1.一种氮化硅膜的沉积方法，其特征在于，包括：采用原子层沉积法，以氨气为反应气体，与气相硅源反应以在载体上沉积氮化硅膜；
其中，在每个沉积循环中，
在供应气相硅源之后和供应氨气之前进行以下工序：先进行1秒以上的吹扫，然后降低反应室内气压；并且所述沉积的反应温度为630℃以上。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积的反应温度为630～650℃。
3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述吹扫气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述降低反应室内气压为使反应室内气压为10-3torr以下。
5.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，在每个沉积循环中，在所述供应氨气之后还包括：进行0.1秒以上的吹扫。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的沉积方法，其特征在于，所述硅源为硅烷和二氯硅烷中的至少一种。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积的手段为等离子体原子层沉积法或热处理原子层沉积法。
8.一种权利要求1-7任意一项所述沉积方法制备的氮化硅膜，其特征在于，所述氮化硅膜中的氢含量≤1％。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，
位于衬底上的数据线；
所述数据线上沉积有权利要求8所述的氮化硅膜。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求9所述的半导体结构。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为dram、2dnand、3dnand或lcd。