1.一种半导体器件，包括引线框架(5)、引线框架(5)外侧包裹的塑料壳体(1)、引线框架(5)外壁连接的引脚；
其特征在于：所述引线框架(5)底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置，所述绝缘密封装置将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量热传递导出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具有导热性的绝缘密封装置为导热绝缘铜基树脂热片(3)；引线框架(5)底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片(3)，导热绝缘铜基树脂热片(3)为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片(3)同时提供密封和导热，从而将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量直接散热出。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述导热绝缘铜基树脂热片(3)包括至少一个导热绝缘层和铜片(33)。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述导热绝缘铜基树脂热片(3)包括从上到下依次层叠未固化的第一高导热绝缘层(31)、完全固化的第二高导热绝缘层(32)和铜片(33)，且铜片(33)贴合引线框架(5)底部连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述引线框架(5)内腔中安装有二者相互电性连接的芯片(6)和二极管frd(7),芯片(6)为igbt或者mosfet。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片(6)和引线框架(5)之间点焊有锡丝，所述二极管frd(7)和引线框架(5)之间点焊有锡丝。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述引线框架(5)上开设有螺钉孔(2)。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述塑料壳体(1)上开设有增加爬电距离的u型槽(4)，且u型槽(4)设置在每两个相邻的引脚之间。
9.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括引线框架(5)内部结构的安装步骤、检查步骤、密封步骤、电镀引脚步骤、切筋印字步骤、电性能测试步骤，
其特征在于：所述密封步骤中的连接方式是采用热压合方式，引线框架(5)底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置，绝缘密封装置将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量热传递导出。
10.根据权利要求9所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述密封步骤包括散热片贴附工步、树脂模封工步、后固化工步；所述密封步骤中的绝缘密封装置为导热绝缘铜基树脂热片(3)；
其中，散热片贴附工步是指将导热绝缘铜基树脂热片(3)与引线框架(5)进行热压合；导热绝缘铜基树脂热片(3)包括第一层为未固化的第一高导热绝缘层(31)作为粘着层，加热后与引线框架(5)进行贴合；第二层为完全固化的第二高导热绝缘层(32)作为高导热绝缘层，第三层的铜片(33)作为载体，多层配合完成密封隔离；
其中，树脂模封工步是指使用环氧树脂采用注塑的方式将产品进行包封；
其中，后固化工步是指对塑封后的产品进行完全固化。
11.根据权利要求9所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述引线框架(5)内部结构的安装步骤包括塑料壳体(1)、芯片(6)和二极管frd(7)的安装，其中，将igbt芯片通过点焊锡丝的方式固定在引线框架上、将frd芯片通过点焊锡丝的方式固定在引线框架上；且芯片(6)和二极管frd(7)二者之间通过导线电性连接。
12.根据权利要求9所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述检查步骤包括内观检查和外观检查；
其中，内观检查是通过显微镜检查方式对产品半成品内部结构进行缺陷检查；
其中，外观检查对电性能测试后的良品进行外观检查。
13.根据权利要求9所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述电镀步骤是指将焊锡用电镀工艺附着在产品引脚上；
所述切筋印字步骤是指将产品引脚进行分离，并对产品型号及批次号等信息进行标识。