一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

当前oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)显示技术中通常需要圆偏光片，并通过胶材贴合组成显示模组。圆偏光片起到降低oled表面反射提高对比度功能，但是整体厚度偏大，影响到柔性屏幕的反复折叠能力。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，减小显示基板厚度。

一方面，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括发光结构层，所述发光结构层包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极，所述多个子像素满足：所述多个子像素的第一电极分别吸收不同波长的光，当入射相同强度的白光至所述多个子像素的第一电极时，所述多个子像素的第一电极的反射光组合为黑色。

在一示例性实施例中，所述像素单元包括3个子像素，所述3个子像素的第一电极分别吸收红色光、蓝色光和绿色光。

在一示例性实施例中，从远离所述发光层至靠近所述发光层方向，所述第一电极包括依次设置的第一反射电极、第二透明电极、第三反射电极和第四透明电极。

在一示例性实施例中，所述多个子像素的第一反射电极的厚度一致，所述多个子像素的第三反射电极的厚度一致，所述多个子像素的第四透明电极的厚度一致，所述多个子像素的第二透明电极的厚度不同。

在一示例性实施例中，

所述第一反射电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为30nm至3000nm，所述第二透明电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为2nm至300nm，所述第三反射电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为2nm至100nm，所述第四透明电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为2nm至300nm。

在一示例性实施例中，

所述第一反射电极的材料包括以下至少之一：铝、银、钛、钼和铜，所述第二透明电极和第四透明电极的材料包括以下至少之一：氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌，所述第二反射电极的材料包括以下至少之一：银、铝、钛、钼和铜。

在一示例性实施例中，所述发光层为出射白光的发光层；或者，所述发光层为出射红色光、蓝色光或绿色光的发光层，且同一子像素的发光层的出射光不同于所述子像素的第一电极吸收的光。

在一示例性实施例中，所述子像素还包括基底和设置在所述基底上的驱动电路层，所述发光结构层设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧，所述驱动电路层包括薄膜晶体管，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏电极电连接。

又一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。

又一方面，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：

在每个子像素形成发光结构层，所述发光结构层包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极，属于同一像素单元的多个子像素满足：所述多个子像素的第一电极分别吸收不同波长的光，当入射相同强度的白光至所述多个子像素的第一电极时，所述多个子像素的反射光组合为黑色。

在一示例性实施例中，所述像素单元包括3个子像素，所述3个子像素的第一电极分别吸收红色光、蓝色光和绿色光。

在一示例性实施例中，所述第一电极通过下述方式形成：

形成第一反射电极；

在所述第一反射电极上分别涂覆第一光刻胶和第二光刻胶，进行曝光显影形成光刻胶图案，沉积第二透明电极薄膜，进行剥离形成第二透明电极图案；

在所述第二透明电极上通过曝光刻蚀工艺依次形成第三反射电极和第四透明电极。

本申请实施例包括一种显示基板，包括：多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括发光结构层，所述发光结构层包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极，所述多个子像素满足：所述多个子像素的第一电极分别吸收不同波长的光，当入射相同强度的白光至所述多个子像素的第一电极时，所述多个子像素的第一电极的反射光组合为黑色。本实施提供的方案，通过不同子像素的第一电极吸收不同波长的光，从而反射不同的光，当发光层不发光时，外界入射白光进入第一电极时被反射形成黑色画面，从而降低了表面反射，提高了对比度，可以防眩光，另外，由于降低了表面反射，无需使用偏光片进行降反射，减小了显示基板的厚度，提升整机耐弯折能力，可以应用于柔性显示屏。另外，偏光片透过率通常为一半左右，本申请实施例的方案，无需使用偏光片进行降反射，透过率提升了一倍，提高了亮度，且实现同样亮度时功耗更低。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本申请实施例提供的显示基板结构图；

图2为本申请实施例不同子像素反射率示意图；

图3为本申请实施例形成驱动结构层后示意图；

图4为一实施例形成第一反射电极后示意图；

图5为一实施例形成第二透明电极后示意图；

图6为一实施例形成第三反射电极和第四透明电极后示意图；

图7为一实施例形成发光层和第二电极后示意图；

图8为本申请实施例提供的显示基板制备方法示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本申请实施例提供一种显示基板，包括，多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括发光结构层，所述发光结构层包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极，所述多个子像素满足：所述多个子像素的第一电极分别吸收不同波长的光，当入射相同强度的白光至所述多个子像素的第一电极时，所述多个子像素的第一电极的反射光组合为黑色。此处黑色包括纯黑色和大致为黑色。本实施提供的方案，当发光层不发光时，外界入射白光进入第一电极时被反射形成黑色画面，从而降低了表面反射，提高了对比度，可以防眩光，另外，由于降低了表面反射，无需使用偏光片(polarizingfilm，pol)进行降反射，减小了显示基板的厚度，提升整机耐弯折能力，可以应用于柔性显示屏。另外，偏光片透过率通常为一半左右，本申请实施例的方案，无需使用偏光片进行降反射，透过率提升了一倍，提高了亮度，且实现同样亮度时功耗更低。

在一示例性实施例中，第一电极比如为阳极，第二电极比如为阴极。

在一示例性实施例中，所述像素单元可以包括3个子像素，所述3个子像素的第一电极分别吸收红色光(r)、绿色光(g)和蓝色光(b)，此处红色光、蓝色光和绿色光可以是某一波长的长，比如rgb三原色光，或者，可以是波长范围内的部分或全部波长的光，比如蓝色光为450纳米(nm)～480nm、绿色光500nm～560nm，红色光605nm～700nm。以第一子像素吸收红色光，第二子像素吸收蓝色光，第三子像素吸收绿色光为例，此时，第一子像素吸收红色光，反射光为青色光(cyan，c)，第二子像素吸收绿色光，反射光为品红色光(magenta，m)，第三子像素吸收蓝色光，反射光为黄色光(yellow，y)，相同强度的白光入射时，三个子像素的反射光(分别为c，m，y)叠加即得到黑色画面，因此，降低了表面反射。

图1为本申请实施例提供的显示基板示意图，示意了一种顶发射结构有机发光显示基板的三个子像素。本申请实施例提供的显示基板，包括多个像素单元(多个像素单元比如阵列分布)，每个像素单元包括第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103。

如图1所示，在垂直于在垂直于显示基板的平面上，每个子像素可以包括在基底10上依次设置的驱动结构层20、发光结构层30和封装层40，所述发光结构层30包括第一电极41、发光层43和第二电极44。所述驱动结构层20包括薄膜晶体管，所述第一电极41与所述薄膜晶体管的漏电极电连接。

所述第一电极41为吸收型阳极，可以吸收某些波长的光。由于相同强度的cmy光组合为黑色，因此，在一实施例中，第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103的第一电极分别吸收红色光、绿色光和蓝色光，则第一子像素101的第一电极的反射光为青色光(c)，第二子像素102的第一电极的反射光为品红色光(m)，第三子像素103的反射光为黄色光(y)，相同强度的白光入射时(比如环境光入射到该显示基板)，三个子像素的第一电极的反射光(分别为c，m，y)叠加即得到黑色画面，从而降低了表面反射，可以取代偏光片，即不需要再设置偏光片进行降反射，减小了显示基板的整体厚度，提升整机耐弯折能力。另外，偏光片的透过率通常为一半左右，去除偏光片后，透过率提高了一倍，提升了亮度，降低了功耗。

第一电极41可以使用多层金属和透明导电层间隔设置实现，比如使用一层金属一层透明导电层一层金属一层透明导电层共4层实现，其中，一层透明导电层可以是单层结构，或者，可以是多个透明导电子层构成的多层结构，称为一层透明导电层，一层金属可以是单一金属，或者是多种金属构成的多层结构，称为一层金属。金属比如包括：铝(al)、银(ag)、钛、钼、铜等。透明导电层的材料比如包括：izo(indiumzincoxide，氧化铟锌)、ito(indiumtinoxide，氧化铟锡)，氧化锌等。本实施例中，从远离所述发光层43至靠近所述发光层43方向，所述第一电极41可以包括依次设置的第一反射电极31、第二透明电极32、第三反射电极33和第四透明电极34。所述第一反射电极31、第二透明电极32、第三反射电极33和第四透明电极34电连接。第四透明电极34的作用是保证第一电极41功函数。所述第一反射电极31与驱动结构层20的薄膜晶体管的漏电极电连接。所述第一反射电极31在垂直于所述显示基板方向的厚度为30nm～3000nm，所述第二透明电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为2nm～300nm，所述第三反射电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为2nm～100nm，所述第四透明电极在垂直于所述显示基板方向的厚度为2nm～300nm。在其他实施例中，第一电极41可以是一层金属一层透明导电层间隔设置共6层实现，或者，更多层。使用4层实现时制程较少，成本相对比较低。

在一示例性实施例中，所述第一反射电极31的材料比如包括al，所述第二透明电极32的材料比如包括izo或ito，所述第三反射电极33的材料比如包括ag，所示第四透明电极34的材料比如包括izo或ito。各层厚度如表1所示。

表1第一电极每个膜层厚度

如表1所示，第一子像素101、第二子像素102、第三子像素103的第一反射电极31的厚度相同，均为100nm，第二透明电极32厚度不同，分别为120nm，95nm，70nm，第三反射电极33的厚度相同，均为25nm，第四透明电极34的厚度相同，均为8nm。不同子像素的第二透明电极的厚度不同，使得不同子像素的第一电极的结构不同，相应的吸收的光不同。本实施例中，第一子像素101吸收红色光、第二子像素102吸收绿色光，第三子像素103吸收蓝色光，如图2所示，分别为测量得到的第一子像素101的第一电极的反射率(图2中线条c)，第二子像素102的第一电极的反射率(图2中线条m)，第三子像素103的第一电极的反射率(图2中线条y)。可以看到，线条c上波长640nm(红色光范围内)左右对应的反射率最低，线条m上波长560nm(绿色光范围内)左右对应的反射率最低，线条y上波长470nm(蓝色光范围内)左右对应的反射率最低，反射率最低则表示该波长的光大部分被吸收。本实施例中，不同子像素仅第二透明电极32的厚度不同，其余第一反射电极31、第三反射电极33和第四透明电极34的厚度相同，工艺比较方便。

本实施例中膜层厚度仅为示例，本申请实施例不限于此，膜层的厚度可以改变，第一反射电极、第三反射电极、第四透明电极的厚度可以不同。实际实施时，可以根据实际需要来设置膜层厚度，比如通过光学模拟或实验确定膜层厚度。不同子像素的第一电极的膜层数量可以不同。

在一示例性实施例中，所述发光层比如为发白光的发光层，或者，不同子像素的发光层发不同颜色的光，分别为cmy光中的一种，或者，rgb光中的一种，比如第一子像素101的发光层发青色光(c)，第二子像素102的发光层发品红色光(m)，第三子像素103的发光层发黄色光(y)；又比如，第一子像素101的发光层发绿色光或蓝色光(不同于第一子像素101的第一电极所吸收的红色光)，第二子像素102的发光层发红色光或蓝色光(不同于第二子像素102的第一电极所吸收的绿色光)，第三子像素103的发光层发红色光或绿色光(不同于第三子像素的第一电极所吸收的蓝色光)。当发光层发白光时，第一子像素101的第一电极反射青色光(c)，第二子像素102的第一电极反射品红色光(m)，第三子像素103的第一电极反射黄色光(y)，不同强度的c,m,y光组合得到不同颜色的光。当发光层分别发rgb光时，由于发光层发的光和第一电极吸收的光不同，从而，反射光即为发光层所发的光，当发光层分别发cmy光时，相应的反射光为cmy光。

下面通过本实施例显示基板的制备过程说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

(1)形成基底10，基底10可以包括依次设置的第一基底、缓冲层、第二基底。

形成基底图案包括：先在玻璃载板上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底。随后，在第一基底上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第一基底的缓冲层图案。最后，在缓冲层上一层涂布柔性材料，固化成膜，形成第二基底。其中，柔性材料可以采用聚酰亚胺pi、聚对苯二甲酸乙二酯pet或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底。缓冲薄膜可以采用氮化硅sinx或氧化硅siox等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。此处仅为示例，基底也可以是其他类型的基底，比如硅基基底，等等。

(2)形成驱动电路层20。驱动电路层20包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个阵列排布的子像素，3个子像素组成一个像素单元，每个子像素包括驱动晶体管21在内的多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)。本实施例中，一个像素单元包括第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103。当然，本实施例方案也适用于一个像素单元包括更多子像素情形。本实施例中，形成驱动电路层20的制备过程可以包括：通过构图工艺在每个子像素的基底10上制备出有源层，随后形成覆盖有源层的第一绝缘层，在每个子像素的第一绝缘层上形成栅线和栅电极，随后形成覆盖栅线和栅电极的第二绝缘层，在每个子像素的第二绝缘层上形成数据线、源电极和漏电极，形成覆盖数据线、源电极和漏电极的第三绝缘层，每个子像素的第三绝缘层上开设有暴露出驱动晶体管21的漏电极22的第一过孔k1，如图3所示。其中，栅电极、有源层、源电极和漏电极构成薄膜晶体管，薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，在此不做具体的限定。

(3)形成第一反射电极31图案。

形成第一反射电极包括：在形成上述结构的基础上沉积第一金属薄膜，比如沉积100nm的铝，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，在驱动电路层20上形成第一反射电极31，第一反射电极31通过第一过孔k1与驱动晶体管21的漏电极22连接；如图4所示。

(4)形成第二透明电极32图案。

本实施例中，使用双层胶剥离(liftoff)工艺形成第二透明电极32。

形成第二透明电极32可以包括：

在形成上述结构的基础上旋涂第一光刻胶，烘烤待第一光刻胶完全固化后(避免两种胶在涂胶过程中相互混合)，旋涂第二光刻胶，烘烤，进行曝光显影，形成光刻胶图案，沉积或蒸镀第二透明导电薄膜，比如，沉积或蒸镀120nm的ito或izo，剥离第一光刻胶和第二光刻胶，形成第一子像素101的第二透明电极32a；

在形成上述结构的基础上旋涂第一光刻胶，烘烤待第一光刻胶完全固化后，旋涂第二光刻胶，烘烤，进行曝光显影，形成光刻胶图案，沉积或蒸镀第二透明导电薄膜，比如，沉积或蒸镀95nm的ito或izo；剥离第一光刻胶和第二光刻胶，形成第二子像素102的第二透明电极32b；

在形成上述结构的基础上旋涂第一光刻胶，烘烤待第一光刻胶完全固化后，旋涂第二光刻胶，烘烤，进行曝光显影，形成光刻胶图案，沉积或蒸镀第二透明导电薄膜，比如，沉积或蒸镀70nm的ito或izo；剥离第一光刻胶和第二光刻胶，形成第三子像素103的第二透明电极32c，如图5所示。

第一光刻胶比如为剥离抗蚀剂(lift-offresist，简称lor)，第二光刻胶比如为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)。此处仅为示例，可以使用其他类型的胶。使用双层胶可以在光刻胶的边缘形成顶层外悬的结构，避免需要被剥离的膜层与留下的膜层通过蒸镀在光刻胶侧壁的膜层相连。

(5)形成第三反射电极33和第四透明电极34图案。

依次沉积第三金属薄膜和第四透明导电薄膜，通过构图工艺(包括曝光刻蚀等工艺)形成第三反射电极33图案和第四透明电极34图案，第三金属薄膜比如为ag(银)，第四透明导电薄膜比如包括ito或izo。第一电极41制备完成，如图6所示。第一电极41又称为滤光片反射阳极。

(6)形成发光层和第二电极图案。

在形成前述图案的衬底上涂覆像素定义薄膜，采用掩膜、曝光和显影后形成像素定义层42图案，像素定义层42在每个子像素限定出开口区域，开口区域露出第一电极41。随后，在每个子像素的开口区域形成发光层43。最后，在形成前述图案的衬底上沉积金属薄膜，形成第二电极44，如图7所示。本实施例中，第二电极44可以是高镁(mg)的透明电极，即全部或大部分使用mg制成，可以提高透过率。但本申请实施例不限于此，在其他实施例中，第二电极44可以是半反半透电极，使用mg和ag制成，等等。本实施例中，发光层43为白光发光层。但不限于此，可以是发其他颜色的发光层，比如，发rgb光，或者，cmy光等。

(7)形成封装层图案。

形成封装层图案包括：在形成前述图案的衬底上，通过沉积无机材料、涂覆有机材料或喷墨打印有机材料等，形成密封发光结构层的封装层40，如图1所示。封装层40比如为无机/有机/无机三层结构。当然，封装层40可以是其他结构。

通过上述制备流程可以看出，本实施例所提供的显示基板，通过设置吸收型第一电极，且不同子像素的第一电极的结构不同使得不同子像素吸收不同波长的光，相应的反射光不同，并使得同一像素的多个子像素的第一电极的反射光组合为黑色画面，实现了降低表面反射的效果，因此无需设置偏光片，从而显示基板的整体厚度减小，提高了耐弯折性能。此外，不设置偏光片，大大提高了透过率(一倍左右)，显著降低功耗，提升亮度。此外，本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。

本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，不仅可以是双栅结构，也可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-si)薄膜晶体管、低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管或氧化物(oxide)薄膜晶体管，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层。本申请实施例在此不做具体的限定。

图8为本申请实施提供的显示基板的制备方法流程图。如图8所示，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，可以包括：

步骤801，在每个子像素形成发光结构层，所述发光结构层包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极，属于同一像素单元的多个子像素满足：所述多个子像素的第一电极分别吸收不同波长的光，当入射相同强度的白光至所述多个子像素的第一电极时，所述多个子像素的反射光组合为黑色。

在一示例性实施例中，所述像素单元可以包括3个子像素，所述3个子像素的第一电极分别吸收红色光、蓝色光和绿色光。比如，3个子像素分别为第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素吸收红色光、第二子像素吸收蓝色光、第三子像素吸收绿色光。

在一示例性实施例中，所述第一电极通过下述方式形成：

形成第一反射电极；

在所述第一反射电极上分别涂覆第一光刻胶和第二光刻胶，进行曝光显影形成光刻胶图案，沉积第二透明电极薄膜，进行剥离形成第二透明电极图案；

在所述第二透明电极上通过曝光刻蚀工艺依次形成第三反射电极和第四透明电极。

在一示例性实施例中，还包括：在基底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括薄膜晶体管，所述发光结构层形成在所述驱动电路层上，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏电极电连接。

本实施例提供的显示基板的制备方法，通过设置吸收型第一电极，不同子像素的第一电极吸收不同波长的光，反射不同颜色光，组合得到黑色画面，降低表面反射，且无需设置偏光片，可以减小基板的整体厚度，提高耐弯折能力，以及，提高透过率，提高亮度，降低功耗。

本实施例中，各个膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

基于本申请实施例的技术构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。本实施例提供的显示装置，使用吸收型电极，无需偏光片，其整体厚度降低，提高了弯折性，且由于不需要偏光片，提高了透过率，因此，提高了亮度，降低了功耗。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

有以下几点需要说明：

(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。