显示面板及其制作方法与流程

本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术：

在不增加显示装置的整体尺寸的前提下，增大显示屏幕的尺寸，即显示装置的屏占比是行业内关注的一个重要参数。

通常情况下，显示装置的正面需要安装诸如摄像头等各种光传感元件，为了不影响显示装置的屏占比，可以在显示装置中的显示面板内设置开孔，然后将摄像头安放至显示面板的背面。摄像头经开孔可获取图像。

在显示面板内开孔后，会影响显示面板的显示效果，造成良率降低。

技术实现要素：

本发明提供一种显示面板及其制作方法，以解决相关技术中的不足。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供一种显示面板，包括：

基底，所述基底包括：预定开孔区、围绕所述预定开孔区的第一邻接区，围绕所述第一邻接区的第二邻接区，以及围绕所述第二邻接区的显示区；

阵列式排布的像素结构，位于所述显示区；

凸环，位于所述第二邻接区；

封装层，覆盖于所述阵列式排布的像素结构与所述凸环远离所述基底的一侧，所述凸环与覆盖于所述凸环的所述封装层形成堤坝；

固态封装胶，填充于所述堤坝围合的所述第一邻接区与所述预定开孔区；

开口，位于所述固态封装胶内，用于释放所述固态封装胶在完全固化过程中产生的应力。

可选地，所述开口位于所述预定开孔区。

可选地，所述开口具有一个或多个。

可选地，所述开口贯穿所述固态封装胶的整个厚度或部分厚度。

可选地，所述第一邻接区呈围绕所述预定开孔区的闭合环，所述第二邻接区呈围绕所述第一邻接区的闭合环，所述显示区呈围绕所述第二邻接区的闭合环。

可选地，所述显示面板还包括：

触控电极层，位于所述封装层远离所述基底的一侧；

遮光层，位于所述固态封装胶远离所述基底一侧，所述遮光层与所述触控电极层中的至少一层位于同层。

可选地，所述基底还包括第三邻接区，所述第三邻接区围绕所述第二邻接区，所述显示区围绕所述第三邻接区，所述第三邻接区设置有隔离槽；和/或所述第二邻接区设置有隔离槽。

本发明实施例的第二方面提供一种显示面板的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括：预定开孔区、围绕所述预定开孔区的第一邻接区，围绕所述第一邻接区的第二邻接区，以及围绕所述第二邻接区的显示区；

在所述显示区形成阵列式排布的像素结构，同时在所述第二邻接区形成凸环；

在所述阵列式排布的像素结构与所述凸环远离所述基底的一侧形成封装层，所述凸环与覆盖于所述凸环的所述封装层形成堤坝；

在所述堤坝围合的所述第一邻接区与所述预定开孔区填充半固态封装胶，在所述半固态封装胶内形成开口；对所述半固态封装胶完全固化形成固态封装胶，所述开口用于释放所述半固态封装胶在完全固化过程中产生的应力。

可选地，所述半固态封装胶通过液态封装胶进行半固化过程得到；所述半固化过程与所述完全固化过程都为热固化，所述完全固化过程中的温度高于所述半固化过程中的温度。

可选地，所述半固态封装胶通过液态封装胶进行半固化过程得到；所述半固化过程为紫外光固化，所述完全固化过程为热固化。

根据本发明的上述实施例中，固态封装胶粘接于堤坝，堤坝通过封装层与显示区的像素结构相连；固态封装胶内设置有开口，可释放该固态封装胶在由半固态至固态所经历的完全固化过程中产生的应力，防止完全固化过程中封装胶收缩产生的应力累积牵引堤坝移位，进而防止堤坝移位引起像素结构的某些层出现裂纹或剥离，从而可以提高显示面板的良率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明第一实施例示出的显示面板的俯视结构示意图；

图2是沿着图1中的aa线的剖视图；

图3是一种2t1c结构的像素驱动电路的电路图；

图4是本发明第一实施例示出的显示面板的制作方法的流程图；

图5至图8是图4流程对应的中间结构示意图；

图9是本发明第二实施例示出的显示面板的俯视结构示意图；

图10是本发明第三实施例示出的显示面板的截面结构示意图；

图11是本发明第四实施例示出的显示面板的截面结构示意图。

附图标记列表：

显示面板1、2、3、4基底10

预定开孔区10a显示区10b

第一邻接区10c第二邻接区10d

像素结构11第一电极11a

第二电极11b发光块11c

凸环12封装层13

堤坝14固态封装胶15

开口16半固态封装胶17

平坦化层pln像素定义层pdl

开关晶体管x1驱动晶体管x2

存储电容cst扫描信号sn

数据信号vdata电源信号vdd

底栅141栅极绝缘层142

有源层143层间介质层ild

源极144a漏极144b

钝化层pvx第一无机封装层13a

第二无机封装层13b有机封装层13c

隔离槽31触控电极层41

遮光层42

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

图1是本发明第一实施例示出的显示面板的俯视结构示意图，图2是沿着图1中的aa线的剖视图。

参照图1与图2所示，显示面板1，包括：

基底10，基底10包括：预定开孔区10a、围绕预定开孔区10a的第一邻接区10c，围绕第一邻接区10c的第二邻接区10d，以及围绕第二邻接区10d的显示区10b；

阵列式排布的像素结构11，位于显示区10b；

凸环12，位于第二邻接区10d；

封装层13，覆盖于阵列式排布的像素结构11与凸环12远离基底10的一侧，凸环12与覆盖于凸环12的封装层13形成堤坝14；

固态封装胶15，填充于堤坝14围合的第一邻接区10c与预定开孔区10a；

开口16，位于固态封装胶15内，用于释放固态封装胶15在完全固化过程中产生的应力。

参照图1与图2所示，基底10可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。

预定开孔区10a用于开设通孔或盲孔，使得光线可通过该通孔或盲孔到达摄像头等感光元件。

显示区10b上具有平坦化层pln。平坦化层pln远离基底10的一侧具有第一电极11a。第一电极11a以及未覆盖第一电极11a的平坦化层pln上设置有像素定义层pdl。像素定义层pdl具有暴露第一电极11a的部分区域的开口，开口内设置有发光块11c。发光块11c以及像素定义层pdl上设置有第二电极11b。

发光块11c可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的像素结构11交替分布。发光块11c的材料可以为有机发光材料(oled)。

平坦化层pln、像素定义层pdl的材料都可以为聚酰亚胺等透明材料。

第一电极11a可以为阳极，材料为透光材料或反光材料。透光材料可以为氧化铟锡(ito)、铟锌氧化物(izo)以及氧化铟镓锌(igzo)中的至少一种。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金，例如银(ag)、银和铅的合金(ag：pb)、铝和钕的合金(al：nd)、银铂铜的合金(ag：pt：cu)等。

第二电极11b可以为阴极，材料为半透半反材料或为反光材料。半透半反材料为具有部分透光、部分反光功能的材料，例如镁、银、铝中的至少一种，具体可以为：镁与银的混合物或铝与银的混合物。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金，例如银(ag)、银和铅的合金(ag：pb)、铝和钕的合金(al：nd)、银铂铜的合金(ag：pt：cu)等。

当第一电极11a的材料为透光材料，第二电极11b的材料为反光材料时，显示面板1为底发光结构；当第一电极11a的材料为反光材料，第二电极11b的材料为半透半反材料时，显示面板1为顶发光结构，本实施例对此不加以限定。

本实施例中，各个第二电极11b可以连接成一面电极，以方便对各个第二电极11b施加电压。

本实施例中，像素结构11的发光方式为主动驱动发光(activematrix，am)。因而，第一电极11a与基底10之间设置有像素驱动电路。

图3是一种2t1c结构的像素驱动电路的电路图。参照图3所示，像素驱动电路包括开关晶体管x1、驱动晶体管x2以及存储电容cst。

开关晶体管x1的栅极与一行扫描信号线电连接，该行扫描信号sn为开启电压时，开关晶体管x1将一列数据信号线上的数据信号vdata保持在存储电容cst的一个极板；扫描信号sn为关断电压时，存储电容cst上保持的数据信号保持驱动晶体管x2打开，使得一列电源信号线上的电源信号vdd对一像素结构11的第一电极11a持续供电。

位于同一行的各色像素结构11的像素驱动电路可以连接至同一行扫描信号线，位于同一列的同色像素结构11的像素驱动电路可以连接至同一列数据信号线与同一列电源信号线。一些实施例中，存储电容cst可由电源信号线与驱动晶体管x2的栅极重叠区域构成。

参照图2所示，本实施例中，像素驱动电路中的驱动晶体管x2包括：底栅141、栅极绝缘层142、有源层143、层间介质层ild、源极144a、漏极144b以及钝化层pvx。开关晶体管x1中的各层可与驱动晶体管x2中的同一功能层位于同一层。换言之，开关晶体管x1与驱动晶体管x2为底栅结构。

开关晶体管x1的漏极144b与驱动晶体管x2的源极144a可通过导电插塞以及金属互连层连接。

一些实施例中，开关晶体管x1与驱动晶体管x2中的一个为底栅结构，另一个为顶栅结构，或两者都为顶栅结构。

一些实施例中，像素结构11的像素驱动电路还可以为3t1c、5t2c、6t1c、7t1c等相关技术中的电路结构，本实施例对此不加以限定。

本实施例中，栅极绝缘层142、层间介质层ild以及钝化层pvx延伸至第一邻接区10c、第二邻接区10d以及预定开孔区10a。

一些实施例中，像素结构11的发光方式也可以为被动驱动方式。

被动驱动发光方式(passivematrix，pm)，也称无源驱动方式，由行列交叉的条状电极在交叉处对像素结构11施加电压，使其发光；因而，第一电极11a与基底10之间无像素驱动电路。

参照图2所示，凸环12与平坦化层pln位于同一层，两者材质可以相同。

各个第二电极11b远离基底10的一侧还设置有封装层13。封装层13可以为封装薄膜(tfe)。封装薄膜可以包括靠近基底10的第一无机封装层13a，远离基底10的第二无机封装层13b，以及第一无机封装层13a与第二无机封装层13b之间的有机封装层13c。

第一无机封装层13a与第二无机封装层13b的材料可以包括二氧化硅、氮化硅中的至少一种。

有机封装层13c可以包括聚合物，例如由聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一种形成的单层或多种形成的叠层。

沉积第一无机封装层13a与第二无机封装层13b时，同时形成在凸环12上。

凸环12将有机封装层13c限制在显示区10b。

一些实施例中，封装薄膜还可以为多层有机、无机材料交替的交叠结构，以提高封装效果。

一些实施例中，各个第二电极11b与封装层13之间还可以设置有光提取层(cpl)。

凸环12与覆盖于凸环12的封装层13形成堤坝14。固态封装胶15粘接于堤坝14远离显示区10b的一侧，以在预定开孔区10a开完孔后，切断外界水氧自孔进入显示区10b的路径。

固态封装胶15的成分例如但不限于为丙烯酸类材料或环氧树脂类材料。

固态封装胶15由液态封装胶或半固态封装胶完全固化而来，在完全固化过程中，封装胶大量收缩会积累大量应力，进而牵引堤坝14移位，堤坝14移位会带动像素结构11的某些层(例如第一电极11a、发光块11c或第二电极11b)出现裂纹或剥离，从而影响显示效果。针对上述问题，本实施例的固态封装胶15中设置有开口16，可对完全固化过程中产生的应力进行释放，从而避免应力累积引起堤坝14移位，进而提高显示面板1的良率。

参照图2所示，本实施例中，开口16位于预定开孔区10a。相对于开口16位于第一邻接区10c，本实施例的好处在于：在开孔后，固态封装胶15的密封效果更好。

此外，本实施例中，开口16贯穿固态封装胶15的整个厚度。一些实施例中，开口16也可以贯穿固态封装胶15的部分厚度。

本实施例中，第一邻接区10c呈围绕预定开孔区10a的闭合环，第二邻接区10d呈围绕第一邻接区10c的闭合环，显示区10b呈围绕第二邻接区10d的闭合环。

一些实施例中，例如刘海屏中，预定开孔区10a呈刘海状，预定开孔区10a的一边位于显示区10b的边缘。此时，第一邻接区10c也可以呈围绕预定开孔区10a的非闭合环，第二邻接区10d呈围绕第一邻接区10c的非闭合环，显示区10b呈围绕第二邻接区10d的非闭合环。

一些实施例中，为提高固态封装胶15的粘接效果，固态封装胶15还可以粘接于堤坝14远离基底10的一侧，甚至粘接于堤坝14靠近显示区10b一侧的封装层13。

对于图1与图2中的显示面板1，本发明一实施例还提供一种制作方法。图4是制作方法的流程图。图5至图8是图4流程对应的中间结构示意图。

首先，参照图4中的步骤s1与图5所示，提供基底10，基底10包括：预定开孔区10a、围绕预定开孔区10a的第一邻接区10c，围绕第一邻接区10c的第二邻接区10d，以及围绕第二邻接区10d的显示区10b。

基底10可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。

预定开孔区10a用于开设通孔或盲孔，使得光线可通过该通孔或盲孔到达摄像头等感光元件。

显示区10b包括若干像素区，像素区在行方向与列方向上按阵列式分布。

接着，参照图4中的步骤s2、图6至图8所示，在显示区10b形成阵列式排布的像素结构11，同时在第二邻接区10d形成凸环12。

本实施例中，像素结构11的发光方式为主动驱动发光。主动驱动发光方式，也称有源驱动方式，由像素驱动电路对像素结构11施加电压，使其发光。因而，先在像素区形成像素驱动电路。

像素结构11为电流型器件，因而，像素驱动电路包括若干晶体管与存储电容。以下仍以图3中的2t1c结构为例，介绍像素驱动电路的制作工序。步骤s2可包括步骤s21-s24。

步骤s21：参照图6所示，在像素区的开关晶体管区与驱动晶体管区分别形成底栅141；在显示区10b、第一邻接区10c、第二邻接区10d以及预定开孔区10a形成覆盖底栅141与基底10的栅极绝缘层142；在开关晶体管区与驱动晶体管区分别形成有源层143(包括源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道区)；在显示区10b、第一邻接区10c、第二邻接区10d以及预定开孔区10a形成覆盖有源层143与栅极绝缘层142的层间介质层ild；在开关晶体管区与驱动晶体管区形成连接源区的源极144a与连接漏区的漏极144b；在显示区10b、第一邻接区10c、第二邻接区10d以及预定开孔区10a形成覆盖源极144a、漏极144b以及层间介质层ild的钝化层pvx；在开关晶体管区与驱动晶体管区形成连接开关晶体管x1的漏极144b与驱动晶体管x2的源极144a的导电插塞以及金属互连层。开关晶体管区为待形成开关晶体管的区域；驱动晶体管区为待形成驱动晶体管的区域。

一些实施例中，开关晶体管x1与驱动晶体管x2中的一个为底栅结构，另一个为顶栅结构，或两者都为顶栅结构。顶栅结构是指栅极比有源层143远离基底10。

位于同一行的子像素结构11的像素驱动电路连接至同一行扫描信号线，位于同一列的同色像素结构11的像素驱动电路连接至同一列数据信号线与同一列电源信号线。扫描信号线可与底栅141在同一工序中形成。数据信号线、电源信号线可与源极144a/漏极144b在同一工序中形成。存储电容cst可由电源信号线与驱动晶体管x2的栅极重叠区域构成。

一些实施例中，像素结构11的像素驱动电路还可以为3t1c、5t2c、6t1c、7t1c等相关技术中的电路结构，本实施例对此不加以限定。

步骤s22：继续参照图6所示，在金属互连层与钝化层pvx上形成平坦化层pln。

平坦化层pln可以采用涂布法形成。平坦化层pln的材料可以为聚酰亚胺等透明材料。

步骤s23：参照图7所示，图形化平坦化层pln，在第二邻接区10d形成凸环12以及去除预定开孔区10a与第一邻接区10c的平坦化层pln。

图形化平坦化层pln可以采用干法刻蚀完成或先曝光、后显影的方式完成。

步骤s24：参照图8所示，在位于显示区10b的平坦化层pln远离基底10的一侧形成若干第一电极11a，每一像素区具有一个第一电极11a；在各个第一电极11a以及平坦化层pln远离基底10的一侧形成像素定义层pdl；在像素定义层pdl内形成若干开口，每一像素区具有一个开口；在各个开口内形成发光块11c；在各个发光块11c以及像素定义层pdl远离基底10的一侧形成第二电极11b。

第一电极11a可以先采用沉积法形成一整面第一电极材料层，后经干法刻蚀或湿法刻蚀形成若干个第一电极块。第一电极11a可以为阳极，材料为透光材料或反光材料。透光材料可以为ito、izo以及igzo中的至少一种。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金，例如银(ag)、银和铅的合金(ag：pb)、铝和钕的合金(al：nd)、银铂铜的合金(ag：pt：cu)等。

像素定义层pdl可以采用涂布法形成，开口可以采用刻蚀法形成。像素定义层pdl的材料可以为聚酰亚胺等透明材料。

发光块11c可以采用蒸镀法蒸镀有机发光材料层形成。第一邻接区10c、第二邻接区10d以及预定开孔区10a的有机发光材料层可采用激光烧灼法去除。

各个第二电极11b可以连接成一面电极。第二电极11b可以为阴极，材料为半透半反材料或为反光材料。半透半反材料为具有部分透光、部分反光功能的材料，例如镁、银、铝中的至少一种，具体可以为：镁与银的混合物或铝与银的混合物。反光材料可以为包括银(ag)及其合金、铝(al)及其合金，例如银(ag)、银和铅的合金(ag：pb)、铝和钕的合金(al：nd)、银铂铜的合金(ag：pt：cu)等。

一些实施例中，像素结构11的发光方式也可以为被动驱动方式。对于被动驱动方式的像素结构11，无需在第一电极11a与基底10之间形成像素驱动电路。

之后，参照图4中的步骤s3与图8所示，在阵列式排布的像素结构11与凸环12远离基底10的一侧形成封装层13，凸环12与覆盖于凸环12的封装层13形成堤坝14。

封装层13可以为封装薄膜(tfe)。封装薄膜可以包括靠近基底10的第一无机封装层13a，远离基底10的第二无机封装层13b，以及第一无机封装层13a与第二无机封装层13b之间的有机封装层13c。

第一无机封装层13a与第二无机封装层13b可以采用物理气相沉积或化学气相沉积法形成。沉积第一无机封装层13a与第二无机封装层13b时，同时形成在凸环12上。有机封装层13c可以采用喷墨打印法形成。凸环12将有机封装层13c限制在显示区10b。

一些实施例中，封装薄膜还可以为多层有机、无机材料交替的交叠结构，以提高封装效果。

一些实施例中，各个第二电极11b与封装层13之间还可以设置有光提取层(cpl)。

凸环12与覆盖于凸环12的封装层13形成堤坝14。

再接着，参照图4中的步骤s4与图8所示，在堤坝14围合的第一邻接区10c与预定开孔区10a填充半固态封装胶17，在半固态封装胶17内形成开口16；对半固态封装胶17完全固化形成固态封装胶15，开口16用于释放半固态封装胶17在完全固化过程中产生的应力。

半固态封装胶17是指封装胶无法自由流动。

一些实施例中，半固态封装胶17通过液态封装胶进行半固化过程得到。即步骤s4包括：在堤坝14围合的第一邻接区10c与预定开孔区10a填充液态封装胶，对液态封装胶进行半固化得到半固态封装胶17。

半固化过程与完全固化过程可以都为热固化，完全固化过程中的温度高于半固化过程中的温度，即完全固化过程对可挥发溶剂(一些实施例中为水)的蒸发程度大于半固化过程对可挥发溶剂的蒸发程度；或半固化过程为紫外光固化，完全固化过程为热固化。换言之，完全固化过程引起的收缩量大于半固化过程引起的收缩量。

另一些实施例中，半固态封装胶17为相关技术中的已知封装胶，通过涂布等方法形成在堤坝14围合的第一邻接区10c与预定开孔区10a。

一些实施例中，半固态封装胶17的材质可以为光敏材料，其内的开口16通过先曝光、后显影的方式形成。

另一些实施例中，半固态封装胶17的材质可以为可干法刻蚀去除材料或可激光去除材料，其内的开口16对应干法刻蚀或激光烧灼形成。

半固态封装胶17在完全固化后，形成固态封装胶15。固态封装胶15粘接于堤坝14远离显示区10b的一侧，以在预定开孔区10a开完孔后，切断外界水氧自孔进入显示区10b的路径。

图9是本发明第二实施例示出的显示面板的俯视结构示意图。参照图9所示，本实施例的显示面板2及其制作方法与图1至图8中的显示面板1及其制作方法大致相同，区别仅在于：开口16为三个。

一些实施例中，开口16的数目还可以为两个、四个及其以上。多个开口16可进一步防止应力累积叠加，释放效果更好。

图10是本发明第三实施例示出的显示面板的截面结构示意图。

参照图10所示，本实施例的显示面板3与图1至图2、图9中的显示面板1、2的结构大致相同，区别仅在于：第一邻接区10c设置有隔离槽31。隔离槽31贯穿栅极绝缘层142、层间介质层ild以及钝化层pvx。

一些实施例中，第一邻接区10c、第二邻接区10d以及预定开孔区10a的有机发光材料层不去除。隔离槽31的作用之一在于：可隔断第一邻接区10c的有机发光材料层，切断水氧自开孔进入显示区10b的路径。此外，隔离槽31切断栅极绝缘层142、层间介质层ild以及钝化层pvx等无机材料层，在预定开孔区10a开孔过程中，可以防止无机材料层的裂纹延伸至显示区10b。

当隔离槽31具有多个时，相邻隔离槽31之间形成隔离柱。

一些实施例中，基底10还包括第三邻接区(未图示)，第三邻接区围绕第二邻接区10d，显示区10b围绕第三邻接区。封装层13还覆盖于第三邻接区。凸环12将有机封装层13c限制在显示区10b与第三邻接区。

第三邻接区也可以设置有隔离槽31，用于隔断第三邻接区的有机发光材料层。

相应地，对于制作方法，与第一实施例与第二实施例的做法基本相同，区别仅在于：步骤s4中，步骤s21与步骤s22之间进行：在第一邻接区10c和/或第三邻接区形成贯穿栅极绝缘层142、层间介质层ild以及钝化层pvx的隔离槽31。

图11是本发明第四实施例示出的显示面板的截面结构示意图。

参照图11所示，本实施例的显示面板4与图1至图2、图9、图10中的显示面板1、2、3的结构大致相同，区别仅在于：显示面板4还包括：

触控电极层41，位于封装层13远离基底10的一侧；

遮光层42，位于固态封装胶15远离基底10一侧，遮光层42与触控电极层41中的至少一层位于同层。

触控电极层41可以具有多层，相邻层触控电极层41采用绝缘层电绝缘。遮光层42可以具有一层或多层。触控电极层41可以与遮光层42连接在一起。

遮光层42与触控电极层41的材料可以相同，例如金属铜、金属铝或金属钼等。

遮光层42可防止预定开孔区10a开的孔漏光。

相应地，对于制作方法，区别仅在于：步骤s4后进行：在封装层13远离基底10的一侧形成触控电极层41，同时在固态封装胶15远离基底10一侧形成遮光层42。换言之，遮光层42至少与触控电极层41中的一层在同一工序中形成。

基于上述显示面板1、2、3、4，本发明一实施例还提供一种显示装置。显示装置包括：

上述任一种显示面板1、2、3、4；

感光元件，设置在显示面板1、2、3、4的背面，且与预定开孔区10a对准。

感光元件可以为摄像头或指纹识别传感器等。

显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。