1.一种存储器的制造方法，所述存储器具有存储区域和外围区域，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：
提供一衬底，所述存储区域的衬底上形成有栅氧化层、位于所述栅氧化层上的第一结构层以及位于所述第一结构层中的字线；所述外围区域的衬底上形成有堆叠的栅氧化层、第二结构层以及第一氧化硅层，其中，靠近所述外围区域的所述存储区域的所述第一结构层中形成有沟槽；
形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述存储区域的所述字线和所述外围区域的所述第一氧化硅层并且填充所述沟槽；
依次形成第二氮化硅层和第二氧化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第一氮化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；
刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层；
湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一结构层包括：依次堆叠的浮栅层、ono介质层、控制栅层及第三氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一结构层还包括位于所述栅氧化层上且位于所述浮栅层中的第三氧化硅层，所述沟槽位于依次堆叠的所述第三氧化硅层、ono介质层以及控制栅层中。
4.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第二结构层包括：依次堆叠的浮栅层以及第四氮化硅层。
5.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，在湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层之后，所述存储器的制造方法还包括：
利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述第四氮化硅层。
6.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，利用浓度为0.1％～0.5％的氢氟酸溶液湿法清洗所述第二结构层表面以清除残余的所述第一氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述外围区域的所述第二氧化硅层、第二氮化硅层、第一氮化硅层以及第一氧化硅层。
8.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，利用湿法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述第二结构层。
9.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述存储区域中，所述字线和所述第一结构层之间还形成有侧墙结构和隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述侧墙结构和所述栅氧化层。
10.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度介于