1.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括，反应腔，所述反应腔中设有：
静电吸盘，所述静电吸盘包括用于吸附半导体晶片的吸盘本体；
聚焦环组件，所述聚焦环组件包括聚焦环本体，所述聚焦环本体套设在所述吸盘本体外周，所述静电吸盘中设有气流通路，所述气流通路的一端连通温控气源，另一端用于向聚焦环组件排送温控气体。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述静电吸盘还包括位于所述吸盘本体外周的吸盘台阶，所述聚焦环本体安装在所述吸盘台阶上。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述聚焦环本体的下表面与吸盘台阶的上表面之间形成气流夹缝，所述气流夹缝与所述气流通路的另一端连通。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述气流夹缝的内、外两侧分别设有密封圈，所述密封圈将所述气流夹缝密封。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述密封圈位置处的所述吸盘台阶上开设有对应的密封槽，所述密封圈设于所述密封槽中。
6.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述气流夹缝与所述气流通路连通位置处的吸盘台阶中设有气流螺栓；
所述气流螺栓内部中空形成气流腔，所述气流腔的一端连通所述气流夹缝，另一端连通所述气流通路。
7.如权利要求1至5中任一条所述的离子体处理装置，其特征在于，所述吸盘台阶与所述吸盘本体连为一体。
8.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述聚焦环组件还包括：用于固定所述聚焦环本体的聚焦环塞，所述聚焦环塞包括头部和连接部；
所述聚焦环本体上设有至少一个聚焦环塞腔，所述聚焦环塞腔包裹所述聚焦环塞的头部，所述聚焦环塞的连接部穿出所述聚焦环塞腔，并穿入所述吸盘台阶上对应的连接孔中。
9.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述聚焦环塞腔有多个，多个所述聚焦环塞腔沿所述聚焦环本体的周向方向间隔设置。
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述温控气体包括氦气。