芯片移转系统、芯片移转方法以及芯片移转模块与流程

1.本发明涉及一种移转系统、移转方法以及移转装置，特别是涉及一种芯片移转系统、芯片移转方法以及芯片移转模块。


背景技术：

2.现有技术中，芯片可以通过吸嘴的取放动作或是顶针的顶抵动作，以从一承载体移转到另一承载体上。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种芯片移转系统、芯片移转方法以及芯片移转模块。
4.为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一芯片承载装置以及一超音波产生装置。所述芯片承载装置包括一芯片承载结构以及设置在所述芯片承载结构的一第一表面上的一芯片黏附层。所述超音波产生装置包括可移动地接触所述芯片承载结构的一第二表面的一超音波接触头。其中，多个芯片黏附在所述芯片黏附层上，且每一所述芯片通过所述超音波接触头所产生的超音波震动，以脱离所述芯片黏附层的黏附且移转到一电路基板或者一非电路基板上。
5.为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转方法，其包括：通过一芯片承载装置以承载多个芯片，其中所述芯片承载装置包括一芯片承载结构以及设置在所述芯片承载结构的一第一表面上的一芯片黏附层，多个所述芯片黏附在所述芯片黏附层上；通过一超音波产生装置以接触所述芯片承载结构的一第二表面，其中所述超音波产生装置包括可移动地接触所述芯片承载结构的所述第二表面的一超音波接触头；以及，通过所述超音波接触头所产生的超音波震动，以使得所述芯片脱离所述芯片黏附层的黏附，而移转到一电路基板或者一非电路基板上。
6.为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种芯片移转模块，其包括：一吸嘴装置以及一超音波产生装置。所述吸嘴装置包括一吸嘴结构，且所述吸嘴结构包括一第一吸气开口以及围绕所述第一吸气开口的多个第二吸气开口。所述超音波产生装置包括可移动地设置在所述吸嘴结构内部的一超音波接触头。其中，所述超音波接触头的一接触部可移动地设置在所述第一吸气开口内，且一芯片通过所述超音波接触头所产生的超音波震动，以脱离一芯片黏附层的黏附且移转到一电路基板或者一非电路基板上。
7.本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转系统以及芯片移转模块，其能通过“所述芯片承载装置包括一芯片承载结构以及设置在所述芯片承载结构的一第一表面上的一芯片黏附层”以及“所述超音波产生装置包括可移动地接触所述芯片承载结构的一第二表面的一超音波接触头”的技术方案，以使得当多个芯片黏附在所述芯片黏附层上时，每一所述芯片能通过所述超音波接触头所产生的超音波震动，以脱离所述芯片
黏附层的黏附且移转到一电路基板或者一非电路基板上。
8.本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转方法，其能通过“通过一芯片承载装置以承载多个芯片，其中所述芯片承载装置包括一芯片承载结构以及设置在所述芯片承载结构的一第一表面上的一芯片黏附层，多个所述芯片黏附在所述芯片黏附层上”以及“通过一超音波产生装置以接触所述芯片承载结构的一第二表面，其中所述超音波产生装置包括可移动地接触所述芯片承载结构的所述第二表面的一超音波接触头”的技术方案，以使得所述芯片能通过所述超音波接触头所产生的超音波震动，以脱离所述芯片黏附层的黏附且移转到一电路基板或者一非电路基板上。
9.本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转模块，其能通过“所述吸嘴装置包括一吸嘴结构，且所述吸嘴结构包括一第一吸气开口以及围绕所述第一吸气开口的多个第二吸气开口”以及“所述超音波产生装置包括可移动地设置在所述吸嘴结构内部的一超音波接触头”的技术方案，以使得当所述超音波接触头的一接触部可移动地设置在所述第一吸气开口内时，一芯片能通过所述超音波接触头所产生的超音波震动，以脱离一芯片黏附层的黏附且移转到一电路基板或者一非电路基板上。
10.为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
11.图1为本发明所提供的芯片移转方法的流程图。
12.图2为本发明第一实施例所提供的芯片移转系统的第一种示意图。
13.图3为本发明第一实施例所提供的芯片移转系统的第二种示意图。
14.图4为本发明的芯片被移转到其中两个相邻的导电材料上的第一种俯视示意图。
15.图5为本发明的芯片被移转到其中两个相邻的导电材料上的第二种俯视示意图。
16.图6为本发明第二实施例所提供的芯片移转系统的第一种示意图。
17.图7为本发明第二实施例所提供的芯片移转系统的第二种示意图。
18.图8为本发明所提供的芯片移转模块的仰视剖面示意图。
19.图9为本发明第三实施例所提供的芯片移转系统的第一种示意图。
20.图10为本发明第三实施例所提供的芯片移转系统的第二种示意图。
21.图11为本发明第四实施例所提供的芯片移转系统的第一种示意图。
22.图12为本发明第四实施例所提供的芯片移转系统的第二种示意图。
具体实施方式
23.以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“芯片移转系统、芯片移转方法以及芯片移转模块”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个
或者多个的组合。
24.参阅图1至图12所示，本发明提供一种芯片移转系统s，其包括：一芯片承载装置1以及一超音波产生装置2。芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11。超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的一第二表面1002的一超音波接触头20。其中，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上，且每一芯片c通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附且移转到一电路基板p或者一非电路基板n上。举例来说，芯片c可为发光二极管芯片或者是ic芯片，然而本发明不以此举例为限。
25.参阅图1至图12所示，本发明提供一种芯片移转方法，其包括：通过一芯片承载装置1以承载多个芯片c，其中芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上；通过一超音波产生装置2以接触芯片承载结构10的一第二表面1002，其中超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的第二表面1002的一超音波接触头20；以及，通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以使得芯片c脱离芯片黏附层11的黏附，而移转到一电路基板p或者一非电路基板n上。举例来说，芯片c可为发光二极管芯片或者是ic芯片，然而本发明不以此举例为限。
26.参阅图1至图12所示，本发明提供一种芯片移转模块d，其包括：一吸嘴装置3以及一超音波产生装置2。吸嘴装置3包括一吸嘴结构30，并且吸嘴结构30包括一第一吸气开口301以及围绕第一吸气开口301的多个第二吸气开口302。超音波产生装置2包括可移动地设置在吸嘴结构30内部的一超音波接触头20。其中，超音波接触头20的一接触部200可移动地设置在第一吸气开口301内，且一芯片c通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离一芯片黏附层11的黏附且移转到一电路基板p或者一非电路基板n上。举例来说，芯片c可为发光二极管芯片或者是ic芯片，然而本发明不以此举例为限。
27.[第一实施例]
[0028]
参阅图2与图3所示，本发明第一实施例提供一种芯片移转系统s，其包括：一芯片承载装置1以及一超音波产生装置2。
[0029]
更进一步来说，配合图2或者图3所示，芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，并且多个芯片c会黏附在芯片黏附层11上。举例来说，芯片承载结构10包括一承载基板101以及设置在承载基板101的一第一表面上的一介质层102，并且芯片黏附层11设置在承载基板101的一第二表面上。此外，承载基板101可为软质薄膜、硬质玻璃或者任何绝缘基板，并且介质层102可为润滑材料(例如甘油或者任何的油类品)，或者可为任何种类的软质材料。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0030]
更进一步来说，配合图2或者图3所示，超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的一第二表面1002的一超音波接触头20，并且每一芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附且移转到一电路基板p上。举例来说，超音波接触头20的一接触部200可移动地(或者可振动地)接触芯片承载结构10的介质层102，并且超音波接触头20的接触部200可以刚好接触介质层102的表面或者部分置入介质层102内，但是超音波接触头20的接触部200不会接触到承载基板101，以避免超音波接触头20与
承载基板101相互损伤(磨伤或者刮伤)，并且还能减少超音波能量的损耗。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0031]
举例来说，配合图2与图3所示，由于芯片承载结构10与电路基板p会同时沿着垂直于超音波接触头20的方向(如图2与图3的箭头所示)且相对于超音波接触头20的接触部200移动，使得超音波接触头20的接触部200会沿着芯片承载结构10的介质层102的延伸方向移动(也就是说超音波接触头20的接触部200会沿着相反于芯片承载结构10的移动方向移动)。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0032]
举例来说，配合图2与图3所示，每一芯片c具有黏附在芯片黏附层11上的一第一端c101以及相对于第一端c101的一第二端c102，并且每一芯片c的第二端c102上包括两个芯片焊垫c100。另外，电路基板p包括多个导电焊垫p100以及分别设置在多个导电焊垫p100上的多个导电材料pm。藉此，当超音波接触头20的接触部200对相对应的芯片c施加超音波震动时，相对应的芯片c会脱离芯片黏附层11的黏附，并且移转到电路基板p上。也就是说，每一芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附并移转到电路基板p的其中两个相邻的导电材料pm上。值得注意的是，当每一芯片c被移转到电路基板p的其中两个相邻的导电材料pm上时，每一芯片c的两个芯片焊垫c100会分别接触其中两个相邻的导电材料pm，并且每一芯片c的第一端c101会裸露而出。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0033]
举例来说，配合图4与图5所示，如果芯片c在移转到其中两个相邻的导电材料pm上时产生暂时偏斜的话(如图4所示)，可以先对两个相邻的导电材料pm进行加热(可以利用雷射加热或者过锡炉烘烤)，以使得暂时偏斜的芯片c可以通过熔化的两个导电材料pm所提供的表面张力而被导正回来(如图5所示)。也就是说，芯片c的两个芯片焊垫c100可以通过熔化的两个导电材料pm所提供的表面张力而被导正回来(芯片焊垫c100与导电材料pm两者都是金属而具有相互吸引的用作)，以使得两个芯片焊垫c100能够完全分别被两个导电材料pm所覆盖。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0034]
更进一步来说，配合图1至图3所示，本发明第一实施例提供一种芯片移转方法，其包括：首先，通过一芯片承载装置1以承载多个芯片c，其中芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上(步骤s100(a))；然后，通过一超音波产生装置2以接触芯片承载结构10的一第二表面1002，其中超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的第二表面1002的一超音波接触头20(步骤s102)；接着，通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以使得芯片c脱离芯片黏附层11的黏附，而移转到一电路基板p上(步骤s104(a))。
[0035]
[第二实施例]
[0036]
参阅图6至图8所示，本发明第二实施例提供一种芯片移转系统s以及一种芯片移转模块d。芯片移转系统s包括一芯片承载装置1、一超音波产生装置2以及一吸嘴装置3，并且芯片移转模块d包括一超音波产生装置2以及一吸嘴装置3。由图6与图2的比较，以及图7与图3的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的不同在于：在第二实施例中，芯片承载结构10包括一软质基板100，并且吸嘴装置3包括接触(或者吸住)芯片承载结构10的第二表面1002的一吸嘴结构30。
[0037]
举例来说，配合图6至图8所示，吸嘴结构30包括一第一吸气开口301以及围绕第一吸气开口301的多个第二吸气开口302，并且第一吸气开口301可以大于或者小于、小于或者等于第二吸气开口302。另外，第一吸气开口301的尺寸(例如孔径)大于或者小于超音波接触头20的一接触部200的尺寸(例如直径)，以使得超音波接触头20的接触部200可移动地(或者可震动地)设置在第一吸气开口301内且可移动地(或者可震动地)接触芯片承载结构10的软质基板100。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0038]
举例来说，配合图6与图7所示，由于芯片承载结构10与电路基板p会同时沿着垂直于超音波接触头20的方向(如图6与图7的箭头所示)且相对于超音波接触头20的接触部200移动，使得超音波接触头20的接触部200会沿着芯片承载结构10的软质基板100的一表面移动(也就是说超音波接触头20的接触部200会沿着相反于芯片承载结构10的移动方向移动)。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0039]
更进一步来说，配合图1、图6与图7所示，本发明第二实施例提供一种芯片移转方法，其包括：首先，通过一吸嘴装置3接触(吸住)一芯片承载装置1，且通过芯片承载装置1以承载多个芯片c，其中芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上(步骤s100(b))；然后，通过一超音波产生装置2以接触芯片承载结构10的一第二表面1002，其中超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的第二表面1002的一超音波接触头20(步骤s102)；接着，通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以使得芯片c脱离芯片黏附层11的黏附，而移转到一电路基板p上(步骤s104(a))。
[0040]
[第三实施例]
[0041]
参阅图9与图10所示，本发明第三实施例提供一种芯片移转系统s，其包括一芯片承载装置1以及一超音波产生装置2。由图9与图2的比较，以及图10与图3的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的不同在于：在第三实施例中，每一芯片c具有黏附在芯片黏附层11上的一第一端c101以及相对于第一端c101的一第二端c102，并且每一芯片c的第一端c101上包括两个芯片焊垫c100。另外，非电路基板n包括一绝缘基板n11以及设置在绝缘基板n11上的一黏着材料层n12。藉此，当超音波接触头20的接触部200对相对应的芯片c施加超音波震动时，相对应的芯片c会脱离芯片黏附层11的黏附，并且移转到非电路基板n上。也就是说，每一芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附并移转到非电路基板n的黏着材料层n12上。值得注意的是，当每一芯片c被移转到非电路基板n的黏着材料层n12上时，每一芯片c的第二端c102会被黏着材料层n12所覆盖，并且每一芯片c的两个芯片焊垫c100会裸露而出。另外一可行实施例中，每一芯片c的两个芯片焊垫c100也可以设置在第二端c102上，所以当每一芯片c被移转到非电路基板n的黏着材料层n12上时，每一芯片c的两个芯片焊垫c100会被黏着材料层n12所覆盖。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0042]
更进一步来说，配合图1、图9与图10所示，本发明第三实施例提供一种芯片移转方法，其包括：首先，通过一芯片承载装置1以承载多个芯片c，其中芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上(步骤s100(a))；然后，通过一超音波产生装置2以接触芯片承载结
构10的一第二表面1002，其中超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的第二表面1002的一超音波接触头20(步骤s102)；接着，通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以使得芯片c脱离芯片黏附层11的黏附，而移转到一非电路基板n上(步骤s104(b))。
[0043]
[第四实施例]
[0044]
参阅图11与图12所示，本发明第四实施例提供一种芯片移转系统s以及一种芯片移转模块d。芯片移转系统s包括一芯片承载装置1、一超音波产生装置2以及一吸嘴装置3，并且芯片移转模块d包括一超音波产生装置2以及一吸嘴装置3。由图11与图6的比较，以及图12与图7的比较可知，本发明第四实施例与第二实施例最大的不同在于：在第四实施例中，每一芯片c具有黏附在芯片黏附层11上的一第一端c101以及相对于第一端c101的一第二端c102，并且每一芯片c的第一端c101上包括两个芯片焊垫c100。另外，非电路基板n包括一绝缘基板n11以及设置在绝缘基板n11上的一黏着材料层n12。藉此，当超音波接触头20的接触部200对相对应的芯片c施加超音波震动时，相对应的芯片c会脱离芯片黏附层11的黏附，并且移转到非电路基板n上。也就是说，每一芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附并移转到非电路基板n的黏着材料层n12上。值得注意的是，当每一芯片c被移转到非电路基板n的黏着材料层n12上时，每一芯片c的第二端c102会被黏着材料层n12所覆盖，并且每一芯片c的两个芯片焊垫c100会裸露而出。另外一可行实施例中，每一芯片c的两个芯片焊垫c100也可以设置在第二端c102上，所以当每一芯片c被移转到非电路基板n的黏着材料层n12上时，每一芯片c的两个芯片焊垫c100会被黏着材料层n12所覆盖。然而，上述的说明只是本发明的其中一种实施方式，本发明不以上述所举的例子为限。
[0045]
更进一步来说，配合图1、图11与图12所示，本发明第四实施例提供一种芯片移转方法，其包括：首先，通过一吸嘴装置3接触(吸住)一芯片承载装置1，且通过芯片承载装置1以承载多个芯片c，其中芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上(步骤s100(b))；然后，通过一超音波产生装置2以接触芯片承载结构10的一第二表面1002，其中超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的第二表面1002的一超音波接触头20(步骤s102)；接着，通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以使得芯片c脱离芯片黏附层11的黏附，而移转到一非电路基板n上(步骤s104(b))。
[0046]
[实施例的有益效果]
[0047]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转系统s以及芯片移转模块d，其能通过“芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11”以及“超音波产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的一第二表面1002的一超音波接触头20”的技术方案，以使得当多个芯片c黏附在芯片黏附层11上时，每一芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附且移转到一电路基板p或者一非电路基板n上。
[0048]
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转方法，其能通过“通过一芯片承载装置1以承载多个芯片c，其中芯片承载装置1包括一芯片承载结构10以及设置在芯片承载结构10的一第一表面1001上的一芯片黏附层11，多个芯片c黏附在芯片黏附层11上”以及“通过一超音波产生装置2以接触芯片承载结构10的一第二表面1002，其中超音波
产生装置2包括可移动地接触芯片承载结构10的第二表面1002的一超音波接触头20”的技术方案，以使得芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离芯片黏附层11的黏附且移转到一电路基板p或者一非电路基板n上。
[0049]
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转模块d，其能通过“吸嘴结构30包括一第一吸气开口301以及围绕第一吸气开口301的多个第二吸气开口302”以及“超音波产生装置2包括可移动地设置在吸嘴结构30内部的一超音波接触头20”的技术方案，以使得当超音波接触头20的一接触部200可移动地设置在第一吸气开口301内时，一芯片c能通过超音波接触头20所产生的超音波震动，以脱离一芯片黏附层11的黏附且移转到一电路基板p或者一非电路基板n上。
[0050]
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的申请专利范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的申请专利范围内。
[0051]
【符号说明】
[0052]
s:芯片移转系统
[0053]
d:芯片移转模块
[0054]
1:芯片承载装置
[0055]
10:芯片承载结构
[0056]
1001:第一表面
[0057]
1002:第二表面
[0058]
100:软质基板
[0059]
101:承载基板
[0060]
102:介质层
[0061]
11:芯片黏附层
[0062]
2:超音波产生装置
[0063]
20:超音波接触头
[0064]
200:接触部
[0065]
3:吸嘴装置
[0066]
30:吸嘴结构
[0067]
301:第一吸气开口
[0068]
302:第二吸气开口
[0069]
c:芯片
[0070]
c100:芯片焊垫
[0071]
c101:第一端
[0072]
c102:第二端
[0073]
p:电路基板
[0074]
p100:导电焊垫
[0075]
pm:导电材料
[0076]
n:非电路基板
[0077]
n11:绝缘基板
[0078]
n12:黏着材料层。