1.一种压电传感器，包括：
阵列基板；
第一盖层，位于所述阵列基板上，所述第一盖层包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分覆盖所述阵列基板，所述第二部分与所述阵列基板之间具有空腔且具有第一开口；
第一电极，位于所述第一盖层的上方，且位于所述空腔的上方；
压电薄膜，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述压电薄膜上。
2.根据权利要求1所述的压电传感器，还包括：
第二盖层，至少部分地位于所述第一盖层与所述第一电极之间。
3.根据权利要求1所述的压电传感器，还包括：
第一连接件，位于所述第一盖层的第一部分的上方；以及
第二连接件，位于所述第一盖层的上方，与所述第一电极电连接且与所述第一连接件电绝缘；
其中，所述阵列基板包括薄膜晶体管以及位于所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述薄膜晶体管包括第三电极和第四电极，所述空腔位于所述第一钝化层和所述第一盖层之间，所述第三电极通过第一接触孔与所述第一连接件电连接，所述第四电极通过第二接触孔与所述第二连接件电连接。
4.根据权利要求3所述的压电传感器，其中，所述第一钝化层包括氧化硅和氮氧化硅的叠层结构。
5.根据权利要求3或4所述的压电传感器，还包括：
第一平坦层，覆盖所述第一盖层、所述第一连接件、所述第二连接件以及所述第二电极；
第一接触电极，位于所述第一平坦层上，并通过第三接触孔与所述第一连接件电连接；以及
第二接触电极，位于所述第一平坦层上，并通过第四接触孔与所述第二电极电连接。
6.根据权利要求1或2所述的压电传感器，其中，所述第一电极和所述第二电极的材料为铟锡金属氧化物(ito)。
7.根据权利要求1或2所述的压电传感器，还包括：第五电极，位于所述第一电极和所述压电薄膜之间。
8.根据权利要求7所述的压电传感器，还包括：
第二平坦层，位于所述第一电极、所述第一连接件、所述第二连接件和所述第一盖层的上方；
第二钝化层，位于所述第二平坦层上，所述第二钝化层和所述第二平坦层具有第二开口，所述第二开口暴露所述第一电极的上表面；
第三接触电极，位于所述第二平坦层上，并通过第五接触孔与所述第一连接件电连接；以及
第四接触电极，位于所述第二平坦层上，并与所述第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的压电传感器，其中，所述第一电极的材料为铟锡金属氧化物，所述第二电极和所述第五电极的材料为铂。
10.根据权利要求2所述的压电传感器，其中，所述第一盖层的材料为氧化硅，所述第二盖层的材料为氮化硅。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的压电传感器，其中，所述压电薄膜为锆钛酸铅压电薄膜。
12.一种制备压电传感器的方法，包括：
形成阵列基板；
在所述阵列基板上形成图案化的牺牲层；
在所述阵列基板上和所述牺牲层周围形成第一盖层，所述第一盖层在所述牺牲层周围具有第一开口；
利用湿法刻蚀工艺通过所述第一开口对所述牺牲层进行刻蚀去除，以在所述第一盖层与阵列基板之间、所述牺牲层所在区域形成空腔；
形成第一电极，所述第一电极位于所述第一盖层的上方，且位于所述空腔的上方；以及
在所述第一电极上形成压电传感组件。
13.根据权利要求12所述的制备压电传感器的方法，其中，在所述阵列基板上和所述牺牲层周围形成第一盖层包括：
利用等离子体增强化学气相沉积法在所述阵列基板上和所述牺牲层周围形成第一盖层。
14.根据权利要求12所述的制备压电传感器的方法，还包括：
形成第二盖层，所述第二盖层至少部分地位于所述第一盖层与所述第一电极之间。
15.根据权利要求14所述的制备压电传感器的方法，其中，所述第一盖层的材料为氧化硅，所述第二盖层的材料为氮化硅。
16.根据权利要求12所述的制备压电传感器的方法，其中，在第一电极上形成压电传感组件包括：
在所述第一电极上形成压电薄膜；以及
在所述压电薄膜上形成第二电极。
17.根据权利要求14所述的制备压电传感器的方法，其中，所述阵列基板包括薄膜晶体管以及位于所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述薄膜晶体管包括第三电极和第四电极，所述空腔位于所述第一钝化层和所述第一盖层之间，制备压电传感器的方法还包括：
刻蚀所述第一盖层、所述第二盖层以及所述第一钝化层，以形成暴露所述第三电极上表面的第一接触孔和暴露所述第四电极上表面的第二接触孔；
在所述第二盖层上形成第一连接件和第二连接件，所述第一连接件通过第一接触孔与所述第三电极电连接，所述第二连接件与所述第一电极电连接且与所述第一连接件电绝缘，所述第二连接件通过第二接触孔与所述第四电极电连接。
18.根据权利要求17所述的制备压电传感器的方法，其中，所述第一电极、所述第一连接件以及所述第二连接件通过同一构图工艺来形成。
19.根据权利要求17所述的制备压电传感器的方法，还包括：
形成第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述第一盖层、所述第一连接件、所述第二连接件以及所述压电传感组件；
刻蚀所述第一平坦层，以形成第三接触孔和第四接触孔；
在所述第一平坦层上形成第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极通过所述第三接触孔与所述第一连接件电连接，所述第二接触电极通过所述第四接触孔与所述第二电极电连接。
20.根据权利要求12所述的制备压电传感器的方法，还包括：
形成第二平坦层，所述第二平坦层位于所述第一电极、所述第一连接件、所述第二连接件和所述第一盖层的上方；
刻蚀所述第二平坦层，以形成第五接触孔；
在所述第二平坦层上形成第三接触电极和第四接触电极，所述第三接触电极通过所述第五接触孔与所述第一连接件电连接，所述第四接触电极与所述第三接触电极电绝缘；
形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述第二平坦层、所述第三接触电极和所述第四接触电极；以及
刻蚀所述第二平坦层和所述第二钝化层，以形成第二开口和第三开口，其中，所述第二开口暴露所述第一电极的上表面，所述第三开口暴露所述第四接触电极的上表面。
21.根据权利要求20所述的制备压电传感器的方法，其中，在第一电极上形成压电传感组件包括：
将压电薄膜单元转移到所述第二开口中，所述压电薄膜单元包括阳极、压电薄膜和阴极的叠层，所述压电薄膜位于所述阳极和阴极之间；以及
将所述压电薄膜单元的阳极与所述第一电极电连接，将所述压电薄膜单元的阴极与所述第四接触电极电连接。
22.根据权利要求21所述的制备压电传感器的方法，还包括：
在所述压电薄膜单元转移到所述第二开口之前，在所述第二开口处和所述第三开口处涂覆锡膏；以及
在将所述压电薄膜单元转移到所述第二开口中之后，对所述第一电极和所述压电薄膜单元进行回流焊处理。
23.一种检测装置，包括：根据权利要求1至11中任意一项所述的压电传感器。