技术总结
一种半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构和源极/漏极区域。栅极结构包括位于沟道区域上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函调整层、位于第一功函调整层上方的第一屏蔽层、第一阻挡层以及金属栅电极层。第一功函调整层由n型功函调整层组成并且包括铝。第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，含铝层具有比第一功函调整层低的铝浓度。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。方法。方法。
技术研发人员：钱德拉谢卡尔
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.03.06
技术公布日：2021/3/4