阵列基板及其制备方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术：

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

传统技术中，一般通过在显示面板上开孔增大屏占比。显示面板的开孔区域内可以设置摄像头、听筒以及红外感应器等。

但是，传统的开孔技术容易引起显示面板的显示不良。

技术实现要素：

基于此，有必要针对传统技术中开孔容易引起显示面板显示不良的问题，提供一种阵列基板及其制备方法。

本申请一方面提供了一种阵列基板，包括：衬底，包括显示区和非显示区；金属隔离层，位于所述非显示区，且所述金属隔离层围合形成一个开孔区域；保护层，至少包覆所述金属隔离层的侧壁。

在其中一个实施例中，所述保护层包括有机膜层和无机膜层中的至少一种。提供了保护层的可实施方式。

在其中一个实施例中，所述保护层的厚度范围为200埃至400埃。在起到保护金属隔离层的基础上可节约原料。

在其中一个实施例中，所述保护层的材料包括铟锡氧化物。提供了保护层的一种可实施方式。

在其中一个实施例中，所述金属隔离层包括层叠的第一金属层和第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层的材料包括铝；所述保护层至少包覆所述第一金属层的侧壁。保护层包覆所述第一金属层的侧壁即可，在节约原料的基础上可有效简化制作工艺。

在其中一个实施例中，所述第一金属层在垂直所述衬底方向上的纵向剖面呈矩形或梯形。提供了第一金属层的一种可实施方式。

在其中一个实施例中，所述保护层与所述衬底相围合，以完全包覆所述金属隔离层。本实施例中的保护层可完全保护金属隔离层。

本申请另一方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括显示区和非显示区；在所述非显示区形成金属隔离层，所述金属隔离层围合形成开孔区域；形成保护层，所述保护层至少包覆所述金属隔离层的侧壁。

在其中一个实施例中，所述形成保护层，所述保护层至少包覆所述金属隔离层的侧壁，包括：形成保护层，所述保护层与所述衬底相围合，以完全包覆所述金属隔离层。

在其中一个实施例中，所述形成保护层，所述保护层至少包覆所述金属隔离层的侧壁，包括：形成铟锡氧化物薄膜，所述铟锡氧化物薄膜与所述衬底相围合，以包覆所述金属隔离层；对所述铟锡氧化物薄膜进行刻蚀，去除所述金属隔离层远离所述衬底的表面上覆盖的所述铟锡氧化物薄膜；对所述铟锡氧化物薄膜进行烘烤，形成多晶结构的保护层。

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括：衬底、金属隔离层和保护层。其中，衬底包括显示区和非显示区；金属隔离层位于非显示区，且围合形成一个开孔区域；保护层至少包覆金属隔离层的侧壁。由于保护层至少包覆金属隔离层的侧壁，可以避免后续对在衬底上形成的电极层进行刻蚀的工艺过程中刻蚀溶液与金属隔离层的侧壁发生置换反应，从而避免置换反应产生的金属颗粒影响阵列基板的正常工作，进而避免置换反应产生的金属颗粒造成的显示不良的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本申请又一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

图3为本申请一个实施例中阵列基板的制备方法示意图；

图4为本申请一个实施例中衬底及金属隔离层的位置关系示意图；

图5为本申请另一个实施例中阵列基板的制备方法示意图；

图6为本申请另一个实施例中阵列基板的制备方法示意图；

图7为本申请又一个实施例中阵列基板的制备方法示意图；

图8为本申请另一个实施例中衬底及金属隔离层的位置关系示意图；

图9为本申请一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

图10为本申请另一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

图11为本申请又一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

图12为本申请又一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；

图13为本申请又一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图。

其中，各附图标号所代表的含义分别为：

10、阵列基板；100、衬底；102、显示区；104、非显示区；106、开孔区域；110、导电层；120、金属隔离层；1202、第一侧壁；1204、第二侧壁；122、第一金属层；124、第二金属层；126、第三金属层；130、保护层；1301、铟锡氧化物薄膜；140、电极层。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

显示面板通常包括阵列基板及位于阵列基板上的发光像素，以及用于封装发光像素的封装层。其中，阵列基板用于驱动发光像素发光。显示面板可以具有开孔区域，开孔区域内可以设置摄像头、听筒和红外感应器等。

传统技术中，具有开孔区域的显示面板，其阵列基板的制备过程通常包括：在衬底上形成导电层及金属隔离层，由金属隔离层隔离出开孔区域；在导电层上形成电极层，并同时对电极层及金属隔离层的侧壁进行刻蚀，从而形成阵列基板。发明人在实现传统技术的过程中发现：由于电极层和金属隔离层的材料不同，在同时对电极层和金属隔离层的侧壁进行刻蚀的过程中可能会发生置换反应。置换反应会生成金属粒子，该金属粒子会影响发光像素的正常发光。

基于上述问题，本申请提供了一种阵列基板和阵列基板的制备方法，该阵列基板可用于制备显示面板，具体如下。

在一个实施例中，本申请提供一种阵列基板10。如图1所示，该阵列基板10包括衬底100、金属隔离层120和保护层130。

具体的，衬底100用于承载阵列基板10的其它器件。衬底100可以使用柔性材料制备，如聚酰亚胺薄膜；也可以使用刚性材料制备，如透明玻璃。在本实施例中，衬底100包括相邻接的显示区102和非显示区104。当该阵列基板10制备成显示面板后，显示区102用于发光显示，非显示区104可以用于放置摄像头、红外感应器或听筒等器件。显示区102和非显示区104的位置可以如图4所示。

金属隔离层120位于非显示区104，且金属隔离层120围合形成开孔区域106。换句话说，金属隔离层120位于开孔区域106与显示区102之间，从而将开孔区域106与显示区102间隔开。显示区102、开孔区域106和金属隔离层120的位置可以如图4所示。

保护层130至少包覆所述金属隔离层120的侧壁，以避免后续工艺中刻蚀溶液与金属隔离层120的侧壁发生置换反应。在此，保护次130可以采用非金属材质。

当在该阵列基板10上形成电极层140并对电极层进行刻蚀时，刻蚀溶液不会与金属隔离层120的侧壁发生置换反应生成金属颗粒，可以避免金属颗粒影响阵列基板10的正常工作。使用该阵列基板10制备显示面板时，也可以避免金属颗粒的存在造成显示面板的显示不良。

在一个实施例中，保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁。在另一个实施例中，保护层130与衬底100相围合，完全包覆金属隔离层120。具体的，保护层130可以完全包覆金属隔离层120。在保护层130完全包覆金属隔离层120的实施例中，金属隔离层120形成于衬底100上，保护层130包覆金属隔离层120，且与衬底100相围合，从而使金属隔离层120完全与空气隔绝，换句话说，保护层130完全包覆金属隔离层120。从而可有效避免后续用于刻蚀电极层140的刻蚀溶液与金属隔离层120发生置换反应。可知的，保护层130可以仅包覆金属隔离层120的侧壁。可根据实际情况进行设置，在此不做具体的限定。

进一步的，如图2所示，该阵列基板10还可以包括导电层110和位于导电层110上的电极层140。

导电层110位于显示区102。导电层110一般包括若干个驱动电路。当该阵列基板10制成显示面板时，每个驱动电路用于驱动一个发光像素发光。每个驱动电路一般包括若干个tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)和电容。当显示面板工作时，驱动电路可以输出驱动电流，用于驱动发光像素。

电极层140覆盖所述导电层110。电极层140包括刻蚀所得的若干个阳极，每个阳极均与一个驱动电路连接。当该阵列基板10制备成显示面板后，每个阳极用于向一个发光像素输出驱动电流。

在一个实施例中，上述阵列基板10中，保护层130包括有机膜层和无机膜层中的至少一种。在其它实施例中，保护层130的材料也可以是铟锡氧化物。具体的，该保护层130应不溶于用于刻蚀电极层140的刻蚀溶液。一般来说，该刻蚀溶液可以是草酸、醋酸和硝酸的至少一种。该刻蚀溶液可以是由草酸、醋酸和硝酸以一定的配比混合而成。电极层140一般是金属层，刻蚀溶液用于对金属层进行刻蚀。因此，保护层130可以是不溶于刻蚀溶液的有机膜层或无机膜层，也可以是有机膜层和无机膜层的复合膜层结构，还可以是铟锡氧化物。

在一个实施例中，上述阵列基板10的保护层130的厚度范围为200埃至400埃。可以理解的是，保护层130的厚度是指保护层130远离金属隔离层120的表面至保护层130靠近金属隔离层120的表面的垂直距离。该保护层130的厚度可以是200埃，也可以是400埃，还可以是250埃或300埃或350埃。

在一个实施例中，上述阵列基板10，其金属隔离层120的侧壁包括第一侧壁1202和第二侧壁1204。具体可参见图8和图9，其中，第一侧壁1202为金属隔离层120靠近显示区102的侧壁，第二侧壁1204围合形成开孔区域106。或者换句话说，第一侧壁1202围合第二侧壁1204，并与第二侧壁1204共同围合形成开孔区域106。

在一个实施例中，如图2所示，上述阵列基板10，其金属隔离层120包括层叠的第一金属层122和第二金属层124。第二金属层124位于第一金属层122远离衬底100的一侧。保护层130至少包覆第一金属层122的侧壁。其中，第一金属层122可以是金属性质较为活泼的金属，如金属铝；第二金属层124可以是金属性质较为稳定的金属，如金属钛。

进一步的，第一金属层122的纵向剖面呈矩形或梯形。

在一个实施例中，上述阵列基板10，其金属隔离层120还包括第三金属层126。第三金属层126位于第一金属层122与衬底100之间，具体可参见图12。其中第三金属层126的材料可以与第二金属层124相同，是金属性质较为稳定的金属，如金属钛。

在一个实施例中，本申请还提供一种阵列基板的制备方法，其结构流程示意图如图3所示，包括如下步骤：

s100，提供衬底100，衬底100包括显示区102和非显示区104。

具体的，衬底100用于承载阵列基板10的其它器件。衬底100可以使用柔性材料制备，如聚酰亚胺薄膜；也可以使用刚性材料制备，如透明玻璃。由上述描述已知，由本申请的制备方法所制备出的阵列基板10需要具有可以放置摄像头等器件的开孔区域106。基于此，在本实施例中，将衬底100分为显示区102和非显示区104。显示区102和非显示区104相接。当该阵列基板10制备成显示面板后，显示区102用于发光显示，非显示区104可以用于放置摄像头或红外感应器、听筒等器件。显示区102和非显示区104的位置可以如图4所示。

s200，在非显示区104形成金属隔离层120，金属隔离层120围合形成开孔区域106。

在非显示区104形成金属隔离层120。金属隔离层120围合形成开孔区域106。换句话说，金属隔离层120位于开孔区域106与显示区102之间，从而将开孔区域106与显示区102间隔开。显示区102、开孔区域106和金属隔离层120的位置可以如图4所示。其中，非显示区104的金属隔离层120用于隔绝显示区102和开孔区域106。非显示区104的开孔区域106用于放置摄像头或红外感应器、听筒等器件。

s300，形成保护层130，保护层130至少包覆金属隔离层120的侧壁。

具体的，在步骤s200中，已经在衬底100上形成金属隔离层120。金属隔离层120界定出开孔区域106。在本步骤中，还在金属隔离层120上形成至少包覆金属隔离层120的侧壁的保护层130。该保护层130可以避免后续工艺中刻蚀溶液与金属隔离层120的侧壁发生置换反应。一般来说，该保护层130可以是非金属材质。

上述阵列基板的制备方法，先在衬底100上形成金属隔离层120，再使用保护层130至少包覆该金属隔离层120的侧壁。以此，该阵列基板的制备方法，在后续对电极层140进行刻蚀时，可以避免刻蚀溶液与金属隔离层120的侧壁发生置换反应产生金属颗粒，从而避免金属颗粒影响阵列基板10的正常工作。使用该制备方法所制备的阵列基板10，在制备显示面板时，可以避免金属颗粒的存在造成显示面板的显示不良。

进一步的，如图5所示，在上述步骤s200中，还可以包括：在显示区102形成导电层110。

具体的，在显示区102形成导电层110。该导电层110一般包括若干个驱动电路。当该阵列基板10制成显示面板时，每个驱动电路用于驱动一个发光像素发光。每个驱动电路一般包括若干个tft和电容。当显示面板工作时，驱动电路可以输出驱动电流，用于驱动发光像素。不再赘述。

更进一步的，如图5所示，步骤s300之后，还可以包括：s400，形成覆盖导电层110的电极层140，并对电极层140刻蚀以得到阵列基板10。

具体的，由上述描述已知，导电层110包括若干个驱动电路，每个驱动电路可以驱动一个发光像素发光。步骤s400用于制备驱动电路与发光像素之间的阳极。此时，在导电层110上制备覆盖覆导电层110的电极层140，在对电极层140进行刻蚀，即可得到若干个阳极，每个阳极均与一个驱动电路连接。在对电极层140进行刻蚀的过程中，由于保护层130包覆了金属隔离层120的侧壁，可以避免刻蚀溶液与金属隔离层120的侧壁发生置换反应产生金属颗粒，从而避免金属颗粒影响阵列基板10的正常工作。使用该制备方法所制备的阵列基板10，在制备显示面板时，可以避免金属颗粒的存在造成显示面板的显示不良。

由上述描述已知，上述步骤s300中所形成的保护层130至少包覆金属隔离层120的侧壁。下面从保护层130完全包覆金属隔离层120，以及保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁两种情况，对本申请的阵列基板的制备方法进行描述。

对于保护层130完全包覆金属隔离层120的情况：

在一个实施例中，如图6所示，本申请的阵列基板的制备方法，其步骤s300包括：

形成保护层130，保护层130与衬底100相围合，以完全包覆金属隔离层120。

具体的，在本实施例中，金属隔离层120形成于衬底100上。保护层130包覆金属隔离层120，且与衬底100相围合，从而使金属隔离层120完全与空气隔绝。换句话说，保护层130完全包覆金属隔离层120，从而避免步骤s400中，用于刻蚀电极层140的刻蚀溶液与金属隔离层120发生置换反应。

进一步的，该保护层130包括有机膜层和无机膜层中的至少一种。

对于保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁的情况：

在另一个实施例中，如图7所示，本申请的阵列基板的制备方法，其步骤s300包括：

s310，形成铟锡氧化物(indiumtinoxidei，ito)薄膜1301，铟锡氧化物薄膜1301与衬底100相围合，以包覆金属隔离层120。

具体的，在步骤s200之后，即在衬底100上形成导电层110和金属隔离层120后，先在金属隔离层120的表面形成铟锡氧化物薄膜1301。该铟锡氧化物薄膜1301包覆金属隔离层120，且与衬底100相围合，从而使金属隔离层120与空气隔绝。换句话说，铟锡氧化物薄膜1301完全包覆金属隔离层120。

s320，对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀，去除金属隔离层120远离衬底100的表面上覆盖的铟锡氧化物薄膜1301。

本实施例的思路是：先形成完全包覆金属隔离层120的铟锡氧化物薄膜1301，再对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀，得到仅包覆金属隔离层120的侧壁的保护层130。保护层130的材料为铟锡氧化物薄膜。由此，在本步骤中，可以通过刻蚀工艺对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀，从而去除金属隔离层120远离衬底100的表面上所覆盖的铟锡氧化物薄膜1301，以此使保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁。铟锡氧化物薄膜1301为半导体薄膜。使用铟锡氧化物薄膜1301形成保护层130时，使保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁，可以避免保护层130在阵列基板10工作时造成短路。

需要理解的是，在本实施例中，保护层130的材料为铟锡氧化物薄膜，因此，铟锡氧化物薄膜也不溶于用于刻蚀电极层140的刻蚀溶液。

在一个具体的实施例中，在通过刻蚀工艺对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀时，可以通过黄光刻蚀工艺对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀。

在另一个具体的实施例中，也可以通过刻蚀溶液对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀。此时，用于刻蚀铟锡氧化物薄膜1301的刻蚀溶液应不会刻蚀到金属隔离层120，从而避免刻蚀铟锡氧化物薄膜1301的过程破坏金属隔离层120。

在一个实施例中，当保护层130由铟锡氧化物薄膜1301制备而得时，本申请的阵列基板的制备方法，其步骤s320之后还可以包括：

s330，对铟锡氧化物薄膜1301进行烘烤，形成多晶结构的保护层130。

即在对铟锡氧化物薄膜1301进行刻蚀，以去除金属隔离层120远离衬底100的表面上覆盖的铟锡氧化物薄膜1301后，还可以对铟锡氧化物薄膜1301进行烘烤，使铟锡氧化物多晶化。多晶结构的铟锡氧化物不会被由草酸、醋酸和硝酸组合而成的刻蚀溶液刻蚀，可以避免刻蚀溶液与金属隔离层120的侧壁发生置换反应。

具体的，当保护层130由铟锡氧化物薄膜1301制备而得时，一般可以将铟锡氧化物薄膜在250摄氏度的温度下烘烤半小时以上，从而使铟锡氧化物呈多晶结构。

需要理解的是，在上述实施例中，对于保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁的情况，仅介绍了“保护层130由铟锡氧化物薄膜1301制备”这一具体实施例。然而，这并不代表保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁的情况下，本申请的保护层130的材料仅可以是铟锡氧化物。事实上，当保护层130为有机膜层或无机膜层时，其也可以仅包覆金属隔离层120的侧壁。本申请上述实施例的发明目的在于，当使用铟锡氧化物等半导体材料作为保护层130时，使保护层130仅包覆金属隔离层120的侧壁，可以减小由保护层130带来的短路风险。

在一个实施例中，本申请的阵列基板的制备方法，其保护层130的厚度范围为200埃至400埃。

在一个实施例中，如图8和图9所示，本申请的阵列基板的制备方法，其金属隔离层120的侧壁包括第一侧壁1202和第二侧壁1204，其中，第一侧壁1202围合第二侧壁1204，并与第二侧壁1204共同围合形成开孔区域106。

具体的，在本实施例中，金属隔离层120位于衬底100的非显示区104，且包括第一侧壁1202和第二侧壁1204。金属隔离层120的第一侧壁1202更靠近显示区102，第二侧壁1204围合形成开孔区域106。

在一个实施例中，如图10或图11所示，金属隔离层120包括层叠的第一金属层122和第二金属层124。第二金属层124位于第一金属层122远离衬底100的一侧，保护层130至少包覆第一金属层122的侧壁。

具体的，金属隔离层120包括层叠的第一金属层122和第二金属层124。其中，第一金属层122可以是金属性质较为活泼的金属，如金属铝；第二金属层124可以是金属性质较为稳定的金属，如金属钛。以此，步骤s200中的在非显示区104形成金属隔离层120，具体可以包括：

s210，在衬底100的非显示区104形成第一金属层122。

s220，在第一金属层122上形成覆盖第一金属层122的第二金属层124。

在此，第二金属层124的覆盖范围可以与第一金属层122相同。换句话说，第二金属层124在衬底100上的正投影与第一金属层122在衬底100上的正投影重叠。由上述描述已知，金属隔离层120在非显示区104围合形成开孔区域106。因此，第一金属层122和第二金属层124也应在非显示区104围合且共同形成开孔区域106。

s230，对第一金属层122进行侧刻，使第一金属层122在衬底100上的覆盖范围落于第二金属层124在衬底100上的覆盖范围之内，从而形成金属隔离层120。

侧刻即指从第一金属层122的侧壁对第一金属层122进行刻蚀。由于第一金属层122的材料可以是铝金属，因此，也可以采用刻蚀溶液对第一金属层122进行刻蚀。用于刻蚀第一金属层122的刻蚀溶液也可以是草酸、醋酸和硝酸的混合溶液。在此，对第一金属层122进行刻蚀时，可以仅从第一金属层122的一个侧壁对第一金属层122进行刻蚀，也可以从第一金属层122的两个侧壁分别对第一金属层122进行刻蚀。对第一金属层122进行侧刻后，即可形成金属隔离层120。

当仅从第一金属层122的一个侧壁对第一金属层122进行刻蚀时，可以从第一金属层122围合形成开孔区域106的侧壁，即第一金属层122的第二侧壁1204对第一金属层122进行刻蚀。图10示出了从第一金属层122的一个侧壁对第一金属层122进行刻蚀，并包覆有保护层130的示意图。此时，第一金属层122的纵向剖面可以是梯形。当从第一金属层122的两个侧壁分别对第一金属层122进行刻蚀时，即从第一金属层122的第一侧壁1202和第二侧壁1204分别对第一金属层122进行刻蚀时，第一金属层122的纵向剖面可以呈倒立的梯形或矩形。图11示出了从第一金属层122的两个侧壁对第一金属层122进行刻蚀，并包覆有保护层130的示意图。

在本申请中，保护层130至少包覆第一金属层122的侧壁。

由上述描述已知，第一金属层122为金属性质比较活泼的金属，如金属铝。第二金属层124为金属性质比较稳定的金属，如金属钛。电极层140需要刻蚀形成若干个阳极，因此电极层140也可以是金属性质比较活泼的金属，如金属银。如此，在使用刻蚀溶液对第一金属层122进行刻蚀时，刻蚀溶液不会损坏第二金属层124。因此，在对电极层140进行刻蚀时，由于第二金属层124的金属性质比较稳定，保护层130可以仅包覆第一金属层122的侧壁，即可避免置换反应的发生。

进一步的，如图12或图13所示，本申请的阵列基板的制备方法，其金属隔离层120还包括第三金属层126。第三金属层126位于第一金属层122与衬底100之间。

具体的，金属隔离层120包括层叠的第三金属层126、第一金属层122和第二金属层124。其中第三金属层126的材料可以与第二金属层124相同，是金属性质较为稳定的金属，如金属钛。以此，步骤s200中的在非显示区104形成金属隔离层120，其还可以在步骤s210之前包括：

s201，在衬底100的非显示区104形成第三金属层126。

在此，第三金属层126的覆盖范围可以与第二金属层124相同。换句话说，第三金属层126在衬底100上的正投影与第二金属层124在衬底100上正投影重叠。由上述描述已知，金属隔离层120在非显示区104围合形成开孔区域106。因此，第三金属层126也应在非显示区104围合开孔区域106。

此时，步骤s210具体可以是：在第三金属层126远离衬底100的表面形成第一金属层122。其他内容参见上文，不再赘述。当金属隔离层120包括层叠的第三金属层126、第一金属层122和第二金属层124时，上述步骤s230中的“对第一金属层122进行侧刻”，也可以是仅从第一金属层122的一个侧壁对第一金属层122进行刻蚀，或从第一金属层122的两个侧壁分别对第一金属层122进行刻蚀。图12示出了从第一金属层122的两个侧壁对第一金属层122进行刻蚀，并且第一金属层122的侧壁包覆有保护层130的示意图。图13示出了从第一金属层122的两个侧壁对第一金属层122进行刻蚀，并且金属隔离层120的外表面包覆有保护层130的示意图。

在一个实施例中，本申请还提供一种显示面板，包括如上述任意一个实施例中的阵列基板10。

具体的，该显示面板包括阵列基板10及位于阵列基板10上的发光像素，以及用于封装发光像素的封装层。其中，该阵列基板10包括：衬底100，包括显示区102和非显示区104；导电层110，位于显示区102；金属隔离层120，位于非显示区104，且金属隔离层120围合形成一个开孔区域106；保护层130，至少包覆金属隔离层120的侧壁；电极层140，覆盖导电层110。

在一个实施例中，本申请还提供一种显示装置，包括如上述实施例中的显示面板，不再赘述。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。