1.一种基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，通过设计石墨烯/锗复合结构、利用石墨烯/锗复合结构能高效分离光生激子和锗对石墨烯的掺杂效应，并控制器件预处理和退火温度与时间以进行界面和材料优化，包括以下步骤：
1）将采用化学气相沉积法所制备的石墨烯薄膜转移到锗薄膜和锗晶圆上，得石墨烯/锗样品；
2）将石墨烯/锗样品放在加热板上，在30～80℃加热5～20min进行预处理；
3）将石墨烯/锗样品放入真空烘箱中，在50～120℃退火15～30min后取出样品；
4）在步骤3)中处理好的样品上制作电极，即可获得基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，步骤1）中，所用的石墨烯为用化学气相沉积法所得的单层或少层石墨烯转移到锗薄膜和锗晶圆上。
3.根据权利要求1或2所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，所述的锗薄膜和锗晶圆采用原子沉积、磁控溅射或湿法制备所得的。
4.根据权利要求1所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，步骤2）中，所述的石墨烯/锗样品的预处理加热温度为50℃，加热时间为10min。
5.根据权利要求1所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于步骤3）中，所述的石墨烯/锗样品的退火温度为70℃，退火时间为30min。
6.根据权利要求1所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于步骤4）中，将金属铟压在石墨烯/锗样品表面作为点电极、沉积au/ti电极或蒸镀银电极。
7.根据权利要求1或6所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于步骤4）中，电极位置选取石墨烯表面或、石墨烯/锗界面之间和锗薄膜背面。
8.根据权利要求7所述的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于步骤4）中，电极位置在石墨烯表面。
9.一种基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器，根据权利要求1至8任一项所述的构筑方法得到的。