1.一种uvc-led的cob封装结构，其特征在于，其包括陶瓷线路板、陶瓷围坝、透明盖板、uvc-led芯片、陶瓷绝缘板和反射层板，若干uvc-led芯片分布在所述陶瓷线路板上形成发光区域，所述陶瓷绝缘板设置在所述陶瓷线路板上，且设有让所述uvc-led芯片外露的开口，所述反射层板设置在陶瓷绝缘板上，且设有与所述开口相对应的扩口孔，所述反射层板的表面和扩口孔的孔壁均设有反射涂层，所述陶瓷围坝设置在所述陶瓷线路板上，且将所述发光区域圈围，所述透明盖板设置在陶瓷围坝上，且将所述发光区域的上方位置封闭。
2.根据权利要求1所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述扩口孔的孔壁倾斜角度为15°～45°。
3.根据权利要求1所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述反射涂层为反射率为70-99％，厚度为100-5000nm的高反射铝层、钼层或氧化镁层。
4.根据权利要求1所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述陶瓷围坝通过绝缘胶固定在所述陶瓷线路板上。
5.根据权利要求1所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述透明盖板通过绝缘胶固定在所述陶瓷围坝上。
6.根据权利要求5所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述透明盖板和绝缘胶之间设有金属保护层。
7.根据权利要求6所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述金属保护层为钛、铜、铝或铬中的一种或几种叠加或组合而成的金属膜，该金属膜的厚度为50-400nm。
8.根据权利要求4-7中任意一项所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：所述绝缘胶为环氧树脂、硅树脂或硅橡胶中的一种或几种。
9.根据权利要求1-7中任意一项所述的uvc-led的cob封装结构，其特征在于：
所述陶瓷线路板的基板为氮化铝或氧化铝材料；
所述陶瓷绝缘板为采用氧化铝、氧化锆或zta陶瓷材料制成厚度小于0.15mm的板体；
所述反射层板为银、铝、铜、铁、不锈钢或铁镍合金中的一种或几种混合制成的金属板体；
所述uvc-led芯片为发光波长200～280nm的深紫外光发光二极管芯片；
所述陶瓷围坝为采用氧化铝、氮化铝或氧化锆材料制成的坝体；
所述透明盖板为蓝宝石玻璃、石英玻璃或高硼玻璃。
10.一种uvc-led的cob封装结构的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：
(1)将uvc-led芯片焊接于陶瓷线路板上；
(2)将陶瓷围坝固定于陶瓷线路板上，并将所有的uvc-led芯片圈围；
(3)预先在陶瓷绝缘板上开有与uvc-led芯片的位置相对应的开口，将所述陶瓷绝缘板固定在所述陶瓷线路板上，且使各个uvc-led芯片分别位于与其相对应的开口的中部位置；
(4)在反射层板的一表面贴掩膜，进行湿法刻蚀得到扩口孔，撕开掩膜，采用真空热蒸镀、真空溅射镀膜、电镀或者组合镀膜的方法对反射层板进行镀膜，以在反射层板的表面和扩口孔的孔壁形成反射涂层；
(5)将反射层板的另一表面与陶瓷绝缘板相紧贴，并使反射层板上的扩口孔相应与陶瓷绝缘板上的开口相对正，使穿过开口的uvc-led芯片能伸入扩口孔内；其中扩口孔靠近陶瓷绝缘板一端的口径较小，另一端呈逐渐增大状；
(6)在透明盖板的粘胶处通过真空热蒸镀、真空溅射镀膜、电镀、烧结或者组合镀膜的方法镀有金属保护层，然后在金属保护层上涂覆绝缘胶，通过该绝缘胶粘贴固定陶瓷围坝上，以将所有的uvc-led芯片封装在密闭空间内；
所述步骤(1)-(3)和(4)不分先后顺序。