一种显示面板的制备方法、显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板的制备方法、显示面板。

背景技术：

显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来，并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机，借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。

ltps-tft(英文全称：lowtemperaturepoly-sithinfilmtransistor，低温多晶硅薄膜晶体管)具有载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。ltps显示面板的结构类似三明治模型，由不同功能的膜层叠加而成。组成这些膜层的材料按照成分不同可以分为无机材料，包括sinx，siox，poly-si；金属材料包括mo，ti/al/ti合金，mo/al/mo合金以及高分子聚合物。

由于显示面板的制备过程中涉及高温制程，不同材料的的晶格常数不一样、热膨胀系数也不一样，因此在高温制程后，不同材料制成的膜层热胀冷缩的尺度存在差异，产生水平方向和垂直方向的应力积累，进而导致玻璃基板翘曲变形，产生玻璃基板破片现象。异质界面应力与薄膜厚度和薄膜面积有关，薄膜厚度越大，薄膜面积越大，异质界面应力越大，玻璃基板翘曲变形的程度越大，玻璃基板产生破片的风险越高。

多个显示面板共光罩设计是降低开发成本，提高玻璃基板利用率的有效举措。多个显示面板混合排列在同一张玻璃基板上，相邻两个显示面板之间的连接区的薄膜沉积后，不同膜层材料的热膨胀系数不同，在高温制程后，不同膜层间存在较大的异质界面应力，导致玻璃基板产生形变甚至破片，制程可靠性大幅降低。因此，需要寻求一种新型的显示面板的制备方法以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种显示面板的制备方法、显示面板，其能够解决现有的显示面板的制备方法中存在的相邻两个显示面板之间的连接区的膜层之间的异质界面间的应力导致玻璃基板容易产生形变或破片，导致制程可靠性低、良品率低等问题。

为了解决上述问题，第一方面，本发明提供了一种显示面板的制备方法，其包括：提供一玻璃基板，将所述玻璃基板区分为至少两个显示面板区域以及相邻两个显示面板区域之间的连接区域；在所述玻璃基板上制备一缓冲层；在所述连接区域的缓冲层上设置至少一沟槽；以及在所述缓冲层上制备至少一膜层，且延伸至所述沟槽内。

进一步的，在所述玻璃基板上制备一缓冲层的步骤之前，还包括在所述玻璃基板上制备一金属遮光层的步骤；所述缓冲层设于所述玻璃基板及金属遮光层上。

进一步的，在所述缓冲层上制备至少一膜层的步骤，具体包括：在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上表面制备介电层；以及在所述介电层上表面制备钝化层。

进一步的，在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层的步骤之前，还包括在所述缓冲层上制备多晶硅层的步骤；以及在所述缓冲层上表面制备栅极绝缘层的步骤之后，还包括在所述栅极绝缘层上制备栅电极层的步骤。

进一步的，在所述栅极绝缘层上表面制备介电层的步骤之后，还包括在所述介电层上制备源漏极层及公共电极层的步骤。

进一步的，在所述介电层上表面制备钝化层的步骤之后，还包括在所述钝化层上制备像素电极层的步骤。

进一步的，在所述缓冲层上制备至少一膜层的步骤之后，还包括采用曝光、蚀刻工艺去除所述钝化层以及所述介电层与所述沟槽相对的部分，形成贯穿所述钝化层以及所述介电层的开口区。

进一步的，所述开口区的深度范围为0.8-1.1μm；和/或，所述开口区的宽度范围为1.5-2.5μm。

进一步的，所述沟槽的纵向截面的形状为矩形或梯形。

第二方面，本发明提供了一种显示面板，其采用本发明所述的显示面板的制备方法制备而成。

本发明的优点是：本发明涉及一种显示面板的制备方法、显示面板，通过曝光、蚀刻工艺在所述缓冲层上设置沟槽，将所述缓冲层分隔成相互独立的单元，使得缓冲层之上的栅极绝缘层、介电层以及钝化层由连续成膜转换为在相互独立的缓冲层上成膜，从而减小栅极绝缘层、介电层以及钝化层的薄膜面积，从而减小独立单元内积累的异质界面应力，以有效防止玻璃基板产生形变，保护玻璃基板，减少破片现象，提高制程可靠性和良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为显示面板的制备步骤图。

图2为显示面板的半成品平面示意图。

图3为显示面板的连接区的结构示意图。

图中部件标识如下：

1、玻璃基板2、显示面板区域

3、连接区域4、沟槽

5、开口区

31、缓冲层32、栅极绝缘层

33、介电层34、钝化层

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。

实施例1

结合图1、图2所示，本实施例提供了一种显示面板的制备方法，其包括：步骤s1，提供一玻璃基板1，将所述玻璃基板1区分为至少两个显示面板区域2以及相邻两个显示面板区域2之间的连接区域3；步骤s2，在所述玻璃基板1上制备一金属遮光层；步骤s3，在所述金属遮光层上制备一缓冲层31，在所述连接区域3的缓冲层31上设置至少一沟槽4；步骤s4，在所述缓冲层31上制备多晶硅层，且延伸至所述沟槽4内；步骤s5，在所述多晶硅层上表面制备栅极绝缘层32；步骤s6，在所述栅极绝缘层32上制备栅电极层；步骤s7，在所述栅电极层上表面制备介电层33；步骤s8，在所述介电层33上制备源漏极层及公共电极层；步骤s9，在所述公共电极层上表面制备钝化层34；步骤10，在所述钝化层34上制备像素电极层。

步骤s3中，通过曝光、蚀刻工艺在所述连接区域3的缓冲层31上设置至少一沟槽4。所述沟槽4的纵向截面的形状为矩形或梯形。

由于显示面板的制备方法步骤中涉及高温制程，连接区域3的钝化层34、介电层33、栅极绝缘层32以及缓冲层31的材质不同，不同材质的的晶格常数不一样、热膨胀系数也不一样，因此在高温制程后，不同材质制成的膜层热胀冷缩的尺度存在差异，产生水平方向和垂直方向的应力积累，进而导致玻璃基板1翘曲变形，产生玻璃基板1破片现象。由于异质界面应力与薄膜厚度和薄膜面积有关，薄膜厚度越大，薄膜面积越大，异质界面应力越大，玻璃基板1翘曲变形的程度越大，玻璃基板1产生破片的风险越高。因此，本实施例通过将所述缓冲层31分隔成相互独立的单元，使得缓冲层31之上的栅极绝缘层32、介电层33以及钝化层34由连续成膜转换为在相互独立的缓冲层31上成膜，从而减小栅极绝缘层32、介电层33以及钝化层34的薄膜面积，从而减小独立单元内积累的异质界面应力，以有效防止玻璃基板1产生形变，保护玻璃基板1，减少破片现象，提高制程可靠性和良品率。

本实施例所述的显示面板的制备方法，还包括：采用曝光、蚀刻工艺去除所述钝化层34以及所述介电层33与所述沟槽4相对的部分，形成贯穿所述钝化层34以及所述介电层33的开口区5。

其中，其中所述开口区5的深度范围为0.8-1.1μm。所述开口区5的深度可以选择0.8μm、0.9μm、1.0μm以及1.1μm。本实施例中优选开口区5的深度为1.0μm。

其中所述开口区5的宽度范围为1.5-2.5μm。所述开口区5的宽度可以选择1.5μm、1.7μm、1.9μm、2.1μm、2.3μm以及2.5μm。本实施例中优选开口区5的宽度为2.1μm。

本实施例还提供了一种显示面板，其采用上述的显示面板的制备方法制备而成。

如图3所示，相邻所述显示面板区域之间的连接区域3包括：缓冲层31、栅极绝缘层32、介电层33以及钝化层34。由于，显示面板区域2中的金属遮光层、多晶硅层、栅电极层、源漏极层、公共电极层以及像素电极层的制备过程中均需进行图案化处理，因此，会同时将连接区域的金属遮光层、多晶硅层、栅电极层、源漏极层、公共电极层以及像素电极层蚀刻掉。

其中，所述缓冲层31设置于所述玻璃基板1上，所述缓冲层31主要是起缓冲作用，也可以应用于阻隔水氧。所述缓冲层31主要由无机材料组成，具体的材质包括sinx，siox中的一种或多种。

其中，所述栅极绝缘层32设置于所述缓冲层31上；所述栅极绝缘层32主要由无机材料组成，具体的材质包括sinx，siox中的一种或多种。

其中，所述介电层33设置于所述栅极绝缘层32上；所述介电层33主要由无机材料组成，具体的材质包括sinx，siox中的一种或多种。

其中，所述钝化层34设置于所述介电层33上；所述钝化层34主要由无机材料组成，具体的材质包括sinx，siox中的一种或多种。

以上对本申请所提供的显示面板的制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。