显示装置的制作方法

一个或多个实施例涉及一种显示装置，并且特别是一种可以防止元件被静电损害的显示装置。

背景技术：

施加到显示装置上的静电可能流入显示面板。流入显示面板的静电可能致使冲击被施加到显示面板的元件诸如显示面板中的薄膜晶体管上。冲击可能对显示面板造成缺陷，这导致显示装置的图像质量劣化。

技术实现要素：

一个或多个实施例包括一种可以防止元件被静电损害的显示装置。然而，一个或多个实施例仅仅是示例，且本公开的范围不限于此。

其他方面将在随后描述中被部分地阐述，并且部分地将从描述中明显看出，或者可以通过实践本公开提出的实施例而获悉。

根据一个或者多个示例性实施例，一种显示装置包括具有显示区域和非显示区域的第一基底。在非显示区域内第一基底包括导电线。第二基底面对第一基底并且与第一基底间隔开。导电层设置在第一基底与第二基底之间。导电层在垂直于第一基底的顶表面的方向上与第一基底间隔开。导电层与导电线至少部分重叠并且导电层电浮置。

导电层可以包括透明导电层，透明导电层布置在面对第一基底的第二基底的整个表面上。

导电层可以和导电线形成第一电容器，并且存储流入导电层的静电。

显示装置可以进一步包括布置在第一基底的非显示区域内的虚设导线，虚设导线在平行于第一基底的顶表面的方向上与导电线间隔开，并布置在导电线外侧。

虚设导线可以布置在非显示区域的驱动电路单元外侧。

虚设导线可以连接到虚设焊盘，接地电压被施加到虚设焊盘。

显示装置可以进一步包括像素，像素布置在第一基底的显示区域内并且包括显示元件，显示元件包括第一电极、第二电极和发射层。第二电极面对第一电极，并且发射层布置在第一电极和第二电极之间。

在第一基底的非显示区域内，虚设导线可以电连接到所述导电线之中的与显示元件的第二电极接触的电源线。

在第一基底的非显示区域内，虚设导线可以沿着第一基底的至少一边延伸。

导电层可以在垂直于第一基底的表面的方向上与虚设导线重叠，并且

导电层可以与虚设导线形成第二电容器，并且存储在第二电容器的静电通过虚设导线释放。

根据一个或者多个实施例，显示装置包括基底，基底包括显示区域和非显示区域的。在非显示区域内基底包括导电线。薄膜封装层覆盖基底。导电层设置在薄膜封装层上，并且在垂直于基底的顶表面方向上与导电线间隔开。导电层与导电线至少部分重叠并且导电层电浮置。

导电层可以包括布置在薄膜封装层的整个表面上的透明导电层。

导电层可以和导电线形成第一电容器，并且存储流入导电层的静电。

显示装置可以进一步包括布置在第一基底的非显示区域内的虚设导线，虚设导线在平行于基底的顶表面的方向上与导电线间隔开，并且设置在导电线外侧。薄膜封装层不覆盖虚设导线。

虚设导线可以连接到虚设焊盘，接地电压被施加到虚设焊盘。

显示装置可以进一步包括像素，像素布置在基底的显示区域内，像素包括显示元件，显示元件包括第一电极、第二电极和发射层。第二电极面对第一电极，并且发射层布置在第一电极和第二电极之间。

在基底的非显示区域内，虚设导线可以电连接到所述导电线之中的与显示元件的第二电极接触的电源线。

虚设导线可以布置在非显示区域的驱动电路单元外侧。

导电层可以在垂直于基底的一个表面的方向上与虚设导线重叠，并且存储在第二电容器的静电通过虚设导线释放。

显示装置可以进一步包括在导电层上的滤色器。

根据一个或者多个示例性实施例，一种制造显示装置的方法包括形成包括显示区域和非显示区域的下基底。导电线和虚设导线在非显示区域中形成。导电线和虚设导线在平行于下基底的顶表面的方向上彼此间隔开。上基底面对下基底形成，并与下基底间隔开。电浮置导电层形成于下基底和上基底之间。至少一个静电电容器形成于上基底和下基底之间。至少一个静电电容器选自由电浮置导电层和导电线形成的第一电容器和由电浮置导电层和虚设导线形成的第二电容器。

附图说明

本发明构思的某些示例性实施例的以上及其他方面、特征和优点，将从以下结合附图进行的描述中更明显，其中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的透视图；

图2至图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的沿图1的线i-i’截取的截面图；

图5是根据本发明构思的示例性实施例示出的显示面板的一部分的俯视图；

图6是根据本发明构思的示例性实施例的像素；

图7和图8是根据本发明构思的示例性实施例示出的滤色器的一部分的截面图；

图9是根据本发明构思的示例性实施例的均示于图8中的第一颜色转换层和第二颜色转换层以及透射层的放大截面图；

图10是根据本发明构思的示例性实施例显示的导电层的静电保护功能的截面图；

图11至图13是根据本发明构思的其他示例性实施例的显示装置沿图1中的线i-i’截取的截面图；

图14至图15是根据本发明构思的示例性实施例示出的图11至图13的显示面板的一部分的俯视图；

图16是根据本发明构思的示例性实施例示出的图11至图13的显示面板的一部分的俯视图和放大视图；

图17是根据本发明构思的示例性实施例显示的导电层和虚设导线的静电保护功能的截面图；并且

图18是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板的一部分的截面图。

具体实施方式

由于本公开允许各种改变和多个实施例，因此在附图中示出了特定实施例，并且在书面描述中详细描述了特定实施例。从如下描述结合随附附图公开本发明构思的各种示例性实施例的详细描述，本公开的效果和特征以及实现所述效果和特征的方法对于本领域技术人员将变得明白易懂。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中陈述的示例性实施例。

在下文中，将参照随附附图详细描述本发明构思的示例性实施例。在本公开的描述中，当认为现有技术的某些详细说明可能不必要地模糊本公开的本质时，省略了对所述现有技术的某些详细说明。在整个附图的描述中，相同的附图标记表示相同的元件。

将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件上时，其可以直接或间接地形成在另一层、区域或元件上。例如，可以存在中间层、中间区域或中间元件。为了便于解释，附图中的元件的尺寸可能被放大。换句话说，为了便于说明而任意地示出了附图中元件的尺寸和厚度，并且以下实施例不限于此。

将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接到”或“耦合到”另一层、区域或元件时，其可以“直接连接或耦合”到另一层、区域或元件，或者通过两者之间的中间元件“间接连接到”另一层、区域或元件。例如，当层、区域或元件被称为电“连接到”或“耦合到”另一层、区域或元件时，它可以“直接电连接或耦合”到另一层、区域或元件，或者通过两者之间的中间元件“间接电连接到”另一层、区域或元件。

当某示例性实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的工艺顺序不同。例如，连续描述的两个工艺可以基本同时进行或以与所描述的顺序相反的顺序进行。

将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“所述”也意味着包括复数形式，除非上下文另外明确指出。将进一步理解的是，当本文中使用术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”指定元件的存在时，并不排除一个或多个其他元件的存在或增加，除非另有说明。

如本文中所使用的，当导线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，导线可以沿第一方向或者第二方向以直线形式延伸，或者以之字形式或弯曲形式延伸。

当使用表达“在平面上”时，这表示从物体上方观察物体的情况。当使用表达“在截面上”时，这表示从物体的侧面观察在垂直于物体的方向上截取的物体的截面的情况。如本文中所使用的，术语“重叠”是指“在平面上”和/或“在截面中”重叠。

将进一步理解，除非另外说明，否则信号通常是指电压或电流。如本文中所使用的，用于表示电容器的参考标记“c”不仅表示电容器，而且还表示电容器大小的电容值。例如，c1是表示电容器的参考标记，并且还表示电容器的大小的电容值。另外，制造的电容器和自然形成的电容器都表示为电容器。

图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的一部分的透视图。图2至图4是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的沿图1的线i-i’截取的截面图。

参考图1，根据示例性实施例的显示装置1包括其中发射光线的显示区域da和其中不发射光线的非显示区域nda。非显示区域nda布置为在显示区域da的周围围绕显示区域da。例如，如图1中所示，非显示区域nda可以在x方向和/或y方向上围绕显示区域da。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。非显示区域nda可以包括传送(或者提供)电信号给显示区域da和驱动电路单元的各种导线/导电线。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域da中的多个像素发出的光提供预定图像。显示装置1的非显示区域nda的部分区域可以包括弯曲区域，弯曲区域被配置为弯曲。

显示装置1可以包括有机发光显示装置、无机发光显示装置(或者无机电致发光(el)显示装置)、量子点发光显示装置等。以下，有机发光显示装置被描述为显示装置1的示例。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。显示装置1可以被实施为诸如手机、笔记本电脑、智能手表等各种类型的电子装置。

如图2至图4中所示，显示装置1可以分别包括显示面板10a、10b、或10c。显示面板(分别在图2至图4中的10a、10b和10c)包括基底100以及密封基底100的封装件(分别在图2至图4中的300a、300b和300c)。基底100和封装件300a、300b、300c依次堆叠在垂直于基底100的顶表面的z方向上，基底100的顶表面在x方向和y方向上延伸。

基底100可以包括玻璃材料或聚合树脂。例如，基底100可以包括具有二氧化硅(sio2)作为主要成分的玻璃材料、或者各种柔性或可弯曲材料，诸如强化塑料。基底100的非显示区域nda的一部分可以包括被配置为弯曲的弯曲区域。

像素层pxl可以布置在基底100上。像素层pxl可以包括显示元件层dpl和像素电路层pcl。显示元件层dpl包括布置在每一个像素内的显示元件。像素电路层pcl包括都布置在每一个像素内的像素电路pc(如图6中所示)和绝缘层。显示元件层dpl布置在像素电路层pcl上。多个绝缘层可以布置在像素电路pc和显示元件之间。像素电路层pcl的一些导电线和绝缘层可以延伸到非显示区域nda。

参考图2，封装件300a可以包括封装基底340和密封剂350。基底100可以通过密封剂350耦接到封装基底340。封装基底340可以包括透明材料。例如，封装基底340可以包括诸如玻璃材料、塑料材料诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亚胺等各种材料。基底100可以包括与封装基底340的材料相同或者不同的材料。密封剂350可以在平面图中(例如在x方向和y方向上)围绕显示区域da。由基底100、封装基底340和密封剂350所限定的空间可以从外侧密封，从而防止外界水分或者杂质的渗透。填充材料可以布置在像素层pxl和封装基底340之间。填充材料可以包括选自可光固化环氧基材料和丙烯酸酯基材料中的至少一种材料。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。

在另一示例性实施例中，如图3中所示，封装件300b可以包括薄膜封装层。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在显示装置1包括基底100和包括薄膜封装层的封装件300b的实施例中，基底100可以包括聚合树脂，且封装件300b可以包括无机封装层和为显示装置1提供增加柔性的有机封装层。

在图4中所示的示例性实施例中，滤色器500可以进一步被提供在封装件300c之上，封装件300c包括薄膜封装层。例如，滤色器500可以在z方向上直接设置在导电层400上。在示例性实施例中，滤色器500可以与封装件300c分开形成，并随后耦接到封装件300c。滤色器500可以包括滤色器基底和在滤色器基底上的多个滤色器层。在示例性实施例中，考虑到从每一个像素发出的光的颜色，滤色器层可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或者染料。可替代地，除了以上描述的颜料或者染料之外，滤色器500可以进一步包括量子点。可替代地，一些滤色器500可以不包括以上描述的颜料或者染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射粒子。在另一示例性实施例中，滤色器500可以直接形成在封装件300c上。例如，滤色器500可以在形成封装件300c的工艺执行之后形成。在此实施例中，滤色器基底可以省略。滤色器500也可以通过使用密封剂耦接到封装件300c。

显示面板10a、10b和10c包括作为静电保护件的导电层400。导电层400被配置为保护显示区域da的像素p和/或非显示区域nda中的驱动电路单元不被从外侧流入的静电所损害。

如图2的示例性实施例中所示，导电层400可以(例如，在z方向上)提供在封装基底340的底表面上。例如，导电层400的顶表面可以(例如，在z方向上)直接设置在封装基底340的底表面上。导电层400的底表面可以(例如，在z方向上)面对像素层pxl并可以与密封剂350直接接触。可替代地，如图3的示例性实施例中所示，导电层400的底表面可以(例如，在z方向上)直接设置在封装件300b的整个顶表面上。如图4的示例性实施例中所示，导电层400可以被提供在滤色器500和封装件300c之间。在示例性实施例中，导电层400可以被提供作为滤色器500的一个元件。例如，导电层400可以(例如在z方向上)布置在滤色器500的滤色器基底的面对基底100的整个底表面上，并且(例如在z方向上)耦接到封装件300c的上部。在另一示例性实施例中，在形成封装件300c的工艺执行之后，导电层400可以整个形成在封装件300c上。此后，滤色器500可以形成在导电层400上或者耦接到导电层400的上表面。

导电层400可以包括透明导电层。透明导电层可以包括导电金属材料。导电金属材料可以包括：例如，透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化锡(to)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)等。透明导电层可以包括透明导电树脂。透明导电树脂可以包括：例如，氧化铟锡(ito)粉末和亚克力(ito粉末+亚克力)的化合物、导电环氧树脂等。

导电层400可以是不电连接到单独的电压源和/或电流源的电浮置导电层。因此，电浮置导电层400不从显示装置1的电压源或电流源接受电压和/或电流。

显示装置1可以进一步包括在封装件300a、300b或300c上的触摸屏、偏振片和窗户或者类似物。例如，导电层400可以被提供在基底100和触摸屏、偏振片或窗户之间。可替代地，导电层400可以被提供在封装件300b或300c与触摸屏、偏振片或窗户之间。

图5是根据示例性实施例示出的显示面板10a、10b或10c的一部分的俯视图。图6是根据本发明构思的示例性实施例示出的像素p的示意图。

参考图5，基底100可以包括显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以沿着基底100的第一边100a、第二边100b、第三边100c和第四边100d围绕显示区域da。然而，在其他示例性实施例中，显示区域da和非显示区域nda可以具有各种不同的形状。此外，非显示区域nda可以设置在不同数量的边上。

多个像素p可以被提供在基底100上。多个像素p可以在x方向(例如行方向)和y方向(例如列方向)上按预定的图案布置。

参考图6，像素p包括像素电路pc和显示元件。像素电路pc连接到扫描线sl和数据线dl并且显示元件连接到像素电路pc。尽管图6中所示的示例性实施例包括连接到像素电路pc的一条扫描线sl和一条数据线dl，但是，在其他示例性实施例中，可以多个扫描线sl和/或数据线dl连接到像素电路pc。像素电路pc可以包括至少一个晶体管和电容器cst。显示元件可以包括有机发光二极管oled。

像素电路pc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2和电容器cst。每一个像素p可以通过有机发光二极管oled发射例如红色、绿色、蓝色或白色光。第一晶体管t1和第二晶体管t2可以实施为薄膜晶体管。

第二晶体管t2是开关晶体管，且可以连接到扫描线sl和数据线dl。根据从扫描线sl输入的扫描信号，第二晶体管t2可以将从数据线dl输入的数据信号提供到第一晶体管t1。电容器cst连接到第二晶体管t2和电源电压线pl。电容器cst可以存储电压，所述电压对应于与第二晶体管t2提供的数据信号对应的电压和供应给电源电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差值。

第一晶体管t1是驱动晶体管，且可以连接到电源电压线pl和电容器cst。第一晶体管t1可以对应于电容器cst存储的电压值，控制从电源电压线pl流到有机发光二极管oled的电流的驱动。

有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管oled可以包括像素电极、相对电极和发射层，发射层在像素电极和相对电极之间。有机发光二极管oled的相对电极可以接收第二电源电压elvss。

在图6中所示的示例性实施例中，像素电路pc包括两个晶体管t1和t2和一个电容器cst。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，根据像素电路pc的设计，晶体管的数量和电容器的数量可以进行各种修改。

参考回图5，扫描驱动器1100、数据驱动器1200和主电源线(例如图18中所示的电极电源线420等)可以布置在基底100上非显示区域nda中。扫描驱动器1100提供扫描信号给每一个像素p，数据驱动器1200提供数据信号给每一个像素p，并且主电源线被配置为提供第一电源电压elvdd和第二电源电压elvss。第一电源电压elvdd可以与第二电源电压elvss不同。第二电源电压elvss可以低于第一电源电压elvdd。例如，第一电源电压elvdd可以为正电压，并且第二电源电压elvss可以为负电压或者接地电压。多个信号焊盘sp可以布置在基底100上非显示区域nda中。信号焊盘sp可以连接到数据线dl。例如，如图5中所示，信号焊盘sp可以布置在基底100的与基底100的第四边100d相邻的非显示区域nda中。

扫描驱动器1100可以包括氧化物半导体薄膜晶体管(tft)栅极驱动电路(osg)或者非晶硅tft栅极驱动电路(asg)。图5示出了其中扫描驱动器1100布置为与基底100的第一边100a相邻。然而，在其他示例性实施例中，扫描驱动器1100可以布置为与基底100的第一边100a和第二边100b分别相邻。

图5示出了薄膜覆晶(cof)方法，在所述方法中，数据驱动器1200布置在膜1300上，膜1300电连接到基底100上的信号焊盘sp。在另一示例性实施例中，数据驱动器1200可以通过使用玻璃覆晶(cog)法或者塑料覆晶(cop)法直接布置在基底100上(例如，相邻于基底100的第三边100c或第四边100d)。数据驱动器1200可以电连接到柔性印刷电路板(fpcb)。

图7和图8是根据示例性实施例示出的滤色器500a和500b的部分的截面图。

参考图7和图8，滤色器500a和500b可以包括滤色器基底510和滤色器层530。

滤色器基底510没有被特别限定。例如，滤色器基底510可以包括绝缘材料，诸如玻璃、塑料、晶体等。滤色器基底510可以包括例如有机聚合物材料，诸如聚碳酸酯(pc)、pet、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、聚砜(psf)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、三乙酸纤维素(tac)、环烯烃聚合物(cop)、环烯烃共聚物(coc)等。滤色器基底510可以基于特性选择，所述特性包括机械性能、热稳定性、透明度、表面平滑度、易处理、抗水性等。

滤色器层530可以是包括颜料或者染料的有机图案。滤色器层530可以包括第一滤色器层530a、第二滤色器层530b和第三滤色器层530c。第一滤色器层530、第二滤色器层530b和第三滤色器层530c可以布置成至少与显示元件(例如，在垂直于滤色器基底510的顶表面的方向上)重叠，从而选择性地透射显示元件发射的光中的预定颜色的光。阻光件520可以布置在第一滤色器层530、第二滤色器层530b和第三滤色器层530c之间。

阻光件520可以布置成与布置在显示元件之间的像素限定层重叠。因此，阻光件520可以防止光在显示区域da中被发射在其中布置阻光件520的区域内。因此，阻光件520防止光的泄漏。在其中阻光件520是黑色的示例性实施例中，阻光件520可以包括黑色矩阵。当阻光件520是白色的，阻光件520可以包括有机绝缘材料诸如白色树脂等。阻光件520可以包括不透明的无机绝缘材料诸如氧化铬(crox)或氧化钼(moox)，或者包括不透明的有机绝缘材料诸如黑色树脂等。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。

参考图8，滤色器500b可以进一步包括第一颜色转换层550、第二颜色转换层560和透射层570。

第一颜色转换层550被布置成与第一滤色器层530a(例如，在垂直于滤色器基底510的顶表面的方向上)重叠。例如，如图8中所示，第一颜色转换层550的底表面可以直接设置在第一滤色器层530a的顶表面上。第一颜色转换层550将入射光lib转换成第一颜色的光lr，从而朝向滤色器基底510发射第一颜色的光lr。例如，第一颜色转换层550可以包括由入射光lib激发的第一量子点，从而发射具有长于入射光lib的波长的波长的第一颜色的光lr。

第二颜色转换层560被布置成与第二滤色器层530b(例如，在垂直于滤色器基底510的顶表面的方向上)重叠。例如，如图8中所示，第二颜色转换层560的底表面可以直接设置在第二滤色器层530b的顶表面上。第二颜色转换层560将入射光lib转换成第二颜色的光lg，从而朝向滤色器基底510发射第二颜色的光lg。第二颜色转换层560可以包括由入射光lib激发的第二量子点，从而发射具有长于入射光lib的波长的波长的第二颜色的光lg。

透射层570被布置成与第三滤色器层530c重叠。例如，如图8中所示，透射层570的底表面可以直接设置在第三滤色器层530c的顶表面上。透射层570透射第三颜色的光lb。因此，透射层570接收第三颜色的入射光lib并且朝向滤色器基底510发射第三颜色的光lb。

至少一个隔离墙540可以进一步在水平方向上(例如，在平行于滤色器基底510的顶表面的方向上)位于第一颜色转换层550、第二颜色转换层560和透射层570之间。每一个隔离墙540可以布置在与阻光件520(例如，在垂直于滤色器基底510的顶表面的方向上)重叠的位置。隔离墙540可以包括与阻光件520的材料相同的材料。隔离墙540可以与第一颜色转换层550、第二颜色转换层560和透射层570的侧表面接触。隔离墙540可以防止从第一颜色转换层550发射的第一颜色的光lr泄漏至第二颜色转换层560或者透射层570。隔离墙540可以防止从第二颜色转换层发射的第二颜色的光lg泄漏至第一颜色转换层550或者透射层570漏出。隔离墙540可以防止从透射层570发射的第三颜色的光lb到达第一颜色转换层550或者第二颜色转换层560。

阻光件520和隔离墙540可以防止从显示元件发射的部分光入射到相邻像素区域内的第一颜色转换层550或第二颜色转换层560或者透射层570上。相应地，由于可以防止像素区域之间的颜色混合，从而提高了颜色匹配率和颜色再现性被提高，并且改善了光效率。因此，功耗可以被减少。

滤色器500a和500b可以进一步包括提供平坦的上表面的平坦化层590。如图7中所示，平坦化层590可以布置在滤色器基底510之上，以覆盖滤色器层530和阻光件520。例如，平坦化层590可以直接设置在滤色器层530和阻光件520的顶表面上。在图8中，平坦化层590可以布置在滤色器基底510之上，以覆盖第一颜色转换层550和第二颜色转换层560以及透射层570。例如，平坦化层590可以直接设置在第一颜色转换层550、第二颜色转换层560、透射层570和隔离墙540的顶表面上。平坦化层590可以是透明的。平坦化层590可以包括含有诸如氮化硅(sinx)和/或氧化硅(siox)的无机材料的单一层或者多个层。在另一示例性实施例中，平坦化层590可以包括透明有机材料，诸如聚酰亚胺树脂、亚克力树脂、阻抗材料等。平坦化层590可以通过使用诸如狭缝涂布法、旋转涂布法等湿法工艺或者诸如化学气相沉积法、真空沉积法等干法工艺形成。然而，本示例性实施例不限于以上描述的形成平坦化层590的方法和材料。例如，在一些示例性实施例中，平坦化层590可以省略。

图9是图8的第一颜色转换层550和第二颜色转换层560以及透射层570的放大截面图。

参考图9，第一颜色转换层550将蓝色的入射光lib转换为第一颜色的光lr。例如，第一颜色可以是红色。第一颜色转换层550可以包括第一光敏聚合物551，第一量子点552和第一散射粒子553被分散在第一光敏聚合物551中。

第一量子点552可以被蓝色的入射光lib所激发，从而各向同性地发射第一颜色的光lr，第一颜色的光lr具有长于蓝色的入射光lib的波长的波长。第一光敏聚合物551可以是具有光透过率的有机材料。第一散射粒子553散射没有被第一量子点552吸收的蓝色的入射光lib，以激发多个第一量子点552，以提高第一颜色转换层550的颜色转换率。第一散射粒子553可以包括例如二氧化钛(tio2)或者金属粒子。第一量子点552的核可以包括选自ii-vi族化合物材料、iii-v族化合物材料、iv-vi族化合物材料、iv族元素、iv族化合物材料、和其组合中的至少一种材料。

第二颜色转换层560把蓝色的入射光lib转换为第二颜色的光lg。例如，第二颜色可以是绿色。第二颜色转换层560可以包括第二光敏聚合物561，第二量子点562和第二散射粒子563被分散在第二光敏聚合物561中。

第二量子点562可以被蓝色的入射光lib激发，从而各向同性地发射第二颜色的光lg，第二颜色的光lg具有长于蓝色的入射光lib的波长的波长。第二光敏聚合物561可以包括具有光透过率的有机材料。第二光敏聚合物561可以包括与第一光敏聚合物551相同的材料。第二散射粒子563散射没有被第二量子点562吸收的蓝色的入射光lib，以激发更多的第二量子点562，从而提高第二颜色转换层560的颜色转换率。第二散射粒子563可以包括例如tio2或者金属粒子。第二散射粒子563可以包括与第一散射粒子553相同的材料。在示例性实施例中，第二量子点562的核可以包括选自ii-vi族化合物材料、iii-v族化合物材料、iv-vi族化合物材料、iv族元素、iv族化合物材料、和其组合中的至少一种材料。第二量子点562可以包括与第一量子点552相同的材料。在本实施例中，第二量子点562的尺寸可以小于第一量子点552的尺寸。

透射层570可以透射蓝色的入射光lib，从而朝向滤色器基底510发射蓝色光lb。透射层570可以包括第三光敏聚合物571，第三散射粒子573被分散在第三光敏聚合物571中。第三光敏聚合物571可以包括具有光透过率的有机材料，诸如硅树脂、环氧树脂等。第三光敏聚合物571可以包括与第一光敏聚合物551和第二光敏聚合物561相同的材料。第三散射粒子573可以通过散射蓝色的入射光lib来发射蓝色光lb。第三散射粒子573可以包括与第一散射粒子553和第二散射粒子563相同的材料。

ii-vi族化合物材料可以选自由下述至少一种材料构成的组，所述至少一种材料选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，所述二元化合物选自由硒化镉(cdse)、碲化镉(cdte)、硫化锌(zns)、硒化锌(znse)、碲化锌(znte)、氧化锌(zno)、硫化汞(hgs)、硒化汞(hgse)、碲化汞(hgte)、硒化镁(mgse)、硫化镁(mgs)及其混合物构成的组；所述三元化合物选自由硫化银铟(agins)、硫化铜铟(cuins)、硫硒化镉(cdses)、硒碲化镉(cdsete)、碲化硫镉(cdste)、硫化锌硒(znses)、硒碲化锌(znsete)、碲硫化锌(znste)、硫化汞硒(hgses)、碲化汞硒(hgsete)、碲硫化汞(hgste)、硫化镉锌(cdzns)、硒化镉锌(cdznse)、碲化镉锌(cdznte)、硫化镉汞(cdhgs)、硒化镉汞(cdhgse)、碲化镉汞(cdhgte)、硫化汞锌(hgzns)、硒化汞锌(hgznse)、碲化汞锌(hgznte)、硒化镁锌(mgznse)、硫化镁锌(mgzns)及其混合物构成的组；所述四元化合物选自由硫碲化汞锌(hgzntes)、硫硒化镉锌(cdznses)，碲化镉锌硒(cdznsete)、碲硫化镉锌(cdznste)、硫化镉汞硒(cdhgses)、碲化镉汞硒(cdhgsete)、碲硫化镉汞(cdhgste)、硫化汞锌硒(hgznses)、碲化汞锌硒(hgznsete)、碲硫化汞锌(hgznste)及其混合物构成的组。

iii-v族化合物材料可以选自由下述至少一种材料构成的组，所述至少一种材料选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，所述二元化合物选自由氮化镓(gan)、磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)、锑化镓(gasb)、氮化铝(aln)、磷化铝(alp)、砷化铝(alas)、锑化铝(alsb)、氮化铟(inn)、磷化铟(inp)、砷化铟(inas)、锑化铟(insb)及其混合物构成的组；所述三元化合物选自由磷氮化镓(ganp)、砷氮化镓(ganas)、锑氮化镓(gansb)、砷磷化镓(gapas)、锑磷化镓(gapsb)、磷氮化铝(alnp)、砷氮化铝(alnas)、锑氮化铝(alnsb)、砷磷化铝(alpas)、锑磷化铝(alpsb)、磷化铟镓(ingap)、磷氮化铟(innp)、砷氮化铟(innas)、锑氮化铟(innsb)、砷磷化铟(inpas)、锑磷化铟(inpsb)及其混合物构成的组；所述四元化合物选自由磷氮化镓铝(gaalnp)、砷氮化镓铝(gaalnas)、锑氮化镓铝(gaalnsb)、砷磷化镓铝(gaalpas)、锑磷化镓铝(gaalpsb)、磷氮化镓铟(gainnp)、砷氮化镓铟(gainnas)、锑氮化镓铟(gainnsb)、砷磷化镓铟(gainpas)、锑磷化镓铟(gainpsb)、磷氮化铟铝(inalnp)、砷氮化铟铝(inalnas)、锑氮化铟铝(inalnsb)、砷磷化铟铝(inalpas)、锑磷化铟铝(inalpsb)及其混合物构成的组。

iv-vi族化合物材料可以选自由下述至少一种材料构成的组，所述至少一种材料选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，所述二元化合物选自由硫化锡(sns)、硒化锡(snse)、碲化锡(snte)、硫化铅(ii)(pbs)、硒化铅(pbse)、碲化铅(pbte)及其混合物构成的组；所述三元化合物选自由硫化锡硒(snses)、碲化锡硒(snsete)、硫碲化锡(snste)、硫化铅锡(pbses)、碲化铅锡(pbsete)、碲硫化铅(pbste)、硫化锡铅(snpbs)、硒化锡铅(snpbse)、碲化锡铅(snpbte)及其混合物构成的组；所述四元化合物选自由硒硫化锡铅(snpbsse)、碲化锡铅硒(snpbsete)、碲硫化锡铅(snpbste)及其混合物构成的组。iv族元素可以选自由硅(si)、锗(ge)及其混合物构成的组。iv族化合物材料可以是二元化合物，所述二元化合物选自由碳化硅(sic)、硅锗(sige)及其混合物构成的组。

在此示例性实施例中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以在粒子中以均匀浓度存在，或者被分成不同的浓度密度状态并存在于同一粒子中。此外，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以具有核/壳结构，在核/壳结构中，一个量子点围绕另一个量子点。核和壳之间的界面可以包括浓度梯度，壳中存在的元素的浓度以所述浓度梯度逐渐减少。

在一些示例性实施例中，量子点可以具有核-壳结构，核-壳结构包括具有纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作保护层，以通过防止核的化学改性来维持半导体特性，并且/或者可以用作充电层，以为量子点提供电泳特性。壳可以包括单一层或者多个层。核和壳之间的界面可以包括浓度梯度，壳中存在的元素的浓度朝向中心以所述浓度梯度逐渐减少。量子点的壳的示例可以包括：金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物、或其组合。

例如，金属氧化物或非金属氧化物可以包括选自二元化合物或三元化合物的至少一种化合物，所述二元化合物诸如二氧化硅(sio2)、氧化铝(al2o3)、二氧化钛(tio2)、氧化锌(zno)、氧化锰(ii)(mno)、氧化锰(iii)(mn2o3)、氧化锰(ii，iii)(mn3o4)、氧化铜(cuo)、氧化铁(ii)(feo)、氧化铁(iii)(fe2o3)、氧化铁(ii，iii)(fe3o4)、氧化钴(ii)(coo)、氧化钴(ii,iii)(co3o4)、氧化镍(nio)等，所述三元化合物诸如铝酸镁(mgal2o4)、氧化钴铁(cofe2o4)、氧化镍(ii)铁(iii)(nife2o4)、氧化钴-锰(comn2o4)等。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。

此外，在示例性实施例中，半导体化合物可以包括硫化镉(cds)、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、硫碲化锌(zntes)、gaas、gap、gasb、硫化汞(ii)(hgs)、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。

量子点可以具有半最大值全宽度(fwhm)为大约45nm或更小，大约40nm或更小，或者大约30nm或更小的光发射波长光谱。在此范围内，颜色纯度或者色域可以提高。此外，由于通过量子点发射的光以全方位发射，所以光视角可以增加。

此外，量子点可以具有相关领域中通常使用的形式，而没有特别限定。然而，在一些示例性实施例中，量子点可以具有圆形、锥形、多臂或立方体的纳米粒子，纳米管，纳米导线，纳米纤维，纳米板粒子等的形状。

量子点可以根据粒子尺寸调整发射光的颜色。因此，量子点可以具有诸如蓝色、红色、绿色等各种颜色的发射光。

图10是根据示例性实施例显示的导电层400的静电保护功能的截面图。

参考图10，自上板up产生的静电es可以存储在设置在上板up和下板lp之间的静电电容器ce中。在示例性实施例中，下板lp可以是图2至图4所示的基底100。上板up可以是例如图2的封装基底340，耦接到图3的导电层400的上部的触摸屏、偏振片或窗户，图4的滤色器500的滤色器基底，或者耦接到滤色器500的上部的触摸屏、偏振片或窗户。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。

静电电容器ce可以由布置在z方向上彼此间隔开的导电层400和像素电路层pcl形成。例如，静电电容器ce可以由导电层400和布置在像素电路层pcl的非显示区域nda中的至少一个导电线(例如，电源线或连接到驱动电路单元的驱动电压线等)形成。当静电流入显示装置1时，基于静电的电势被施加在浮置的导电层400上。导电层400和布置在像素电路层pcl的非显示区域nda中的导电线之间的电势差可以存储在静电电容器ce中。例如，导电层400可以分散导电层400中的静电，并且在静电电容器ce中存储静电。

如果静电被施加到非显示区域nda中的驱动电路单元或者显示区域da的像素p，电路元件诸如薄膜晶体管等可能被损害，或者导线外围可能被烧毁。因此，可能发生诸如静电造成的短路问题，由此导致图像质量差。

在示例性实施例中，因为静电被存储在设置在上板up和下板lp之间的静电电容器ce中，所以可以防止静电流入非显示区域nda和显示区域da。因此由于静电对驱动电路单元和像素p的损害可以被消除。

图11至图13是根据本发明构思的其他示例性实施例的显示装置1的沿图1的线i-i’截取的截面图；图14至图16是示出了图11至图13的显示面板10a'、10b'或10c'的一部分的示意图。在下文中，以上参考图2至图10在前提供的元件的描述被省略。

参考图11至图13，虚设导线(dummywire)190可以进一步作为静电保护件分别布置在图11至图13的显示面板10a'、10b'和10c'中的基底100的非显示区域nda中。例如，显示装置1可以包括作为第一静电保护件的导电层400和作为第二静电保护件的虚设导线190，从而防止静电损害基底100上的电路元件。

如参照图2的示例性实施例在前描述的，图11中所示的显示面板10a'包括封装基底340和密封剂350，密封剂350从外侧密封由基底100、封装基底340和密封剂350限定的空间。在图11的示例性实施例中，虚设导线190可以设置在密封剂350和基底100的侧边缘(lateraledge)之间的每一个侧边(lateralside)上。

图12的显示面板10b'包括封装件300b，封装件300b包括如参照图3的示例性实施例在前描述的薄膜封装层。导电层400设置在封装件300b上。虚设导线190可以设置在封装件300b和基底100的侧边缘之间的每一个侧边上。在示例性实施例中，触摸屏、偏振片或窗户等可以耦接到导电层400的上部。

图13的显示面板10c'包括提供在封装件300c之上的滤色器500，封装件300c包括如参照图4的示例性实施例在前描述的薄膜封装层。虚设导线190可以设置在封装件300c和基底100的侧边缘之间的每一个侧边上。在示例性实施例中，触摸屏、偏振片或窗户等可以耦接到滤色器500的上部。

参考图14，虚设导线190可以包括第一虚设导线191和第二虚设导线192。第一虚设导线191可以在y方向上沿基底100的第一边100a的边缘延伸。第二虚设导线192在y方向上沿着面对基底100的第一边100a的基底100的第二边100b的边缘延伸。第一虚设导线191和第二虚设导线192可以布置在基底100的最外部。例如，第一虚设导线191可以布置在扫描驱动器1100外侧，诸如通过定位成比扫描驱动器1100更靠近所述基底100的第一边100a的边缘。驱动器驱动导线可以布置在扫描驱动器1100外侧(例如，更靠近基底100的第一边100a的边缘)并且驱动器驱动导线施加信号(例如，时钟信号、驱动信号等)到扫描驱动器1100。第一虚设导线191可以布置在驱动器驱动导线外侧(例如，更靠近基底100的第一边100a的边缘)并且与驱动器驱动导线(例如，在x方向上)间隔开。

第一虚设导线191和第二虚设导线192可以各自连接到虚设焊盘dp，虚设焊盘dp相邻于基底100的第四边100d布置。虚设焊盘dp可以通过虚设连接导线193电连接到柔性电路板fpcb上的接地焊盘gp。虚设连接导线193可以提供在膜1300上，数据驱动器1200布置在膜1300上。例如，在图14的示例性实施例中，第一虚设导线191和第二虚设导线192连接到单独的虚设焊盘dp，虚设焊盘dp设置成接近对着膜1300的上侧边缘。单独的虚设连接导线193将每一个单独的虚设焊盘dp连接到单独的接地焊盘gp，接地焊盘gp设置成接近对着膜1300的下侧边缘。第一虚设导线191和第二虚设导线192从虚设焊盘dp在x方向和y方向上延伸到非显示区域nda的下部，然后分别沿第一边100a和第二边100b的边缘延伸。

流自外侧的静电可以通过虚设导线190(例如，第一虚设导线191和第二虚设导线192)和虚设连接导线193放电。由此，可以防止静电流入非显示区域nda，以使驱动电路单元和像素p不被损害。

如图14中所示，虚设导线190可以分成第一虚设导线191和第二虚设导线192，并布置在基底100的外部。可替代地，在图15中所示的示例性实施例中，虚设导线190可以沿着基底100的第一边100a、第二边100b和第三边100c的边缘以连续的形式延伸。图15中所示的虚设导线190的每一端连接到单独的虚设焊盘dp，虚设焊盘dp设置成接近对着膜1300的上侧边缘。虚设导线190可以通过虚设连接导线193和接地焊盘gp放静电。图15显示虚设导线190是单一的导线。然而，如图16中所示，可以提供多条单独的虚设导线190。例如，如图16中所示，多条虚设导线190可以沿着基底100的第一边100a和第二边100b的边缘延伸，并且可以布置在x方向上。在图16中所示的示例性实施例中，两条虚设导线190沿着第一边100a的边缘延伸，并且两条虚设导线190沿着基底100的第二边100b的边缘延伸。每一条虚设导线190可以连接到单独的虚设焊盘dp，虚设焊盘dp设置成接近对着膜1300的上侧边缘。单独的虚设焊盘dp可以布置在x方向上。在另一示例性实施例中，如图16的放大区域a'中所示，每一边上的多条虚设导线190在节点n处连接到在此边上的其他虚设导线，并且连接到所述节点n的单一的虚设导线190'可以连接到单一的虚设焊盘dp。

图17是根据示例性实施例显示的导电层400和虚设导线190的静电保护功能的截面图。

参考图17，由上板up产生的静电es可以存储在上板up和下板lp之间的静电电容器。在示例性实施例中，下板lp可以是图11至图13中所示的基底100。上板up可以是例如图11的封装基底340，耦接到图12的导电层400的上部的触摸屏、偏振片或窗户，图13的滤色器500的滤色器基底，或者耦接到图13的滤色器500的上部的触摸屏、偏振片或窗户。

静电电容器可以包括第一静电电容器ce1和第二静电电容器ce2。第一静电电容器ce1由布置为在z方向上彼此间隔开的导电层400和像素电路层pcl形成。第二静电电容器ce2由导电层400和虚设导线190形成。当静电流入显示装置1时，基于静电的电势施加到导电层400。导电层400和布置在像素电路层pcl的非显示区域nda中的导电线之间的电势差可以随后存储在第一静电电容器ce1中，和/或，导电层400和虚设导线190之间的电势差可以存储在第二静电电容器ce2中。导电层400可以分散导电层400中的静电，并且将静电存储在静电电容器ce1和ce2中。存储在第二静电电容器ce2中的静电可以通过接地单元(例如，图14的接地焊盘gp)释放。此外，下板lp中产生的静电可以从虚设导线190和接地单元放电。由此，在示例性实施例中，因为静电存储在静电电容器ce1和ce2中和/或被释放，所以可以防止静电流入非显示区域nda和显示区域da。因此，可以防止对于驱动电路单元和像素p的损害。

图14至图17示出了其中虚设导线190连接到接地焊盘gp从而释放静电的示例性实施例。然而，在另一实施例中，虚设导线190可以电连接到像素电路层pcl的非显示区域nda中布置的导电线。低于接地电压或静电电压的电压可以施加到连接到虚设导线190的导电线。例如，虚设导线190可以电连接到电极电源线420(如图18中所示)或驱动电压线等。电极电源线420提供第二电源电压elvss给像素p，且驱动电压线提供驱动电压给扫描驱动器1100。驱动电压可以是低于接地电压或第二电源电压elvss的负电压。虚设导线190可以通过连接至此的导电线释放静电。

图18是根据本发明构思的示例性实施例的显示面板10a'、10b'或10c'的一部分的截面图。图18可以对应于图13中所示的显示区域da和非显示区域nda的一部分的放大截面图。

参考图18，基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。基底100可以包括多个层。例如，如图18的放大截面图中所示，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。例如，第一阻挡层102可以直接设置在第一基体层101上。第二基体层103可以直接设置在第一阻挡层102上。第二阻挡层104可以直接设置第二基体层103上。

第一基体层101和第二基体层103均可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、pen、pet、聚苯硫醚(pps)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(tac)、乙酸丙酸纤维素(cap)等。第一基体层101和第二基体层103可以包括透明聚合物树脂。

第一阻挡层102和第二阻挡层104是配置为防止外界外来物质渗透的阻挡层。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括含有诸如氮化硅或者氧化硅的无机材料的单一层或者多个层。

缓冲层110可以布置在基底100上。缓冲层110被提供以防止杂质渗透进入薄膜晶体管的半导体层。例如，缓冲层110可以直接设置在基底100上。缓冲层110可以包括无机材料，诸如氮化硅或者氧化硅。缓冲层110可以包括单一层或者多个层。

第一薄膜晶体管tft1和电连接到第一薄膜晶体管tft1的有机发光二极管210可以布置在基底100的显示区域da中。有机发光二极管210与第一薄膜晶体管tft1的电连接可以对应于像素电极211与第一薄膜晶体管tft1的电连接。第一薄膜晶体管tft1可以是图6的第一晶体管t1。

第一薄膜晶体管tft1可以包括半导体层111、栅电极113、源电极115a和漏电极115b。半导体层111可以包括氧化物半导体材料。半导体层111可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。栅电极113可以布置在半导体层111之上。栅电极113可以包括例如选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种材料。栅电极113可以包括单一层的或多个层的结构。

栅绝缘层120可以布置在半导体层111和栅电极113之间，以确保半导体层111和栅电极113之间的绝缘。例如，栅绝缘层120可以直接设置在半导体层111上。栅绝缘层120可以包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。层间绝缘层130可以布置在栅电极113上。层间绝缘层130可以被提供具有单一层的或多层的结构，所述结构包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。

源电极115a和漏电极115b可以布置在层间绝缘层130上。例如，源电极115a和漏电极115b可以直接设置在层间绝缘层130上。源电极115a和漏电极115b可以分别通过层间绝缘层130和栅绝缘层120中的接触孔电连接到半导体层111。源电极115a和漏电极115b可以包括例如选自al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和cu中的至少一种材料。源电极115a和漏电极115b可以具有单一层的或多层的结构。

可以布置覆盖第一薄膜晶体管tft1的保护层以保护第一薄膜晶体管tft1等。保护层可以包括例如无机材料，诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。保护层可以包括单一层或者多个层。

平坦化层140可以布置在保护层上。平坦化层140可以平坦化覆盖第一薄膜晶体管tft1的保护层的上表面。平坦化层140可以包括有机绝缘材料，诸如：通用聚合物诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或者聚苯乙烯(ps)、包含苯酚基团的聚合物衍生物、亚克力基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、或其组合。图18显示平坦化层140包括单一层。然而，平坦化层140可以包括多个层。在平坦化层140包括多个层的示例性实施例中，平坦化层140可以进行各种修改。显示面板10a、10b或10c可以既包括保护层也包括平坦化层140。可替代地，显示面板10a、10b或10c可以根据需要仅包括平坦化层140。

有机发光二极管210可以布置在基底100的显示区域da中平坦化层140上。例如，有机发光二极管210可以直接设置在平坦化层140上。有机发光二极管210包括像素电极211、相对电极215、以及布置在像素电极211和相对电极215之间的中间层213。中间层213包括发射层。

在平坦化层140中，可以存在接触孔。接触孔暴露第一薄膜晶体管tft1中的源电极115a和漏电极115b中的至少一个电极。像素电极211可以布置在平坦化层140上。例如，像素电极211可以直接设置在平坦化层140上。像素电极211通过接触孔接触源电极115a和漏电极115b之一，以电连接到第一薄膜晶体管tft1。像素电极211可以是(半)透明电极或反射电极。在其中像素电极211是(半)透明电极的示例性实施例中，像素电极211可以包括例如ito、izo、zno、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。在其中像素电极211是反射电极的示例性实施例中，像素电极211可以包括：由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或其化合物形成的反射层以及包括ito、izo、zno、in2o3、igo或azo的层。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。像素电极211可以包括各种材料或者具有单一层的或者多层的结构。由此，像素电极211可以进行各种修改。

像素限定层150可以布置在平坦化层140上。例如，像素限定层150可以直接设置在平坦化层140上。像素限定层150可以包括对应于每一个像素的开口。例如，开口可以暴露像素电极211的至少中心部分，从而限定像素。此外，像素限定层150通过增加像素电极211的边缘和布置在像素电极211之上的相对电极215之间的距离，来防止在像素电极211的边缘处的电弧等的发生。像素限定层150可以包括有机材料，诸如pi、六甲基二硅氧烷(hmdso)等。

有机发光二极管210的中间层213包括发射层。发射层可以包括发射预定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在示例性实施例中，中间层213可以包括布置在发射层之下的第一功能层和/或布置在发射层上方的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括一体布置在多个像素电极211之上的层。可替代地，第一功能层和/或第二功能层可以包括与多个像素电极211中的每一个电极对应地图案化的层。

第一功能层可以包括单一层或者多个层。例如，当第一功能层包括聚合物材料时，第一功能层可以具有包括空穴传输层(htl)的单一层的结构，并包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)或聚苯胺(pani)。当第一功能层包括低分子量有机材料时，第一功能层可以包括空穴注入层(hil)和htl。

第二功能层可以省略。例如，当第一功能层和发射层包括聚合物材料时，可以提供第二功能层以提高有机发光二极管210的特性。第二功能层可以包括单一层或者多个层。第二功能层可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。

相对电极215可以一体布置在显示区域da和非显示区域nda之上。相对电极215可以对应多个有机发光二极管210一体形成，以面对像素电极211。相对电极215可以是(半)透明电极或反射电极。在其中相对电极215是(半)透明电极的示例性实施例中，相对电极215可以包括具有低功函数的金属。例如，包括具有低功函数的金属的相对电极215可以包括：包括li、ca、氟化锂钙(lif/ca)、氟化锂铝(lif/al)、al、ag、mg或其化合物的层，以及包括ito、izo、zno或in2o3等的(半)透明导电层。在其中相对电极215是反射电极的示例性实施例中，相对电极215可以包括：包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg或其化合物的层。然而，相对电极215的组合物和材料不限于此，可以进行各种修改。

电极电源线420可以位于非显示区域nda中，并且可以传输预设的电信号给相对电极215。电极电源线420可以包括与显示区域da中的各种导电层的材料相同的材料。在示例性实施例中，当各种导电层形成在显示区域da中时，电极电源线420可以同时形成。在图18中所示的示例性实施例中，电极电源线420位于非显示区域nda中在层间绝缘层130上。在此实施例中，电极电源线420与形成于显示区域da中的第一薄膜晶体管tft1的源电极115a和漏电极115b使用相同材料并同时形成于层间绝缘层130上。相应地，电极电源线420可以具有与源电极115a和漏电极115b相同的结构。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，电极电源线420可以与栅绝缘层120上的栅电极113使用相同的材料同时形成。由此，可以进行各种修改。

相对电极215可以与电极电源线420不直接接触，但是通过导电层422电连接到电极电源线420。暴露电极电源线420的开口可以布置在平坦化层140中。例如，平坦化层140上的导电层422可以延伸到被开口暴露的电极电源线420，以电连接到电极电源线420。相应地，相对电极215可以与非显示区域nda中的导电层422接触，并且导电层422可以与非显示区域nda中的电极电源线420接触。

导电层422可以位于平坦化层140上，并且由与显示区域da中的位于平坦化层140上的元件相同的材料形成。在其中显示区域da中的像素电极211形成在平坦化层140上的示例性实施例中，导电层422可以由与平坦化层140上的像素电极211相同的材料形成，并且与非显示区域nda中的像素电极211同时形成。相应地，导电层422可以具有与像素电极211相同的结构。导电层422可以不被平坦化层140覆盖。导电层422可以覆盖电极电源线420的暴露部分。通过这样做，当第一坝610或者第二坝620形成时，可以防止设置在电极电源线420上的导电层422对电极电源线420造成损害。

为了防止杂质诸如外界的氧或水分等通过平坦化层140渗透入显示区域da中，平坦化层140可以在非显示区域nda中具有开口140b。导电层422和相对电极215可以完全覆盖开口140b。通过这样做，当杂质渗入非显示区域nda中的平坦化层140时，可以有效地防止杂质渗透非显示区域nda中的平坦化层140。

在基底100的非显示区域nda中，可以布置第二薄膜晶体管tft2。例如，在示例性实施例中，第二薄膜晶体管tft2可以是驱动电路单元(例如，扫描驱动器1100等)的一部分，所述驱动电路单元配置为控制施加到显示区域da的电信号。第二薄膜晶体管tft2可以包括半导体层112、栅电极114、源电极116a和漏电极116b。第二薄膜晶体管tft2可以通过使用与第一薄膜晶体管tft1相同的工艺形成。相应地，第二薄膜晶体管tft2的详细描述在此处省略。图18显示第二薄膜晶体管tft2布置(例如，在x方向上)在平坦化层140的开口140b和电极电源线420之间。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，第二薄膜晶体管tft2可以布置在显示区域da和平坦化层140的开口140b之间。

封盖层160可以布置在相对电极215上。例如，封盖层160可以直接设置在相对电极215上。封盖层160可以覆盖相对电极215并(例如，在x方向上)延伸至相对电极215的外侧并且接触相对电极215之下的导电层422。封盖层160可以覆盖显示区域da并延伸到非显示区域nda。封盖层160可以包括选自sio2、sinx、过氧化锌(zno2)、tio2、二氧化锆(zro2)、ito、izo、三-8-羟基喹啉铝(alq3)、酞菁铜(cupc)、4,4′-双(n-咔唑)-1,1′-联苯(cbp)、n,n′-二(萘-1-基)-n,n′-二苯基-联苯胺(a-npb)和二氧化锆(zio2)中的至少一种有机材料或者无机材料。

封盖层160可以提高产生自有机发光二极管210的光的效率。例如，封盖层160可以改善向外侧提取光的效率。由封盖层160完成的效率改善可以在显示区域da中均匀进行。因此，封盖层160可以(例如，在z方向上)具有上表面，所述上表面对应于封盖层160之下的一个层的上表面的曲线。例如，封盖层160可以直接设置相对电极215上，并且封盖层160的上表面可以具有对应于相对电极215的上表面的曲线的形状。

薄膜封装层300可以位于封盖层160上。薄膜封装层300保护有机发光二极管210免受外界的水分、氧等损害。薄膜封装层300可以在显示区域da和非显示区域nda中延伸。薄膜封装层300可以具有多层的结构。薄膜封装层300可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层330。

第一无机层310可以覆盖封盖层160，并且包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。因为第一无机层310沿着第一无机层310之下的结构布置，所以第一无机层310的上表面可以不是平坦的。

有机层320可以覆盖第一无机层310并且具有足够的厚度。例如，有机层320可以直接设置在第一无机层310上。例如，在z方向上，有机层320的上表面可以在整个显示区域da之上基本平坦。有机层320可以包括选自由pen、pc、pi、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和hmdso构成的组的至少一种材料。

第二无机层330可以覆盖有机层320并且包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。例如，第二无机层330可以直接设置在有机层320上。第二无机层330可以(例如，在x方向上)延伸到有机层320的外侧以接触第一无机层310，使得有机层320被第一无机层310和第二无机层330密封，并且不向外侧暴露。

因为薄膜封装层300被形成为具有多层的结构，即使当薄膜封装层300中发生裂缝，所述裂缝也可以在第一无机层310和有机层320之间不彼此连接或者在有机层320和第二无机层330之间不彼此连接。这防止或者最小化了外界的水分、氧等进入显示区域da中的路径的形成。

当薄膜封装层300形成时，定位在薄膜封装层300之下的结构可能被损害。例如，当第一无机层310形成时，直接布置在第一无机层310之下的层可能被损害。相应地，为了防止当薄膜封装层300形成时封盖层160的损害，保护层170可以布置在封盖层160和薄膜封装层300之间。例如，保护层170可以直接设置在封盖层160上。保护层170可以包括氟化锂(lif)。保护层170可以延伸到封盖层160的外侧，以便封盖层160不与薄膜封装层300直接接触。在此实施例中，保护层170可以覆盖封盖层160的一端，并且保护层170的一端位于平坦化层140上。在平坦化层140上，保护层170的一端可以与导电层422直接接触。

作为薄膜封装层300最下层的第一无机层310与包括无机材料的层的接合力，大于第一无机层310与包括有机材料的层的接合力。相应地，当封盖层160包括有机材料时，因为包括诸如氟化锂的无机材料的保护层170与第一无机层310之间的接合力大于封盖层160与第一无机层310之间的接合力，所以薄膜封装层300与薄膜封装层300之下的层之间可以保持大的接合力。因此，在制造过程或者制造之后的使用过程中，可以有效地防止或者最小化薄膜封装层300与所述薄膜封装层300之下的层的分层。

当有机层320形成时，有机层320的材料可以被限制到预定的区域。如图18的示例性实施例中所示，第一坝610可以在非显示区域nda中形成以限制有机层320。第一坝610可以具有多层的结构。第一坝610可以包括在z方向上布置的第一层611、第二层613和第三层615。第一层611可以由与平坦化层140相同的材料形成且与平坦化层140同时形成。第二层613可以由与像素限定层150相同的材料形成且与像素限定层150同时形成。第三层615可以包括与像素限定层150相同的材料。可替代地，第三层615可以是通过单独的工艺形成的有机材料层或无机材料层。

第二坝620可以(例如，在x方向上)位于第一坝610和开口140b之间。第二坝620可以位于电极电源线420上的导电层422的一部分处。例如，第二坝620可以直接设置在导电层422的一部分上。第二坝620可以具有多层的结构。在示例性实施例中，第二坝620可以包括比第一坝610少的层。在此示例性实施例中，相对于基底100，第二坝620可以短于第一坝610。第二坝620可以包括在z方向上布置的第一层623和第二层625。第一层623可以由与像素限定层150相同的材料形成且与像素限定层150同时形成。第二层625可以包括与像素限定层150相同的材料。然而，在其他示例性实施例中，第二层625可以是通过使用单独的工艺形成的有机材料层或者无机材料层。

第一无机层310可以布置成覆盖第二坝620和第一坝610，并且延伸到第一坝610的外侧。例如，第一无机层310可以直接设置在第二坝620的第二层625和第一坝610的第三层615上。第一无机层310上的有机层320的位置可以被第二坝620限制。因此，可以防止有机层320的材料(例如，在z方向上)溢流到第二坝620的外侧。此外，即使当有机层320的材料部分溢流到第二坝620的外侧，因为有机层320的位置被第一坝610限制，所以可以防止有机层320的材料在朝向基底100的边缘的方向上移动。

防裂坝630可以位于非显示区域nda中。防裂坝630可以沿着基底100的边缘的至少一部分延伸。例如，防裂坝630可以具有围绕显示区域da的形状。在一些区段(section)中，防裂坝630可以具有不连续的形状。

防裂坝630可以具有不同的形状。防裂坝630可以由与显示区域da中的元件相同的材料形成且与该元件同时形成。可替代地，防裂坝630可以具有多层的结构。图18显示防裂坝630具有包括两个层的结构。防裂坝630可以包括下层和上层。在示例性实施例中，下层包括与栅绝缘层120相同的材料，且上层包括与栅绝缘层120上的层间绝缘层130相同的材料。防裂坝630可以位于缓冲层110上。例如，防裂坝630可以直接设置在缓冲层110上。然而，在其他示例性实施例中，防裂坝630可以位于缓冲层110之下的层。在此实施例中，防裂坝630可以包括含有与缓冲层110相同的材料的层。可以提供多个防裂坝630替代一个防裂坝630，并且多个防裂坝630(例如，在x方向上)彼此间隔开。

防裂坝630是通过去除栅绝缘层120和层间绝缘层130的一部分而形成的。因此，如图18中所示，转移防止槽632通过去除栅绝缘层120和层间绝缘层130的一部分形成在防裂坝630的至少一侧。防裂坝630可以包括均与转移防止槽632相邻的栅绝缘层120和层间绝缘层130的剩余部分。例如，如图18中所示，两个转移防止槽632形成在防裂坝630的(例如，在x方向上的)每一个侧边上。

防裂坝630可以被覆盖层650覆盖。覆盖层650可以由与平坦化层140相同的材料形成且与平坦化层140同时形成。覆盖层650可以是包括有机材料的层，其覆盖包括无机材料的防裂坝630。覆盖层650可以填充转移防止槽632并覆盖防裂坝630。

如图7至图8中所述的滤色器500可以位于薄膜封装层300之上。

导电层400可以位于薄膜封装层300和滤色器500之间。例如，导电层400可以(例如，在z方向上)布置在滤色器500的整个底表面上，以与基底100的显示区域da和非显示区域nda重叠。导电层400可以在z方向上与基底100的非显示区域nda中的导电线(例如，电极电源线420)间隔开，从而与导电线形成配置为存储静电的电容器。如图18中所示，导电层400与密封剂350重叠，并且导电层400的一部分与虚设导线190重叠。导电层400可以进一步与虚设导线190形成配置为存储静电的电容器。在另一示例性实施例中，导电层400可以不与密封剂350重叠。导电层400可以(例如，在x方向上)仅布置在密封剂350内部并且不与虚设导线190重叠。

图18显示了导电层400(例如，在z方向上)布置在滤色器500的底表面上。然而，在另一示例性实施例中，导电层400可以布置在薄膜封装层300的整个上表面上。导电层400可以具有与导电层400之下的薄膜封装层300的上表面的曲面相对应的上表面。因此，薄膜封装层300上的导电层400的上表面可以具有对应于薄膜封装层300的上表面的曲面的形状。在此实施例中，导电层400也可以在z方向上与基底100的非显示区域nda中的导电线(例如，电极电源线420)间隔开，从而与导电线形成配置为存储静电的电容器。

密封剂350可以布置在非显示区域nda中。密封剂350可以位于比防裂坝630的位置更靠外的位置。例如，密封剂350可以在x方向上位于防裂坝630外侧。密封剂350可以在平面图中(例如，在平行于基底100的顶表面的方向上)围绕显示区域da。密封剂350可以将基底100接合到滤色器500。由基底100、滤色器500和密封剂350限定的空间可以被从外侧密封，从而防止外界水分和杂质的渗透。填充材料可以布置在基底100和滤色器500之间的空间内。填充材料可以包括选自可光固化环氧基材料和丙烯酸酯基材料中的至少一种材料。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。

在示例性实施例中，密封剂350可以包括玻璃料(frit)或环氧树脂等。玻璃料可以是具有sio2等为主要原料的糊状物，并且可以包括激光束或红外光吸收材料、有机粘结剂、或者配置为减少热膨胀系数的填料等。呈糊状的玻璃料可以经历干燥和烧结工艺，以便有机粘结剂和水分从玻璃料中去除并且使玻璃料硬化。激光束或红外光吸收材料可以包括过渡金属氧化物。玻璃料可以通过激光等硬化，从而形成密封剂350。

在基底100的非显示区域nda中，虚设导线190可以进一步布置在密封剂350外侧。虚设导线190可以沿着基底100的至少一边延伸。虚设导线190可以电连接到接地电压源(例如，图14的接地焊盘gp)、电极电源线420或者驱动电压线，所述驱动电压线配置为提供驱动电压给扫描驱动器1100。虚设导线190可以与导电层400重叠。可替代地，虚设导线190可以不与导电层400重叠。

尽管已经相对于具体的方向(例如，x方向，y方向和z方向)描述了本发明构思的示例性实施例，但是在不脱离本发明构思的范围的情况下所述方向可以改变。

根据本发明构思的示例性实施例，可以对显示面板的非显示区域和显示区域中的电路元件进行静电保护。因此，可以防止显示装置中的缺陷。

尽管已经参照本公开的示例性实施例特别显示和描述了本公开，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如本公开所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种修改。