天线装置及电子设备的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，特别涉及一种天线装置及电子设备。


背景技术：

2.随着通信技术的发展，诸如智能手机等电子设备能够实现的功能越来越多，电子设备的通信模式也更加多样化。例如，近来电子设备逐渐可以实现近场通信(near field communication，nfc)功能。因此，如何合理地设计电子设备的nfc天线成为了难题。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种天线装置及电子设备，可以实现第一非近场通信天线的复用，从而简化nfc天线的设计。
4.本技术实施例提供一种天线装置，包括：
5.辐射体，所述辐射体包括间隔设置的接地点和第一馈电点，所述接地点接地；
6.近场通信芯片，包括第一差分信号端和第二差分信号端，所述第一差分信号端和所述第二差分信号端用于提供差分激励电流，所述第一差分信号端和所述第二差分信号端分别与所述辐射体的两端电连接，所述两端之间的部分用于传输所述差分激励电流；
7.第一非近场通信芯片，用于提供第一非近场通信激励电流，所述第一非近场通信芯片与所述第一馈电点电连接，所述第一馈电点与所述接地点之间的部分用于传输所述第一非近场通信激励电流。
8.本技术实施例还提供一种电子设备，包括：
9.天线装置，所述天线装置为上述天线装置；
10.金属边框，所述金属边框上形成有金属枝节，所述金属枝节形成所述天线装置的辐射体。
11.本技术实施例提供的天线装置中，辐射体上与第一差分信号端和第二差分信号端电连接的两端之间的部分可以作为nfc天线，例如第二馈电点与第三馈电点之间的部分可以作为nfc天线，并且第一馈电点与接地点之间的部分可以作为第一非近场通信天线，因此可以实现所述第一馈电点与所述接地点之间的部分的复用，也即实现所述第一非近场通信天线的复用，从而可以简化nfc天线的设计。
附图说明
12.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1为本技术实施例提供的电子设备的第一种结构示意图。
14.图2为本技术实施例提供的天线装置的第一种结构示意图。
15.图3为本技术实施例提供的电子设备的第二种结构示意图。
16.图4为本技术实施例提供的天线装置的第二种结构示意图。
17.图5为图2所示天线装置中的电流传输示意图。
18.图6为本技术实施例提供的天线装置的第三种结构示意图。
19.图7为本技术实施例提供的天线装置的第四种结构示意图。
20.图8为本技术实施例提供的天线装置的第五种结构示意图。
21.图9为本技术实施例提供的天线装置的第六种结构示意图。
22.图10为本技术实施例提供的天线装置的第七种结构示意图。
23.图11为本技术实施例提供的天线装置的第八种结构示意图。
24.图12为本技术实施例提供的天线装置的第九种结构示意图。
25.图13为本技术实施例提供的天线装置的第十种结构示意图。
26.图14为本技术实施例提供的电子设备的第三种结构示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.本技术实施例提供一种电子设备。所述电子设备可以是智能手机、平板电脑等设备，还可以是游戏设备、ar(augmented reality，增强现实)设备、汽车装置、数据存储装置、音频播放装置、视频播放装置、笔记本电脑、桌面计算设备等。
29.参考图1，图1为本技术实施例提供的电子设备100的第一种结构示意图。
30.电子设备100包括显示屏10、壳体20、电路板30以及电池40。
31.其中，显示屏10设置在壳体20上，以形成电子设备100的显示面，用于显示图像、文本等信息。所述显示屏10可以包括液晶显示屏(liquid crystal display，lcd)或有机发光二极管显示屏(organic light-emitting diode，oled)等类型的显示屏。
32.可以理解的，显示屏10上还可以设置盖板，以对显示屏10进行保护，防止显示屏10被刮伤或者被水损坏。其中，所述盖板可以为透明玻璃盖板，从而用户可以透过盖板观察到显示屏10显示的内容。例如，所述盖板可以为蓝宝石材质的玻璃盖板。
33.壳体20用于形成电子设备100的外部轮廓，以便于容纳电子设备100的电子器件、功能组件等，同时对电子设备内部的电子器件和功能组件形成密封和保护作用。例如，电子设备100的摄像头、电路板、振动马达都功能组件都可以设置在壳体20内部。其中，所述壳体20可以包括中框、金属边框以及电池盖。
34.所述中框可以为薄板状或薄片状的结构，也可以为中空的框体结构。中框用于为电子设备100中的电子器件或功能组件提供支撑作用，以将电子设备100的电子器件、功能组件安装到一起。例如，所述中框上可以设置通槽、凸起、通孔等结构，以便于安装电子设备100的电子器件或功能组件。可以理解的，中框的材质可以包括金属或塑胶等。
35.所述金属边框围设在所述中框的周缘，从而所述金属边框可以形成在电子设备100的外部周缘。可以理解的，所述金属边框和所述中框可以分别成型，也可以一体成型。
36.所述电池盖与所述中框连接。例如，所述电池盖可以通过诸如双面胶等粘接剂贴合到中框上以实现与中框的连接。其中，电池盖用于与所述中框、所述显示屏10共同将电子设备100的电子器件和功能组件密封在电子设备100内部，以对电子设备100的电子器件和功能组件形成保护作用。可以理解的，电池盖可以一体成型。在电池盖的成型过程中，可以在电池盖上形成后置摄像头安装孔等结构。可以理解的，电池盖的材质也可以包括金属或塑胶等。
37.电路板30设置在所述壳体20内部。例如，电路板30可以安装在壳体20的中框上，以进行固定，并通过电池盖将电路板30密封在电子设备内部。其中，电路板30可以为电子设备100的主板。其中，所述电路板30上还可以集成有处理器、摄像头、耳机接口、加速度传感器、陀螺仪、马达等功能组件中的一个或多个。同时，显示屏10可以电连接至电路板30，以通过电路板30上的处理器对显示屏10的显示进行控制。
38.电池40设置在壳体20内部。例如，电池40可以安装在壳体20的中框上，以进行固定，并通过电池盖将电池40密封在电子设备内部。同时，电池40电连接至所述电路板30，以实现电池40为电子设备100供电。其中，电路板30上可以设置有电源管理电路。所述电源管理电路用于将电池40提供的电压分配到电子设备100中的各个电子器件。
39.其中，所述电子设备100中还设置有天线装置200。所述天线装置200用于实现电子设备100的无线通信功能，例如所述天线装置200可以用于实现近场通信(near field communication，nfc)功能。所述天线装置200设置在电子设备100的壳体20内部。可以理解的，所述天线装置200的部分器件可以集成在所述壳体20内部的电路板30上，例如所述天线装置200中的信号处理芯片以及信号处理电路可以集成在所述电路板30上。此外，所述天线装置200的部分器件还可以直接设置在所述壳体20内部。例如所述天线装置200的辐射体可以直接设置在所述壳体20内部。
40.请参考图2，图2为本技术实施例提供的天线装置200的第一种结构示意图。
41.其中，所述天线装置200包括辐射体21、近场通信芯片(nfc芯片)22以及第一非近场通信芯片23。
42.所述辐射体21包括接地点21a，所述接地点21a接地。所述接地点21a可以连接至电子设备100的主地，例如连接至电路板30上的主地。
43.其中，所述接地点21a将所述辐射体21划分为两个部分，也即第一部分211和第二部分212。所述第一部分211位于所述辐射体21的一端，所述第二部分212位于所述辐射体21相对的另一端。可以理解的，所述接地点21a为电势零点，因此所述第一部分211、所述第二部分212的电势均大于0。因此，也可以理解为，所述接地点21a从电势上将所述辐射体21划分为所述第一部分211和所述第二部分212。
44.可以理解的，所述辐射体21可以为电子设备100中任意的辐射体结构。例如，所述辐射体21可以为独立设置的辐射体，可以为电路板30上的印刷线路，还可以为电子设备100的中框上形成的金属枝节，等等。所述辐射体21可以为刚性的，也可以为柔性的。所述辐射体21的材质可以包括铜、镁、铝、银等导电率较高的材质。
45.参考图3，图3为本技术实施例提供的电子设备100的第二种结构示意图。
46.其中，电子设备100包括金属边框50。所述金属边框50可以作为壳体20的一部分。所述金属边框50例如可以为铝合金边框、镁合金边框等。所述金属边框50可以围设在电子
设备100的中框的周缘。其中，所述金属边框50上形成有金属枝节51。例如，可以在所述金属边框50上间隔设置第一缝隙52和第二缝隙53，所述金属枝节51形成在所述第一缝隙52与所述第二缝隙53之间。其中，所述天线装置200的辐射体21包括所述金属枝节51。也即，所述金属枝节51形成所述辐射体21。
47.其中，可以理解的，所述金属枝节51可以形成在所述金属边框50的长边，如图3所示。在其他一些实施方式中，所述金属枝节51也可以形成在所述金属边框50的短边、拐角处等位置。
48.从而，无需在电子设备100上单独设置辐射体21，通过金属边框50即可形成所述辐射体21，从而可以简化天线的设计。
49.在本技术的描述中，需要理解的是，诸如“第一”、“第二”等术语仅用于区分类似的对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
50.继续参考图2，所述nfc芯片22可以用于提供差分激励电流。其中，所述差分激励电流包括两个电流信号。所述两个电流信号的振幅相同，并且相位相反，或者理解为所述两个电流信号的相位相差180度。此外，所述差分激励电流为平衡信号。可以理解的，模拟信号在传输过程中，如果被直接传送就是非平衡信号；如果把原始的模拟信号反相，然后同时传送反相的模拟信号和原始的模拟信号，反相的模拟信号和原始的模拟信号就叫做平衡信号。相较于非平衡信号而言，平衡信号的抗干扰性能更好。
51.所述nfc芯片22可以设置在电子设备100的电路板30上，或者也可以在电子设备100中设置一个较小的独立电路板，并将所述nfc芯片22集成到所述独立电路板上。所述独立电路板例如可以为电子设备100中的柔性电路板。
52.所述nfc芯片22包括第一差分信号端221和第二差分信号端222。例如，所述第一差分信号端221可以为所述nfc芯片22的正(+)端口，所述第二差分信号端222可以为所述nfc芯片22的负(-)端口。所述第一差分信号端221和所述第二差分信号端222用于提供所述差分激励电流。例如，所述nfc芯片22提供的差分激励电流可以经由所述第一差分信号端221输出，并经由所述第二差分信号端222回流到所述nfc芯片22中，从而形成电流回路。
53.所述第一差分信号端221和所述第二差分信号端222分别与所述辐射体21的两端电连接。其中，所述两端即为所述辐射体21相对的两端，其中一端可以为所述第一部分211所在的一端，另一端可以为所述第二部分212所在的一端。例如，所述第一差分信号端221与所述辐射体21的第一部分211电连接，所述第二差分信号端222与所述辐射体21的第二部分212电连接。从而，所述第一差分信号端221、所述第一部分211、所述第二部分212、所述第二差分信号端222可以构成信号回路，所述第一部分211和所述第二部分212可以用于传输所述差分激励电流，也即所述两端之间的部分用于传输所述差分激励电流。可以理解的，所述两端之间的部分传输所述差分激励电流时，可以向外界辐射nfc信号，从而实现电子设备100的nfc功能。因此，所述两端之间的部分可以作为nfc天线，也即所述第一部分211和所述第二部分212可以作为nfc天线，实现电子设备100的nfc功能。
54.可以理解的，所述辐射体21上可以设置供所述差分激励电流馈入的馈入点，例如所述辐射体21包括馈电点21c和馈电点21d。其中，所述馈电点21c可以记为第二馈电点，所述馈电点21d可以记为第三馈电点。所述第二馈电点21c与所述第三馈电点21d位于所述接地点21a的异侧。例如，所述第二馈电点21c可以位于所述辐射体21的一端，所述第三馈电点
21d可以位于所述辐射体21的另一端。
55.其中，所述第一差分信号端221与所述第二馈电点21c电连接，所述第二差分信号端222与所述第三馈电点21d电连接。从而，所述nfc芯片22可以通过所述第二馈电点21c和所述第三馈电点21d向所述辐射体21馈入所述差分激励电流。
56.所述第一非近场通信芯片23可以为蜂窝通信芯片、wi-fi(wireless fidelity，无线保真)芯片、gps(globalpositioning system，全球定位系统)芯片、bt(bluetooth，蓝牙)芯片中的一种，用于实现相应的通信功能。
57.所述第一非近场通信芯片23可以设置在电子设备100的电路板30上，或者也可以集成在电子设备100中的独立电路板上。所述第一非近场通信芯片23用于提供第一非近场通信激励电流。其中，所述第一非近场通信芯片23与所述辐射体21电连接。例如，所述辐射体21上还可以设置馈电点21b，所述馈电点21b可以记为第一馈电点。所述第一非近场通信芯片23与所述第一馈电点21b电连接，
58.从而，所述第一非近场通信芯片23可以通过所述第一馈电点21b向所述辐射体21馈入所述第一非近场通信激励电流。所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分可以用于传输所述第一非近场通信激励电流。可以理解的，所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分传输所述第一非近场通信激励电流时，可以向外界辐射第一非近场通信信号，从而实现电子设备100的第一非近场通信功能。因此，所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分可以作为第一非近场通信天线，实现电子设备100的第一非近场通信功能。
59.在一些实施例中，如图2所示，所述第二馈电点21c与所述第一馈电点21b位于所述接地点21a的同侧。其中，所述第二馈电点21c与所述接地点21a的距离大于所述第一馈电点21b与所述接地点21a的距离。
60.其中，需要说明的是，nfc信号的频率通常为13.56mhz，蜂窝通信信号的频率通常在700mhz以上，wi-fi信号的频率通常为2.4ghz或5ghz，gps信号的频率通常包括1.575ghz、1.227ghz、1.381ghz、1.841ghz等多个频段，bt信号的频率通常为2.4ghz。因此，相对于蜂窝通信信号、wi-fi信号、gps信号、bt信号而言，nfc信号为低频信号，而蜂窝通信信号、wi-fi信号、gps信号、bt信号均为高频信号。或者也可以理解为，nfc信号为低频信号，所述第一非近场通信信号为高频信号。
61.此外，由四分之一波长谐振原理可知，在传输无线信号时，无线信号的频率越低，天线所需的有效辐射长度越长；而无线信号的频率越高，天线所需的有效辐射长度越短。因此，设置为所述第二馈电点21c与所述接地点21a的距离大于所述第一馈电点21b与所述接地点21a的距离时，可以增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
62.在一些实施例中，参考图4，图4为本技术实施例提供的天线装置200的第二种结构示意图。
63.其中，所述第二馈电点21c与所述第一馈电点21b重合。也即，所述nfc芯片22与所述第一非近场通信芯片23共馈电点21b(或21c)。例如，当所述第一非近场通信芯片23为低频蜂窝通信芯片时，也即所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分作为低频蜂窝天线时，由于低频蜂窝天线的有效辐射长度本身较长，因此可以将低频蜂窝天线复用为nfc天线。从而，可以减少所述辐射体21上的馈电点数量，因此可以简化所述辐射体21的设计。
64.本技术实施例提供的天线装置200中，所述辐射体21上与所述第一差分信号端221
和所述第二差分信号端222电连接的两端之间的部分可以作为nfc天线，例如所述第二馈电点21c与所述第三馈电点21d之间的部分可以作为nfc天线，并且所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分可以作为第一非近场通信天线，因此可以实现所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分的复用，也即实现所述第一非近场通信天线的复用，从而可以简化nfc天线的设计。
65.参考图5，图5为图2所示天线装置200中的电流传输示意图。
66.其中，nfc芯片22提供的差分激励电流可以经由一个差分信号端(例如第一差分信号端221)输出至辐射体21的一端，例如输出至所述第一部分211所在的一端，再由所述第一部分211传输至另一端，例如传输至所述第二部分212所在的一端，最后从所述第二部分212经由另一个差分信号端(例如第二差分信号端222)回流至所述nfc芯片22，以实现所述差分激励电流的传输。
67.第一非近场通信芯片23提供的第一非近场通信激励电流经由所述第一馈电点21b输出至所述辐射体21，并传输至所述接地点21a，最终回流到地，以实现所述第一非近场通信激励电流的传输。
68.需要说明的是，在所述差分激励电流传输的过程中，当所述差分激励电流经过所述接地点21a时，一部分电流直接跨过所述接地点21a传输至所述辐射体21的另一端，例如电流i1直接由所述第二馈电点21c所在的一端跨过所述接地点21a传输至所述第三馈电点21d所在的一端；另一部分电流通过所述接地点21a回流到地，例如电流i2通过所述接地点21a回流到地；回流到地的电流中，有一部分电流又通过所述接地点21a回流到所述辐射体21上，并继续传输至所述nfc芯片22，例如一部分电流i3通过所述接地点21a回流到所述辐射体21上并继续传输。其中，电流i1可以记为第一电流，电流i2可以记为第二电流，电流i3可以记为第三电流。
69.其中，电流i1占所述差分激励电流的大部分，电流i1与电流i2之和即为所述nfc芯片22输出的差分激励电流，电流i1与电流i3之和即为最终回流到所述nfc芯片22中的差分激励电流，其中电流i3小于电流i2。也即，所述nfc芯片22输出的差分激励电流为i1和i2，而最终回流到所述nfc芯片22的差分激励电流为i1和i3。因此，所述nfc芯片22输出的差分激励电流在传输的过程中会造成部分损耗，损耗掉的电流即为i2与i3的差值。可以理解的，所述差分激励电流有损耗，即代表着所述辐射体21向外界辐射的nfc信号有损耗。
70.为了减小所述nfc芯片22输出的差分激励电流在传输过程中的损耗，可以对所述辐射体21的接地结构进行设计，以减小电流i2，最终减小电流i2与电流i3之间的差值。
71.在一些实施例中，参考图6，图6为本技术实施例提供的天线装置200的第三种结构示意图。
72.天线结构200还包括接地导体210。所述接地导体210一端与所述接地点21a连接，所述接地导体210另一端接地。例如，电子设备100包括金属中框60，所述金属中框60可以形成电子设备100的系统地。其中，所述接地导体210的另一端可以与所述金属中框60连接，以实现接地。所述接地导体210也可以理解为所述辐射体21与所述金属中框60之间的金属连筋位。可以理解的，所述接地导体210可以与所述金属中框60一体成型，例如可以通过注塑工艺一体成型。
73.所述接地导体210用于为所述第一非近场通信激励电流提供回地路径，并为部分
所述差分激励电流提供回地路径与回流路径。其中，回地路径可以理解为电流流向系统地的路径，回流路径可以理解为电流由系统地回流至所述辐射体21的路径。例如，所述接地导体210可以用于供所述第一非近场通信激励电流流向系统地，可以用于供所述差分激励电流中的第二电流i2流向系统地，以及用于供所述差分激励电流中的第三电流i3由系统地回流至所述辐射体21。
74.其中，可以理解的，所述nfc芯片22提供的差分激励电流包括所述第一电流i1、所述第二电流i2以及所述第三电流i3。所述第一电流i1流经所述辐射体21，所述第二电流i2经所述接地导体210回地，所述第三电流i3经所述接地导体210回流至所述辐射体21。其中，所述第三电流i3的电流值小于所述第二电流i2的电流值。
75.可以理解的是，所述差分激励电流在所述辐射体21上的有效电流路径大致上等于所述辐射体21的长度减去所述接地导体210的宽度。因此，所述接地导体210的宽度越大，所述差分激励电流在所述辐射体21上的有效电流路径越短，从而nfc性能衰减越多。相反地，所述接地导体210的宽度越小，所述差分激励电流在所述辐射体上的有效电流路径越长，从而对nfc性能影响越小。从另一角度，所述接地导体210的宽度越大，所述差分激励电流经所述接地导体210回地的第二电流i2越大，导致损耗越多，从而nfc性能衰减越多。相反地，所述接地导体210的宽度越小，所述差分激励电流经所述接地导体210回地的第二电流i2越小，可以有效降低损耗，从而减小所述接地导体210的设置对nfc性能的影响。可以理解，所述第二电流i2的电流值大小与所述接地导体210在所述辐射体21的延伸方向上的宽度呈正相关。也即，所述接地导体210的宽度越大，所述第二电流i2越大；反之，所述接地导体210的宽度越小，所述第二电流i2越小。
76.在一些实施例中，如图6所示，所述接地导体210上设置有通槽210a。所述通槽210a贯穿所述接地导体210。所述通槽210a将所述接地导体210分割为第一导体件210b和第二导体件210c。所述第一导体件210b和所述第二导体件210c的宽度之和小于所述接地导体210的宽度。
77.可以理解的，所述通槽210a将所述接地导体210分割为第一导体件210b和第二导体件210c，也即通过所述通槽210a将所述接地导体210设置为镂空状。从而，使得镂空所述接地导体210后形成的第一导体件210b和第二导体件210c的宽度之和小于接地导体210的宽度。在一些实施例中，所述第一导体件210b和所述第二导体件210c等宽。也即，所述第一导体件210b的宽度与所述第二导体件210c的宽度保持相等。
78.其中，所述第一导体件210b用于为所述第一非近场通信激励电流提供回地路径，并为部分所述差分激励电流提供回地路径。例如，所述第一导体件210b用于为所述第一非近场通信激励电流提供回地路径，以及用于为所述第二电流i2提供回地路径。所述第二导体件210c用于为部分所述差分激励电流提供回流路径。例如，所述第二导体件210c用于为所述第三电流i3提供回流路径。
79.可以理解的，所述通槽210a将所述接地导体210分割为第一导体件210b和第二导体件210c后，由于所述第一导体件210b用于为所述第二电流i2提供回地路径，因此所述第二电流i2的电流值大小与所述第一导体件210b的宽度呈正相关。
80.由于所述第一导体件210b和所述第二导体件210c的宽度之和小于所述接地导体210的宽度，因此所述第一导体件210b的宽度小于所述接地导体210的宽度。也即，相对于未
设置所述通槽210a而言，所述第二电流i2的回地路径的宽度减小了，因此可以减小所述第二电流i2。需要说明的是，所述第二电流i2减小时，所述第三电流i3也会等比例减小，从而可以减小所述第二电流i2与所述第三电流i3之间的差值，也即减小所述nfc芯片22提供的差分激励电流在传输过程中的损耗，从而提高nfc天线的性能。此外，在所述接地导体210上设置所述通槽210a之后，形成的所述第一导体件210b可以保证所述第一非近场通信激励电流回地，因此不会影响所述第一非近场通信激励电流的传输，也即不会影响到第一非近场通信天线的功能。以下举例实验数据：研发人员对本技术技术方案的研究中发现，当所述导体结构210上未设置所述通槽210a时，测得的nfc磁场强度为16.8526a/m；当其他条件保持不变，所述导体结构210上设置所述通槽210a时，测得的nfc磁场强度为18.133a/m。由此可见，在所述导体结构210上设置所述通槽210a后，可以提高7.6％的nfc磁场强度，也即使得nfc天线的性能提高7.6％。
81.在一些实施例中，参考图7，图7为本技术实施例提供的天线装置200的第四种结构示意图。
82.其中，所述天线装置200还包括第一柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)251。所述第一差分信号端221通过所述第一柔性电路板251与所述辐射体21电连接。例如，所述第一差分信号端221可以通过所述第一柔性电路板251与所述辐射体21的第二馈电点21c电连接。因此，所述第一柔性电路板251可以用于传输所述差分激励电流。可以理解的，所述第一柔性电路板251传输所述差分激励电流时，也可以向外界辐射nfc信号，从而可以增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
83.在一些实施例中，所述天线装置200还包括第一磁场增强体253。所述第一磁场增强体253的材质可以包括绝缘材料。例如，所述第一磁场增强体253可以包括铁氧体层，所述铁氧体层由铁氧体材料形成，所述铁氧体材料可以是具有规定含量的氧化铁、氧化铜、氧化锌以及氧化镍的镍铜锌系材料。此外，所述铁氧体材料还可以包括一些辅助材料，例如规定含量的氧化铋、氧化硅、氧化镁、氧化钴等材料。所述第一磁场增强体253可以用于增强磁场强度。
84.其中，所述第一磁场增强体253设置在所述第一柔性电路板251一侧。例如，所述第一磁场增强体253可以设置在所述第一柔性电路板251的底部，并与所述第一柔性电路板251抵接。其中，所述第一磁场增强体253可以用于增强所述第一柔性电路板251传输差分激励电流时产生的磁场的强度，从而提高nfc信号强度，进而提高nfc天线的性能。
85.在一些实施例中，参考图8，图8为本技术实施例提供的天线装置200的第五种结构示意图。
86.其中，所述天线装置200还包括第二柔性电路板252。所述第二差分信号端222通过所述第二柔性电路板252与所述辐射体21电连接。例如，所述第二差分信号端222可以通过所述第二柔性电路板252与所述辐射体21的第三馈电点21d电连接。因此，所述第二柔性电路板252可以用于传输所述差分激励电流。可以理解的，所述第二柔性电路板252传输所述差分激励电流时，也可以向外界辐射nfc信号，从而可以增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
87.在一些实施例中，所述天线装置200还包括第二磁场增强体254。所述第二磁场增强体254的材质也可以包括绝缘材料。例如，所述第二磁场增强体254也可以包括铁氧体。所
述第二磁场增强体254可以用于增强磁场强度。
88.其中，所述第二磁场增强体254设置在所述第二柔性电路板252一侧。例如，所述第二磁场增强体254可以设置在所述第二柔性电路板252的底部，并与所述第二柔性电路板252抵接。其中，所述第二磁场增强体254可以用于增强所述第二柔性电路板252传输差分激励电流时产生的磁场的强度，从而提高nfc信号强度，进而提高nfc天线的性能。
89.在一些实施例中，参考图9，图9为本技术实施例提供的天线装置200的第六种结构示意图。
90.其中，所述天线装置200还包括电路板26。所述电路板26可以为电子设备100的主电路板，例如所述电路板26可以为电子设备100的电路板30，所述电路板26也可以为电子设备100中单独设置的电路板。其中，所述电路板26上间隔设置有第一印刷线路261和第二印刷线路262。所述第一印刷线路261、所述第二印刷线路262都可以用于传输电信号。
91.所述nfc芯片22的第一差分信号端221通过所述第一印刷线路261与所述辐射体21电连接。例如，所述第一差分信号端221可以通过所述第一印刷线路261与所述辐射体21的第二馈电点21c电连接。从而，所述第一印刷线路261可以用于传输所述nfc芯片22提供的差分激励电流，以增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
92.所述nfc芯片22的第二差分信号端222通过所述第二印刷线路262与所述辐射体21电连接。例如，所述第二差分信号端222可以通过所述第二印刷线路262与所述辐射体21的第三馈电点21d电连接。从而，所述第二印刷线路262也可以用于传输所述nfc芯片22提供的差分激励电流，以增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
93.其中，需要说明的是，在其他一些实施例中，所述电路板26上可以只设置一条印刷线路，例如只设置第一印刷线路261，或者只设置第二印刷线路262，通过设置的第一印刷线路261或者第二印刷线路262传输所述差分激励电流，也可以实现增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
94.在一些实施例中，参考图10，图10为本技术实施例提供的天线装置200的第七种结构示意图。
95.其中，所述天线装置200还包括第二非近场通信芯片24。所述第二非近场通信芯片24也可以为蜂窝通信芯片、wi-fi芯片、gps芯片、bt芯片中的一种，用于实现相应的通信功能。
96.所述第二非近场通信芯片24也可以设置在电子设备100的电路板30上，或者也可以集成在电子设备100中的独立电路板上。所述第二非近场通信芯片24用于提供第二非近场通信激励电流。
97.其中，所述辐射体21还包括第四馈电点21e。所述第四馈电点21e与所述第一馈电点21b位于所述接地点21a的异侧。例如，所述第一馈电点21b位于所述第一部分211上，所述第四馈电点21e位于所述第二部分212上。
98.所述第二非近场通信芯片24与所述辐射体21电连接。例如，所述第二非近场通信芯片24可以与所述第四馈电点21e电连接。从而，所述第四馈电点21e与所述接地点21a之间的部分可以用于传输所述第二非近场通信激励电流。可以理解的，所述第四馈电点21e与所述接地点21a之间的部分传输所述第二非近场通信激励电流时，可以向外界辐射第二非近场通信信号，从而实现电子设备100的第二非近场通信功能。因此，所述第四馈电点21e与所
述接地点21a之间的部分可以作为第二非近场通信天线，实现电子设备100的第二非近场通信功能。
99.在一些实施例中，如图10所示，所述第三馈电点21d与所述第四馈电点21e位于所述接地点21a的同侧。所述第三馈电点21d与所述接地点21a的距离大于所述第四馈电点21e与所述接地点21a的距离。可以理解的，设置为所述第三馈电点21d与所述接地点21a的距离大于所述第四馈电点21e与所述接地点21a的距离时，可以增加nfc天线的有效辐射长度，从而提高nfc天线的性能。
100.在一些实施例中，参考图11，图11为本技术实施例提供的天线装置200的第八种结构示意图。
101.其中，所述第三馈电点21d与所述第四馈电点21e重合。也即，所述nfc芯片22与所述第二非近场通信芯片24共馈电点21d(或21e)。例如，当所述第二非近场通信芯片24为低频蜂窝通信芯片时，也即所述第四馈电点21e与所述接地点21a之间的部分作为低频蜂窝天线时，由于低频蜂窝天线的有效辐射长度本身较长，因此可以将低频蜂窝天线复用为nfc天线。从而，可以减少所述辐射体21上的馈电点数量，因此可以简化所述辐射体21的设计。
102.需要说明的是，在实际应用中，所述第二非近场通信芯片24与所述第一非近场通信芯片23可以为相同类型或者相同功能的芯片，例如可以都为中高频蜂窝通信芯片，用于实现中高频蜂窝通信功能；也可以为不同类型或者不同功能的芯片，所述第二非近场通信芯片24例如可以为gps芯片，用于实现gps通信，例如用于实现gps l5频段的通信，所述第一非近场通信芯片23例如可以为中高频蜂窝通信芯片，用于实现中高频蜂窝通信功能。
103.还需要说明的是，当所述天线装置200同时包括所述第一非近场通信芯片23和所述第二非近场通信芯片24时，所述第一非近场通信芯片23与所述第二非近场通信芯片24可以集成为一个芯片，并且集成的一个芯片可以同时提供所述第一非近场通信激励电流和所述第二非近场通信激励电流。
104.可以理解的，随着通信技术的发展以及5g时代的到来，诸如智能手机等电子设备上需要设置的天线越来越多，并且天线的通信频率越来越高，例如由4g通信逐渐过渡到5g通信，因此每个天线所享有的布局空间越来越少，并且每个天线的辐射长度越来越短。本技术实施例提供的天线装置200中，所述辐射体21上的第一馈电点21b与接地点21a之间的部分可以作为第一非近场通信天线，第四馈电点21e与接地点21a之间的部分可以作为第二非近场通信天线，并且所述第一馈电点21b与所述第四馈电点21e之间的部分可以复用为nfc天线，因此可以实现nfc天线同时复用所述第一非近场通信天线和所述第二非近场通信天线，从而可以增加nfc天线的辐射长度，提高nfc天线的性能。
105.此外，由于可以实现nfc天线同时复用所述第一非近场通信天线和所述第二非近场通信天线，因此无论所述辐射体21上的接地点21a的位置如何设置，也即无论所述第一非近场通信天线的辐射长度如何改变、无论所述第二非近场通信天线的辐射长度如何改变，nfc天线都可以复用所述第一非近场通信天线和所述第二非近场通信天线，而不会影响nfc天线的辐射长度，因此可以保证nfc天线的辐射长度满足nfc天线的需求，提高nfc天线的性能。
106.在一些实施例中，请参考图12，图12为本技术实施例提供的天线装置200的第九种结构示意图。
107.其中，所述天线装置200还包括第一匹配电路271、第二匹配电路272、第三匹配电路273、第一滤波电路281、第二滤波电路282、第三滤波电路283以及第四滤波电路284。可以理解的，匹配电路也可以称为匹配网络、调谐电路、调谐网络等。滤波电路也可以称为滤波网络。
108.其中，所述nfc芯片22的第一差分信号端221和第二差分信号端222通过所述第一匹配电路271分别与所述辐射体21的两端电连接。例如，所述第一匹配电路271与所述nfc芯片22的第一差分信号端221、所述nfc芯片22的第二差分信号端222、所述辐射体21的第二馈电点21c、所述辐射体21的第三馈电点21d电连接。所述第一匹配电路271用于对所述两端之间的部分传输所述差分激励电流时的阻抗进行匹配，例如用于对所述第二馈电点21c与所述第三馈电点21d之间的部分传输所述差分激励电流时的阻抗进行匹配。
109.其中，所述第一匹配电路271包括第一输入端271a、第二输入端271b、第一输出端271c、第二输出端271d。所述第一输入端271a与所述第一差分信号端221电连接，所述第二输入端271b与所述第二差分信号端222电连接，所述第一输出端271c与所述第二馈电点21c电连接，所述第二输出端271d与所述第三馈电点21d电连接。
110.所述第一滤波电路281设置在所述第一差分信号端221与所述第一输入端271a之间。所述第一滤波电路281用于滤除所述第一差分信号端221与所述第一输入端271a之间的第一干扰信号。所述第一干扰信号即为所述nfc芯片22提供的差分激励电流之外的电信号。
111.所述第二滤波电路282设置在所述第二差分信号端222与所述第二输入端271b之间。所述第二滤波电路282用于滤除所述第二差分信号端222与所述第二输入端271b之间的第二干扰信号。所述第二干扰信号即为所述nfc芯片22提供的差分激励电流之外的电信号。
112.其中，所述第一非近场通信芯片23通过所述第二匹配电路272与所述第一馈电点21b电连接。例如，所述第二匹配电路272与所述第一非近场通信芯片23、所述辐射体21的第一馈电点21b电连接。所述第二匹配电路272用于对所述第一馈电点21b与所述接地点21a之间的部分传输所述第一非近场通信激励电流时的阻抗进行匹配。
113.所述第三滤波电路283设置在所述第一非近场通信芯片23与所述第二匹配电路272之间。所述第三滤波电路283用于滤除所述第一非近场通信芯片23与所述第二匹配电路272之间的第三干扰信号。所述第三干扰信号即为所述第一非近场通信芯片23提供的第一非近场通信激励电流之外的电信号。
114.其中，所述第二非近场通信芯片24通过所述第三匹配电路273与所述第四馈电点21e电连接。例如，所述第三匹配电路273与所述第二非近场通信芯片24、所述辐射体21的第四馈电点21e电连接。所述第三匹配电路273用于对所述第四馈电点21e与所述接地点21a之间的部分传输所述第二非近场通信激励电流时的阻抗进行匹配。
115.所述第四滤波电路284设置在所述第二非近场通信芯片24与所述第三匹配电路273之间。所述第四滤波电路284用于滤除所述第二非近场通信芯片24与所述第三匹配电路273之间的第四干扰信号。所述第四干扰信号即为所述第二非近场通信芯片24提供的第二非近场通信激励电流之外的电信号。
116.其中，可以理解的，所述第一匹配电路271、所述第二匹配电路272、所述第三匹配电路273都可以包括由电容、电感的串联或者并联所组成的电路。所述第一滤波电路281、所述第二滤波电路282、所述第三滤波电路283、所述第四滤波电路284也可以包括由电容、电
感的串联或者并联所组成的电路。
117.在一些实施例中，请参考图13，图13为本技术实施例提供的天线装置的第十种结构示意图。
118.所述第一匹配电路271例如可以包括四个电容c1、c2、c3、c4。其中，电容c1与nfc芯片22的第一差分信号端221串联，电容c2与nfc芯片22的第二差分信号端222串联。电容c3与电容c4串联，并且串联之后与所述nfc芯片22并联，并且电容c3与电容c4之间接地。可以理解的，电容c1、c2、c3、c4的电容值可以根据实际需要进行设置。
119.所述第一滤波电路281例如可以包括电感l1和电容c5。其中，电感l1串联在所述第一差分信号端221与所述第一匹配电路271之间，电容c5与所述nfc芯片22并联并接地。可以理解的，电感l1的电感值、电容c5的电容值都可以根据实际需要进行设置。
120.所述第二滤波电路282例如可以包括电感l2和电容c6。其中，电感l2串联在所述第二差分信号端222与所述第一匹配电路271之间，电容c6与所述nfc芯片22并联并接地。可以理解的，电感l2的电感值、电容c6的电容值都可以根据实际需要进行设置。
121.所述第二匹配电路272例如可以包括电容c7、c8。其中，电容c7串联在所述辐射体21的第一馈电点21b与第一非近场通信芯片23之间，电容c8与所述第一非近场通信芯片23并联并接地。可以理解的，电容c7、c8的电容值可以根据实际需要进行设置。
122.所述第三滤波电路283例如可以包括电感l3和电容c9。其中，电感l3串联在第一非近场通信芯片23与所述第二匹配电路272之间，电容c9与所述第一非近场通信芯片23并联并接地。可以理解的，电感l3的电感值、电容c9的电容值都可以根据实际需要进行设置。
123.所述第三匹配电路273例如可以包括电容c10、c11。其中，电容c10串联在所述辐射体21的第四馈电点21e与第二非近场通信芯片24之间，电容c11与所述第二非近场通信芯片24并联并接地。可以理解的，电容c10、c11的电容值可以根据实际需要进行设置。
124.所述第四滤波电路284例如可以包括电感l4和电容c12。其中，电感l4串联在第二非近场通信芯片24与所述第三匹配电路273之间，电容c12与所述第二非近场通信芯片24并联并接地。可以理解的，电感l4的电感值、电容c12的电容值都可以根据实际需要进行设置。
125.在一些实施例中，请参考图14，图14为本技术实施例提供的电子设备100的第三种结构示意图。
126.电子设备100还包括摄像头模组70。所述摄像头模组70可以用于拍照、摄像等。其中，所述摄像头模组70可以设置在所述电子设备100的电路板或者中框上进行固定。
127.其中，所述nfc芯片22提供的差分激励电流的电流路径环绕所述摄像头模组70。所述差分激励电流的电流路径即为所述nfc芯片22提供的差分激励电流经由一个差分信号端输出、流经所述辐射体21、最终回流至所述nfc芯片22的另一个差分信号端的电流路径。例如，所述电流路径可以包括由所述nfc芯片22的第一差分信号端221、所述辐射体21、所述nfc芯片22的第二差分信号端222所形成的电流路径。
128.如图14所示，其中nfc ic即为所述nfc芯片22，ic 1即为所述第一非近场通信芯片23，ic 2即为所述第二非近场通信芯片24，m1即为所述第一匹配电路271，m2即为所述第二匹配电路272，m3即为所述第三匹配电路273。
129.以上对本技术实施例提供的天线装置及电子设备进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本
申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。