1.一种具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片,其特征在于,包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一dbr反射层、以及设于衬底背面的第二dbr反射层;
所述第一dbr反射层为单堆结构,所述第二dbr反射层为多堆结构;
所述第一dbr反射层的反射光谱中,反射率大于80%的波长宽度范围为150~350nm;
所述第二dbr反射层的反射光谱中,反射率大于95%的波长宽度范围为200~450nm;
发光结构发出的光经过第一dbr反射层和第二dbr反射层反射后,芯片正向及侧向发光强度趋于相同。
2.如权利要求1所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片,其特征在于,所述第二dbr反射层为三堆结构,依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构,其中,第一堆结构的单堆光学厚度>第二堆结构的单堆光学厚度>第三堆结构的单堆光学厚度,其中,入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构。
3.如权利要求2所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片,其特征在于,第一堆结构的各层光学厚度为(1.0~1.4)*λ,第二堆结构的各层光学厚度为(0.9~1.0)*λ,第三堆结构的各层光学厚度为(0.7~0.9)*λ,其中,λ为发光结构发出的光的中心波长的四分之一。
4.如权利要求3所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片,其特征在于,所述第一dbr反射层的各层光学厚度为λ。
5.如权利要求1~4任一项所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片,其特征在于,所述第一dbr反射层和第二dbr反射层由若干个周期的反射膜组组成,所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成,其中,第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。
6.如权利要求5所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片,其特征在于,所述第一膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种,所述第二膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种。
7.一种具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法,其特征在于,包括:
在芯片的正面形成发光结构;
在发光结构上形成第一dbr反射层,所述第一dbr反射层为单堆结构,其反射率大于80%的波长宽度范围为150~350nm;
在衬底的背面形成第二dbr反射层,所述第二dbr反射层为多堆结构,其反射率大于95%的波长宽度范围为200~450nm;
发光结构发出的光经过第一dbr反射层和第二dbr反射层反射后,芯片正向及侧向发光强度趋于相同。
8.如权利要求7所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法,其特征在于,所述第二dbr反射层为三堆结构,依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构,其中,第一堆结构的单堆光学厚度>第二堆结构的单堆光学厚度>第三堆结构的单堆光学厚度,其中,入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构。
9.如权利要求7所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法,其特征在于,所述第一dbr反射层和第二dbr反射层由若干个周期的反射膜组组成,所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成,其中,第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同;
所述第一膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种,所述第二膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种。
10.如权利要求9所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法,其特征在于,采用离子源辅助真空镀膜技术形成第一dbr反射层和第二dbr反射层,其中,以5~15埃/秒的沉积速度沉积形成氧化硅层,以2~6埃/秒的沉积速度形成氧化钛层,以一层氧化硅层和一层氧化钛层为一对反射膜组;
沉积氧化硅所用离子源的电压为300~800v,电流为400~1100ma,沉积氧化钛所用离子源的电压为300~800v,电流为400~1100ma。