OLED显示面板的制作方法

本发明涉及oled显示技术领域，尤其涉及一种oled显示面板。

背景技术：

现有oled显示面板中，源极、漏极和阳极是通过两步工序以及两个掩膜板分别形成的，通过两个掩膜板形成源极、漏极和阳极增加了生产成本，同时也需要更多的生产时间，因此，现有oled显示面板存在需要使用多个掩膜板的技术问题。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种oled显示面板，可缓解现有oled显示面板存在需要使用多个掩膜板的技术问题。

本发明实施例提供一种oled显示面板，包括：

基板,以及设置于所述基板上的tft器件的栅极、有源层、源极、漏极以及oled器件的阳极；

其中，所述源极、所述漏极以及所述阳极同层制备，且所述阳极与所述源极相连。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述tft器件还包括：

栅绝缘层，所述栅绝缘层至少覆盖所述栅极，所述有源层设置于所述栅绝缘层上；

钝化层，所述钝化层设置于所述栅绝缘层上，所述钝化层覆盖所述有源层；

平坦化层，所述平坦化层设置于所述钝化层上；

源极通孔，所述源极通孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层至所述有源层的第一掺杂区，所述源极设置于所述平坦化层上表面，所述源极通过所述源极通孔连接所述第一掺杂区；

漏极通孔，所述漏极通孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层至所述有源层的第二掺杂区，所述漏极设置于所述平坦化层表面，所述漏极通过所述漏极通孔连接所述第二掺杂区。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述源极通过所述源极通孔与所述有源层的第一掺杂区触接，所述漏极通过所述漏极通孔与所述有源层的第二掺杂区触接，其中，所述源极包括设置在所述刻蚀阻挡层上方的源极第一部分以及设置在源极通孔内的源极第二部分，所述漏极包括设置在所述刻蚀阻挡层上方的漏极第一部分以及设置在漏极通孔内的漏极第二部分。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述有源层设置在栅绝缘层上，所述源极第二部分与所述第一掺杂区的侧面触接，所述触接部分的所述源极第二部分设置在所述栅绝缘层上。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述有源层设置在栅绝缘层上，所述漏极第二部分与所述第二掺杂区的侧面触接，所述触接部分的所述漏极第二部分设置在所述栅绝缘层上。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两端的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，所述第一掺杂区的所述有源层在所述基板上的正投影面积等于所述第二掺杂区的所述有源层在所述基板上的正投影面积。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述有源层的制备材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锡氧化物或铟镓锌锡氧化物中的至少一种。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述源极、所述漏极以及所述阳极的厚度为500埃～10000埃间的任一值。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述源极、所述漏极以及所述阳极为单层结构，所述源极、所述漏极以及所述阳极的制备材料为钼、铝、铜、钛中的任一种。

在本发明实施例提供的oled显示面板中，所述源极、所述漏极以及所述阳极为多层结构，所述源极、所述漏极以及所述阳极的制备材料为钼/铝/钼、铝/钼、钼/铜、钼钛/铜中的任一种。

有益效果：本发明实施例提供的oled显示面板包括基板,以及设置于所述基板上的tft器件的栅极、有源层、源极、漏极以及oled器件的阳极，其中，所述源极、所述漏极以及所述阳极同层制备，且所述阳极与所述源极相连；将源极、漏极与阳极同层设置，通过源极通孔和漏极通孔使源极和漏极分别与有源层触接，在保证晶体管开关作用正常的前提下，通过一道工序形成所述源漏极层和所述阳极，缓解了现在oled显示面板存在需要使用多个掩膜板的技术问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明实施例提供的oled显示面板的第一种截面示意图；

图2为本发明实施例提供的oled显示面板的第二种截面示意图；

图3为本发明实施例提供的oled显示面板的第三种截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图1所示，本发明实施例提供的oled显示面板包括基板10,以及设置于所述基板上的tft器件的栅极206、有源层201、源极2001、漏极2002以及oled器件的阳极205，其中，所述源极2001、所述漏极2002以及所述阳极205同层制备，且所述阳极205与所述源极2001相连。

在本实施例中，所述oled显示面板包括基板10,以及设置于所述基板上的tft器件的栅极206、有源层201、源极2001、漏极2002以及oled器件的阳极205，其中，所述源极2001、所述漏极2002以及所述阳极205同层制备，且所述阳极205与所述源极2001相连；将源极2001、漏极2002与阳极205同层设置，通过源极通孔和漏极通孔使源极2001和漏极2002分别与有源层201触接，在保证晶体管开关作用正常的前提下，通过一道工序形成所述源漏极层和所述阳极，缓解了现在oled显示面板存在需要使用多个掩膜板的技术问题。

其中，所述源极通孔贯穿设置在所述平坦化层203和所述钝化层202。

其中，所述漏极通孔也贯穿设置在所述平坦化层203和所述钝化层202。

在一种实施例中，所述tft器件还包括栅绝缘层207、钝化层202、平坦化层203、源极通孔以及漏极通孔，所述栅绝缘层207至少覆盖所述栅极206，所述有源层201设置于所述栅绝缘层207上，所述钝化层202设置于所述栅绝缘层207上，所述钝化层202覆盖所述有源层201，所述平坦化层203设置于所述钝化层202上，所述源极2001通孔贯穿所述钝化层202、所述平坦化层203至所述有源层201的第一掺杂区，所述源极2001设置于所述平坦化层203上表面，所述源极2001通过所述源极通孔连接所述第一掺杂区，所述漏极通孔贯穿所述钝化层202、所述平坦化层203至所述有源层201的第二掺杂区，所述漏极2002设置于所述平坦化层203表面，所述漏极2002通过所述漏极通孔连接所述第二掺杂区。

其中，所述阳极205可以与所述源极2001同平面设置。

其中，所述阳极205也可以与所述源极2001不同平面设置。

其中，所述阳极205的形状可以与所述源极2001的形状不同。

在一种实施例中，所述源极2001通过所述源极通孔与所述有源层201的第一掺杂区触接，所述漏极2002通过所述漏极通孔与所述有源层201的第二掺杂区触接，其中，所述源极2001包括设置在所述平坦层203上方的源极第一部分以及设置在源极通孔内的源极第二部分，所述漏极2002包括设置在所述平坦层203上方的漏极第一部分以及设置在漏极通孔内的漏极第二部分。

其中，所述源极第一部分与所述有源层201的第一掺杂区触接，所述漏极第一部分与所述有源层201的第二掺杂区触接。

在一种实施例中，源漏极层204包括源极2001和漏极2002，阳极层包括阳极205，源漏极层204和阳极层同层设置。

在一种实施例中，如图2所示，所述有源层201设置在栅绝缘层207上，所述源极第二部分与所述第一掺杂区的侧面触接，所述触接部分的所述源极第二部分设置在所述栅绝缘层207上。

其中，所述源极2001包裹所述有源层201一端设置。

其中，所述漏极2002可以通过所述漏极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002也可以通过所述漏极通孔与直接所述有源层201触接，未与所述栅绝缘层207触接。

在一种实施例中，如图3所示，所述有源层201设置在栅绝缘层207上，所述漏极第二部分与所述第二掺杂区的侧面触接，所述触接部分的所述漏极第二部分设置在所述栅绝缘层207上。

其中，所述漏极2002包裹所述有源层201一端设置。

其中，所述源极2001可以通过所述源极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述源极2001也可以通过所述源极通孔与直接所述有源层201触接，未与所述栅绝缘层207触接。

在一种实施例中，所述源极的纵截面形状和所述漏极的纵截面形状相同。

在一种实施例中，如图1所示，所述有源层201包括沟道区以及位于所述沟道区两端的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，所述第一掺杂区的所述有源层201在所述基板10上的正投影面积等于所述第二掺杂区的所述有源层201在所述基板10上的正投影面积。

其中，第一掺杂区为源极2001与有源层201触接的区域。

其中，在同一个像素单元内，所述沟道区为相邻所述第一掺杂区和相邻所述第二掺杂区之间的有源层201区域。

其中，第二掺杂区为漏极2002与有源层201触接的区域。

其中，所述源极2001可以通过所述源极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述源极2001也可以通过所述源极通孔与所述有源层201直接触接，未与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002可以通过所述漏极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002也可以通过所述漏极通孔与所述有源层201直接触接，未与所述栅绝缘层207触接

在一种实施例中，如图2所示，所述有源层201包括沟道区以及位于所述沟道区两端的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，所述第一掺杂区的所述有源层201在所述基板10上的正投影面积小于所述第二掺杂区的所述有源层201在所述基板10上的正投影面积。

其中，第一掺杂区为源极2001与有源层201触接的区域。

其中，在同一个像素单元内，所述沟道区为相邻所述第一掺杂区和相邻所述第二掺杂区之间的有源层201区域。

其中，第二掺杂区为漏极2002与有源层201触接的区域。

其中，所述源极2001可以通过所述源极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述源极2001也可以通过所述源极通孔与所述有源层201直接触接，未与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002可以通过所述漏极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002也可以通过所述漏极通孔与所述有源层201直接触接，未与所述栅绝缘层207触接。

在一种实施例中，如图3所示，所述有源层201包括沟道区以及位于所述沟道区两端的所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，所述第一掺杂区的所述有源层201在所述基板10上的正投影面积大于所述第二掺杂区的所述有源层201在所述基板10上的正投影面积。

其中，第一掺杂区为源极2001与有源层201触接的区域。

其中，在同一个像素单元内，所述沟道区为相邻所述第一掺杂区和相邻所述第二掺杂区之间的有源层201区域。

其中，第二掺杂区为漏极2002与有源层201触接的区域。

其中，所述源极2001可以通过所述源极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述源极2001也可以通过所述源极通孔与所述有源层201直接触接，未与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002可以通过所述漏极通孔与所述栅绝缘层207触接。

其中，所述漏极2002也可以通过所述漏极通孔与所述有源层201直接触接，未与所述栅绝缘层207触接。

在一种实施例中，所述有源层201的制备材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锡氧化物或铟镓锌锡氧化物中的至少一种。

在一种实施例中，所述源极2001、所述漏极2002以及所述阳极205的厚度范围为500埃～10000埃。

在一种实施例中，所述源极通孔的纵截面形状与所述漏极通孔的纵截面形状相同。

在一种实施例中，所述源极2001和所述漏极2002的形状可能相同，也可能不同。

其中，所述源极2001和所述漏极2002的形状可能相同。

其中，所述源极2001和所述漏极2002的形状均为梯形。

其中，所述源极2001和所述漏极2002的形状均为不规则几何图形，所述源极2001在沟道区的正投影的宽度和所述漏极2002在沟道区的正投影的宽度相等。

其中，所述源极2001和所述漏极2002的形状也可能不同。

在一种实施例中，所述源极、所述漏极以及所述阳极为单层结构，所述源极、所述漏极以及所述阳极的制备材料为钼、铝、铜、钛中的任一种。

在一种实施例中，所述源极、所述漏极以及所述阳极为多层结构，所述源极、所述漏极以及所述阳极的制备材料为钼/铝/钼、铝/钼、钼/铜、钼钛/铜中的任一种。

在一种实施例中，还包括设置在平坦化层203上的色阻层，所述色阻层的材料为色阻有机材料。

在一种实施例中，所述平坦化层203为有机材料，所述平坦化层203覆盖设置在所述色阻层上。

在一种实施例中，所述阳极的制备材料可以为氧化铟锡、银或者氧化铟锡材料或者其他阳极材料。

在一种实施例中，所述阳极205上设置有像素电极层。

其中，所述像素电极层的材料可以为疏水性材料。

在一种实施例中，所述oled显示面板还包括设置在所述像素定义层上方的阴极层。

在一种实施例中，所述oled显示面板还包括发光功能层和封装层。

其中，所述发光层包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。

其中，所述封装层可以包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。

其中，所述第一无机层设置在所述阴极层上方。

在一种实施例中，所述源极2001的纵截面形状为多边形、矩形或圆弧形中的任一种。

在一种实施例中，所述漏极2002的纵截面形状为多边形、矩形或圆弧形中的任一种。

在一种实施例中，所述有源层201的制备材料包括铟。

在一种实施例中，所述有源层201的制备材料还包括锌。

在一种实施例中，所述源极2001和所述漏极2002的纵截面形状包括梯形。

在一种实施例中，所述栅极层206可以是单层结构。

其中，所述栅极层206的制备材料为钼、铝、铜、钛等。

在一种实施例中，所述栅极层206也可以是多层结构。

其中，所述栅极层206的制备材料为钼/铝/钼、铝/钼、钼/铜、钼钛/铜等多层结构。

在一种实施例中，所述栅极层206的厚度为500埃至10000埃之间的任一值。

在一种实施例中，栅绝缘层207可以是单层结构。

其中，所述栅绝缘层207的制备材料为单层氮化硅或单层二氧化硅。

在一种实施例中，所述栅绝缘层207也可以为双层结构。

在一种实施例中，所述栅极层206的厚度为1000埃至5000埃之间的任一值。

在一种实施例中，有源层201厚度为100埃至1000埃之间的任一值。

在一种实施例中，钝化层202可以是单层结构。

其中，所述钝化层202的制备材料为三氧化二铝或二氧化硅。

在一种实施例中，钝化层202也可以是多层结构。

其中，钝化层202的制备材料为二氧化硅/氮化硅、二氧化硅/三氧化二铝、三氧化二铝/氮化硅的多层结构。

在一种实施例中，所述钝化层202的厚度为1000埃至5000埃之间的任一值。

在一种实施例中，所述平坦化层203的厚度为10000埃至50000埃之间的任一值。

在一种实施例中，所述源漏极层204和所述阳极205同层设置，所述源漏极层204和所述阳极205的制备材料可以是单层结构。

其中，所述源漏极层204和所述阳极205的制备材料为钼、铝，铜、钛，氧化铟锡。也可以是钼/铝/钼、铝/钼、钼/铜、钼钛/铜等多层结构。

在一种实施例中，所述源漏极层204和所述阳极205的厚度500埃至10000埃之间的任一值。

其中，利用黄光工艺，可以定义出源极2001、漏极2002以及阳极的区域。

在一种实施例中，所述像素定义层的厚度为10000埃至50000埃之间的任一值。

本发明实施例提供的oled显示面板包括基板10,以及设置于所述基板上的tft器件的栅极206、有源层201、源极2001、漏极2002以及oled器件的阳极205，其中，所述源极2001、所述漏极2002以及所述阳极205同层制备，且所述阳极205与所述源极2001相连；将源极2001、漏极2002与阳极205同层设置，通过源极通孔和漏极通孔使源极2001和漏极2002分别与有源层201触接，在保证晶体管开关作用正常的前提下，通过一道工序形成所述源漏极层和所述阳极，缓解了现在oled显示面板存在需要使用多个掩膜板的技术问题。

以上对本发明实施例所提供的一种进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。