一种柔性器件及其制备方法与流程

本发明属于柔性电子技术领域，特别涉及一种柔性器件及其制备方法。

背景技术：

现代社会对电子产品的功能和用户体验提出了越来越高的需求，将电子器件实现柔性、可弯折、折叠、伸缩等功能，使得电子产品更智能化、便携化、轻量化、可穿戴等符合人体工程学设计已成为发展趋势。将电子器件柔性化可以颠覆性地改变传统信息器件的刚性物理形态，具有轻薄、便携、可植入、可穿戴等特点，可实现信息与人、物体还有环境高效共融。柔性电子技术在信息、能源、医疗、国防、航天等领域具有广泛应用前景，成为全球学术界和工业界的研究热点。

现有的柔性器件，通常将器件直接制备在柔性基板上，器件与柔性材料接触连接，或通过过渡层、粘连层等与柔性材料连接。在来回弯折、不断拉伸过程中，基底中的应力传递到器件中，器件内部、界面将引入缺陷、损伤等，严重影响器件的性能可靠性。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种柔性器件及其制备方法，克服现有柔性器件在来回弯折、不断拉伸的过程中，严重影响器件的性能可靠性的缺陷，本发明中通过将器件功能区和柔性导线置于柔性基底上方完全浮空，避免与基底直接接触，降低了基底对器件区的应力作用，保证柔性器件具有优良的电化学性能。

本发明提供一种柔性器件，包括：电极区、粘合层、柔性基底、保护层、器件区、柔性导线，所述器件区、柔性导线均悬浮于柔性基底上方，柔性导线连接电极区和器件区的电极，电极区通过粘合层与柔性基底连接，其中所述器件区上表面覆盖保护层。

所述电极区为导电材料，包括不限于金属单质或者合金、导电聚合物或其他材料形成的复合材料。

所述器件区为无机半导体器件、有机半导体器件均适用。

所述粘合层将电极与柔性基底连接，为有机化合物材料。

进一步，所述粘合层包括但不限于光刻胶、甲基丙烯酸甲酯pmma、聚二甲基硅氧烷pdms中的一种或多种。

所述柔性基底为柔性玻璃材料、金属材料、聚合物材料，或另一种适当的柔性衬底材料，包括不限于聚二甲基硅氧烷(pdms)、聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等。

所述保护层为器件区提供缓冲、保护作用。

所述保护层为柔性聚合物材料；所述柔性导线为导电性的柔性聚合物材料。

所述保护层包括但不限于聚二甲基硅氧烷pdms、聚酰亚胺pi、甲基丙烯酸甲酯pmma、聚对苯二甲酸乙二醇酯pet中的一种或几种。

所述柔性导线包括但不限于导电胶、聚苯胺、聚苯胺其衍生物、聚乙炔中的一种或几种。

所述柔性导线为蛇形、z形、螺旋形中的一种，优选蛇形形状。

本发明提供一种柔性器件的制备方法，包括：

(1)提供半导体基板，并在半导体基板的第二半导体层中形成器件区；其中所述半导体

基板包括第一半导体层、绝缘埋层、第二半导体层；

(2)在对应于形成柔性导线的位置形成刻蚀窗口，刻蚀第二半导体层，形成贯穿至所述绝缘埋层的凹槽，然后在凹槽中填充具有导电性的柔性聚合物材料，形成柔性导线；

(3)在对应于形成电极区的位置形成刻蚀窗口，刻蚀第二半导体层，形成贯穿至所述绝缘埋层的凹槽，然后在凹槽中填充导电材料，形成电极区，并且柔性导线连接电极区和

器件区的电极；

(4)在器件区上表面覆盖一层保护层；所述保护层可以提供应力缓冲，并在刻蚀过程中

起到保护作用；

(5)依次刻蚀去除器件区外的第二半导体层、绝缘埋层，将器件区、柔性导线、电极区从第一半导体层剥离后转移到柔性基底上，并将电极区通过粘合层与柔性基底连接，器件区和柔性导线均位于基底上方完全浮空。

所述步骤(4)中通过光刻形成刻蚀窗口，采用旋涂或沉积方法形成保护层，最后去除光刻胶。

本发明提供一种所述方法制备的柔性器件。

本发明提供一种所述柔性器件的应用。

有益效果

(1)本发明提供的浮空的柔性器件结构，相对现有技术的改进主要在于将整个器件区和互联导线完全悬空于柔性基底上方，避免了柔性基底在较大拉伸和弯曲过程中形变应力引起器件区电学性能退化，发生阈值电压漂移、跨导降低、关态泄漏电流升高、饱和电流减小等现象，最终不能正常工作。因此本发明能够提高器件性能的可靠性和稳定性。

(2)本发明如采用蛇形状的柔性导线，可以实现更大的延展性，结合浮空设计，进一步增强了导线的柔性特性，同时利用柔性导线将器件区的电极端引出，使得测量过程更加简易方便。

附图说明

图1为柔性器件结构的截面图；

图2为柔性器件结构的俯视图；

图3为本发明制备流程图；

其中附图中电极区1、粘合层2、柔性基底3、保护层4、器件区5、柔性导线6。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

实施例1

柔性器件如图1和2所示，包括：电极区1、粘合层2、柔性基底3、保护层4、器件区5、柔性导线6，所述器件区5、柔性导线6均悬浮于柔性基底3上方，柔性导线6连接电极区1和器件区5的电极，电极区1通过粘合层2与柔性基底3连接，其中所述器件区5上表面覆盖保护层4。

实施例2

(1)提供半导体基板，所述半导体基板包括第一半导体层、绝缘埋层、第二半导体层。本发明的半导体基板为soi结构，其中第一半导体层为8英寸硅衬底，绝缘埋层为氧化硅，厚度20nm～2μm，第二半导体层为单晶硅，厚度为10nm～1μm。在所述第二半导体层中形成一种半导体器件为soimos晶体管，包括在所述第二半导体层上方形成栅极，包括栅极氧化层和多晶硅层，在所述栅极两侧的第二半导体层中形成源极和漏极，所述源极、漏极对nmos晶体管为n型掺杂，对pmos晶体管为p型掺杂。对所述源漏极、栅极分别进行电性接出，在器件周围形成浅沟槽隔离区进行器件间电气隔离，最终在第二半导体层中形成器件区5。

(2)在对应于形成柔性导线的位置形成刻蚀窗口，刻蚀第二半导体层，形成贯穿至所述绝缘埋层的凹槽，在所述凹槽中填充具有导电性的柔性聚合物材料聚苯胺形成的柔性导线6，优选蛇形导线。

(3)在对应于形成电极区的位置形成刻蚀窗口，刻蚀第二半导体层，形成贯穿至所述绝缘埋层的凹槽，在所述凹槽中填充导电材料聚苯胺形成电极区1，柔性导线6连接电极区1和器件区5的电极。

(4)在器件5上表面覆盖一层聚二甲基硅氧烷pdms形成保护层4。一般通过光刻形成刻蚀窗口，采用旋涂或沉积方法形成保护层，最后去除光刻胶。所述保护层可以提供应力缓冲，并在刻蚀过程中起到保护作用。

(5)依次刻蚀去除器件区外的第二半导体层、绝缘埋层，将器件区、柔性导线、电极区从第一半导体层剥离后转移到柔性基底3上，其中电极区1通过粘合层2与柔性基底3连接，器件区和柔性导线均位于基底上方完全浮空。可选的，所述粘合层为su-8光刻胶，厚度为0.01～1000μm；所述柔性基底为聚二甲基硅氧烷pdms，厚度为0.01～1000μm。

相比现有技术，本发明所实现的柔性器件在承受更大拉伸和弯曲条件下，依然能够保证器件正常工作，器件阈值电压、关态泄漏电流、饱和电流、跨导等不发生显著退化而引起器件失效，从而提高了器件的可靠性和稳定性。