1.一种功率器件的封装结构，包括由若干个芯片单元一(11)组成的上桥臂(1)和由若干个芯片单元二(21)组成的下桥臂(2)，所述芯片单元一(11)和芯片单元二(21)的下表面均具有集电极、上表面均具有栅极和发射极，本封装结构还包括具有铜箔层(4)的基板(3)，其特征在于，所述铜箔层(4)包括相互独立的上桥芯片焊接区(41)、下桥芯片焊接区(42)和电气端子焊接区(43)，若干个芯片单元一(11)在上桥芯片焊接区(41)中沿纵向间隔设置并且芯片单元一(11)的集电极与上桥芯片焊接区(41)连接，若干个芯片单元二(21)在下桥芯片焊接区(42)中沿纵向间隔设置并且芯片单元二(21)的集电极与下桥芯片焊接区(42)连接，每个芯片单元一(11)的发射极均与电气端子焊接区(43)电连接，每个芯片单元二(21)的发射极均与上桥芯片焊接区(41)电连接；所述铜箔层(4)还包括位于上桥芯片焊接区(41)外侧的信号端子焊接区一(44)和信号端子焊接区二(45)以及位于下桥芯片焊接区(42)外侧的信号端子焊接区三(46)和信号端子焊接区四(47)，每个芯片单元一(11)的栅极均通过连接线一(5)与信号端子焊接区一(44)电连接、发射极均通过连接线二(6)与信号端子焊接区二(45)电连接，每个芯片单元二(21)的栅极均通过连接线三(7)与信号端子焊接区三(46)电连接、发射极均通过连接线四(8)与信号端子焊接区四(47)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种功率器件的封装结构，其特征在于，所述上桥芯片焊接区(41)和下桥芯片焊接区(42)位于基板(3)上相对的两侧，所述铜箔层(4)还包括中间焊接区(48)，所述中间焊接区(48)位于上桥芯片焊接区(41)和下桥芯片焊接区(42)之间，并且中间焊接区(48)与上桥芯片焊接区(41)相连接，所述电气端子焊接区(43)位于上桥芯片焊接区(41)和中间焊接区(48)之间，每个芯片单元一(11)的发射极均通过键合线(9)与电气端子焊接区(43)连接，每个芯片单元二(21)的发射极均通过键合线(9)与中间焊接区(48)连接。
3.根据权利要求2所述的一种功率器件的封装结构，其特征在于，所述上桥芯片焊接区(41)位于基板(3)上的左侧、下桥芯片焊接区(42)位于基板(3)上的右侧，所述信号端子焊接区一(44)和信号端子焊接区二(45)均位于上桥芯片焊接区(41)的左侧，所述信号端子焊接区三(46)和信号端子焊接区四(47)均位于下桥芯片焊接区(42)的右侧。
4.根据权利要求3所述的一种功率器件的封装结构，其特征在于，所述上桥芯片焊接区(41)的前端连接有电气端子一(49)，所述电气端子焊接区(43)的前端与上桥芯片焊接区(41)连接，所述电气端子焊接区(43)的后端连接有电气端子二(401)，所述下桥芯片焊接区(42)的后端连接有电气端子三(402)。
5.根据权利要求3所述的一种功率器件的封装结构，其特征在于，所述上桥芯片焊接区(41)的前端和下桥芯片焊接区(42)的后端均连接有检测端子(403)。
6.根据权利要求1～5任一项所述的一种功率器件的封装结构，其特征在于，所述芯片单元一(11)和芯片单元二(21)为igbt或mosfet或igbt和frd组成的单元或igbt和二极管组成的单元或mosfet和frd组成的单元或mosfet和二极管组成的单元。