一种磁场发生装置及可施加磁场的透射电子显微镜样品杆的制作方法

文档序号:23165663发布日期:2020-12-04 13:58阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生装置上设有磁场发生端面,所述的磁场发生端面的厚度为100纳米至280微米,所述的厚度为平行于电子束方向的尺寸。

2.根据权利要求1所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生装置设有气隙,所述的磁场发生装置形成所述的气隙的相对的两端面均为所述的磁场发生端面;所述的气隙的宽度为50纳米至50微米,所述的宽度为垂直于电子束方向的尺寸。

3.根据权利要求2所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生端面的厚度为20微米,所述的气隙的宽度为3微米。

4.根据权利要求2所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生装置包括软磁材料铁芯及线圈,所述的线圈绕在所述的软磁材料铁芯上,所述的软磁材料铁芯上设有所述的气隙。

5.根据权利要求4所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的软磁材料铁芯为“回”字形结构,所述的气隙开设在所述的软磁材料铁芯的一边上,所述的线圈缠绕在所述的软磁材料铁芯气隙所在边之外的边上。

6.根据权利要求5所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的软磁材料铁芯的上下两侧均设有非磁性支撑片,所述的非磁性支撑片也为“回”字形结构,所述的非磁性支撑片与所述的气隙相对应的位置处设有狭缝,所述的狭缝的宽度大于所述的气隙的宽度,所述的软磁材料铁芯的两端部分别露置在所述的非磁性支撑片的两端部外;所述的线圈缠绕在铁芯上下两侧的所述的非磁性支撑片外。

7.根据权利要求5所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的软磁材料铁芯的两个端部的端面的部分凸伸分别形成凸起,所述的气隙设于两个所述的凸起之间。

8.根据权利要求4所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的软磁材料铁芯对称地设有两个,两个所述的软磁材料铁芯外均缠绕有所述的线圈;两个所述的软磁材料铁芯的端部的端面之间形成所述的气隙。

9.根据权利要求2所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生装置包括两个超导体线圈,两个所述的超导体线圈的端部之间形成所述的气隙。

10.根据权利要求1所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生装置包括一个软磁材料铁芯,所述的软磁材料铁芯外绕有线圈;所述的软磁材料铁芯的端面为所述的磁场发生端面。

11.根据权利要求1所述的磁场发生装置,其特征在于:所述的磁场发生装置包括一个超导体线圈,所述的超导体线圈的端部的侧面为所述的磁场发生端面。

12.一种可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,包括杆身及杆头,所述的杆头设于所述的杆身的一端,其特征在于:所述的杆头设有如权利要求1至11任何一项所述的磁场发生装置。

13.根据权利要求12所述的可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,其特征在于:所述的杆头上设有凹槽,所述的磁场发生装置通过压板将其压装在所述的凹槽内,所述的气隙与外界相连通。

14.根据权利要求13所述的可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,其特征在于:所述的杆头包括支撑架及连接部,所述的支撑架的一端连接在所述的连接部上,所述的凹槽设于所述的支撑架的另一端上;所述的凹槽靠近所述的连接部的一侧设有开口;所述的气隙露置在所述的开口外。

15.根据权利要求14所述的可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,其特征在于:所述的杆身内设有样品装载组件,所述的样品装载组件能作三维方向运动,所述的样品装载组件一端固定有细针,细针的针尖能伸入所述的气隙内。

16.根据权利要求14所述的可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,其特征在于:所述的样品装载组件包括针管、压电陶瓷管及细针。所述的针管的一端与所述的压电陶瓷管连接,所述的压电陶瓷管的另一端与所述细针连接,所述的细针的另一端用于固定电镜样品。

17.根据权利要求16所述的可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,其特征在于:所述的杆身的另一端设有手柄,所述的手柄内设有三维微调滑台,所述的针管的另一端连接在所述的三维微调滑台上;所述的针管中部的外壁上设有密封圈,所述的密封圈能在所述的杆身的内壁中滑动。


技术总结
本发明公开了一种磁场发生装置,所述的磁场发生装置上设有磁场发生端面,所述的磁场发生端面的厚度为100纳米至280微米,所述的厚度为平行于电子束方向的尺寸;此结构的磁场发生装置能产生0T‑1.5T的稳定匀强磁场。及一种可施加磁场的透射电子显微镜样品杆,包括杆身及杆头,所述的杆头设于所述的杆身的一端,所述的杆头设有上所述的磁场发生装置;该透射电子显微镜样品杆的磁场发生装置把能够产生的磁场的最大值提高到1.5T,并且这个磁场能够施加在电镜样品上同时使样品高质量成像。

技术研发人员:夏卫星;焦如波;贺爱娜;王明坤;肖尧;张健
受保护的技术使用者:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
技术研发日:2020.05.27
技术公布日:2020.12.04
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