。在本变形例的情况下，多个第3磁性部53设置为将第1非磁性部41分断为两个以上。

作为实施方式5的变形例，线圈导体3d也可以包含仅一个第3导体图案部63d。总之，线圈导体3d包含至少一个第3导体图案部63d即可。

此外，作为实施方式5的变形例，线圈导体3d也可以包含仅一个第3绝缘图案部73。总之，线圈导体3d包含至少一个第3绝缘图案部73即可。

作为实施方式5的变形例，也可以是，多个第3绝缘图案部73各自不为空隙，由相对介电常数比第1非磁性部41小的绝缘膏形成。在本变形例的情况下，通过在多个第3导体图案部63d各自的第2主面22侧设置绝缘膏，由此形成多个第3绝缘图案部73。

在上述的变形例涉及的天线元件中，也发挥与实施方式5涉及的天线元件1d同样的效果。

以上说明的实施方式以及变形例只不过为本实用新型的各种各样的实施方式以及变形例的一部分。此外，实施方式以及变形例只要能够达成本实用新型的目的，就能够根据设计等进行各种变更。

例如，在上述的各实施方式中，作为绝缘部，示出第1绝缘图案部71、第2绝缘图案部72、以及第3绝缘图案部73，但这些绝缘部无需一定是沿着线圈导体的大致整周形成的图案状。这些绝缘部可以仅形成在线圈导体的外周的一部分，或者，也可以不连续地形成图案。

(方式)

通过以上说明的实施方式以及变形例而公开了以下的方式。

第1方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)具备层叠体(2；2c；2d)和线圈导体(3；3a；3b；3d)。层叠体(2；2c；2d)包含第1非磁性部(41)和第1磁性部(51)。第1磁性部(51)与第1非磁性部(41)层叠。线圈导体(3；3a；3b；3d)设置在层叠体(2；2c；2d)内。线圈导体(3；3a；3b；3d)的卷绕轴与层叠体(2；2c；2d)的层叠方向(d1)平行。层叠体(2；2c；2d)具有第1主面(21)和第2主面(22)。第2主面(22)在层叠方向(d1)上与第1主面(21)对置，且为安装面。第1磁性部(51)在层叠方向(d1)上与第1非磁性部(41)相比更接近第1主面(21)。线圈导体(3；3a；3b；3d)包含第1导体图案部(61)和第1绝缘部(第1绝缘图案部71)。第1导体图案部(61)在层叠方向(d1)上位于第1非磁性部(41)与第1磁性部(51)之间。第1绝缘部设置在第1导体图案部(61)的第2主面(22)侧，具有比第1导体图案部(61)的线宽(δ11)细的宽度(线宽δ21)。在从层叠方向(d1)的俯视下，第1绝缘部与第1导体图案部(61)重叠。

根据第1方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)，与线圈导体(3；3a；3b；3d)被磁性部覆盖的情况相比，能够抑制磁性损耗。

此外，根据第1方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)，能够将第1导体图案部(61)做成为向第1主面(21)侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向(d1)正交的方向(d2)更接近层叠方向(d1)。尤其是，能够使第1导体图案部(61)的第1主面(21)侧的侧面比第1导体图案部(61)的第2主面(22)侧的侧面更大地突出，因此能够使磁通的方向容易接近层叠方向(d1)。其结果，能够提高天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的通信性能。

根据上述，根据第1方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)，能够抑制磁性损耗并且提高天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的通信性能。

在第2方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)中，在第1方式中，第1绝缘部(第1绝缘图案部71)为空隙。

根据第2方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)，在第1导体图案部(61)的周围存在其他导体的情况下，空隙位于第1导体图案部(61)与其他导体之间，因此能够降低产生于第1导体图案部(61)与其他导体之间的杂散电容。

在第3方式涉及的天线元件(1a)中，在第1或2方式中，层叠体(2)还包含第2磁性部(52)。第2磁性部(52)与第1非磁性部(41)相比更接近第2主面(22)。线圈导体(3a)还包含第2导体图案部(62a)和第2绝缘部(第2绝缘图案部72)。第2导体图案部(62a)在层叠方向(d1)上位于第1非磁性部(41)与第2磁性部(52)之间。第2绝缘部设置在第2导体图案部(62a)的第1主面(21)侧，具有比第2导体图案部(62a)的线宽(δ12)细的宽度(线宽δ22)。在从层叠方向(d1)的俯视下，第2绝缘部与第2导体图案部(62a)重叠。

根据第3方式涉及的天线元件(1a)，能够将第2导体图案部(62a)做成为向第2主面(22)侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向(d1)正交的方向(d2)更接近层叠方向(d1)。其结果，能够进一步提高天线元件(1a)的通信性能。

在第4方式涉及的天线元件(1b；1d)中，在第1～3方式的任一者中，线圈导体(3b；3d)还包含至少一个第3导体图案部(63b；63d)、和至少一个第3绝缘部(第3绝缘图案部73)。第3导体图案部(63b；63d)位于第1非磁性部(41)内。第3绝缘部设置在第3导体图案部(63b；63d)的第2主面(22)侧，具有比第3导体图案部(63b；63d)的线宽更细的宽度。在从层叠方向(d1)的俯视下，第3绝缘部与第3导体图案部(63b；63d)重叠。

根据第4方式涉及的天线元件(1b；1d)，在层叠方向(d1)上，第1绝缘部(第1绝缘图案部71)和第3绝缘部(第3绝缘图案部73)的厚度被积累，因此能够增大第1导体图案部(61)的凸起程度。其结果，能够使磁通的方向进一步朝向层叠方向(d1)。

此外，根据第4方式涉及的天线元件(1b；1d)，在第3绝缘部为空隙的情况下，能够降低第2导体图案部(62)与第3导体图案部(63b；63d)之间的杂散电容，因此能够提高天线元件(1b；1d)的q值。

进而，根据第4方式涉及的天线元件(1b；1d)，在第3绝缘部为空隙的情况下，能够缓和由于非磁性部(例如第1非磁性部(41))和磁性部(例如第1磁性部(51))的线膨胀系数差而产生于非磁性部的应力。由此，在导体图案间(第1导体图案部(61)与第3导体图案部(63b；63d)之间、第3导体图案部(63b；63d)间)，能够降低与层叠方向(d1)正交的方向(d2)的裂纹的产生。

在第5方式涉及的天线元件(1c；1d)中，在第1～4方式的任一者中，层叠体(2c；2d)还包含第3磁性部(53)。第3磁性部(53)设置为在层叠方向(d1)上将第1非磁性部(41)分割为至少两个。

根据第5方式涉及的天线元件(1c；1d)，能够使分断为两个的第1非磁性部(41)的每一个的厚度变薄，因此能够降低第1磁性部(51)等磁性部受到的拉伸应力。其结果，能够减少磁性部的层叠方向(d1)的裂纹的产生。

在第6方式涉及的天线元件(1d)中，在第1～5方式的任一者中，层叠体(2d)还包含第2磁性部(52)、第2非磁性部(42)、和第3非磁性部(43)。第2磁性部(52)与第1非磁性部(41)相比更接近第2主面(22)。第2非磁性部(42)在层叠方向(d1)上比第1磁性部(51)更接近第1主面(21)。第3非磁性部(43)在层叠方向(d1)上比第2磁性部(52)更接近第2主面(22)。

根据第6方式涉及的天线元件(1d)，能够提高天线元件(1d)的强度。

第7方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的制造方法具有准备构成非磁性部的非磁性层和构成磁性部的磁性层的工序。上述制造方法还具有在磁性层的主面设置第1导体图案部(61)的工序。上述制造方法还具有在第1导体图案部(61)上设置具有比第1导体图案部(61)的线宽(δ11)细的线宽的辅助膜(701)的工序。上述制造方法还具有将非磁性层层叠于磁性层使得覆盖设置有第1导体图案部(61)以及辅助膜(701)的主面的工序。上述制造方法还具有在使磁性层和非磁性层层叠的状态下从层叠方向(d1)按压，使第1导体图案部(61)中的设置有辅助膜(701)的部分位于比剩余的部分更靠磁性层侧的工序。上述制造方法还具有对层叠体进行烧结，形成具有比第1导体图案部(61)的线宽(δ11)细的宽度(线宽δ21)的第1绝缘部(第1绝缘图案部71)的工序。

根据第7方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的制造方法，在天线元件(1；1a；1b；1c；1d)中，与线圈导体(3；3a；3b；3d)被磁性部覆盖的情况相比，能够抑制磁性损耗。

此外，根据第7方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的制造方法，在天线元件(1；1a；1b；1c；1d)中，能够将第1导体图案部(61)做成为向磁性层侧凸起的形状，因此能够使磁通的方向较之于与层叠方向(d1)正交的方向(d2)更接近层叠方向(d1)。尤其是，能够使第1导体图案部(61)的磁性层侧的侧面比第1导体图案部(61)的非磁性层侧的侧面更大地突出，因此能够使磁通的方向容易接近层叠方向(d1)。其结果，能够提高天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的通信性能。

根据上述，根据第7方式涉及的天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的制造方法，能够制造抑制磁性损耗并且提高天线元件(1；1a；1b；1c；1d)的通信性能的天线元件。

附图标记说明

1、1a、1b、1c、1d天线元件；

2、2c、2d层叠体；

3、3a、3b、3d线圈导体；

21第1主面；

22第2主面；

41第1非磁性部；

42第2非磁性部；

43第3非磁性部；

51第1磁性部；

52第2磁性部；

53第3磁性部；

61第1导体图案部；

62、62a第2导体图案部；

63、63b、63d第3导体图案部；

71第1绝缘图案部(第1绝缘部)；

72第2绝缘图案部(第2绝缘部)；

73第3绝缘图案部(第3绝缘部)；

δ11、δ12、δ21、δ22线宽。