衬底处理系统及衬底搬送方法与流程

[0001]
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理系统及该衬底处理系统的衬底搬送方法。衬底例如可列举半导体衬底、fpd(flat panel display，平板显示器)用衬底、光罩用玻璃衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底、及太阳电池用衬底等。fpd例如可列举液晶显示装置、有机el(electroluminescence，电致发光)显示装置等。


背景技术：

[0002]
以往的衬底处理装置具备移载传送区块(以下适当称为“id(indexer)区块”)、及处理区块(例如参照日本专利特开2014-022570号公报)。处理区块在水平方向连结于id区块。在id区块设置着载置载体的载体载置台。载体载置台隔着id区块设置在处理区块的相反侧。
[0003]
另外，衬底处理装置具备堆积器装置(载体缓冲区装置)(例如参照日本专利特开2011-187796号公报)。堆积器装置隔着id区块配置在处理区块的相反侧。堆积器装置具备用于保管载体的载体保管架、及用于搬送载体的载体搬送机构。
[0004]
此外，日本专利特开2016-201526号公报中公开了具备配置在id区块与处理区块之间的交接区块的衬底处理系统。交接区块具备配置在上下方向的多个缓冲区部、及隔着多个缓冲区部配置的2个转移装置。2个转移装置配置在与配置id区块及处理区块的方向(x方向)正交的水平方向(y方向)。
[0005]
另外，日本专利特开平09-045613号公报中公开了涂布处理区块、匣盒台(相当于id区块)及显影处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结的衬底处理装置。匣盒台构成为能够配置收容未处理的衬底及已处理的衬底的任一种的4个匣盒。另外，在涂布处理区块与匣盒台的交接部分，设置衬底对位用第1载置台，并且在匣盒台与显影处理区块的交接部分设置衬底对位用第2载置台。匣盒台的1个搬送机构经由这些载置台将衬底搬送到涂布处理区块及显影处理区块。


技术实现要素：

[0006]
[发明要解决的问题]
[0007]
例如，衬底处理装置201中，如图1所示，在一端配置id区块202，且id区块202、第1处理区块203、第2处理区块205依序配置于水平方向。衬底从id区块202依序搬送到第1处理区块203、第2处理区块205。这时，在第1处理区块中对衬底进行第1处理，另外，在第2处理区块中对衬底进行第2处理。其后，通过第1处理区块将衬底送回id区块202。像这样通过第1处理区块搬送衬底可能会使第1处理区块的产能降低。另外，作为衬底处理装置201整体也有可能导致产能降低。
[0008]
本发明是鉴于这种情况而成，目的在于提供一种能够抑制产能降低的衬底处理系统及衬底搬送方法。
[0009]
[解决问题的技术手段]
[0010]
本发明为了达成这种目的，采用如下构成。也就是说，本发明的衬底处理系统具备：移载传送区块，设置着用于载置能够收纳衬底的载体的载体载置台；第1处理装置；及第2处理装置。所述第1处理装置、所述移载传送区块及所述第2处理装置以该顺序在水平方向上呈直线状连结。所述移载传送区块配置在所述第1处理装置与所述第2处理装置的中间，在内部具备载置多个衬底的衬底缓冲区。所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底，将取出的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第1处理装置从所述衬底缓冲区接收衬底，对接收的衬底进行规定处理。进而，所述第1处理装置将已利用所述第1处理装置进行过处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第2处理装置从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理装置搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行规定处理。进而，所述第2处理装置将已利用所述第2处理装置进行过处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块将已利用所述第2处理装置进行过处理的衬底从所述衬底缓冲区送回载置在所述载体载置台的所述载体。
[0011]
根据本发明的衬底处理系统，能够抑制产能降低。例如，如图1所示，依序配置移载传送区块、第1处理装置及第2处理装置。在该情况下，为了将由第2处理区块处理过的衬底搬送到移载传送区块，虽然不利用第1处理区块进行处理，也必须通过第1处理区块。然而，根据本发明的衬底处理系统，第1处理装置及第2处理装置均连结于移载传送区块。因此，能够将衬底从第2处理区块直接搬送到移载传送区块而不经过第1处理区块。因此，能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在2个处理装置的中间。因此，能够经由衬底缓冲区将衬底从第1处理装置搬送到第2处理装置。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0012]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置具备对衬底进行第1处理的第1处理区块。所述第2处理装置具备对衬底进行第2处理的第2处理区块。所述第1处理区块、所述移载传送区块及所述第2处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结。所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底，将取出的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第1处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底，对接收的衬底进行第1处理。进而，所述第1处理区块将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第2处理区块从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理区块搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行第2处理。进而，所述第2处理区块将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块将进行过所述第2处理的衬底从所述衬底缓冲区送回载置在所述载体载置台的所述载体。
[0013]
例如设为移载传送区块、第1处理区块及第2处理区块依序配置。在该情况下，为了将已利用第2处理区块进行过处理的衬底搬送到移载传送区块，虽然不利用第1处理区块进行处理，也必须通过第1处理区块。然而，第1处理区块及第2处理区块均连结于移载传送区块。因此，能够将衬底从第2处理区块直接搬送到移载传送区块而不经过第1处理区块。因此，能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在2个处理区块的中间。因此，能够经由衬底缓冲区将衬底从第1处理区块搬送到第2处理区块。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0014]
另外，所述衬底处理系统中，优选所述移载传送区块进而于内部具备移载传送用衬底搬送机构，所述移载传送用衬底搬送机构从载置在所述载体载置台的载体取出衬底，
将取出的衬底搬送到所述衬底缓冲区，所述移载传送用衬底搬送机构从所述衬底缓冲区接收进行过所述第2处理的衬底，将接收的衬底送回载置于所述载体载置台的所述载体。
[0015]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第2处理装置具备：第2处理区块，连结于所述移载传送区块、对衬底进行第2处理；及接口区块，连结于所述第2处理区块，对外部装置进行衬底的搬出及搬入。所述第2处理区块从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理装置搬送到所述衬底缓冲区的衬底，将接收的衬底搬送到所述接口区块。所述接口区块将利用所述第2处理区块搬送来的衬底搬出到所述外部装置，另外，搬入由所述外部装置处理过的衬底。所述第2处理区块从所述接口区块接收由所述外部装置处理过的衬底，对接收的衬底进行第2处理。进而，所述第2处理区块将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
[0016]
由此，在接口区块连结于第2处理区块的构成中，能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在第1处理装置与第2处理区块的中间。因此，能够经由衬底缓冲区将衬底从第1处理装置搬送到第2处理区块。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0017]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置具备：第1处理区块，连结于所述移载传送区块，对衬底进行第1处理；及接口区块，连结于所述第1处理区块，对外部装置进行衬底的搬出及搬入。所述第1处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底，对接收的衬底进行第1处理。进而，所述第1处理区块将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述接口区块。所述接口区块将利用所述第1处理区块搬送来的衬底搬出到所述外部装置，另外，搬入由所述外部装置处理过的衬底。所述第1处理区块从所述接口区块接收由所述外部装置处理过的衬底，将接收的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
[0018]
由此，在接口区块连结于第1处理区块的构成中，能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在第1处理区块与第2处理装置的中间。因此，能够经由衬底缓冲区将衬底从第1处理区块搬送到第2处理装置。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0019]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置具备对衬底进行第1处理的第1处理层、及在与所述第1处理层不同的层级进行第3处理的第3处理层。所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底，将取出的衬底搬送到所述衬底缓冲区，成为所述第3处理层能够接收衬底的状态。所述第3处理层从所述衬底缓冲区接收衬底，对接收的衬底进行第3处理。进而，所述第3处理层将已进行过所述第3处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块通过在所述衬底缓冲区中使已进行过所述第3处理的衬底从所述第3处理层的层级移动到所述第1处理层的层级，成为所述第1处理层能够接收衬底的状态。所述第1处理层从所述衬底缓冲区接收已进行过所述第3处理的衬底，对接收的衬底进行第1处理。进而，所述第1处理层将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第2处理装置从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理层搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行规定处理。进而，所述第2处理装置将已利用所述第2处理装置进行过处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
[0020]
由此，第1处理装置(第1处理层、第3处理层)及第2处理装置均连结于移载传送区块，所以能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在第1处理层与第2处理装置的中间。因
此，能够经由衬底缓冲区，将衬底从第1处理层搬送到第2处理装置。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0021]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第2处理装置具备对衬底进行第2处理的第2处理层、及在与所述第2处理层不同的层级进行第3处理的第3处理层。所述第2处理层从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理装置搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行第2处理。进而，所述第2处理层将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块通过在所述衬底缓冲区中使已进行过所述第2处理的衬底从所述第2处理层的层级移动到所述第3处理层的层级，成为所述第3处理层能够接收衬底的状态。所述第3处理层从所述衬底缓冲区接收进行过所述第2处理的衬底，对接收的衬底进行第3处理。进而，所述第3处理层将已进行过所述第3处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块将已利用所述第3处理层进行过处理的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体。
[0022]
由此，第1处理装置及第2处理装置(第2处理层、第3处理层)均连结于移载传送区块，所以能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在第1处理装置与第2处理层的中间。因此，能够经由衬底缓冲区将衬底从第1处理装置搬送到第2处理层。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0023]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第1处理装置具备连结于所述移载传送区块的第1处理区块、及连结于所述第1区块、对外部装置进行衬底的搬出及搬入的接口区块。所述第1处理区块具备对衬底进行第1处理的第1处理层、及在与所述第1处理层不同的层级进行第3处理的第3处理层。所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底，将取出的衬底搬送到所述衬底缓冲区，成为所述第3处理层能够接收衬底的状态。所述第3处理层从所述衬底缓冲区接收衬底，对接收的衬底进行第3处理。进而，所述第3处理层将已进行过所述第3处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块通过在所述衬底缓冲区中使已进行过所述第3处理的衬底从所述第3处理层的层级移动到所述第1处理层的层级，成为所述第1处理层能够接收衬底的状态。所述第1处理层从所述衬底缓冲区接收已进行过所述第3处理的衬底，对接收的衬底进行第1处理。进而，所述第1处理层将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述接口区块。所述接口区块将利用所述第1处理层搬送来的衬底搬出到所述外部装置，另外，搬入由所述外部装置处理过的衬底。所述第1处理层从所述接口区块接收由所述外部装置处理过的衬底，将接收的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第2处理装置从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理层搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行规定处理。进而，所述第2处理装置将已利用所述第2处理装置进行过处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
[0024]
另外，所述衬底处理系统中，优选以如下方式构成。所述第2处理装置具备连结于所述移载传送区块的第2处理区块、及连结于所述第2处理区块、对外部装置进行衬底的搬出及搬入的接口区块。所述第2处理区块具备对衬底进行第2处理的第2处理层、及在与所述第2处理层不同的层级进行第3处理的第3处理层。所述第2处理层从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理装置搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行第2处理。进而，所述第
2处理层将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述接口区块。所述接口区块将利用所述第2处理层搬送来的衬底搬出到所述外部装置，另外，搬入由所述外部装置处理过的衬底。所述第2处理层从所述接口区块接收由所述外部装置处理过的衬底，将接收的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块通过在所述衬底缓冲区中使已进行过所述第2处理的衬底从所述第2处理层的层级移动到所述第3处理层的层级，成为所述第3处理层能够接收衬底的状态。所述第3处理层从所述衬底缓冲区接收进行过所述第2处理的衬底，对接收的衬底进行第3处理。进而，所述第3处理层将已进行过所述第3处理的衬底
を
搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块将已利用所述第3处理层进行过处理的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体。
[0025]
另外，所述衬底处理系统中，优选还包括：载体保管架，搭载于所述移载传送区块、所述第1处理装置及所述第2处理装置中的至少任一个之上，用于保管所述载体；及载体搬送机构，搭载于所述移载传送区块、所述第1处理装置及所述第2处理装置中的至少任一个之上，在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体。例如，如果在移载传送区块的侧面配置载体保管架及载体搬送机构，那么与配置载体保管架及载体搬送机构的面积相应地，衬底处理装置的占据面积变大。关于该方面，根据本发明，载体保管架及载体搬送机构与移载传送区块、第1处理区块及第2处理区块的至少任一个在俯视时重叠。因此，能够抑制衬底处理装置的占据面积增加。
[0026]
另外，本发明的衬底搬送方法是具备移载传送区块、第1处理装置、及第2处理装置的衬底处理装置的衬底搬送方法。此外，所述移载传送区块设置着用于载置能够收纳衬底的载体的载体载置台。所述衬底搬送方法具备以下步骤：利用所述移载传送区块，从载置于所述载体载置台的载体取出衬底，将取出的衬底搬送到设置在所述移载传送区块的内部的衬底缓冲区；及利用所述第1处理装置，从所述衬底缓冲区接收衬底，对接收的衬底进行规定处理，将已利用所述第1处理装置进行过处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。进而，所述衬底搬送方法具备以下步骤：利用所述第2处理装置，从所述衬底缓冲区接收由所述第1处理装置搬送到所述衬底缓冲区的衬底，对接收的衬底进行规定处理，将已利用所述第2处理装置进行过处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区；及利用所述移载传送区块，将已利用所述第2处理装置进行过处理的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体步骤。所述第1处理装置、所述移载传送区块及所述第2处理装置以该顺序在水平方向上呈直线状连结。所述衬底缓冲区配置在所述第1处理装置与所述第2处理装置的中间，载置多个衬底。
[0027]
根据本发明的衬底处理系统的衬底搬送方法，能够抑制产能降低。例如设为移载传送区块、第1处理装置及第2处理装置依序配置。在该情况下，为了将由第2处理区块处理过的衬底搬送到移载传送区块，虽然不利用第1处理区块进行处理，也必须通过第1处理区块。然而，根据本发明的衬底处理系统的衬底搬送方法，第1处理装置及第2处理装置均连结于移载传送区块。因此，能够将衬底从第2处理区块直接搬送到移载传送区块而不经过第1处理区块。因此能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区配置在2个处理装置的中间。因此，能够经由衬底缓冲区将衬底从第1处理装置搬送到第2处理装置。该搬送不使用移载传送区块进行衬底搬送，所以能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此，能够实现产能的提升。
[0028]
[发明效果]
[0029]
根据本发明的衬底处理系统及衬底搬送方法，能够抑制产能降低。
附图说明
[0030]
为了对发明进行说明、图示现在认为较好的若干种形态，但应当理解的是发明并不限定于图示的构成及方案。
[0031]
图1是用于对课题进行说明的图。
[0032]
图2是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。
[0033]
图3是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。
[0034]
图4是实施例1的衬底处理装置的俯视图。
[0035]
图5是表示移载传送区块的衬底搬送机构的图。
[0036]
图6是2个机器手及进退驱动部的俯视图。
[0037]
图7是表示缓冲区部的图。
[0038]
图8是表示衬底载置部的图。
[0039]
图9是用于对能够从4个方向进入衬底载置部的情况进行说明的图。
[0040]
图10是实施例1的衬底处理装置的右侧视图。
[0041]
图11是实施例1的衬底处理装置的左侧视图。
[0042]
图12是表示载体搬送机构的图。
[0043]
图13是用于对实施例1的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0044]
图14是用于对实施例1的效果进行说明的图。
[0045]
图15是表示实施例2的衬底处理装置的右侧视图。
[0046]
图16是用于对实施例2的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0047]
图17是表示实施例3的衬底处理装置的右侧视图。
[0048]
图18是用于对实施例3的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0049]
图19是表示实施例4的衬底处理装置的右侧视图。
[0050]
图20是用于对实施例4的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0051]
图21是表示实施例5的衬底处理装置的右侧视图。
[0052]
图22是用于对实施例5的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0053]
图23是表示实施例6的衬底处理装置的右侧视图。
[0054]
图24是用于对实施例6的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0055]
图25是表示实施例7的衬底处理装置的右侧视图。
[0056]
图26是用于对实施例7的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[0057]
图27是表示变化例的衬底缓冲区的图。
具体实施方式
[0058]
[实施例1]
[0059]
以下，参照附图对本发明的实施例1进行说明。图2是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。图3是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。图4是实施例1的衬底处理装置的俯视图。
[0060]
＜衬底处理装置(衬底处理系统)1的构成＞
[0061]
参照图2、图3。衬底处理装置1具备id区块(移载传送区块)2、第1处理区块3、第2处理区块5、if区块(接口区块)6及载体缓冲区装置8。第1处理区块3、id区块2、第2处理区块5及if区块6以该顺序在水平方向上呈直线状连结。具体来说，第1处理区块3在水平方向(x方向)连结于id区块2。第2处理区块5以隔着id区块2的方式配置在第1处理区块3的相反侧，连结于id区块2。if区块6隔着第2处理区块5配置在id区块2的相反侧，连结于第2处理区块5。此外，图2、图3中，符号pp例如为用来收容用于输送处理液的配管及电线等的收容部。另外，本实施例中，第1处理区块3相当于本发明的第1处理装置。第2处理区块5及if区块6相当于本发明的第2处理装置。
[0062]
另外，如图3所示，衬底处理装置1具备控制部9及操作部10。控制部9具备例如中央运算处理装置(cpu，central processing unit)。控制部9控制衬底处理装置1的各构成。操作部10具备显示部(例如液晶显示器)、存储部及输入部。存储部例如具备rom(read-only memory，只读存储器)、ram(random-access memory，随机存取存储器)、及硬盘的至少1个。输入部具备键盘、鼠标、触摸面板及各种按钮的至少1个。存储部中存储着衬底处理的各种条件及衬底处理装置1的控制所需的动作程序等。
[0063]
(1-1)id区块2的构成
[0064]
如图3、图4所示，id区块2具备4个开启器(载体载置部)11～14、2个衬底搬送机构(机器人)mhu1、mhu2、及单一的衬底缓冲区bf。2个衬底搬送机构mhu1、mhu2与衬底缓冲区bf配置在id区块2的内部。此外，2个衬底搬送机构mhu1、mhu2分别相当于本发明的移载传送用衬底搬送机构。
[0065]
(1-1-1)开启器11～14等的构成
[0066]
4个开启器11～14设置在id区块2的外壁。2个开启器11、12以第1衬底搬送机构mhu1能够对载体c取放衬底w的方式配置在第1衬底搬送机构mhu1周围。图3、图4中，2个开启器11、12以隔着衬底搬送机构mhu1的方式配置在前后方向(x方向)。与2个开启器11、12同样地，2个开启器13、14以第2衬底搬送机构mhu2能够对载体c取放衬底w的方式配置在第2衬底搬送机构mhu2周围。2个开启器13、14以隔着第2衬底搬送机构mhu2的方式配置在前后方向。
[0067]
4个开启器11～14分别如图2所示，具备载置台16、开口部18、挡板部件(未图示)、及挡板部件驱动机构(未图示)。载置台16用于载置载体c。
[0068]
载体c能够收纳水平姿势的多片(例如25片)衬底w。在载体c内，多个衬底w配置在上下方向(z方向)，在邻接的2片衬底w之间设置着间隙。载体c例如使用晶圆搬送盒(foup：front open unified pod)，也可以使用作为晶圆搬送盒以外的容器的例如smif(standard mechanical inter face，标准机械接口)盒。载体c例如具备：载体主体，设置着用于取放衬底w的开口部，收纳衬底w；及盖部，用于封闭开口部。此外，载置台16相当于本发明的载体载置台。
[0069]
开口部18用于使衬底w通过。挡板部件进行开口部18的开闭，并且进行盖部相对于载体c的载体主体的装卸。挡板部件驱动部具备电动马达，驱动挡板部件。挡板部件于将盖部从载体主体卸下后，例如使其沿开口部18向水平方向(y方向)或下方向(z方向)移动。
[0070]
载置台16配置在第1处理区块3及第2处理区块5的上方。具体来说，2个开启器11、13的各载置台16配置在比第1处理区块3更上方的位置。另外，2个开启器12、14的各载置台
16配置在比第2处理区块5更上方的位置。此外，2个开启器11、13的各载置台16可以设置在第1处理区块3的上表面或顶上。另外，2个开启器12、14的各载置台16可以设置在第2处理区块5的上表面或顶上。
[0071]
(1-1-2)衬底搬送机构mhu1、mhu2的构成
[0072]
如图3所示，2个衬底搬送机构mhu1、mhu2以在y方向上隔着衬底缓冲区bf的方式配置，y方向是与配置第1处理区块3及第2处理区块5配置的前后方向(x方向)正交的方向。2个衬底搬送机构mhu1、mhu2分别对衬底缓冲区bf取放衬底w。另外，第1衬底搬送机构mhu1在载置于2个开启器11、12的各载置台16的载体c与衬底缓冲区bf之间搬送衬底w。第2衬底搬送机构mhu2在载置于2个开启器13、14的各载置台16的载体c与衬底缓冲区bf之间搬送衬底w。
[0073]
参照图5、图6。2个衬底搬送机构mhu1、mhu2分别具备2个机器手21、进退驱动部23、及升降旋转驱动部25。2个机器手21分别保持衬底w。2个机器手21能够各自在水平方向进退。因此，能够从载体c取出1片衬底w，或同时取出2片衬底w。
[0074]
如图6所示，机器手21具有1个基础部分21a、从该基础部分21a分出的2个前端部分21b、21c，构成为如y字状、u字状或双岔的叉状。在基础部分21a及2个前端部分21b、21c，设置着通过吸附衬底w来保持衬底w的吸附部27a、27b、27c。3个吸附部27a～27c例如构成为被经由配管连接的泵赋予吸附力。此外，2个衬底搬送机构mhu1、mhu2分别具备2个机器手21，也可以具备3个以上机器手21。
[0075]
进退驱动部23支撑各机器手21使它们能够移动，并且使各机器手21进退移动。进退驱动部23为了驱动1个机器手21，例如具备电动马达、直线状的螺旋轴、具有与螺旋轴啮合的孔部的可动部件、及引导可动部件的引导部。
[0076]
升降旋转驱动部25通过使进退驱动部23升降及旋转来使2个机器手21升降及旋转。如图5所示，升降旋转驱动部25具备支柱部25a及旋转部25b。支柱部25a以在上下方向延伸的方式设置。支柱部25a固定在id区块2的底板部。因此，支柱部25a、即升降旋转驱动部25的水平方向(xy方向)的位置被固定而不会移动。旋转部25b使进退驱动部23绕铅直轴ax1旋转。利用升降旋转驱动部25进行的升降及旋转是用电动马达驱动的。
[0077]
(1-1-3)衬底缓冲区bf的构成
[0078]
衬底缓冲区bf载置多个衬底w。如图3所示，衬底缓冲区bf配置在第1处理区块3与第2处理区块5的中间(中央)。由此，第1处理区块3及第2处理区块5均能够对衬底缓冲区bf取放衬底w。如图2所示，衬底缓冲区bf具备3个缓冲区部bu1～bu3。3个缓冲区部bu1～bu3在上下方向配置成1列。
[0079]
第1缓冲区部bu1与2个处理层a1、b1对应地设置。也就是说，第1缓冲区部bu1设置于与第1处理区块3的第1处理层a1及第2处理区块5的第1处理层b1相同的层级(即第1层)。另外，第2缓冲区部bu2与2个处理层a2、b2对应地设置在与处理层a2、b2相同的层级(即第2层)。另外，第3缓冲区部bu3与2个处理层a3、b3对应地设置在与处理层a3、b3相同的层级(即第3层)。
[0080]
其次，参照图7，对3个缓冲区部bu1～bu3进行说明。3个缓冲区部bu1～bu3分别具备多个(例如15个)衬底载置部31。多个衬底载置部31设有间隙地在上下方向配置成1列。多个衬底载置部31对每3个缓冲区部bu1～bu3，以上下方向的4根框架33支撑四角。
[0081]
如图7所示，各衬底载置部31从侧面观察形成为薄板状。如图8所示，各衬底载置部
31从上方观察形成为x字状。在与该x字状的交叉部分对应的各衬底载置部31的中央部分设置着用于支撑1片衬底w的3个支撑销35。3个支撑销35绕铅直轴ax2等间隔(120
°
的间隔)地配置。利用这种构造，如图9所示，机器手21(41)能够从水平的4个方向进入衬底载置部31的上方(即邻接的2个衬底载置部31的间隙)。由此，机器手21(41)能够从水平的4个方向分别在3个支撑销35上放置衬底w，或从3个支撑销35上取走衬底w。
[0082]
第1衬底搬送机构mhu1的各机器手21从图9的纸面下侧接近各衬底载置部31。同样地，第2衬底搬送机构mhu2的各机器手21从图9的纸面上侧接近各衬底载置部31。第1处理区块3的各机器手41从图9的纸面左侧接近各衬底载置部31。第2处理区块5的各机器手41从图9的纸面右侧接近各衬底载置部31。此外，为了防止机器手21、41彼此干涉，构成为在来自规定方向的机器手21(41)进入特定衬底载置部31的上方的情况下，另外3个方向的机器手21(41)不进入该特定衬底载置部31的上方。
[0083]
另外，2个衬底搬送机构mhu1、mhu2及2个处理区块3、5的2个衬底搬送机构mhu3、mhu4(后述)能够分别对3个缓冲区部bu1～bu3全体的衬底载置部31放置衬底w或取走衬底w。由此，2个衬底搬送机构mhu1、mhu2及2个衬底搬送机构mhu3、mhu4构成为能够交替取走载置在衬底缓冲区bf(或规定的衬底载置部31)的衬底w。
[0084]
此外，缓冲区部bu1具备15个衬底载置部31。如图7所示，缓冲区部bu1具备送出部sn1、交付部ps1及送回部rt1。送出部sn1、交付部ps1及送回部rt1分别例如包含5个衬底载置部31。缓冲区部bu2、bu3与缓冲区部bu1同样地构成。缓冲区部bu2具备送出部sn2、交付部ps2及送回部rt2。缓冲区部bu3具备送出部sn3、交付部ps3及送回部rt3。
[0085]
(1-2)处理区块3、5的构成
[0086]
参照图2、图3。第1处理区块3具备3个处理层a1～a3。3个处理层a1～a3以重叠的方式配置在上下方向。第2处理区块5具备3个处理层b1～b3。3个处理层b1～b3以重叠的方式配置在上下方向。第1处理区块3(各处理层a1～a3)例如进行涂布处理作为第1处理。第2处理区块5(各处理层b1～b3)例如进行显影处理作为第2处理。也就是说，第2处理区块5进行与利用第1处理区块3进行的处理不同内容的处理。
[0087]
各处理层a1～a3具备第3衬底搬送机构mhu3、多个涂布单元sc、多个热处理部37、及搬送空间39。各处理层b1～b3具备第4衬底搬送机构mhu4、多个显影单元dev、多个热处理部37、及搬送空间39。搬送空间39以在x方向呈直线状延伸的方式构成。也就是说，搬送空间39是x方向较长的空间。各衬底搬送机构mhu3、mhu4设置在搬送空间39内。涂布单元sc(或显影单元dev)与热处理部37以隔着搬送空间39的方式配置，并且沿搬送空间39的长边方向配置。
[0088]
(1-2-1)衬底搬送机构mhu3、mhu4的构成
[0089]
衬底搬送机构mhu3、mhu4分别具备2个机器手41、进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47及第2移动机构48。2个机器手41、进退驱动部43及旋转驱动部45例如分别与第1衬底搬送机构mhu1的2个机器手21、进退驱动部23、旋转部25b同样地构成。也就是说，2个机器手41分别保持衬底w。2个机器手41分别具有1个基础部分、及从该基础部分分出的2个前端部分。在基础部分及2个前端部分分别设置着用于吸附衬底w来保持衬底w的吸附部。
[0090]
2个机器手41分别能够移动地安装在进退驱动部43。进退驱动部43使2个机器手41各自进退。旋转驱动部45使进退驱动部43绕铅直轴ax3旋转。由此，能够改变2个机器手41的
朝向。第1移动机构47能够使旋转驱动部45在图2的前后方向(x方向)移动。第2移动机构48能够使第1移动机构47在图2的上下方向(z方向)移动。利用2个移动机构47、48能够使2个机器手41及进退驱动部43在xz方向移动。
[0091]
进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47及第2移动机构48分别具备电动马达。
[0092]
(1-2-2)涂布单元sc及显影单元dev的构成
[0093]
图10是衬底处理装置1的右侧视图。处理层a1～a3分别具备8个涂布单元sc。8个涂布单元sc排列成上下方向2段
×
水平方向4列。另外，图10中，涂布单元sc为涂布光阻剂的涂布单元pr。另外，处理层b1～b3分别具备8个显影单元dev。8个显影单元dev配置成2段
×
4列。涂布单元sc及显影单元dev的个数适当变更。
[0094]
如图3所示，涂布单元sc具备保持旋转部51、喷嘴52及喷嘴移动机构53。保持旋转部51例如通过真空吸附保持衬底w的下表面，使保持的衬底w绕铅直轴(z方向)旋转。喷嘴52对衬底w喷出涂布液(例如光阻剂液)。喷嘴52经由配管连接在涂布液供给源，在配管设置着泵及开闭阀。喷嘴移动机构53使喷嘴52移动到任意位置。保持旋转部51及喷嘴移动机构53分别具备例如电动马达。
[0095]
另外，如图3所示，显影单元dev具备保持旋转部54、喷嘴55及喷嘴移动机构56。保持旋转部54例如通过真空吸附保持衬底w的下表面，使保持的衬底w绕铅直轴(z方向)旋转。喷嘴55对衬底w喷出显影液。喷嘴55经由配管连接在显影液供给源，在配管设置着泵及开闭阀。喷嘴移动机构56使喷嘴55移动到任意位置。保持旋转部54及喷嘴移动机构56分别例如具备电动马达。
[0096]
(1-2-3)热处理部37的构成
[0097]
图11是衬底处理装置1的左侧视图。3个处理层a1～a3可以分别具备24个热处理部37。在该情况下，24个热处理部37可以配置成4段
×
6列。同样地，3个处理层b1～b3可以分别具备24个热处理部37。在该情况下，24个热处理部37可以分别配置成4段
×
6列。
[0098]
此外，热处理部37为了对衬底w进行热处理，具备载置衬底w的平板57(参照图3)。在加热平板57的情况下，热处理部37例如具备加热器，在冷却平板57的情况下，热处理部37例如具备水冷式循环机构。
[0099]
图11中，各处理层a1～a3具备6个密接强化处理部ahp、4个冷却部cp、2个边缘曝光部eew、及8个加热处理部pab。另外，各处理层b1～b3具备4个冷却部cp、9个加热处理部postbake(图11中表示为“pb”)、2个检查部lscm1、lscm2、及9个曝光后烘烤处理部peb。密接强化处理部ahp将六甲基二矽氮烷(hmds)等密接强化剂涂布于衬底w并加热。冷却部cp将衬底w冷却。边缘曝光部eew进行衬底w的周边部的曝光处理。加热处理部pab对涂布后的衬底w进行烘烤处理。加热处理部postbake对显影处理后的衬底w进行烘烤处理。曝光后烘烤处理部peb对曝光后的衬底w进行烘烤处理。检查部lscm1使用ccd(charge coupled device，电荷耦合器件)相机或影像传感器检查涂布膜。检查部lscm2使用ccd相机或影像传感器检查显影后的衬底w。此外，密接强化处理部ahp、加热处理部pab、曝光后烘烤处理部peb及加热处理部postbake具备具有冷却功能的区域衬底搬送机构。热处理部37的个数及种类适当变更。
[0100]
(1-3)if区块6的构成
[0101]
if区块6连结于第2处理区块5。if区块6对作为外部装置的曝光装置exp进行衬底w的搬出及搬入。如图2、图3、图10、图11所示，if区块6具备3个衬底搬送机构hu5～hu7、曝光前清洗单元161、曝光后清洗单元soak、曝光后烘烤处理部peb、缓冲区部psbu4～psbu6、载置兼冷却部p-cp及衬底载置部ps9。
[0102]
此外，清洗单元161、soak具备保持衬底w的保持旋转部、及例如对衬底w喷出清洗液的喷嘴。另外，处理前清洗单元161可以使用刷子等进行衬底w的背面及端部(斜角部)的抛光处理。此外，衬底w的背面是指例如与形成电路图案的面为相反侧的面。缓冲区部psbu4～psbu6分别能够载置多个衬底w。
[0103]
如图3所示，2个衬底搬送机构hu5、hu6排列配置在与x方向正交的y方向。另外，2个衬底搬送机构hu5、hu6隔着能够载置多个衬底w的缓冲区部psbu4～psbu6配置。第7衬底搬送机构hu7隔着(横穿)2个衬底搬送机构hu5、hu6配置在第2处理区块5的相反侧。也就是说，在第7衬底搬送机构hu7与第2处理区块5之间配置着2个衬底搬送机构hu5、hu6。在3个衬底搬送机构hu5～hu7之间配置着多个载置兼冷却部p-cp及衬底载置部ps9。多个载置兼冷却部p-cp及衬底载置部ps9配置在上下方向。衬底载置部ps9构成为能够载置多个衬底w。
[0104]
第5衬底搬送机构hu5在曝光前清洗单元161(参照图3的箭头rs侧、图10)、曝光后清洗单元soak(箭头rs侧)、曝光后烘烤处理部peb(箭头rs侧)、缓冲区部psbu4～psbu6、载置兼冷却部p-cp及衬底载置部ps9之间搬送衬底w。第6衬底搬送机构hu6在曝光前清洗单元161(参照图3的箭头ls侧、图11)、曝光后清洗单元soak(箭头ls侧)、曝光后烘烤处理部peb(箭头ls侧)、缓冲区部psbu4～psbu6、载置兼冷却部p-cp及衬底载置部ps9之间搬送衬底w。第7衬底搬送机构hu7在曝光装置exp、载置兼冷却部p-cp及衬底载置部ps9之间搬送衬底w。
[0105]
3个衬底搬送机构hu5～hu7分别具备机器手21、进退驱动部23及升降旋转驱动部58。机器手21及进退驱动部23与例如衬底搬送机构mhu1的机器手21及进退驱动部23同样地构成。升降旋转驱动部58具备电动马达，使机器手21及进退驱动部23升降，另外，使机器手21及进退驱动部23绕铅直轴旋转。
[0106]
(1-3)载体缓冲区装置8的构成
[0107]
如图2、图4所示，载体缓冲区装置8具备载体搬送机构61及载体保管架63。载体搬送机构61及载体保管架63(即载体缓冲区装置8)搭载在id区块2及2个处理区块3、5之上。载体搬送机构61在4个开启器11～14各自的载置台16与载体保管架63之间搬送载体c。载体保管架63保管载体c。此外，载体搬送机构61及载体保管架63也可以分别搭载在id区块2及2个处理区块3、5的至少1个之上。另外，载体搬送机构61及载体保管架63也可以分别搭载在if区块6之上。
[0108]
参照图12。载体搬送机构61具备2个多关节臂65、66。在第1多关节臂65的一端设置着握持部67，在第2多关节臂66的一端设置着握持部68。第1多关节臂65的另一端由支柱状的升降驱动部69支撑，能够在上下方向移动，第2多关节臂66的另一端由升降驱动部69支撑，能够在上下方向移动。
[0109]
2个握持部67、68分别例如以握持载体c的上表面设置的突起部的方式构成。第1多关节臂65以能够使握持部67绕铅直轴ax4旋转360度的方式构成。第1多关节臂65例如具备3个臂部件65a～65c。臂部件65a由后述升降驱动部69而能够升降。2个臂部件65a、65b连接于铅直轴ax5，能够绕其旋转。另外，2个臂部件65b、65c连接于铅直轴ax6，能够绕其旋转。此
外，第2多关节臂66与第1多关节臂65同样地构成。第1多关节臂65例如可以担当图4的纸面上侧的载体c的搬送。第2多关节臂66可以担当图4的纸面下侧的载体c的搬送。
[0110]
升降驱动部69以能够使2个多关节臂65、66各自升降的方式构成。因此，可以使第1多关节臂65移动到比第2多关节臂66高的位置，也可以使第1多关节臂65移动到比第2多关节臂66低的位置。此外，升降驱动部69也可以构成为使2个多关节臂65、66一体升降。2个握持部67、68、2个多关节臂65、66及升降驱动部69分别具备电动马达。
[0111]
前后驱动部70具备支撑升降驱动部69的支撑部70a、在前后方向(x方向)较长地延伸的长边部70b、及电动马达。例如，长边部70b可以是轨道(引导轨道)，支撑部70a可以是台车。在该情况下，可以构成为利用电动马达使台车(支撑部70a)沿轨道(长边部70b)移动。
[0112]
另外，例如电动马达、多个滑轮、传送带及引导轨道可以内置于长边部70b，支撑部70a可以固定于传送带。在该情况下，利用电动马达使滑轮旋转，从而使挂设于多个滑轮的传送带移动，由此使支撑部70a沿引导轨道移动。另外，例如也可以是电动马达、螺旋轴及引导轨道内置于长边部70b，与螺旋轴啮合的螺帽部设置在支撑部70a。在该情况下，可以利用电动马达使螺旋轴，由此使支撑部70a沿引导轨道移动。
[0113]
参照图4。载体保管架63具备输入端口71、输出端口72、未处理衬底载体架73、空载体架74及已处理衬底载体架75。输入端口71是用于从外部搬送机构oht(overhead hoist transport，高架起重机运输)接收收纳着未处理的衬底w的载体c的架。外部搬送机构oht在工厂内搬送载体c。未处理是指尚未利用本实施例中衬底处理装置1进行处理。如图4所示，2个输入端口71及2个输出端口72设置在衬底处理装置1的顶上的长边方向(x方向)的一端。2个输入端口71及2个输出端口72排列在与长边方向正交的短边方向(y方向)。在2个输入端口71及2个输出端口72的上方设置着外部搬送机构oht的轨道77。外部搬送机构oht将载体c搬送到2个输入端口71的任一个。
[0114]
未处理衬底载体架73载置载体c，该载体c载置在输入端口71，且收纳着2个开启器11、12的各载置台16均未能搬送的未处理的衬底w。空载体架74载置例如已利用开启器11的载置台16将衬底w全部取出的载体c。已处理衬底载体架75载置收纳着已处理的衬底w、且2个输出端口72的任一个均未能搬送的载体c。已处理是指已经利用衬底处理装置1进行过处理。输出端口72是用于将收纳着已处理的衬底w的载体c交付到外部搬送机构oht的架。载体搬送机构61能够使载体c在载置台16及各架71～75之间自由移动。
[0115]
此外，载体搬送机构61具备2个多关节臂65、66及2个握持部67、68，也可以具备1个或3个以上多关节臂及1个或3个以上(与多关节臂的个数相同)的握持部。另外，升降驱动部69也可以构成为绕相对于支撑部70a铅直的轴(z方向的轴)旋转驱动。另外，轨道77也可以构成为通过任意位置的上方。在该情况下，在轨道77的下方设置输入端口71及输出端口72。载体保管架63的个数及种类适当变更。
[0116]
(2)衬底处理装置1的动作
[0117]
其次，对衬底处理装置1的动作进行说明。在该说明中，用2个处理层a1、b1的组合对衬底w进行处理。2个处理层a2、b2的组合及2个处理层a3、b3的组合与2个处理层a1、b1的组合同样地进行动作。
[0118]
此外，图4中，2个开启器11、12用于从载体c取出衬底w，另外2个开启器13、14用于将衬底w收纳至载体c。另外，图13是用来对实施例1的衬底处理装置1的动作进行说明的流
程图。
[0119]
参照图2、图4。外部搬送机构oht向2个输入端口71的一个搬送载体c。载体搬送机构61将利用外部搬送机构oht搬送来的载体c从输入端口71搬送到2个开启器11、12的一个(例如开启器11)的载置台16。开启器11的挡板部一边从载体c(载体主体)卸下并保持盖部，一边使该盖部移动。由此，将开口部18敞开。
[0120]
[步骤s01]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0121]
id区块2从载置在开启器11的载置台16的载体c取出衬底w。然后，id区块2成为第1处理区块3的处理层a1能够接收衬底w的状态。
[0122]
具体地进行说明。对开启器11、12搬送衬底w是由第1衬底搬送机构mhu1进行的。衬底搬送机构mhu1使机器手21进入载置在开启器11的载置台16的载体c，从载体c取出衬底w。衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w搬送到第1缓冲区部bu1的送出部sn1(参照图10)。由此，成为第1处理区块3的处理层a1能够接收衬底w的状态。
[0123]
此外，在处理层a2对衬底w进行处理的情况下，衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w搬送到第2缓冲区部bu2的送出部sn2。另外，在处理层a3对衬底w进行处理的情况下，衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w搬送到第3缓冲区部bu3的送出部sn3。
[0124]
当从载体c取出全部衬底w时，开启器11的挡板部一边移动以将盖部安装于载体c，一边遮蔽开口部18。其后，载体搬送机构61将变空的载体c搬送到2个开启器13、14的任一个。另外，在无法将变空的载体c搬送到2个开启器13、14的任一个的情况下，载体搬送机构61将空载体c搬送到空载体架74。另外，载体搬送机构61从输入端口71或未处理衬底载体架73将收纳着未处理的衬底w的载体c搬送到开启器11代替变空的载体c。
[0125]
衬底搬送机构mhu1从开启器11的载体c取出所有衬底w后，从开启器12的载体c取出衬底w。然后，衬底搬送机构mhu1从开启器12的载体c取出所有衬底w后，再次从开启器11的载体c取出衬底w。也就是说，衬底搬送机构mhu1原则上以载体c为单位从2个开启器11、12的各载体c交替地取出衬底w。
[0126]
衬底搬送机构mhu1构成为以载体为单位分配衬底w。例如，从开启器11的第1载体c取出的衬底w由处理层a1进行处理。其次，从开启器12的第2载体c取出的衬底w由处理层a2进行处理。另外，接下来，从开启器11的第3载体c取出的衬底w由处理层a3进行处理。也就是说，一边重复处理层a1、处理层a2、处理层a3的次序，一边以载体为单位分配衬底w。
[0127]
[步骤s02]利用第1处理区块3进行的涂布处理
[0128]
第1处理区块3的处理层a1从id区块2接收衬底w，对接收的衬底w进行涂布处理(第1处理)，将已进行过涂布处理的衬底w搬送到id区块2。
[0129]
具体地进行说明。处理层a1的第3衬底搬送机构mhu3接收搬送到缓冲区部bu1的送出部sn1的衬底w。然后，衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到密接强化处理部ahp、冷却部cp、涂布单元pr。涂布单元pr在衬底w上形成光阻剂膜。其后，衬底搬送机构mhu3将已利用涂布单元pr形成光阻剂膜的衬底w依序搬送到加热处理部pab、冷却部cp、边缘曝光部eew、交付部ps1(缓冲区部bu1)。此外，衬底搬送机构mhu3将衬底w搬送到交付部ps1的规定位置(例如图7中从下起第6段衬底载置部31a)。
[0130]
[步骤s03]利用第2处理区块5的衬底搬送
[0131]
第2处理区块5的处理层b1从id区块2接收由第1处理区块3的处理层a1搬送到id区
块2的衬底w，将接收的衬底w搬送到if区块6。
[0132]
具体进行说明。步骤s02中，第1处理区块3的处理层a1的衬底搬送机构mhu3将衬底w搬送到缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(衬底载置部31a)。第2处理区块5的处理层b1的衬底搬送机构mhu4接收由衬底搬送机构mhu3搬送到交付部ps1的规定位置(衬底载置部31a)的衬底w。此处，从处理层a1向处理层b1搬送衬底不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2进行。也就是说，缓冲区部bu1(衬底缓冲区bf)配置在2个衬底搬送机构mhu3、mhu4的两个机器手21、41所及的位置。换言之，2个衬底搬送机构mhu3、mhu4以能够相互取走载置在缓冲区部bu1的衬底w的方式构成。因此，即便在从第1处理区块3通过id区块2向第2处理区块5搬送衬底w的情况下，也能够不对2个衬底搬送机构mhu1、mhu2造成负担。
[0133]
处理层b1的衬底搬送机构mhu4将从交付部ps1接收的衬底w依序搬送到检查部lscm1、缓冲区部psbu4。检查部lscm1对光阻剂膜(涂布膜)进行检查及测定。此外，在该步骤s03中，处理层b1不进行显影处理(第2处理)。
[0134]
[步骤s04]利用if区块6进行的衬底搬送
[0135]
if区块6将利用第2处理区块5的处理层b1搬送来的衬底w搬出到曝光装置exp。另外，if区块6搬入已利用曝光装置exp进行过处理的衬底w。
[0136]
2个衬底搬送机构hu5、hu6分别从缓冲区部psbu4接收衬底w。2个衬底搬送机构hu5、hu6分别将接收的衬底w依序搬送到曝光前清洗单元161、载置兼冷却部p-cp。衬底搬送机构hu7从载置兼冷却部p-cp接收衬底w，将接收的衬底w搬出到曝光装置exp。曝光装置exp对搬出的衬底w进行曝光处理。if区块6的衬底搬送机构hu7将已利用曝光装置exp进行过处理的衬底w搬入if区块6，将搬入的衬底w搬送到衬底载置部ps9。其后，2个衬底搬送机构hu5、hu6分别从衬底载置部ps9接收衬底w。2个衬底搬送机构hu5、hu6分别将接收的衬底w依序搬送到曝光后清洗单元soak、曝光后烘烤处理部peb、缓冲区部psbu4。
[0137]
[步骤s05]利用第2处理区块5进行的显影处理
[0138]
第2处理区块5的处理层b1从if区块6接收利用曝光装置exp进行过处理的衬底w，对接收的衬底w进行显影处理(第2处理)，将进行过显影处理的衬底w搬送到id区块2。
[0139]
具体进行说明。处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部psbu4接收衬底w。衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w依序搬送到冷却部cp、显影单元dev、加热处理部postbake(图11中表示为“pb”)、检查部lscm2、送回部rt1(缓冲区部bu1)。显影单元dev对已利用曝光装置exp进行过曝光处理的衬底w进行显影处理。检查部lscm2对显影后的衬底w进行检查。
[0140]
[步骤s06]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0141]
id区块2将已进行过显影处理的衬底w从衬底缓冲区bf例如送回载置在开启器13的载置台16的载体c。送回衬底w的载体c是在处理前(即取出前)收纳衬底w的载体c。
[0142]
具体进行说明。利用载体搬送机构61从2个开启器11、12的载置台16或空载体架74将变空的载体c搬送到开启器13(或开启器14)。对开启器13、14搬送衬底w是利用第2衬底搬送机构mhu2进行。
[0143]
衬底搬送机构mhu2将已利用第2处理区块5的处理层b1进行过显影处理的衬底w从缓冲区部bu1的送回部rt1搬送到载置在开启器13的载置台16的载体c。此外，在利用处理层b2对衬底w进行了处理的情况下，衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu2的送回部rt2将衬底w搬送到2个开启器13、14的一个的载体c。另外，在利用处理层b3对衬底w进行了处理的情况下，
衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu3的送回部rt3将衬底w搬送到2个开启器13、14的一个的载体c。
[0144]
衬底搬送机构mhu2在开启器13的载体c收纳所有衬底w后，在开启器14的载体c收纳衬底w。然后，衬底搬送机构mhu2在开启器14的载体c收纳所有衬底w后，再次在开启器13的载体c收纳衬底w。也就是说，衬底搬送机构mhu2原则上以载体c为单位在开启器13、14的各载体c交替地收纳衬底w。
[0145]
载体搬送机构61将收纳着已处理的衬底w的载体c搬送到输出端口72或已处理衬底载体架75。另外，载体搬送机构61从2个开启器11、12的载置台16或空载体架74将空载体c搬送到2个开启器13、14的一个载置台16来代替已搬送走的载体c。外部搬送机构oht将收纳着已处理的衬底w的载体c从2个输出端口72的一个搬送到例如其它装置。
[0146]
根据本实施例，能够抑制产能降低。例如设为id区块、第1处理区块及第2处理区块依序配置。在该情况下，为了将已利用第2处理区块进行过处理的衬底w搬送到id区块，虽然不利用第1处理区块进行处理，也必须通过第1处理区块。然而，根据本实施例，第1处理区块3及第2处理区块5均连结于id区块2。因此，能够从第2处理区块5将衬底w直接搬送到id区块2而不经过第1处理区块3。因此能够抑制产能降低。
[0147]
另外，衬底缓冲区bf配置在2个处理区块3、5的中间。因此，能够经由衬底缓冲区bf从第1处理区块3将衬底w搬送到第2处理区块5。该搬送不使用id区块2进行衬底搬送，所以能够减轻利用id区块2进行衬底搬送的负担。因此，实现产能提升。
[0148]
另外，if区块6连结于第2处理区块5的构成能够抑制产能降低。具体进行说明。图14中，以往的衬底处理装置在id区块202与if区块206之间搬送衬底。在从id区块202向if区块206搬送衬底的情况下，涂布区块203对衬底进行涂布处理，但显影区块205不对衬底进行显影处理。另外，在从if区块206向id区块202搬送衬底的情况下，显影区块205对衬底进行显影处理，但涂布区块203不对衬底进行涂布处理。如此，要搬送衬底经过处理区块内而不进行涂布处理或显影处理。这可能成为使衬底处理装置的产能降低的原因。本实施例的发明具体来说能够省略返程时搬送衬底经过涂布区块203内(图14的符号tr)。
[0149]
另外，衬底处理装置1具备：载体保管架63，搭载于id区块2、第1处理区块3及第2处理区块5中的至少任一个之上，用于保管载体c；及载体搬送机构61，搭载于id区块2、第1处理区块3及第2处理区块5中的至少任一个之上，在载置台16与载体保管架63之间搬送载体c。
[0150]
如果载体保管架63及载体搬送机构61相对于id区块2及2个处理区块3、5设置在水平方向，那么衬底处理装置1的占据面积会相应地变大。关于该方面，载体保管架63及载体搬送机构61是以与id区块2及2个处理区块3、5的至少任一个在俯视时重叠的方式配置。因此，能够抑制衬底处理装置1的占据面积增加。
[0151]
本实施例中，衬底搬送机构mhu1以载体为单位对处理层a1～a3分配衬底w，但衬底w的分配方法并不限定于所述方法。例如，也可以由2个处理层a1、a2对从第1载体c取出的衬底w进行处理，由处理层a3对从第2载体c取出的衬底w进行处理。另外，也可以由3个处理层a1～a3对第1载体c取出的衬底w进行处理。在该情况下，id区块2形成使3个处理层a1～a3能够接收衬底w的状态。
[0152]
本实施例中，衬底搬送机构mhu1逐片搬送衬底w。关于该方面，也可以同时搬送多
片(例如3片)衬底w。例如，从载体c的下侧起同时取出第1、2、3片衬底w。在处理层a1～a3分别以载体为单位进行衬底处理的情况下，例如以处理层a1对第1、2、3片衬底w进行处理，因此可以在缓冲区部bu1的送出部sn1(参照图10)同时载置取出的3片衬底w。由此，能够减少第1衬底搬送机构mhu1的负担。另外，例如在由处理层a1～a3分担对1个载体c内的衬底进行处理的情况下，也可以利用3个处理层中的处理层a1对第1片衬底w进行处理，用处理层a2对第2片衬底w进行处理，用处理层a3对第3片衬底w进行处理的方式，在缓冲区部bu1～bu3的送出部sn1～sn3逐片载置3片衬底w。由此，能够减少第1衬底搬送机构mhu1的负担、及各处理层a1～a3的第3衬底搬送机构mhu3的负担。
[0153]
另外，利用衬底搬送机构mhu1进行的衬底搬送也可以用如下方式进行。在第1次衬底搬送时，从载体c的下侧起同时取出第1、4、7片衬底w，形成由处理层a1接收取出的3片衬底w的状态。在第2次衬底搬送时，从载体c的下侧起同时取出第2、5、8片衬底w，形成由处理层a2接收取出的3片衬底w的状态。然后，在第3次衬底搬送时，从载体c的下侧起同时取出第3、6、9片衬底w，形成由处理层a3接收取出的3片衬底w的状态。由此，能够减少第1衬底搬送机构mhu1的负担、各处理层a1～a3的第3衬底搬送机构mhu3的负担。另外，能够提升向曝光装置exp搬送处理后的衬底w的效率。对其理由进行说明。曝光装置exp被编程按照载体c内的衬底w的收纳位置进行曝光的顺序。因此，衬底处理装置1必须按衬底w的收纳位置的顺序向曝光装置exp搬送衬底w。衬底处理装置1在其内部按衬底w的收纳位置的顺序高效率地进行处理及搬送。由此，也能够按衬底w的收纳位置的顺序向曝光装置exp高效率地搬送衬底w，所以能够提升产能。
[0154]
[实施例2]
[0155]
其次，参照附图对本发明的实施例2进行说明。此外，省略与实施例1重复的说明。
[0156]
实施例1中，if区块6连结在进行显影处理的第2处理区块5。关于该方面，本实施例中，如图15所示，if区块6连结在进行涂布处理的第1处理区块3。此外，if区块6、第1处理区块3、id区块2、第2处理区块5以该顺序在水平方向上呈直线状连结。本实施例中，if区块6及第1处理区块3相当于第1处理装置。第2处理区块5相当于第2处理装置。
[0157]
＜衬底处理装置1的动作＞
[0158]
参照图15，对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。图16係用来对实施例2的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[0159]
[步骤s21]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0160]
id区块2从载置在开启器11的载置台16的载体c取出衬底w。利用衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w例如搬送到缓冲区部bu1的送出部sn1。
[0161]
[步骤s22]利用第1处理区块3进行的涂布处理
[0162]
第1处理区块3的处理层a1从id区块2接收衬底w，对接收的衬底w进行涂布处理(第1处理)。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从送出部sn1接收衬底w，将接收的衬底w搬送到例如涂布单元pr及规定的热处理部37(也包含冷却部cp)。其后，处理层a1的衬底搬送机构mhu3将进行过涂布处理的衬底w搬送到if区块6的缓冲区部psbu4。
[0163]
[步骤s23]利用if区块6进行的衬底搬送
[0164]
if区块6将利用处理层a1搬送来的衬底w搬出到曝光装置exp。另外，if区块6将利用曝光装置exp进行过曝光处理的衬底w搬入if区块6。为了将进行过曝光处理的衬底w搬送
到第1处理区块3而将其搬送到缓冲区部psbu4。
[0165]
[步骤s24]利用第1处理区块3进行的衬底搬送
[0166]
第1处理区块3的处理层a1从if区块6接收利用曝光装置exp进行过处理的衬底w，将接收的衬底w搬送到id区块2。具体进行说明。处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部psbu4接收进行过曝光处理的衬底w。其后，衬底搬送机构mhu3不对接收的衬底w进行涂布处理，而是将接收的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)。
[0167]
[步骤s25]利用第2处理区块5进行的显影处理
[0168]
第2处理区块5的处理层b1从id区块2接收由第1处理区块3的处理层a1搬送到id区块2的衬底w，对接收的衬底w进行显影处理(第2处理)。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)接收不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2搬送的衬底w。其后，衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w搬送到显影单元dev及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu4将已利用显影单元dev等进行过显影处理的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt1。
[0169]
[步骤s26]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0170]
id区块2将进行过显影处理的衬底w从衬底缓冲区bf例如送回载置在开启器13的载置台16的载体c。也就是说，衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu1的送回部rt1接收衬底w，将接收的衬底w例如搬送到载置在开启器13的载置台16的载体c。
[0171]
根据本实施例，if区块6连结于第1处理区块3的构成能够抑制产能降低。
[0172]
[实施例3]
[0173]
其次，参照附图对本发明的实施例3进行说明。此外，省略与实施例1、2重复的说明。
[0174]
实施例1中，衬底处理装置1具备if区块6。关于该方面，实施例3中，如图17所示，衬底处理装置1不具备if区块6(不进行曝光处理)。此外，本实施例中，第1处理区块3相当于本发明的第1处理装置。第2处理区块5相当于本发明的第2处理装置。
[0175]
＜衬底处理装置1的动作＞
[0176]
参照图17，对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。第1处理区块3的3个处理层a1～a3例如具备涂布单元barc代替图10所示的涂布单元pr。涂布单元barc在衬底w形成抗反射膜。也就是说，各处理层a1～a3在衬底w形成抗反射膜。另外，各处理层b1～b3在衬底w的抗反射膜上形成光阻剂膜。此外，图18是用来对实施例3的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[0177]
[步骤s31]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0178]
id区块2的衬底搬送机构mhu1例如从载置在开启器11的载置台16的载体c取出衬底w。衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w例如搬送到缓冲区部bu1的送出部sn1。由此，形成处理层a1能够接收衬底w的状态。
[0179]
[步骤s32]利用第1处理区块3进行的第1涂布处理
[0180]
第1处理区块3的处理层a1接收由id区块2从载体c取出的衬底w。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu1的送出部sn1接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元barc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将已利用
涂布单元barc形成抗反射膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)。
[0181]
[步骤s33]利用第2处理区块5进行的第2涂布处理
[0182]
第2处理区块5的处理层b1从id区块2接收由第1处理区块3的处理层a1搬送到id区块2的衬底w。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)接收不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2搬送的衬底w。衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w依序搬送到涂布单元pr及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu4将已利用涂布单元pr形成光阻剂膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt1。
[0183]
[步骤s34]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0184]
id区块2将已利用第2处理区块5进行过阻剂涂布处理(第2处理)的衬底w从衬底缓冲区bf例如送回载置在开启器13的载置台16的载体c。也就是说，id区块2的衬底搬送机构mhu2将衬底w从缓冲区部bu1的送回部rt1搬送到开启器13的载体c。
[0185]
根据本实施例，能够抑制产能降低。例如设为id区块、第1处理区块及第2处理区块依序配置。在该情况下，为了将已利用第2处理区块进行过处理的衬底w搬送到id区块，虽然不利用第1处理区块进行处理，也必须通过第1处理区块。然而，根据本实施例，第1处理区块3及第2处理区块5均连结于id区块2。因此，能够从第2处理区块5将衬底w直接搬送到id区块2而不经过第1处理区块3。因此能够抑制产能降低。
[0186]
另外，衬底缓冲区bf配置在2个处理区块3、5的中间。因此，能够经由衬底缓冲区bf从第1处理区块3将衬底w搬送到第2处理区块5。该搬送不使用id区块2进行衬底搬送，所以能够减轻利用id区块2进行衬底搬送的负担。因此，实现产能提升。
[0187]
[实施例4]
[0188]
其次，参照附图对本发明的实施例4进行说明。此外，省略与实施例1～3重复的说明。
[0189]
实施例1中，第1处理区块3的3个处理层a1～a3进行涂布处理，第2处理区块5的3个处理层b1～b3进行显影处理。也就是说，利用2个处理区块3、5进行2种处理(第1处理及第2处理)。关于该方面，实施例4中，利用2个处理区块3、5进行3种处理(第1处理～第3处理)。
[0190]
参照图19。第1处理区块3具备以上下方向重叠的方式配置的3个处理层a1、a2、c1。第2处理区块5具备以上下方向重叠的方式配置的3个处理层b1、b2、c2。处理层a1配置在与处理层b1及缓冲区部bu1相同的层级。处理层a2配置在与处理层b2及缓冲区部bu2相同的层级。处理层c1配置在与处理层c2及缓冲区部bu3相同的层级。本实施例中，缓冲区部bu3具有4个送出部sn4～sn7。各送出部sn4～sn7能够载置多片衬底w。
[0191]
2个处理层c1、c2例如在衬底w形成抗反射膜。2个处理层a1、a2例如在衬底w的抗反射膜上形成光阻剂膜。然后，2个处理层b1、b2例如对衬底w进行显影处理。图19中，第1处理区块3具备对衬底w形成光阻剂膜的处理层a1、及在与处理层a1(第1层)不同的层级(第3层)在衬底w形成抗反射膜的处理层c1。此外，if区块6、第1处理区块3、id区块2、第2处理区块5以该顺序在水平方向上呈直线状连结。本实施例中，if区块6及第1处理区块3相当于第1处理装置。第2处理区块5相当于第2处理装置。
[0192]
＜衬底处理装置1的动作＞
[0193]
参照图19，对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。此外，图20是用于对实施例4的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[0194]
[步骤s41]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0195]
id区块2的衬底搬送机构mhu1例如从载置在开启器11的载置台16的载体c取出衬底w。衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w例如搬送到缓冲区部bu3的送出部sn4。由此，形成处理层c1能够接收衬底w的状态。此外，通过由衬底搬送机构mhu1将衬底w搬送到缓冲区部bu3的送出部sn5，形成处理层c2能够接收衬底w的状态。
[0196]
[步骤s42]利用处理层c1(c2)进行的第1涂布处理
[0197]
处理层c1从id区块2接收衬底w，对接收的衬底w进行形成抗反射膜的处理(第3处理)。也就是说，处理层c1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu3的送出部sn4接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元barc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将已利用涂布单元barc形成抗反射膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu3的送出部sn6。送出部sn6用于层级间的衬底搬送。此外，处理层c2从缓冲区部bu3的送出部sn5接收衬底w。处理层c2将接收的衬底w依序搬送到涂布单元barc及规定的热处理部37。其后，处理层c2将形成了抗反射膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu3的送出部sn7。
[0198]
[步骤s43]利用id区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
[0199]
id区块2使形成了抗反射膜的衬底w移动到处理层a1的层级(第1层)。也就是说，id区块2的衬底搬送机构mhu1、mhu2的一个将衬底w从缓冲区部bu3的送出部sn6搬送到缓冲区部bu1的送出部sn1。由此，成为处理层a1能够接收衬底w的状态。此外，在利用处理层c2对衬底w进行处理的情况下，从缓冲区部bu3的送出部sn7将衬底w搬送到缓冲区部bu2的送出部sn2。由此，成为处理层a2能够接收衬底的状态。
[0200]
[步骤s44]利用处理层a1(a2)进行的第2涂布处理
[0201]
处理层a1从id区块2接收形成了抗反射膜的衬底w。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu1的送出部sn1接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元pr及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将利用涂布单元pr形成了光阻剂膜的衬底w搬送到if区块6的缓冲区部psbu4。此外，处理层a2从缓冲区部bu2的送出部sn2接收衬底w。处理层a2将接收的衬底w依序搬送到涂布单元pr及规定的热处理部37。其后，处理层a2将形成了光阻剂膜的衬底w搬送到if区块6的缓冲区部psbu5。
[0202]
[步骤s45]利用if区块6进行的衬底搬送
[0203]
if区块6将利用处理层a1(a2)搬送来的衬底w搬出到曝光装置exp。另外，if区块6将利用曝光装置exp进行过曝光处理的衬底w搬入if区块6。为了将进行过曝光处理的衬底w搬送到处理层a1而将其搬送到缓冲区部psbu4。另外，为了将进行过曝光处理的衬底w搬送到处理层a2而将其搬送到缓冲区部psbu5。此外，从处理层a1搬送来的衬底w送回处理层a1。从处理层a2搬送来的衬底w送回处理层a2。
[0204]
[步骤s46]利用处理层a1(a2)进行的衬底搬送
[0205]
处理层a1从if区块6接收利用曝光装置exp进行过处理的衬底w，将接收的衬底w搬送到id区块2。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部psbu4接收进行过曝光处理的衬底w。其后，衬底搬送机构mhu3不对接收的衬底w进行涂布处理，而将接收的衬底w最终搬送到缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)。此外，处理层a2从
缓冲区部psbu5接收进行过曝光处理的衬底w，接收的衬底w最终搬送到缓冲区部bu2的交付部ps2的规定位置。
[0206]
[步骤s47]利用处理层b1(b2)进行的显影处理
[0207]
处理层b1从id区块2接收由处理层a1搬送到id区块2的衬底w。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)接收。此外，衬底从处理层a1向处理层b1的搬送不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2进行。衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w搬送到显影单元dev及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu4将利用显影单元dev进行过显影处理的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt1。此外，处理层b2从缓冲区部bu2的交付部ps2的规定位置接收。处理层b2将接收的衬底w搬送到显影单元dev及规定的热处理部37。其后，处理层b2将进行过显影处理的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu2的送回部rt2。
[0208]
[步骤s48]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0209]
id区块2将进行过显影处理的衬底w从衬底缓冲区bf例如送回载置在开启器13的载置台16的载体c。也就是说，衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu1(bu2)的送回部rt1(rt2)接收衬底w，将接收的衬底w搬送到载置在开启器13的载置台16的载体c。
[0210]
在该动作说明中，在对处理层c1搬送衬底w的情况下，按处理层c1、处理层a1、处理层b1的顺序进行处理。另外，在对处理层c2搬送衬底w的情况下，按处理层c2、处理层a2、处理层b2的顺序进行处理。此外，也可以按处理层c1、处理层a2、处理层b2的顺序进行处理。另外，也可以按处理层c2、处理层a1、处理层b1的顺序进行处理。
[0211]
根据本实施例，第1处理区块3(处理层a1、处理层c1)及第2处理区块5(处理层b1)均连结在id区块2，因此能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区bf配置在例如处理层a1与处理层b1的中间。因此，能够经由衬底缓冲区bf从处理层a1将衬底w搬送到处理层b1。该搬送不使用id区块2进行衬底搬送，所以能够减轻利用id区块2进行衬底搬送的负担。因此，实现产能提升。
[0212]
[实施例5]
[0213]
其次，参照附图对本发明的实施例5进行说明。此外，省略与实施例1～4重复的说明。
[0214]
实施例4中，衬底处理装置1具备if区块6。关于该方面，实施例5中，如图21所示，衬底处理装置1不具备if区块6。
[0215]
＜衬底处理装置1的动作＞
[0216]
参照图21，对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。本实施例的衬底处理装置1例如形成3层膜。2个处理层c1、c2形成下层膜(例如soc(spin on carbon，旋涂碳)膜)。2个处理层a1、a2形成中间膜(例如sog(spin on glass，旋涂玻璃)膜)。然后，2个处理层b1、b2形成光阻剂膜。此外，图22是用来对实施例5的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[0217]
[步骤s51]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0218]
步骤51与步骤s41同样地动作。对该步骤简单地进行说明。衬底搬送机构mhu1例如从开启器11的载体c取出衬底w。其后，衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w例如搬送到缓冲区部bu3的送出部sn4。
[0219]
[步骤s52]利用处理层c1(c2)进行的第1涂布处理
[0220]
处理层c1对id区块3接收衬底w，对接收的衬底w进行形成下层膜的处理(第3处理)。也就是说，处理层c1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu3的送出部sn4接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元sc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将利用涂布单元sc形成了下层膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu3的送出部sn6。
[0221]
[步骤s53]利用id区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
[0222]
步骤53与步骤s43同样地动作。对该步骤简单地进行说明。衬底搬送机构mhu1、mhu2的一个将衬底w从缓冲区部bu3的送出部sn6搬送到缓冲区部bu1的送出部sn1。
[0223]
[步骤s54]利用处理层a1(a2)进行的第2涂布处理
[0224]
处理层a1从id区块2接收形成了下层膜的衬底w。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu1的送出部sn1接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元sc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将利用涂布单元sc形成了中间膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)。
[0225]
[步骤s55]利用处理层b1(b2)进行的第3涂布处理
[0226]
处理层b1从id区块2接收由处理层a1搬送到id区块2的衬底w。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部bu1的交付部ps1的规定位置(例如衬底载置部31a)接收。此外，衬底从处理层a1向处理层b1的搬送不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2进行。衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w依序搬送到涂布单元sc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu4将利用涂布单元sc形成了光阻剂膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt1。
[0227]
[步骤s56]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0228]
步骤s56与步骤s48同样地动作。对该步骤简单地进行说明。衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu1的送回部rt1接收衬底w，将接收的衬底w例如搬送到载置在开启器13的载置台16的载体c。
[0229]
在该动作说明中，在对处理层c1搬送衬底w的情况下，也以处理层c1、处理层a1、处理层b1的顺序进行处理。另外，在对处理层c2搬送衬底w的情况下，按处理层c2、处理层a2、处理层b2的顺序进行处理。此外，也可以按处理层c1、处理层a2、处理层b2的顺序进行处理。另外，也可以按处理层c2、处理层a1、处理层b1的顺序进行处理。
[0230]
根据本实施例，第1处理区块3(处理层a1、处理层c1)及第2处理区块5(处理层b1)均连结在id区块2，因此能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区bf配置在例如处理层a1与处理层b1的中间。因此，能够经由衬底缓冲区bf从处理层a1将衬底w搬送到处理层b1。该搬送不使用id区块2进行衬底搬送，所以能够减轻利用id区块2进行衬底搬送的负担。因此，实现产能提升。
[0231]
[实施例6]
[0232]
其次，参照附图对本发明的实施例6进行说明。此外，省略与实施例1～5重复的说明。
[0233]
实施例4中，利用2个处理区块3、5进行3种处理(第1处理～第3处理)。这时，例如处理层c1在处理层a1、b1之前进行处理。关于该方面，实施例6中，处理层c1在处理层a1、b1之
后进行处理。
[0234]
参照图23。第1处理区块3具备以上下方向重叠的方式配置的3个处理层c1、a1、a2。第2处理区块5具备以上下方向重叠的方式配置的3个处理层c2、b1、b2。处理层c1配置在处理层c2及缓冲区部bu1相同的层级。处理层a1配置在与处理层b1及缓冲区部bu2相同的层级。处理层a2配置在处理层b2及缓冲区部bu3相同的层级。本实施例中，缓冲区部bu1具备2个送出部sn9、sn10及2个送回部rt4、rt5。缓冲区部bu2具备2个送出部sn2、sn11及交付部ps2。缓冲区部bu3具备2个送出部sn3、sn12及交付部ps3。各送出部sn9～sn12及送回部rt4、rt5等能够载置多片衬底w。
[0235]
2个处理层a1、a2例如在衬底w形成抗反射膜。2个处理层b1、b2例如在衬底w的抗反射膜上形成光阻剂膜。然后，2个处理层c1、c2例如对衬底w进行显影处理。图23中，第2处理区块5具备对衬底w形成光阻剂膜的处理层b2、及在与处理层b2(第3层)不同的层级(第1层)对衬底w进行显影处理的处理层c2。此外，第1处理区块3、id区块2、第2处理区块5、if区块6以该顺序在水平方向上呈直线状连结。本实施例中，第1处理区块3相当于第1处理装置。第2处理区块5及if区块6相当于第2处理装置。
[0236]
＜衬底处理装置1的动作＞
[0237]
参照图23，对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。此外，图24是用来对实施例6的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[0238]
[步骤s61]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0239]
id区块2的衬底搬送机构mhu1例如从载置在开启器11的载置台16的载体c取出衬底w。衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w例如搬送到缓冲区部bu2的送出部sn2。由此，形成处理层a1能够接收衬底w的状态。此外，通过由衬底搬送机构mhu1将衬底w搬送到缓冲区部bu3的送出部sn3，成为处理层a2能够接收衬底w的状态。
[0240]
[步骤s62]利用处理层a1(a2)进行的第1涂布处理
[0241]
处理层a1从id区块2接收衬底w，对接收的衬底w进行形成抗反射膜的处理(第1处理)。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu2的送出部sn2接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元barc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将已利用涂布单元barc形成抗反射膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu2的交付部ps2的规定位置。此外，处理层a2从缓冲区部bu3的送出部sn3接收衬底w。处理层a2将接收的衬底w依序搬送到涂布单元barc及规定的热处理部37。其后，处理层a2将形成了抗反射膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu3的交付部ps3的规定位置。
[0242]
[步骤s63]利用处理层b1(b2)进行的第2涂布处理
[0243]
处理层b1从id区块2接收由处理层a1搬送到id区块2的衬底w。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部bu2的交付部ps2的规定位置接收衬底w。此外，衬底从处理层a1向处理层b1的搬送不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2进行。衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w依序搬送到涂布单元pr及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu4将利用涂布单元pr形成了光阻剂膜的衬底w搬送到if区块6的缓冲区部psbu5。此外，处理层b2从缓冲区部bu3的交付部ps3的规定位置接收。处理层b2将接收的衬底w依序搬送到涂布单元pr及规定的热处理部37。其后，处理层b2将形成了光阻剂膜的衬底w搬送到if区块6的缓冲区部psbu6。
[0244]
[步骤s64]利用if区块6进行的衬底搬送
[0245]
if区块6将利用处理层b1(b2)搬送来的衬底w搬出到曝光装置exp。另外，if区块6将利用曝光装置exp进行过曝光处理的衬底w搬入if区块6。为了将进行过曝光处理的衬底w搬送到处理层b1而将其搬送到缓冲区部psbu5。另外，为了将进行过曝光处理的衬底w搬送到处理层b2而将其搬送到缓冲区部psbu6。此外，从处理层b1搬送来的衬底w送回处理层b1。从处理层b2搬送来的衬底w送回处理层b2。
[0246]
[步骤s65]利用处理层b1(b2)进行的衬底搬送
[0247]
处理层b1从if区块6接收利用曝光装置exp进行过处理的衬底w，将接收的衬底w搬送到id区块2。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部psbu5接收进行过曝光处理的衬底w。其后，衬底搬送机构mhu4不对接收的衬底w进行涂布处理，而将接收的衬底w最终搬送到缓冲区部bu2的送出部sn11。送出部sn11(sn12)用于层级间的衬底搬送。此外，处理层b2从缓冲区部psbu6接收进行过曝光处理的衬底w，将接收的衬底w最终搬送到缓冲区部bu3的送出部sn12。
[0248]
[步骤s66]利用id区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
[0249]
id区块2使进行过曝光处理的衬底w移动到处理层c1的层级(第1层)。也就是说，id区块2的衬底搬送机构mhu1、mhu2的一个将衬底w从缓冲区部bu2的送出部sn11搬送到缓冲区部bu1的送出部sn9。由此，成为处理层c1能够接收衬底w的状态。此外，在利用处理层a2、b2对衬底w进行处理的情况下，将衬底w从缓冲区部bu3的送出部sn12搬送到缓冲区部bu1的送出部sn10。由此，成为处理层c2能够接收衬底的状态。
[0250]
[步骤s67]利用处理层c1(c2)进行的显影处理
[0251]
处理层c1从id区块2接收进行过曝光处理的衬底w。也就是说，处理层c1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu1的送出部sn9接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w搬送到显影单元dev及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将利用显影单元dev进行过显影处理的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt4。此外，处理层c2从缓冲区部bu1的送出部sn10接收衬底w。处理层c2将接收的衬底w搬送到显影单元dev及规定的热处理部37。其后，处理层c2将利用显影单元dev进行过显影处理的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt5。
[0252]
[步骤s68]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0253]
id区块2将进行过显影处理的衬底w从衬底缓冲区bf例如送回载置在开启器13的载置台16的载体c。也就是说，衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu1的送回部rt4(rt5)接收衬底w，将接收的衬底w搬送到载置在开启器13的载置台16的载体c。
[0254]
在该动作说明中，按处理层a1、处理层b1、处理层c1的顺序进行处理。另外，按处理层a2、处理层b2、处理层c2的顺序进行处理。此外，也可以按处理层a1、处理层b1、处理层c2的顺序进行处理。另外，也可以按处理层a2、处理层b2、处理层c1的顺序进行处理。
[0255]
根据本实施例，第1处理区块3(处理层a2)及第2处理区块5(处理层b2、处理层c2)均连结在id区块2，因此能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区bf配置在例如处理层a2与处理层b2的中间。因此，能够经由衬底缓冲区bf将衬底w从处理层a2搬送到处理层b2。该搬送不使用id区块2进行衬底搬送，所以能够减轻利用id区块2进行衬底搬送的负担。因此，实现产能提升。
[0256]
[实施例7]
[0257]
其次，参照附图对本发明的实施例7进行说明。此外，省略与实施例1～6重复的说明。
[0258]
实施例6中，衬底处理装置1具备if区块6。关于该方面，实施例7中，如图25所示，衬底处理装置1不具备if区块6。
[0259]
＜衬底处理装置1的动作＞
[0260]
参照图25，对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。本实施例的衬底处理装置1例如形成3层膜。2个处理层a1、a2形成下层膜。2个处理层b1、b2形成中间膜。然后，2个处理层c1、c2形成光阻剂膜。图26是用来对实施例7的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[0261]
[步骤s71]利用id区块2进行的衬底w的取出
[0262]
步骤s71与步骤s61同样。对该步骤简单地进行说明。衬底搬送机构mhu1例如从载置在开启器11的载置台16的载体c取出衬底w。衬底搬送机构mhu1将取出的衬底w例如搬送到缓冲区部bu2的送出部sn2(sn3)。
[0263]
[步骤s72]利用处理层a1(a2)进行的第1涂布处理
[0264]
处理层a1从id区块2接收衬底w，对接收的衬底w进行形成下层膜的处理(第1处理)。也就是说，处理层a1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu2的送出部sn2接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元sc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将利用涂布单元sc形成了下层膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu2的交付部ps2的规定位置。此外，处理层a2从缓冲区部bu2的送出部sn3接收衬底w。其后，处理层a2将形成了下层膜的衬底w搬送到缓冲区部bu3的交付部ps3的规定位置。
[0265]
[步骤s73]利用处理层b1(b2)进行的第2涂布处理
[0266]
处理层b1从id区块2接收由处理层a1搬送到id区块2的衬底w。也就是说，处理层b1的衬底搬送机构mhu4从缓冲区部bu2的交付部ps2的规定位置接收。此外，衬底从处理层a1向处理层b1的搬送不使用id区块2的2个衬底搬送机构mhu1、mhu2进行。衬底搬送机构mhu4将接收的衬底w依序搬送到涂布单元sc及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu4将利用涂布单元sc形成了中间膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu2的送出部sn11。此外，处理层b2从缓冲区部bu3的交付部ps3的规定位置接收。其后，处理层b2将形成了中间膜的衬底w搬送到缓冲区部bu3的送出部sn12。
[0267]
[步骤s74]利用id区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
[0268]
步骤s74与步骤s66同样。对该步骤简单地进行说明。id区块2的衬底搬送机构mhu1、mhu2的一个将衬底w从缓冲区部bu2的送出部sn11搬送到缓冲区部bu1的送出部sn9。
[0269]
[步骤s75]利用处理层c1(c2)进行的第3涂布处理
[0270]
处理层c1从id区块2接收形成了中间膜的衬底w。也就是说，处理层c1的衬底搬送机构mhu3从缓冲区部bu1的送出部sn9接收衬底w。衬底搬送机构mhu3将接收的衬底w依序搬送到涂布单元pr及规定的热处理部37。其后，衬底搬送机构mhu3将形成了光阻剂膜的衬底w搬送到id区块2的缓冲区部bu1的送回部rt4。此外，处理层c2从送出部sn10接收衬底w。其后，处理层c2将形成了光阻剂膜的衬底w搬送到缓冲区部bu1的送回部rt5。
[0271]
[步骤s76]利用id区块2进行的衬底w的收纳
[0272]
id区块2将形成了光阻剂膜的衬底w从衬底缓冲区bf例如送回载置在开启器13的载置台16的载体c。也就是说，衬底搬送机构mhu2从缓冲区部bu1的送回部rt4(rt5)接收衬底w，将接收的衬底w搬送到载置在开启器13的载置台16的载体c。
[0273]
在该动作说明中，按处理层a1、处理层b1、处理层c1的顺序进行处理。另外，按处理层a2、处理层b2、处理层c2的顺序进行处理。此外，也可以按处理层a1、处理层b1、处理层c2的顺序进行处理。另外，也可以按处理层a2、处理层b2、处理层c1的顺序进行处理。
[0274]
根据本实施例，第1处理区块3(处理层a2)及第2处理区块5(处理层b2、处理层c2)均连结在id区块2，因此能够抑制产能降低。另外，衬底缓冲区bf配置在例如处理层a2与处理层b2的中间。因此，能够经由衬底缓冲区bf将衬底w从处理层a2搬送到处理层b2。该搬送不使用id区块2进行衬底搬送，所以能够减轻利用id区块2进行衬底搬送的负担。因此，实现产能提升。
[0275]
本发明并不限定于所述实施方式，能够以如下方式变化实施。
[0276]
(1)所述各实施例中，各处理区块3、5具备配置在上下方向的3个处理层(例如符号a1～a3)。关于该方面，各处理区块3、5也可以具有单一的处理层。另外，各处理区块3、5也可以具有配置在上下方向的2个处理层。另外，各处理区块3、5也可以具有配置在上下方向的4个以上处理层。
[0277]
(2)所述实施例4、5中，如图19、图21所示的2个处理层c1、c2配置在第3层。关于该方面，2个处理层c1、c2也可以配置在第1层或第2层。另外，所述实施例6、7中，如图23、图25所示的2个处理层c1、c2配置在第1层。关于该方面，2个处理层c1、c2也可以配置在第2层或第3层。
[0278]
(3)所述各实施例及各变化例中，如图3所示，在2个处理区块3、5的中间配置1个衬底缓冲区bf。也就是说，衬底缓冲区bf配置在2个处理区块3、5的中间的1个部位。关于该方面，如图27所示，也可以在第1处理区块与id区块2之间设置第1衬底缓冲区bf1。另外，也可以在id区块2与第2处理区块5之间设置第2衬底缓冲区bf2。
[0279]
(4)所述各实施例及各变化例中，也可以在id区块2内设置冷却部cp及检查部lscm2(至少检查部lscm)。冷却部cp、检查部lscm2配置在图4的箭头arr1、arr2所示的至少一个位置。另外，冷却部cp、检查部lscm2例如设置在图2的3个处理层a1～a3的层级的每一个。检查部lscm使用ccd相机或影像传感器对涂布膜(例如光阻剂膜)进行检查。例如，第2处理区块5中，也可以将进行过显影处理及显影处理后的烘烤处理的衬底w搬送到id区块2内的冷却部cp、检查部lscm2，在检查后送回载体c。
[0280]
(5)所述各实施例及各变化例中，在id区块2设置了4个开启器11～14，开启器并不限定于4个。例如，也可以id区块2仅设置2个开启器11、13。在该情况下，开启器11用于取出衬底w，开启器13用于收纳衬底w。
[0281]
本发明能够在不脱离其思想或本质的前提下以其它具体形式实施，因此，以上的说明并不表示发明的范围，而应当参照附加的权利要求书。
[0282]
[符号说明]
[0283]
1:衬底处理装置
[0284]
2:移载传送区块(id区块)
[0285]
3:第1处理区块
[0286]
5:第2处理区块
[0287]
8:载体缓冲区装置
[0288]
9:控制部
[0289]
16:载置台
[0290]
c:载体
[0291]
w:衬底
[0292]
21:机器手
[0293]
bf:衬底缓冲区
[0294]
bu1、bu2、bu3:缓冲区部
[0295]
mhu1～mhu4:衬底搬送机构
[0296]
41:机器手
[0297]
61:载体搬送机构
[0298]
63:载体保管架