热电堆传感器的制作方法与流程

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种热电堆传感器的制作方法。

背景技术：

热电堆(thermal-pile)是一种能将温差和电能相互转化的元件，其由两个或多个热电偶串接组成，各热电偶输出的热电势是互相叠加的，当热电堆的两边出现温差时，会产生电流。热电堆传感器可配置各种透镜和滤波器，从而实现在温度测量(额温枪、耳温枪、食品温度检测等)、气体成份的定性/定量分析、智能家电、灯具开关、医疗设备等多种应用场景中的应用。

然而，现有的热电堆传感器的器件精度有待提高。

技术实现要素：

本发明实施例解决的问题是提供一种热电堆传感器的制作方法，在简化工艺流程、降低工艺成本的同时，提高热电堆传感器的测量精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种热电堆传感器的制作方法，包括：提供热电堆结构板和基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；在所述热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有第一导电互连结构，所述第一导电互连结构电连接所述热电堆结构；在所述基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有牺牲结构，所述支撑结构的顶面露出所述牺牲结构；将所述热电堆结构板键合在所述支撑结构上，使所述第一互连层位于所述热电堆结构的下方，且在键合后，所述热电堆结构设置在所述牺牲结构的上方；在键合后，去除所述牺牲结构，形成第一空腔。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例在热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有电连接热电堆结构的第一导电互连结构，并在基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有牺牲结构，所述支撑结构的顶面露出所述牺牲结构，将所述热电堆结构板键合在所述支撑结构上后，第一互连层位于热电堆结构的下方，且所述热电堆结构设置在牺牲结构的上方，相应的，去除牺牲结构以形成第一空腔后，所述第一空腔位于热电堆结构的下方；一方面，在键合后，即可使得所述第一互连层位于热电堆结构的下方，且可以通过释放孔将牺牲结构去除，这有利于简化工艺流程、降低工艺成本，另一方面，所述电堆传感器能够从热电堆结构板背向基板的一侧接收热辐射，这有利于减少所述第一互连层中的一些结构(例如，第一导电互连结构)对热辐射的吸收和反射，所述热电堆结构板和基板之间可以通过第一空腔进行热绝缘，以降低热电堆结构接收的热量向第一空腔下方的基板中传导，从而能够提高热电堆传感器的测量精度；综上，本发明实施例能够在简化工艺流程、降低工艺成本的同时，提高热电堆传感器的测量精度。

可选方案中，所述支撑结构中还形成有热辐射反射板，所述热辐射反射板位于所述牺牲结构的下方，因此，形成第一空腔后，所述热辐射反射板位于所述第一空腔的底部，从而使得所述电堆传感器还可以通过所述热辐射反射板将穿透热电堆结构板的残余辐射反射回热电堆结构板，从而进一步提高热电堆传感器的测量精度。

可选方案中，形成第一互连层的步骤中，在键合后，所述热电堆结构和所述热辐射反射板之间的垂直距离为1/4辐射波长的奇数倍，这有利于实现热辐射反射板对穿透热电堆结构板的残余辐射的最大反射能力，从而提高热电堆传感器的测量精度。

可选方案中，所述基板为电路基板，所述电路基板中形成有读出电路结构，在键合后，所述制作方法还包括：在所述热辐射感应区外围的所述热电堆结构板上形成第二导电互连结构，所述第二导电互连结构电连接所述读出电路结构和所述第一导电互连结构；因此，本发明实施例能够在不增加面积的条件下，实现读出电路结构的垂直系统集成，这有利于缩短传感信号到读出电路结构的互连长度、信号损失和噪声，且有利于热电堆传感器的微型化。

附图说明

图1至图11是本发明热电堆传感器的制作方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图12是本发明热电堆传感器的制作方法另一实施例对应的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有的热电堆传感器的器件精度有待提高。

热电堆传感器又称为热电堆红外探测器，传统的热电堆传感器，通过在介质薄膜上淀积多晶硅或金属制作热偶对以感应温度信息，然后通过背面硅各向异性湿法腐蚀的方法在介质薄膜下方形成隔热空腔以增加热阻，并将热偶对电连接至位于热偶对侧边的电路结构上，从而实现感应信号的传输。但该方法形成的器件下方没有基底进行密封，隔热空腔中的热量仍会以一定的形式流失，从而导致热电堆传感器的测量精度不高。

为了解决所述技术问题，本发明实施例在热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有电连接热电堆结构的第一导电互连结构，并在基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有牺牲结构，所述支撑结构的顶面露出所述牺牲结构，将所述热电堆结构板键合在所述支撑结构上后，第一互连层位于热电堆结构的下方，且所述热电堆结构设置在牺牲结构的上方，相应的，去除牺牲结构以形成第一空腔后，所述第一空腔位于热电堆结构的下方；一方面，在键合后，即可使得所述第一互连层位于热电堆结构的下方，且可以通过释放孔将牺牲结构去除，这有利于简化工艺流程、降低工艺成本，另一方面，所述电堆传感器能够从热电堆结构板背向基板的一侧接收热辐射，这有利于减少所述第一互连层中的一些结构(例如，第一导电互连结构)对热辐射的吸收和反射，所述热电堆结构板和基板之间可以通过第一空腔进行热绝缘，以降低热电堆结构接收的热量向第一空腔下方的基板中传导，从而能够提高热电堆传感器的测量精度；综上，本发明实施例能够在简化工艺流程、降低工艺成本的同时，提高热电堆传感器的测量精度。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1至图11是本发明热电堆传感器的制作方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

参考图1，提供热电堆结构板20，所述热电堆结构板20包括热辐射感应区20a，所述热辐射感应区20a中形成有热电堆结构203。

热电堆结构板20作为感应结构，用于接收热辐射，从而感应温度信息。

本实施例中，热电堆结构203的分布区域为热辐射感应区20a，热辐射感应区20a外围的区域用于后续制作第二互连导电结构。

热电堆结构板20包括半导体衬底(未标示)，半导体衬底用于为热电堆结构203的形成提供工艺平台。

半导体衬底可以选用本领域技术人员所熟知的任意合适的材料，例如，硅、绝缘体上硅、锗、硅锗、砷化镓、磷化铟等半导体衬底材料。

本实施例中，半导体衬底为绝缘体上硅衬底，包括由下而上依次堆叠的底层半导体层200、绝缘层201和顶层半导体层202。在后续制程中，还会对半导体衬底的背面进行减薄处理，从而减小热电堆传感器的厚度。通过采用绝缘体上硅衬底，便于控制减薄处理的停止位置。

底层半导体层200的材料可以是未掺杂的半导体材料(例如多晶硅或单晶硅等)；绝缘层201的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种；顶层半导体层202的材料可以是未掺杂的半导体材料(例如多晶硅或单晶硅等)、n型掺杂的半导体材料或p型掺杂的半导体材料，顶层半导体层202的形成工艺包括外延工艺或离子注入工艺。

作为一种示例，底层半导体层200和顶层半导体层202的材料为单晶硅，绝缘层201的材料为氧化硅。在其他实施例中，半导体衬底可以为单层结构，底层半导体层和绝缘层均可以被省略。

热电堆结构203包括至少一种热感应微结构，热感应微结构可以是由任意合适的热传导材料形成，例如，热感应微结构的材料包括金属、未掺杂的半导体材料、掺杂的半导体材料和金属硅化物中的至少一种。未掺杂的半导体材料或掺杂的半导体材料均包括硅、锗、砷化镓和磷化铟中的一种或多种，且掺杂的半导体材料中，掺杂离子包含n型离子(例如砷、锗等)或p型离子(例如硼、氟化硼、磷等)。

本实施例中，半导体衬底为绝缘体上硅衬底，相应的，热电堆结构203形成于顶层半导体层202中。

具体地，形成热电堆结构203的步骤包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底的部分区域进行n型离子掺杂和p型离子掺杂中的至少一种，以形成n型掺杂区和p型掺杂区中的至少一种，作为所述热电堆结构203。

本实施例中，对半导体衬底的部分区域进行n型离子掺杂，以形成n型掺杂区，对半导体衬底的部分区域进行p型离子掺杂，以形成p型掺杂区，n型掺杂区和p型掺杂用于作为热电堆结构203。

热电堆结构203中的热感应微结构包括形成在半导体衬底中的n型掺杂区和p型掺杂区，从而使得热电堆结构203的制作与cmos工艺相兼容，进而简化工艺、降低成本。

相应的，n型掺杂区用于作为第一热感应微结构203a，p型掺杂区用于作为第二热感应微结构203b，热电堆结构203包括材料不同的第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b，第一热感应微结构203a为n型掺杂的单晶硅，第二热感应微结构203b为p型掺杂的单晶硅。

需要说明的是，所述热电堆结构203不仅限于采用掺杂方式形成的结构，也可以为通过其他方法形成的其他结构。

第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b可以分别呈线型(例如，直线或曲线或折线等)，也可以呈阵列型，还可以呈梳子型。

第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b可以具有大致对称的结构，例如，第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b均为直线型结构时，两者具有大致相同的长度，这有利于使得在第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b之间能够产生大致对称的热感应效果，从而有利于提高热电堆传感器的测量精度。

此外，第一热感应微结构203a的整体分布区域和第二热感应微结构203b的整体分布区域在所述热电堆结构板20的平面内可以并列排布且没有重叠，也可以有部分区域嵌套，从而至少有部分重叠。作为一种示例，第一热感应微结构203a的整体分布区域和第二热感应微结构203b的整体分布区域在热电堆结构板20的平面内有部分重叠，例如，第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b均为梳子型结构，第一热感应微结构203a的一部分梳齿插在第二热感应微结构203b的相应的梳齿缝隙中，从而在不增加热电堆传感器的表面积的同时，可以进一步提高热电堆传感器性能。

本实施例中，第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b均为单层结构。在其他实施例中，第一热感应微结构和第二热感应微结构也可以分别为叠层结构，此时，可以通过向半导体衬底进行多次离子注入来形成，相邻两次离子注入的注入剂量或者注入能量或者掺杂离子类型不同，上下相邻的两层掺杂区的掺杂浓度和掺杂离子类型中的至少一项不同，后续还会在所述热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有电连接所述热电堆结构的第一导电互连结构，不同掺杂区之间能通过第一互连层中的第一导电互连结构串联耦合或者并联耦合，从而在不增加热电堆传感器的表面积的同时，可以进一步提高热电堆传感器性能。

需要说明的是，第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b的材料也不仅限定于掺杂的半导体材料。在另一些实施例中，还可以通过金属层的图案化刻蚀、半导体层的图案化刻蚀和半导体层的金属硅化等中的至少一种工艺，在半导体衬底上形成相应的热感应微结构。相应的，热感应微结构的材料还可以是金属、未掺杂的半导体材料和金属硅化物等中的至少一种。

在其他实施例中，热电堆结构也可以仅具有一种热感应微结构，或者，也可以具有至少三种热感应微结构，这些热感应微结构的材料不同，或者结构不同，或者材料和结构均不同，从而形成不同的热感应微结构。热感应微结构的材料包括金属、未掺杂的半导体材料、掺杂的半导体材料和金属硅化物中的至少一种；未掺杂的半导体材料或掺杂的半导体材料包括硅、锗、砷化镓和磷化铟中的至少一种，且掺杂的半导体材料中，掺杂离子包含n型离子或p型离子。

参考图2，在所述热电堆结构板20上形成第一互连层30，所述第一互连层30中至少形成有第一导电互连结构300，所述第一导电互连结构300电连接所述热电堆结构203。

第一互连层30用于实现热电堆结构203与外部电路的电连接。

第一互连层30包括第二钝化层301以及位于第二钝化层301中的第一导电互连结构300。

本实施例中，第二钝化层301将第一导电互连结构300以及热电堆结构203均掩埋在内，以保护热电堆结构203，并实现相邻第一导电互连结构300中的相邻导电互连线之间必要的绝缘隔离。在其他实施例中，第二钝化层也可以仅覆盖部分的第一导电互连结构。

第二钝化层301的材料可以包括二氧化硅、氮化硅和低k介质材料中的至少一种。

第一导电互连结构300能够使得第一热感应微结构203a和第二热感应微结构203b并联或串联电连接。

第一导电互连结构300的材料可以包括金属和金属硅化物中的一种或多种，金属包括铜、钛、铝或钨。

第一互连层30可以通过金属互连工艺形成在热电堆结构板20上。

具体地，第一导电互连结构300可以先通过金属层沉积、光刻、刻蚀等一系列工艺或者金属剥离(lift-off)工艺，形成在热电堆结构板20上。

本实施例中，第一导电互连结构300为单层金属层，有利于降低热电堆传感器的集成厚度，有利于器件微型化。

具体地，形成第一互连层30的步骤包括：先在热电堆结构板20上形成第一导电互连结构300，后在所述热电堆结构板20上沉积足够厚的第二钝化层301，并采用化学机械抛光(cmp)工艺对第二钝化层301进行顶面平坦化，顶面平坦化后的第二钝化层301将第一导电互连结构300掩埋在内，第二钝化层301和第一导电互连结构300构成第一互连层30。

后续将第一互连层30倒置键合在基板上，第二钝化层301的顶面为平坦面，有利于提高键合可靠性。

在其他实施例中，也可以先在所述热电堆结构板上形成第二钝化层，后形成所述第一导电互连结构于所述第二钝化层中。具体地，先在热电堆结构板上沉积第一钝化材料层；然后刻蚀第一钝化材料层，形成暴露出热电堆结构的部分表面的沟槽；之后向沟槽中填充金属导电材料，并对金属导电材料进行平坦化，直至暴露第一钝化材料层的顶面，以形成顶面与第一钝化材料层顶面相齐平的第一导电互连结构；接着在第一导电互连结构和第一钝化材料层上沉积第二钝化材料层，第二钝化材料层和第一钝化材料层构成第二钝化层。

本实施例中，第一导电互连结构300包括第一导电互连线(未标示)和第二导电互连线(未标示)，第一导电互连线电连接第一热感应微结构203a，第二导电互连线电性连接第二热感应微结构203b。

本实施例中，第一导电互连结构300是单层结构，因此，第一导电互连线和第二导电互连线均为一层金属线，第一导电互连线的一端电连接所述第一热感应微结构203a，另一端用于与外部电路实现电连接；同理，第二导电互连线的一端电连接第二热感应微结构203b，另一端用于与外部电路实现电连接。

在其他实施例中，第一导电互连结构也可以是多层金属互连结构，具体根据热感应微结构的分布和连接关系需求，并采用本领域中常规的多层金属互连工艺来形成，第二钝化层在该多层金属互连工艺之前以及在该多层金属互连工艺过程中形成，具体过程在此不再赘述。此时，第二钝化层包括多层堆叠的介电层，例如，包括第一介电层和第二介电层。第一介电层是在热电堆结构形成之后且在第一导电互连结构形成之前形成的，以保护热电堆结构，避免第一导电互连结构的形成工艺对热电堆结构造成不良影响；第二介电层是在第一导电互连结构的形成过程中以及形成第一导电互连结构之后形成的，从而为第一导电互连结构的形成提供工艺平台，并实现第一导电互连结构中相邻导电互连线之间的绝缘隔离以及实现第一导电互连结构的掩埋。

参考图3，提供基板10。

基板10用于实现与热电堆结构板20(如图2所示)的键合。

具体地，后续将热电堆结构板20键合在基板10上，并在热电堆结构板20和基板10之间形成第一空腔，基板10密封第一空腔的底部，从而减小第一空腔中的热量的流失，进而有利于提高热电堆传感器的测量精度。

基板10可以为承载基板(carrierwafer)或电路基板，电路基板为完成feol(frontendofline，前道制程)工艺和beol(backendofline，后道制程)工艺以及晶圆针测的cmos基板，电路基板中形成有读出电路结构。其中，feol工艺和beol工艺均为本领域中cmos集成电路制造的常规制程工艺，晶圆针测为本领域的测试cmos集成电路性能的常规测试方案，在此均不再赘述。

作为一种示例，基板10为电路基板。后续将热电堆结构板20键合在基板10上后，基板10位于热电堆结构板20的下方，因此，能够在不增加面积的条件下，实现读出电路结构的垂直系统集成，有利于缩短传感信号到读出电路结构的互连长度、信号损失和噪声，且有利于热电堆传感器的微型化；此外，还有利于进一步延展到制作主动热成像传感器阵列与cmos读出像素阵列及外围电路的3d系统集成。

基板10包括基底100、形成在基底100中的电子元件以及形成在基底100上的第二互连层103，基底100可以为本领域技术人员熟知的任意合适的半导体衬底材料，例如硅、绝缘体上硅、锗、硅锗、砷化镓、磷化铟等。

基底100中形成有通过cmos制造工艺形成的相应的电子元件以及位于相邻的电子元件之间的隔离结构101，电子元件包括mos晶体管102、电阻、二极管、电容和存储器等中的至少一种，mos晶体管102包括栅极结构102a以及位于栅极结构102a两侧的基底100中的源区102b和漏区102c。其中，mos晶体管102可以包括pmos晶体管和nmos晶体管中的至少一种；隔离结构101可以通过局部场氧化工艺或者浅沟槽隔离(sti)工艺形成；第二互连层103通过beol工艺形成，具体包括金属层间介电层(imd)以及位于金属层间介电层中的读出电路结构104，读出电路结构104通过金属层间介电层实现隔离。

读出电路结构104包括与电子元件的相应端子直接电性接触的底部接触插塞以及与底部接触插塞电连接的多层金属互连结构，多层金属互连结构包括依次层叠的多层金属互连层，相邻金属互连层之间通过金属层间介电层实现隔离，且在局部区域通过位于金属层间介电层中的导电通孔(via)结构实现电连接。第二互连层103中具有暴露出读出电路结构104的部分表面的开口105，以形成用于晶圆针测的针测点。

结合参考图4和图5，在所述基板10上形成支撑结构40(如图5所示)，所述支撑结构40中形成有牺牲结构400(如图5所示)，所述支撑结构40的顶面露出牺牲结构400。

后续将热电堆结构板20键合在支撑结构40上，且在键合后，热电堆结构203(如图2所示)设置在所述牺牲结构400的上方。

牺牲结构400用于为第一空腔的形成占据空间位置，也就是说，去除牺牲结构400，即可在热电堆结构板20和基板10之间形成第一空腔，这有利于简化工艺流程、降低工艺成本。

本实施例中，支撑结构40形成在基板10上，从而避免支撑结构40的形成工艺对热电堆结构板20造成不良影响。

本实施例中，所述支撑结构40的顶面和牺牲结构400的顶面相齐平，从而有利于提高键合可靠性。

本实施例中，支撑结构40还包括包围在牺牲结构400周围的第一钝化层402，第一钝化层402的顶面为平面，第一钝化层402的顶面露出牺牲结构400，以便于后续去除牺牲结构400。

具体地，第一钝化层402的顶面和牺牲结构400的顶面相齐平。

第一钝化层402将牺牲结构400掩埋在内，因此，后续通过去除牺牲结构400，即可在第一钝化层402中形成第一空腔。

而且，第一钝化层402的顶面为平坦面，为后续键合工艺提供平坦的键合表面。

此外，所述第一钝化层402中形成有牺牲结构400，在后续进行键合时，有利于提高基板10和热电堆结构板20所受到的键合力的均匀性，从而提高键合可靠性。

本实施例中，在所述基板10上形成具有凹槽405(如图4所示)的第一钝化层402后，形成填充在所述凹槽405内的牺牲结构400(如图5所示)。

本实施例中，所述支撑结构40中还形成有热辐射反射板401，所述热辐射反射板401位于所述牺牲结构400的下方。

后续去除牺牲结构400后，热辐射反射板401位于第一空腔的底部，从而能够通过热辐射反射板401将穿透热电堆结构板20的残余辐射反射回热电堆结构板20，进而进一步提高热电堆传感器的测量精度。

相应的，在形成所述第一钝化层402之前，在所述基板100上形成热辐射反射板401。

具体地，先在基板10上形成第一子钝化层402a，第一子钝化层402a的顶面为平面，接着在第一子钝化层402a上形成热辐射反射板401，随后在热辐射反射板401和第一子钝化层402a上沉积第二子钝化层402b，第二子钝化层402b将热辐射反射板401掩埋在内，第二子钝化层402b和第一子钝化层402a构成第二钝化层402，形成第二钝化层402后，刻蚀第二钝化层402至一定深度或者直至暴露出热辐射反射板401的表面，以形成凹槽405。

其中，基板10为电路基板，且第二互连层103中具有暴露出读出电路结构104的部分表面的开口105，因此，第一子钝化层402a还填充于开口105中。

本实施例中，所述热辐射反射板401被第二钝化层402掩埋在凹槽405的底面与基板10的上表面之间，即所述热辐射反射板401位于所述凹槽405的底部下方，从而利用第二钝化层402对热辐射反射板401的上表面进行保护。

本实施例中，热辐射反射板401和基板10之间通过第一子钝化层402a相隔离，从而有利于提高热辐射反射板401和基板10之间的电性绝缘效果。在其他实施例中，根据实际情况，也可以不形成第一子钝化层。

第一钝化层402的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k介质材料、高k介质材料和金属氮化物中的至少一种。作为一种示例，第一子钝化层402a和第二子钝化层402b的材料相同。

后续还会去除牺牲结构400，牺牲结构400的材料为易于被去除的材料，且牺牲结构400的材料与第二钝化层402和热辐射反射板401的材料不同，从而在去除牺牲结构400时，降低第二钝化层402和热辐射反射板401受损的概率。因此，牺牲结构400的材料可以包括锗和无定型碳中的至少一种。锗和无定型碳均为能够与气相刻蚀剂相反应以形成气体的材料，去除锗或无定型碳的工艺的副作用较小，从而能够降低牺牲结构400的释放工艺的工艺难度和工艺风险，并保证第一空腔的性能。

作为一种示例，牺牲结构400的材料为无定型碳，无定形碳的成本低，且能够采用灰化工艺去除无定形碳，灰化工艺采用的含氧气体(例如，氧气)能够将无定形碳氧化为二氧化碳，从而将反应副产物直接排除反应腔室，有利于降低产生牺牲结构400残留或反应副产物的概率，而且，灰化工艺对第二钝化层402和热辐射反射板401的影响小。

热辐射反射板401的材料包括导电材料和光子晶体材料中的一种或两种，导电材料包括金属、金属硅化物、未掺杂的半导体材料和掺杂的半导体材料中的至少一种。其中，金属硅化物可以是硅化钛(tisi)，硅化钨(wsi)或硅化铝(alsi)等，掺杂的半导体材料可以是掺杂有p型离子或n型离子的多晶硅或非晶硅或硅锗等。

其中，形成所述热辐射反射板401的步骤包括：先沉积相应的材料，后对沉积的材料进行刻蚀处理；或者，先沉积相应的材料，后通过离子掺杂工艺或金属硅化工艺对沉积的材料进行工艺处理，并在所述工艺处理后进行刻蚀处理。

本实施例中，以热辐射反射板401的材料为导电材料为例进行说明。具体地，可以通过金属沉积、光刻、刻蚀等一系列工艺或者金属剥离(lift-off)工艺，在基板10上方形成热辐射反射板401。

在另一些实施例中，当热辐射反射板的材料为金属硅化物时，热辐射反射板的形成步骤包括：在基板上方形成硅层；对硅层进行金属硅化处理，形成热辐射反射材料层；刻蚀所述热辐射反射材料层，形成热辐射反射板。

在其他实施例中，当热辐射反射板的材料为掺杂的半导体材料时，热辐射反射板的形成步骤包括：在基板上方形成半导体材料层；对半导体材料层进行n型离子掺杂和p型离子掺杂中的至少一种掺杂工艺，形成热辐射反射材料层；刻蚀所述热辐射反射材料层，形成热辐射反射板。

需要说明的是，本实施例中，以先形成第一钝化层402，后形成牺牲结构400为例进行说明。在另一些实施例中，也可以先在基板上形成牺牲结构，后在基板上形成覆盖所述牺牲结构的侧壁的第一钝化层。相应的，可以先通过牺牲材料沉积、光刻、刻蚀等一系列工艺，在基板上方形成图形化的牺牲结构。

参考图5，将热电堆结构板20键合在支撑结构40上，使第一互连层30位于热电堆结构20的下方，且在键合后，热电堆结构203设置在牺牲结构400的上方。

具体地，通过合适的键合工艺，将第二互连层103与支撑结构40键合。

本实施例中，在键合后，即可使得第一互连层30位于热电堆结构203的下方，这有利于简化工艺流程、降低工艺成本。

而且，所形成的电堆传感器能够从热电堆结构板20背向基板10的一侧接收热辐射，这有利于减少所述第一互连层30中的一些结构(例如，第一导电互连结构300)对热辐射的吸收和反射，从而能够提高热电堆传感器的测量精度。

本实施例中，基板10为电路基板，因此，将热电堆结构板20键合在电路基板具有读出电路结构104的一面，从而易于实现读出电路结构104和第一导电互连结构300的电连接。

本实施例中，在键合后，所述热电堆结构203至所述热辐射反射板401之间的垂直距离为1/4入射辐射波长λ的奇数倍，例如为λ/4、3λ/4、5λ/4等，从而有利于实现热辐射反射板401对穿透热电堆结构板20的残余辐射的最大反射能力，从而提高热电堆传感器的测量精度。

结合参考图7，在键合后，所述制作方法还包括：对热电堆结构板20背向基板10的表面进行减薄处理。

通过进行减薄处理，以减小热电堆结构板20的厚度，从而有利于降低集成厚度，还有利于降低后续释放孔以及第二导电互连结构的制作难度。

本实施例中，减薄处理的步骤包括：去除底层半导体层200(如图5所示)。

热电堆结构板20的半导体衬底为绝缘体上硅衬底，去除底层半导体层200时，能够以绝缘层201的表面作为减薄处理的停止位置。而且，绝缘层201对顶层半导体层202表面起到保护作用，降低顶层半导体层202的表面被氧化的概率。

具体地，根据底层半导体层200的材料，选用合适的去除工艺(例如化学机械研磨、刻蚀或者剥离等工艺)，去除底层半导体层200。

参考图8，在减薄处理后，去除牺牲结构400(如图7所示)，形成第一空腔403。

热电堆结构板20和基板10之间通过第一空腔403进行热绝缘，以降低热电堆结构203接收的热量向第一空腔403下方的基板10中传导，从而能够提高热电堆传感器的测量精度。

具体地，形成至少一个释放孔50，释放孔50贯穿热电堆结构板20和第一互连层30并露出牺牲结构400的表面；通过释放孔50去除牺牲结构400，形成第一空腔403。

本实施例中，通过激光钻孔或者刻蚀工艺，从热电堆结构板20背向基板10的一面打孔，至暴露出牺牲结构400的表面，以形成至少一个释放孔50。

具体地，向释放孔50中通入刻蚀剂，刻蚀剂可以为气相刻蚀剂，也可以是液体刻蚀剂，以去除牺牲结构400。

本实施例中，牺牲结构400的材料为无定形碳，因此采用灰化工艺去除牺牲结构400。具体地，灰化工艺采用的气体包括氧气(o2)。氧气的成本较低。

在其他实施例中，当牺牲结构的材料为锗时，则可以采用湿法刻蚀工艺去除牺牲结构，湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液包括双氧水(h2o2)溶液，或者，采用气化工艺去除牺牲结构，气化工艺采用的气体包括二氟化氙(xef2)气体。

参考图9，所述制作方法还包括：在热辐射感应区20a外围的热电堆结构板20上形成电连接读出电路结构104和第一导电互连结构300的第二导电互连结构60。

所述热电堆结构203接收入射辐射后，通过读出电路结构104进行信息的处理，从而实现温差和电能相互转化。

而且，所述读出电路结构104和第一导电互连结构300通过第二导电互连结构60实现电连接，从而能够在不增加面积的条件下，实现读出电路结构的垂直系统集成，有利于缩短传感信号到读出电路结构的互连长度、信号损失和噪声，且有利于热电堆传感器的微型化。

作为一种示例，第二导电互连结构60的形成工艺包括再布线(rdl)工艺。

具体地，形成第二导电互连结构60的步骤包括：形成贯穿热电堆结构板20、第一互连层30和支撑结构40的第一插塞601，第一插塞601的底端与读出电路结构104电连接；形成贯穿热电堆结构板20的第二插塞603，第二插塞603的底端与第一导电互连结构300电连接；在热电堆结构板20背向基板10的一侧形成互连线602，互连线602连接第一插塞601和第二插塞602的顶端，所述互连线602、第一插塞601和第二插塞602构成第二导电互连结构60。其中，第二插塞603的形成工艺与第一插塞601的形成工艺的执行顺序不限定。

本实施例中，形成第一插塞601的步骤包括：刻蚀开口105(如图3所示)上方的热电堆结构板20、第一互连层30和第一钝化层402，形成露出读出电路结构104的部分顶面的第一接触孔(未图示)；在第一接触孔的侧壁上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层的底部露出相应的读出电路结构104的部分顶面；形成绝缘介质层后，在第一接触孔中填充金属(例如钨、铜)等导电材料，并通过化学机械研磨等工艺去除覆盖在绝缘层201表面上的多余导电材料，以形成顶面与绝缘层201顶面齐平的第一插塞601。

形成第二插塞603的步骤包括：刻蚀热辐射感应区20a外围的热电堆结构板20，形成露出第一导电互连结构300的部分表面的第二接触孔(未图示)；在第二接触孔的侧壁上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层的底部露出相应的第一导电互连结构300的表面；形成绝缘介质层后，在第二接触孔中填充金属(例如钨、铜)等导电材料，并通过化学机械研磨等工艺去除覆盖在绝缘层201表面上的多余导电材料，以形成顶面与绝缘层201顶面齐平的第二插塞603。

绝缘介质层用于使得后续填充的导电材料与热电堆结构板20绝缘隔离，绝缘介质层的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氮化物、高k介质和低k介质等中的至少一种。

本实施例中，形成互连线602的步骤括：在第一插塞601、第二插塞603以及绝缘层201的表面上沉积金属层(例如铝、铜)；对金属层进行光刻和刻蚀，以去除热感应辐射区20a中的金属层，剩余的金属层形成互连线602，互连线602覆盖第一插塞601的顶端和第二插塞603的顶端且将第一插塞601的顶端和第二插塞603的顶端电性连接。

在其他实施例中，当热电堆结构板是基于非导电的材料板形成时，第二插塞和第一插塞中的导电材料的侧壁上可以省略绝缘介质层的包围。

本实施例中，在形成第一空腔403之后，形成第二导电互连结构60，以减小牺牲结构400的释放工艺对第二导电互连结构60的损伤。在其他实施例中，也可以是在减薄处理之后且在形成释放孔之前进行。

结合参考图10，形成第一空腔403后，还包括：提供具有第二空腔702的盖板70，将盖板70键合到热电堆结构板20背向基板10一侧的表面，第二空腔702位于盖板70和热电堆结构板20之间，并位于热辐射感应区20a的上方。

此时，释放孔50作为腔连接通道，连通第二空腔702和第一空腔403，从而平衡第二空腔702和第一空腔403的气压，有利于改善热电堆结构板20的翘曲等问题。

具体地，在形成第二导电互连结构60之后，将盖板70键合到热电堆结构板20背向基板10一侧的表面，从而降低形成第二导电互连结构60的工艺难度。

本实施例中，形成盖板70的步骤包括：提供盖板基底700；在盖板基底700上沉积腔体材料层；刻蚀腔体材料层至暴露出盖板基底700的表面，在腔体材料层中形成第二空腔702，剩余腔体材料构成腔体壁701。

盖板基底700的材料可以是本领域技术人员熟知的任意合适的材料，例如为玻璃、塑料或半导体材料等。此时，腔体壁701的材料和盖板基底700的材料不同。在其他实施例中，也可以先提供盖板基底，然后刻蚀部分厚度的盖板基底，在盖板基底中形成第二空腔，此时腔体壁的材料和盖板基底的材料相同。

本实施例中，所述第二空腔702背向所述热电堆结构板20的一侧的盖板70上还设有辐射穿透窗口(图未示)，所述辐射穿透窗口至少与所述热电堆结构203垂直对齐。所述辐射穿透窗口用于透射红外线。

所述辐射穿透窗口的材料包括半导体(例如硅、锗或绝缘体上硅等)和有机滤光材料(例如聚乙烯、聚丙烯等材料)中的一种或两种。

所述辐射穿透窗口的形状可以为矩形、正方形或圆形等规则形状，也可以为其他不规则形状。

需要说明的是，所述制作方法还可以包括：在所述辐射穿透窗口上方设置红外增透膜。

结合参考图11，将盖板70键合到热电堆结构板20背向基板10一侧的表面后，还包括：去除部分盖板70，使剩余盖板70暴露出第二导电互连结构60。

具体地，通过激光切割等工艺对盖板基底700的边缘进行切边，暴露出互连线602的表面，从而使得互连线602成为热电堆传感器用于实现外接的接触垫。

图12是本发明热电堆传感器的制作方法另一实施例对应的结构示意图。

本发明实施例与前述实施例的相同之处在此不再赘述，本发明实施例与前述实施例的不同之处在于：形成填充在所述凹槽405a内的牺牲结构之前，在所述凹槽405中形成热辐射反射板401a。

具体地，如图12所示，在基板10上形成第一钝化层402c后，刻蚀部分厚度的第一钝化层402c，形成凹槽405a；形成所述凹槽405a后，在所述凹槽405中形成热辐射反射板401a。

本实施例中，所述热辐射反射板401a保形覆盖于所述凹槽405a的底部和侧壁。

因此，后续去除牺牲结构后，热辐射反射板401a不仅位于第一空腔的底部，还位于第一空腔的侧壁，从而能够通过位于第一空腔的各个面上的热辐射反射板401a将穿透热电堆结构板的残余辐射反射回热电堆结构板，进而进一步提高热电堆传感器的测量精度。

在其他实施例中，所述热辐射反射板也可以仅位于所述凹槽底部。

作为一种示例，可以先沉积相应的材料，后对沉积的材料进行刻蚀处理；或者，先沉积相应的材料，后通过离子掺杂工艺或金属硅化工艺对沉积的材料进行工艺处理，并在所述工艺处理后进行刻蚀处理。

在其他实施例中，当所述第一钝化层的材料为半导体材料时，也可以通过离子掺杂工艺或金属硅化工艺对所述凹槽进行处理，形成所述热辐射反射板。

对热辐射反射板401a及其形成方法的具体描述，可结合参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。

对本实施例所述制作方法的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。