技术特征：
1.一种半导体激光器的波导结构，其特征在于，包括：衬底；下限制层，设置在所述衬底上；量子阱，设置在所述下限制层上；上限制层，设置在所述量子阱上；以及脊形成层，设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括层本体、刻蚀沟槽和脊波导。2.根据权利要求1所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽的槽底宽度为0.5-5μm，所述衬底为重掺杂n型材料制成的，所述脊形成层为p型材料制成的。3.根据权利要求2所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，下限制层包括：第一下限制层，设置在所述衬底上；以及第二下限制层，夹设于所述第一下限制层和所述量子阱之间；其中，所述第一下限制层为中等掺杂n型材料制成的，所述第二下限制层为未掺杂半导体材料制成的。4.根据权利要求2所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，上限制层包括：第一上限制层，设置在所述量子阱上；以及第二上限制层，夹设于所述第一上限制层和所述脊形成层之间；其中，所述第一上限制层为未掺杂半导体材料制成的，所述第二上限制层为中等掺杂p型材料制成的。5.根据权利要求1所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽设有多个，且所述刻蚀沟槽为矩形槽；其中，所述脊波导夹设于两个相邻的所述刻蚀沟槽之间，且所述脊波导沿厚度方向的截面为矩形。6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽的内底面上设有光吸收件。7.根据权利要求6所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述光吸收件与所述脊波导之间留有间隔。8.根据权利要求7所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述间隔的大小为0.5-5μm。9.根据权利要求6所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述光吸收件的宽度小于或者等于所述刻蚀沟槽内底面的宽度，且所述光吸收件的厚度小于或者等于所述刻蚀沟槽的槽深。10.根据权利要求9所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽的槽深为0.5-2μm，所述光吸收件的厚度为0.05-1μm。
技术总结
本申请公开了一种半导体激光器的波导结构，涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5-5μm。故本申请通过减小刻蚀沟槽的宽度来实现高阶模式的耦合，增大高阶模式的损耗，从而抑制高阶模的激射，保证基模激射的稳定性。稳定性。稳定性。
技术研发人员：杨国文 唐松
受保护的技术使用者：度亘激光技术(苏州)有限公司
技术研发日：2020.03.25
技术公布日：2021/9/27