1.一种半导体封装，其特征在于，所述半导体封装包括：
半导体设备，所述半导体设备布置在基板上；
导电部件，所述导电部件插在所述半导体设备和所述基板之间；和
绝缘系统，所述绝缘系统至少部分地封装所述半导体设备、所述导电部件和所述基板，其中，所述绝缘系统的特征是介电常数在远离所述基板的方向上减小，并且其中，所述绝缘系统包括至少一个复合涂层，所述至少一个复合涂层包括分散在聚合物基质中的多个颗粒。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述绝缘系统包括多个复合涂层，其中，所述多个复合涂层中的每个复合涂层包括相应的聚合物基质和分散在所述相应的聚合物基质中的相应的多个颗粒，并且其中所述多个复合涂层中的每个复合涂层的特征是介电常数彼此不同。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中通过改变所述复合涂层中的所述相应的多个颗粒的颗粒类型、所述复合涂层中的所述相应的多个颗粒的颗粒量、或所述复合涂层中的所述相应的多个颗粒的颗粒分布，来改变所述多个复合涂层的所述介电常数。
4.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中通过使用非线性介电颗粒来改变所述多个复合涂层的所述介电常数。
5.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，其中所述绝缘系统包括：
第一复合涂层，所述第一复合涂层邻近所述半导体设备，所述导电部件和所述基板布置，其中所述第一复合涂层具有第一介电常数；和
第二复合涂层，所述第二复合涂层邻近所述半导体设备，所述第一复合涂层和所述基板布置，其中所述第二复合涂层具有第二介电常数，其中所述第一介电常数大于所述第二介电常数。
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，其中所述第一介电常数是配置在大约20至大约200的范围内的相对介电常数，并且其中，所述第二介电常数是配置在大约5至大约20的范围内的相对介电常数。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述聚合物基质包括选自环氧树脂，硅氧烷，聚酯，聚氨酯，氰酸酯，聚酰亚胺，聚酰胺，聚酰胺酰亚胺，聚酯酰亚胺，聚乙烯基酯或它们的任意组合的热固性树脂。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述多个颗粒选自氮化硼颗粒，氮化铝颗粒，氧化铝颗粒，氧化硅颗粒，硅酸铝颗粒，云母颗粒，氧化钛颗粒，钡钛氧化物颗粒，锶钛氧化物颗粒或任何组合。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，其中所述半导体设备是碳化硅(sic)设备。
10.一种封装半导体封装的方法，所述半导体封装包括：半导体设备，所述半导体设备布置在基板上；导电部件，所述导电部件插在所述半导体设备和所述基板之间，其特征在于，所述方法包括：
通过电泳处理将绝缘系统布置在所述半导体设备、所述导电部件和所述基板的至少一部分表面上，其中所述绝缘系统的特征是介电常数在远离所述基板的方向上减小，并且其中所述绝缘系统包括至少一个复合涂层，所述至少一个复合涂层包括分散在聚合物基质中的多个颗粒。