1.一种led阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供载体基板，所述载体基板包括用于承载tft阵列的第一区域和用于承载led发光晶片的第二区域；
在所述第二区域内形成用于承载led发光晶片的凸起结构；
在所述第一区域内形成tft阵列，所述凸起结构的表面高于所述tft阵列的表面；
在所述凸起结构上形成金属焊盘，所述金属焊盘与所述tft阵列中的源极或漏极电连接，所述金属焊盘用于电连接所述led发光晶片的电极；
在所述tft阵列上形成缓冲层，所述缓冲层用于吸收固定所述led发光晶片过程中对所述tft阵列产生的压力。
2.根据权利要求1所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第二区域内形成用于承载led发光晶片的凸起结构，包括：
在所述载体基板上形成牺牲层；
去除部分所述牺牲层，在所述第二区域内形成用于承载led发光晶片的凸起结构。
3.根据权利要求2所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，去除部分所述牺牲层，在所述第二区域内形成用于承载led发光晶片的凸起结构，包括：
在所述牺牲层上形成掩模层；
去除部分所述掩模层，在所述第二区域内形成掩模图案；
对所述牺牲层进行刻蚀，去除未被所述掩模图案覆盖的部分牺牲层；
去除所述掩模图案，得到用于承载led发光晶片的凸起结构。
4.根据权利要求1所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第一区域内形成tft阵列，包括：
在所述载体基板上形成栅极；
在所述栅极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层延伸至所述第二区域并覆盖所述凸起结构；
在所述栅极绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上形成钝化层，所述钝化层延伸至所述第二区域并覆盖所述栅极绝缘层。
5.根据权利要求4所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述凸起结构上形成金属焊盘，包括：
在所述钝化层上形成贯穿所述钝化层的通孔，以露出部分所述源极或部分所述漏极；
在所述钝化层上形成导电层，所述导电层通过所述通孔与所述源极或所述漏极电连接，所述导电层在所述凸起结构上形成金属焊盘。
6.根据权利要求1所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第二区域内形成用于承载led发光晶片的凸起结构之前，还包括：
在所述载体基板上形成刻蚀阻挡层。
7.根据权利要求1所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凸起结构的表面至所述载体基板的表面的第一距离为所述tft阵列的表面至所述载体基板的表面的第二距离的5-8倍。
8.根据权利要求1所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的表面低于所述金属焊盘的表面，或与所述金属焊盘的表面平齐。
9.根据权利要求1所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为柔性材料。
10.根据权利要求9所述的led阵列基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层材料为硅胶或uv胶。
11.一种led阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-10任一所述的led阵列基板的制备方法制备。
12.一种led显示面板，其特征在于，包括如权利要求11所述的led阵列基板、多个led发光晶片和封装层；
所述led发光晶片固定在所述金属焊盘上；
所述封装层覆盖所述缓冲层和所述led发光晶片。
13.根据权利要求12所述的led显示面板，其特征在于，所述led发光晶片为倒装晶片，所述倒装晶片的两个电极均位于与所述倒装晶片的发光面相对的背光面，所述led发光晶片的两个电极分别通过导电材料固定在两个所述金属焊盘上。
14.根据权利要求12所述的led显示面板，其特征在于，所述led发光晶片为垂直晶片，所述垂直晶片的两个电极分别位于所述垂直晶片的发光面和背光面，所述led发光晶片的一个电极通过导电材料固定在一个金属焊盘上。
15.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求12-14任一所述的led显示面板。