平板探测器结构及其制备方法与流程

本发明属于射线探测技术领域，特别是涉及一种平板探测器结构及制备方法。

背景技术：

x射线辐射成像利用x射线短波长、易穿透的性质，不同物质对x射线吸收不同的特点，通过探测透过物体的x射线的强度来成像。

目前商业化的x射线平板探测器转光层(也称为感光层)材料由非晶硅(a-si)组成，a-si工艺成熟，但是a-si面临着两大问题：工艺复杂，投资巨大，以及a-si光电二极管光响应与闪烁体发光匹配性不好。非晶硅工艺复杂，尤其是光电二极管阵列，非晶硅工艺一般需要显影、曝光、刻蚀、pecvd、溅射等工艺，工艺中需使用大量掩膜版，且工艺大多需要高真空及等离子设备(如干刻、溅射、pecvd等)，投资大、能耗大、周期长。在探测器实际工作中，光电二极管电荷量的大小和吸收光子的数目成正比。

在理想情况下，光电二极管应该同等比例吸收闪烁体在不同波段下所发射的光子，以达到量子效率的最大化。但是，非晶硅光电二极管响应并非处处一致。典型非晶硅光电二极管对300nm至800nm波段的光都有响应(半高宽约为200nm)，响应峰值在580nm附近。其在近紫外-蓝光区域(300nm至450nm)及红光-近红外(650nm至750nm)响应较弱。在平板探测器中最常用的闪烁体材料为csi:tl(铊掺杂碘化铯)，其发射光谱为类高斯峰，发射光谱为从紫外至近红外宽带发射(约为300nm至800nm)，峰值约560nm。300nm至450nm的光子数约占到总发射光子数的约5％；在650nm至750nm波长范围内的光子数占到总光子数约16％。从上述非晶硅响应光谱来看，300nm至450nm及650nm至750nm波长的光子无法有效的被光电二极管吸收。同时，可见光的透过率也不尽理想，从而导致器件光电转换效率无法进一步提升。

因此，如何提供一种平板探测器结构及制备方法以解决现有技术中上述问题实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器结构及制备方法，用于解决现有技术中平板探测器短波与长波吸收缺陷以及如何制备上透光有机光电转换材料阵列的x射线平板探测器结构等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

提供基底，并于所述基底上制备下电极层；

将p型有机光电材料和n型有机光电材料溶于有机溶剂中以制备转光材料液，以基于所述转光材料液于所述下电极层上形成转光层；以及

于所述转光层上制备上电极层，所述上电极层包括透明导电氧化物薄膜。

可选地，所述p型有机光电材料包括p3ht以及pcpdtbt中的至少一种；所述n型有机光电材料包括pc61bm以及pc71bm中的至少一种；所述有机溶剂包括邻二甲苯、氯仿以及四氢萘中的至少一种。

可选地，基于溶液法制备所述转光层，其中，所述溶液法包括刮涂、喷墨打印、丝网印刷以及狭缝涂布中的至少一种。

可选地，采用溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜；所述透明导电氧化物薄膜包括ito层、izo层以及iwo层中的至少一种。

可选地，采用溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜的步骤包括：将溅射靶材与形成有所述转光层的结构垂直放置；设置腔体内总压强介于0.1～0.5pa之间；电流介于5～10a之间；电压介于300～400v之间；溅射等离子发生器总功率介于1500～4000w之间；ar气与氧气比值介于50/0.9～50/0.5之间；靶材至样品距离介于200～400mm之间；溅射速率介于0.5～2nm/s之间。

可选地，形成所述转光层后还包括形成第一界面层的步骤，所述第一界面层形成于所述转光层上表面，于所述第一界面层上通过溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜。

可选地，形成所述第一界面层的步骤包括：将所述第一界面层的量子点或纳米颗粒分散在第一溶剂中形成第一分散液；采用溶液法将所述第一分散液涂覆在所述转光层上以形成所述第一界面层。

可选地，所述第一界面层的材料包括se、moo3、wo3、nio、v2o5以及pedot:pss中的至少一种；所述第一溶剂包括水、乙醇、异丙醇以及丁醇内中的至少一种；所述溶液法包括刮涂、喷墨打印、丝网印刷以及狭缝涂布中的至少一种；所述第一界面层的厚度介于5nm-100nm之间。

可选地，形成所述下电极层后还包括形成第二界面层的步骤，所述第二界面层形成于所述转光层下表面，且在形成所述第二界面层后通过溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜。

可选地，形成所述第二界面层的步骤包括：将所述第二界面层的量子点或纳米颗粒分散在第二溶剂中形成第二分散液；采用溶液法将所述第二分散液涂覆在所述下电极层上以形成所述第二界面层。

可选地，所述第二界面层的材料包括tio2、zno、azo、mzo、sno2以及peie中的至少一种；所述第二溶剂包括水、乙醇、异丙醇以及丁醇内中的至少一种；所述溶液法包括刮涂、喷墨打印、丝网印刷以及狭缝涂布中的至少一种；所述第二界面层的厚度介于10nm-100nm之间。

本发明还提供一种平板探测器结构，所述平板探测器结构优选采用本发明提供的平板探测器结构的制备方法制备得到，当然也可以采用其他方法制备，所述平板探测器结构包括：

基底；

下电极层，形成于所述基底上；

转光层，形成于所述下电极层上，所述转光层的制备原料包括将p型有机光电材料、n型有机光电材料以及用于溶于所述p型有机光电材料和所述n型有机光电材料的有机溶剂；

上电极层，形成于所述转光层上，所述上电极层包括透明导电氧化物薄膜。

可选地，所述氧化物半导体层包括基于溅射工艺制备的透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜包括ito层、izo层以及iwo层中的至少一种。

可选地，所述平板探测器结构还包括第一界面层，所述第一界面层位于所述转光层的上表面；所述第一界面层的材料包括se、moo3、wo3、nio、v2o5以及pedot:pss中的至少一种；所述第一界面层的厚度介于5nm-100nm之间。

可选地，所述平板探测器结构还包括第二界面层，所述第二界面层位于所述转光层的下表面；所述第二界面层的材料包括tio2、zno、azo、mzo、sno2以及peie中的至少一种；所述第二界面层的厚度介于10nm-100nm之间。

如上所述，本发明的平板探测器结构及其制备方法，可以通过有机光电材料制备的转光层实现对短波及长波波段的吸收，提升器件的量子效率，且其可以溶于某些有机溶剂中，使溶液法在标准大气压环境下加工器件成为可能，抛弃了传统半导体工艺的高真空及等离子等设备，并容易大面积成膜。另外，采用溅射法制备透明的上电极层，实现基于有机材料器件的上透光，提高器件的光电转换效率，通过设置溅射阻挡层的方式，有利于防止透明上电极层的制备给有机光电材料制备的转光层产生的破坏，降低器件暗电流，提高光电转换效率。

附图说明

图1显示为本发明的平板探测器结构的制备工艺流程示意图。

图2显示为本发明的平板探测器结构制备中提供基底的结构示意图。

图3显示为本发明的平板探测器结构制备中形成下电极层的结构示意图。

图4显示为本发明的平板探测器结构制备中形成转光层的结构示意图。

图5显示为本发明的平板探测器结构制备中形成上电极层的结构示意图。

图6显示为本发明的平板探测器结构制备中形成第一界面层的结构示意图。

图7显示为本发明的平板探测器结构制备中形成第二界面层的结构示意图。

图8显示为本发明的平板探测器结构制备中形成透明导电氧化物薄膜制备结构图。

图9显示为本发明一示例提供的平板探测器结构工作连接示意图。

图10显示为本发明一示例提供的平板探测器转光层与tft层等效电路示意图。

元件标号说明

100基底

100a基板

100b晶体管功能层

101下电极层

102转光层

103上电极层

104第一界面层

105第二界面层

106晶体管栅极

107晶体管源极

108晶体管漏极

109光电二极管

110读出线

111扫描线

s1～s3步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，本发明提供一种平板探测器结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

提供基底，并于所述基底上制备下电极层；

将p型有机光电材料和n型有机光电材料溶于有机溶剂中以制备转光材料液，以基于所述转光材料液于所述下电极层上制备转光层；以及

于所述转光层上制备上电极层，所述上电极层包括透明导电氧化物薄膜。

下面将结合附图详细说本发明的平板探测器结构的制备方法。

如图1中的s1及图2-3所示，提供基底100，并于所述基底100上制备下电极层101。其中，所述基底100可以包括玻璃基底，当然，还可以包括平板探测器需要的其他功能层，依据实际需求设计，可以在所述基底100上制备平板探测器结构中的相关结构层。接着，在所述基底100上制备下电极层101，所述下电极层101的材料包括但不限于ito(氧化铟锡)或者ag，可以采用溅射或者蒸镀的方式形成。

作为示例，所述基底100包括基板100a及形成于所述基板100a上的晶体管功能层100b，其中，所述晶体管功能层100b包括晶体管源极，所述晶体管源极与所述下电极层101电连接。具体的，在一示例中，提供一种基底100的结构，包括基板100a和晶体管功能层100b，该示例中，所述基板100a可以是玻璃基板，所述晶体管功能层100b可以是tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)层，该示例中，tft层(作为开关层)中的晶体管源极(source)(参见图9中的晶体管源极107)与所述下电极层101电连接，即通过所述下电极层101实现与所述转光层102的电连接，进行信号传输，当然，所述晶体管功能层还包括晶体管栅极和晶体管漏极，在一示例中，可以是所述晶体管功能层，如tft层中的晶体管源极层和晶体管漏极层与所述下电极层共用同一材料层。当然，晶体管各材料层的结构与所述转光层102的位置关系还可以依据实际需求进行布置设计。

如图1中的s2及图4所示，将p型有机光电材料和n型有机光电材料溶于有机溶剂中以制备转光材料液，以基于所述转光材料液于所述下电极层101上形成转光层102。本发明采用有机光电转换材料制备平板探测器结构，有机光电转换材料是一种使用有机半导体材料制备的光电转换器件(organicphotodetector，以下简称opd)，可以将光信号(光子)转变为载流子(电荷空穴对)用来探测光信号。使用有机半导体材料取代现有平板探测器中的硅基感光材料(如非晶硅、单晶硅)，制备的新型平板探测器。基于有机光电材料的平板探测器有着结构与工艺简单、工艺兼容性强、成本低廉、灵敏度高等特点，可应用于医疗辐射成像、工业探伤、安检等领域。对于有机光电材料而言，光响应光谱覆盖范围广，特别是在300nm至450nm紫外-蓝光波段及675nm至750nm深红光-近红外波段吸收较强，增加对闪烁体发射光子的吸收，从而提升器件量子效率；可以溶于某些有机溶剂中，使溶液法在标准大气压环境下加工器件成为可能，抛弃了传统半导体工艺的高真空及等离子等设备；且其容易大面积成膜。增加光电二极管对上述短波与长波的吸收，可以增加光电二极管的外量子效率。增加探测器的灵敏度与量子探测效率dqe(detectorquantumefficiency)，输入信噪比(剂量)和输出信噪比(图像清晰度)在空间频率展开上的比值，全面的反映了探测器在剂量利用率和空间分辨率上的性能优劣，也体现了可以降低病人的辐射剂量。

作为示例，有机光电材料由p型材料(施主材料)与n型材料(受主材料)组成，p型材料可以有：p3ht(名称为：聚(3-己基噻吩-2,5-二基))，以及：pcpdtbt(名称为：聚[2,6-(4,4-双-(2-乙基己基)-4h-环戊二烯并[2,1-b；3,4-b′]二噻吩)-alt-4,7(2,1,3-苯并噻二唑)])中的一种或两种及其以上的组合；n型材料可以有：pc61bm(名称为[6,6]-苯基c61丁酸甲酯)，以及pc71bm(名称为[6,6]-苯基c71丁酸甲酯)中的一种或两种及其以上的组合。另外，在一示例中，所述有机溶剂包括邻二甲苯、氯仿以及四氢萘中的至少一种。其中，可以是将p型有机光电材料和n型有机光电材料按照一定的比例称量后溶解在所述有机溶剂中，并充分加热搅拌以制备所述转光材料液。

作为示例，本发明基于溶液法制备基于有机光电材料的所述转光层，采用溶液法将所述转光材料液涂覆在所述下电极层101上以形成所述转光层102，其中，所述溶液法包括刮涂、喷墨打印、丝网印刷以及狭缝涂布(slot-die)中的至少一种，基于上述方法，在所述下电极层101上涂布所述转光层，膜层厚度为100nm至2000nm，可以是500nm、1000nm、1500nm，涂布完上述膜层后可以置于80-120℃，如100℃烘箱内干燥15-25min，如20min。其中，刮涂可以是采用刮刀等进行手工涂装以制得需要厚度的材料涂层的方法，挤压式狭缝涂布是使用一定的压力将膜头内的溶液挤压到基板表面，涂布后烘干，从而形成所需要材料膜层，喷墨打印可以是喷头吸取需要喷涂的溶液试剂之后，移至待处理的结构的表面，通过热敏或声控等形式喷射器的动力把液滴喷射到待处理结构表面，从而形成需要厚度的材料膜层的方法，丝网印刷可以是利用丝网印版图文部分网孔可透过溶液试剂，非图文部分网孔不能透过溶液试剂的基本原理进行印刷，印刷时在丝网印版的一端倒入溶液(所述射线吸收材料液体)，用刮板对丝网印版上的溶液部位施加一定压力，同时朝丝网印版另一端匀速移动，溶液在移动中被刮板从图文部分的网孔中挤压到承印物(待处理结构表面，如所述下电极层表面)上。

如图1中的s3及图5所示，于所述转光层102上制备上电极层103，所述上电极层103为透明导电氧化物薄膜(tco，transparentconductiveoxide)。作为示例，所述透明导电氧化物薄膜包括ito(氧化铟锡)层、izo(铟锌氧化物)层以及iwo(掺钨氧化铟)层中的至少一种。对于本发明采用有机光电材料制备转光层102的平板探测器来说，其上难以有效的制备透明上电极，也即难以制备上透光的平板探测器结构，采用底部透光的方案，光从底部玻璃透过，由于玻璃存在一定的厚度，会引起被探测光的衰减，导致器件光电转换效率无法进一步提升；另外，如果想制备上透光的平板探测器结构，即使采用超薄的电极，如10nm甚至以下的ag电极，其可见光的透过率也不尽理想，从而导致器件光电转换效率无法进一步提升。在一示例中，本发明采用溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜，从而制备上透光的平板探测器结构，例如，可以是镜靶溅射(mirrortargetsputtering)。作为示例，参见图8所示，采用溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜的步骤包括：将溅射靶材与被溅射样品垂直摆放，这里溅射样品可以是形成有所述转光层102的结构，将溅射靶材与被溅射样品垂直摆放，如图8所示，比如将被溅射样品竖直放置，而将靶材水平放置，使得靶材和样品垂直放置，在一示例中，靶材：ito或者izo；腔体内总压强：0.1～0.5pa；电流：5～10a，电压：300～400v；溅射等离子发生器总功率1500～4000w；ar气与氧气比值：50/0.9至50/0.5，当然，ar气还可以替换为其他惰性气体；靶材至样品距离：200～400mm，其中，这一距离可以是靶材靠近样品的一端的端部与样品表面之间的距离；溅射速率：0.5～2nm/s；溅射时间根据膜厚计算：膜厚/溅射速率，其可以得到100nm厚度ito/izo薄膜。这种情况下，产生的等离子体无法直接到达样品表面，就降低了溅射时候产生的等离子体损伤，构成低损伤溅射，可以防止溅射靶材与被溅射样品平行放置进行溅射时导致高能量的等离子体(例如，等离子的能量范围大致分布在50～100ev)直接轰击在被溅射样品的有机薄膜上，造成严重破坏的问题。上述工艺可以有利于防止磁控溅射形成所述透明导电氧化物薄膜时对高能等离子体对下方有机层，如所述转光层的破坏，防止其失效。

作为示例，如图6所示，形成所述转光层102后还包括形成第一界面层104的步骤，所述第一界面层104形成于所述转光层102上表面，且于所述第一界面层104上通过溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜。其中，tco(如ito或izo等)材料具有高导电性及高可见光透过率，采用溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜以制备透明的所述上电极层103时，等离子体会破坏下层有机薄膜(所述转光层)，导致器件暗电流提升以及光电转换效率下降，而本发明通过在所述转光层102上制备一层第一界面层103解决溅射对下层的所述转光层103产生破坏的问题，从而得以在有机光电材料制备的转光层上制备透明上电极。在一示例中，所述透明导电氧化物薄膜选择为低损伤的透明导电氧化物薄膜，该示例中，所述第一界面层104结合前述将溅射靶材与被溅射样品垂直摆放的溅射方式，可以有效减小等离子对所述转光层102的损伤。

作为示例，形成所述第一界面层103的步骤包括：将所述第一界面层的量子点或纳米颗粒分散在第一溶剂中形成第一分散液；采用溶液法将所述第一分散液涂覆在所述转光层上以形成所述第一界面层。可选地，所述溶液法包括刮涂、喷墨打印、丝网印刷以及狭缝涂布中的至少一种。作为示例，所述第一界面层103的厚度介于5nm-100nm之间，例如可以是8nm、20nm、50nm、80nm等。另外，可选地，涂布完上述膜层后置于80℃-120℃，如100℃烘箱内干燥2-8分钟，如5分钟。

作为示例，对所述第一界面层103进行材料设计，使得其作为溅射阻挡层的同时可以作为器件工作时的空穴传输层，所述空穴传输层，也即电子阻挡层，可以实现载流子空穴的传输，同时阻挡电子传输，所述空穴传输层将载流子在有机感光材料膜层(所述转光层)内分离，使载流子能到达电极处，避免了载流子在膜层内复合，提高量子效率；阻止电荷的反向注入，降低暗电流，提升器件灵敏度及图像对比度；所述空穴传输层的存在还可以降低所述转光层界面处的功函数。作为示例，所述第一界面层103的材料包括se、moo3、wo3、nio，v2o5，pedot:pss(名称为：聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯))中的至少一种；所述第一溶剂包括水、乙醇、异丙醇以及丁醇内中的至少一种。

作为示例，如图7所示，形成所述下电极层101后还包括形成第二界面层105的步骤，所述第二界面层105形成于所述转光层102下表面，且在形成所述第二界面层105后通过溅射法形成所述透明导电氧化物薄膜，该示例中，形成所述第一界面层103和所述第二界面层105后通过溅射工艺形成所述透明导电氧化物薄膜，即在所述转光层102的上下均形成有溅射阻挡层。

作为示例，形成所述第二界面层105的步骤包括：将所述第二界面层105的量子点或纳米颗粒分散在第二溶剂中形成第二分散液；采用溶液法将所述第二分散液涂覆在所述下电极层101上以形成所述第二界面层。作为示例，所述溶液法包括刮涂、喷墨打印、丝网印刷以及狭缝涂布中的至少一种；作为示例，所述第二界面层的厚度介于10nm-100nm之间，例如，可以是15nm、20nm、60nm、80nm等。可选地，涂布完上述膜层后置于80℃-120℃，如100℃烘箱内干燥8-15分钟，如10分钟。

作为示例，对所述第二界面层105进行材料设计，使得其同时可以作为器件工作时的电子传输层，所述电子传输层，也即空穴阻挡层，可以实现载流子电子的传输，同时阻挡空穴传输，所述电子传输层将载流子在有机感光材料膜层(所述转光层)内分离，使载流子能到达电极处，避免了载流子在膜层内复合，提高量子效率；阻止电荷的反向注入，降低暗电流，提升器件灵敏度及图像对比度；所述电子传输层的存在还可以降低所述转光层界面处的功函数。作为示例，所述第二界面层的材料包括tio2、zno、azo(al掺杂zno)、mzo(mg掺杂zno)、sno2及peie(名称为：乙氧基化的聚乙烯亚胺)中的至少一种；作为示例，所述第二溶剂包括水、乙醇、异丙醇以及丁醇内中的至少一种。

对于采用本发明一示例中的平板探测器结构制备方法制备得到的结构，其工作过程可以参见图9及图10所示，器件的所述上电极层103接直流电源电源负极、所述下电极层101与电源正极电连接，电场强度可以依据实际设置，如设置为1至10v/um；在器件没有外部x光照情况下，电子与空穴在转光层102(基于有机光电材料制备得到的感光层)内耗尽，理论上无电流产生；当器件接受到x射线曝光(如图9所示)时，本发明采用上透光的方式，x射线配合闪烁体使所述转光层材料产生电离，生成光生载流子(电子空穴对)；在电场作用下，空穴往上电极层方向漂移、而电子往下电极层方向漂移；但是，也会有少量电子往上电极方向漂移、也有少量空穴往下电极方向漂移；所述下电极层与tft源极(source)即晶体管源极107相接，参见图10所示，故电子传输至下电极层后再传输至tft源极，并存储在tft源极中；当tft打开(当晶体管栅极106电压大于tft阈值电压时，tft处于打开状态，晶体管源极107和晶体管漏极108导通)后，电子从晶体管源极传输至晶体管漏极(drain)，随后传输至“读出线110”并被外部电路读取，另外，等效电路图中还包括信号控制扫描线109，对每个像素(图10中一个光电二极管和一个tft晶体管的组合称为一个像素)做同样的操作，最终图像的灰度取决于对应像素内电荷的数量(如：存储的电荷越多，灰度值越高，对应的像素点就越亮)。

另外，如图7所示，并参阅1-6及图8-10，本发明还提供一种平板探测器结构，所述平板探测器结构优选采用本发明提供的平板探测器结构的制备方法制备得到，当然也可以采用其他方法制备，所述平板探测器结构包括：

基底100；

下电极层101，形成于所述基底100上；

转光层102，形成于所述下电极层101上，其中，所述转光层102的制备原料包括将p型有机光电材料、n型有机光电材料以及用于溶于所述p型有机光电材料和所述n型有机光电材料的有机溶剂；以及

上电极层103，形成于所述转光层102上，所述上电极层103包括透明导电氧化物薄膜。

作为示例，所述氧化物半导体层包括基于溅射工艺制备的透明导电氧化物薄膜；所述透明导电氧化物薄膜包括ito层、izo层以及iwo层中的至少一种。

作为示例，所述平板探测器结构还包括第一界面层104，所述第一界面层104位于所述转光层102的上表面。

作为示例，所述第一界面层104的材料包括se、moo3、wo3、nio、v2o5以及pedot:pss中的至少一种；所述第一界面层104的厚度介于5nm-100nm之间。

作为示例，所述平板探测器结构还包括第二界面层105，所述第二界面层105位于所述转光层102的下表面。

作为示例，所述第二界面层105的材料包括tio2、zno、azo、mzo、sno2以及peie中的至少一种；所述第二界面层105的厚度介于10nm-100nm之间。

本发明的平板板探测器结构的相关特征及描述可以参阅本发明平板探测器结构的制备过程中的相关描述，在此不再赘述。

综上所述，本发明的平板探测器结构及其制备方法，可以通过有机光电材料制备的转光层实现对短波及长波波段的吸收，提升器件的量子效率，且其可以溶于某些有机溶剂中，使溶液法在标准大气压环境下加工器件成为可能，抛弃了传统半导体工艺的高真空及等离子等设备，并容易大面积成膜。另外，采用溅射法制备透明的上电极层，实现基于有机材料器件的上透光，提高器件的光电转换效率，通过设置溅射阻挡层的方式，有利于防止透明上电极层的制备给有机光电材料制备的转光层产生的破坏，降低器件暗电流，提高光电转换效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。