1.一种利用二次电子倍增的电磁波发生器，包括：
阴极，用于发射电子，形成电子束；
其特征在于，还包括：
一片或两片的二次电子倍增片，沿厚度方向(电子传输方向)有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜(微通道内壁膜)，微通道的高度或者直径远小于二次电子倍增片厚度，即微通道长度，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数十个二次电子(二次电子发射系数，一般远高于3)；
两段或三段慢波结构(主要针对行波管、返波管)或谐振腔(主要针对速调管、回旋管)，二次电子倍增片垂直插入到前后连接的两段慢波结构或谐振腔之间，电子由阴极发射出来后，先受到第一段慢波结构或谐振腔的调制，产生初步的速度和密度调制，其后进入二次电子倍增片，电子在微通道中发生多次碰撞，产生数万倍的电子倍增，即实现了数万倍电子数量增长，也就是数万倍电流增长，由于电子进入到二次电子倍增片时，已经有密度调制，电流增长后依然有密度调制；二次电子倍增片后接第二段慢波结构或谐振腔，此时具有密度调制的电子束电流能够激发电磁波产生输出；如果增益或输出功率不满足需求，或可以利用第二段慢波结构或谐振腔再次对电子束电流进行调制，后再接二次电子倍增片和第三段慢波结构或谐振腔作为输出。
2.根据权利要求1所述的利用二次电子倍增的电磁波发生器，其特征在于，所述二次电子倍增片及慢波结构材质可以采用无氧铜、不锈钢、钨、钼等金属材料、合金材料或氮化镓、砷化镓、金刚石等半导体材料；慢波结构或谐振腔根据设计和应用的不同，可以是螺旋线、折叠波导、矩形双栅，矩形单栅、单谐振腔、多谐振腔、矩形腔、椭圆腔等，二次电子倍增片可以为圆柱形，矩形，高椭圆形、环形等。