技术特征：
1.一种电容装置的制造方法，其特征在于，包括：在一衬底上形成多个呈阵列分布的存储节点接触塞及分隔各所述存储节点接触塞的绝缘层；在所述绝缘层背离所述衬底的一侧形成电极支撑结构，所述电极支撑结构具有分别露出各所述存储节点接触塞的多个通孔，所述通孔包括多个依次对接的孔段，各所述孔段中靠近所述衬底一侧的孔段的孔径大于远离所述衬底一侧的孔段的孔径，以使相邻两个所述通孔的孔壁远离所述衬底一侧的间距大于其靠近所述衬底一侧的间距；在各所述通孔中形成第一电极层，所述第一电极层与所述存储节点接触塞接触连接；在所述第一电极层和所述电极支撑结构共同构成的结构的外表面和内表面形成介质层；在所述介质层的外表面形成第二电极层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层背离所述衬底的一侧形成电极支撑结构，包括：在所述绝缘层和所述存储节点接触塞背离所述衬底的一侧依次形成第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层；采用干法刻蚀工艺形成第一开孔，所述第一开孔穿过所述第三支撑层和所述第二牺牲层并露出所述第二支撑层，且其在所述衬底上的正投影与所述存储节点接触塞正对；在所述第一开孔的孔壁形成保护层；采用干法刻蚀工艺形成第一孔段，所述第一孔段穿过所述第二支撑层、所述第一牺牲层及所述第一支撑层，并露出所述存储节点接触塞，所述第一孔段位于所述第一牺牲层的部分的孔径大于所述第一开孔的孔径；去除所述保护层，以形成第二孔段。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层背离所述衬底的一侧形成电极支撑结构包括：在所述绝缘层背离所述衬底的一侧形成多层叠层设置的电极支撑层，每层所述电极支撑层包括第一支撑层、第一牺牲层和第二支撑层，所述第一支撑层具有露出所述存储节点接触塞的第一开口，所述第一牺牲层位于所述第一支撑层背离所述衬底的一侧，且设有与所述第一开口正对的孔段，所述第二支撑层位于所述第一牺牲层背离所述绝缘层的一侧，且具有与所述孔段连通的开孔，所述开孔与所述第一支撑层的第一开口正对设置，且在形成所述第一电极层后去除所述牺牲层；在相邻两层所述电极支撑层中，靠近所述衬底一侧的所述电极支撑层的孔段的孔径大于远离所述衬底一侧的所述电极支撑层的孔段的孔径。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成每个所述电极支撑层包括：在所述存储节点接触塞与所述绝缘层背离所述衬底的一侧依次形成第一支撑层、第一牺牲层和第二支撑层；通过干法刻蚀形成预设孔，所述预设孔穿过所述第二支撑层、所述第一牺牲层和所述第一支撑层，且露出所述存储节点接触塞。5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，相邻两层所述电极支撑层中，靠近所述衬底的电极支撑层的第二支撑层与背离所述衬底的电极支撑层的第一支撑层为同一支
撑层。6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电极层之后，形成所述介质层之前，所述制造方法还包括：采用干法刻蚀工艺在距离所述衬底最远的支撑层上形成至少一开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖于相邻两个所述通孔之间的区域并与相邻两个所述通孔在所述衬底上的正投影部分重合，所述开口能露出与所述支撑层邻接的牺牲层；在所述开口处采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层，以露出所述第二支撑层；采用干法刻蚀工艺去除所述第二支撑层中与所述开口正对的部分，以露出所述第一牺牲层，所述第二支撑层的剩余部分呈环形包覆于所述第一电极层的外周；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一牺牲层。7.根据权利要求3-5任一项所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电极层之后，形成所述介质层之前，所述制造方法还包括：采用干法刻蚀工艺在距离所述衬底最远的支撑层上形成至少一第二开口，所述第二开口在所述衬底上的正投影覆盖于相邻两个所述通孔之间的区域并与相邻两个所述通孔在所述衬底上的正投影部分重合，所述第二开口能露出与所述支撑层邻接的牺牲层；在所述第二开口处采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层，以露出所述第二支撑层；采用干法刻蚀工艺去除所述第二支撑层，以露出所述第一牺牲层；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一牺牲层。8.一种电容装置，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有多个呈阵列分布的存储节点接触塞及分隔各所述存储节点接触塞的绝缘层；电极支撑结构，形成于所述绝缘层背离所述衬底的一侧，所述电极支撑结构具有分别露出各所述存储节点接触塞的多个通孔，所述通孔包括多个依次对接的孔段，各所述孔段中靠近所述衬底一侧的孔段的孔径大于远离所述衬底一侧的孔段的孔径，以使相邻两个所述通孔的孔壁远离所述衬底一侧的间距大于其靠近所述衬底一侧的间距；第一电极层，形成于各所述通孔中，所述第一电极层与所述存储节点接触塞接触连接；介质层，形成于所述第一电极层和所述电极支撑结构共同构成的结构的外表面和内表面；第二电极层，形成于所述介质层的外表面。9.根据权利要求8所述的电容装置，其特征在于，所述电极支撑结构包括第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层，所述第一支撑层覆盖于所述绝缘层和所述存储节点接触塞背离所述衬底的表面，并连接于所述第一电极层的外侧，所述第二支撑层位于相邻两个所述孔段对接部位的外侧，且呈环形包覆于所述第一电极层的外周，所述第三支撑层位于所述第二支撑层背离所述第一支撑层的一侧，且包覆于所述第一电极层的外周。10.根据权利要求8所述的电容装置，其特征在于，所述电极支撑结构包括多层电极支撑层，每层所述电极支撑层包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层覆盖于所述绝缘层和所述存储节点接触塞背离所述衬底的一侧，并连接于所述第一电极层的外侧，所述第二支撑层位于所述第一支撑层背离所述衬底的一侧，且包覆于所述第一电极层的外周；在相邻两层所述电极支撑层中形成的第一电极层靠近所述衬底一侧的径向尺寸大于
其远离所述衬底一侧的径向尺寸。11.根据权利要求10所述的电容装置，其特征在于，相邻两层所述电极支撑层中，靠近所述衬底的电极支撑层的第二支撑层与背离所述衬底的电极支撑层的第一支撑层为同一支撑层。12.一种半导体器件，包括权利要求7-11任一项所述的电容装置。
技术总结
本公开提供一种半导体器件、电容装置及电容装置的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在一衬底上形成多个呈阵列分布的存储节点接触塞及分隔各存储节点接触塞的绝缘层；在绝缘层背离衬底的一侧形成电极支撑结构，电极支撑结构具有分别露出各存储节点接触塞的多个通孔，通孔包括多个依次对接的孔段，各孔段中靠近衬底一侧的孔段的孔径大于远离衬底一侧的孔段的孔径；在各通孔中形成第一电极层，第一电极层与存储节点接触塞接触连接；在第一电极层和电极支撑结构共同构成的结构的外表面和内表面形成介质层；在介质层的外表面形成第二电极层。本公开的电容装置的制造方法可避免短路，提高电容量。提高电容量。提高电容量。
技术研发人员：徐正弘
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.06.19
技术公布日：2021/12/21