显示设备、用于制造其的设备及制造其的方法与流程

显示设备、用于制造其的设备及制造其的方法
[0001]
本申请要求于2019年7月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0085820号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002]
本公开的一些示例实施例的方面涉及一种显示设备及一种制造该显示设备的方法。


背景技术：

[0003]
显示设备可以用于各种目的。另外，因为显示设备的厚度和重量已经随着技术已进步而减小，所以显示设备的使用范围已经增大。
[0004]
根据显示设备的用途，可以使用不同的方法来设计显示设备的形状，并且不同的功能可以被嵌入显示设备中或链接到显示设备。
[0005]
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，因此本背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。


技术实现要素：

[0006]
一个或更多个示例实施例包括一种显示设备，该显示设备包括其中传感器或其它合适的组件可以布置在显示区域中的传感器区域。一些示例实施例还可以包括一种用于制造显示设备的设备以及一种制造显示设备的方法。然而，上面的技术特征仅是示例，并且公开的范围不限于此。
[0007]
附加的方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将更明显，或者可以通过公开的所呈现的示例实施例的实践而获知。
[0008]
根据一些示例实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域，第一显示区域包括第一像素区域、第二像素区域和第一透射区域，第二显示区域布置为与第一显示区域相邻，第二显示区域包括第三像素区域、第四像素区域、第二透射区域和第三透射区域，第三显示区域布置为与第二显示区域相邻；第一像素，布置在第一像素区域中，第一像素中的每个包括第一像素电极、第一对电极以及在第一像素电极与第一对电极之间的第一中间层；第二像素，布置在第二像素区域中，第二像素中的每个包括第二像素电极、第二对电极以及在第二像素电极与第二对电极之间的第二中间层；第三像素，布置在第三像素区域中，第三像素中的每个包括第三像素电极、第三对电极以及在第三像素电极与第三对电极之间的第三中间层；以及第四像素，布置在第四像素区域中，第四像素中的每个包括第四像素电极、第四对电极以及在第四像素电极与第四对电极之间的第四中间层，其中，第三对电极连接到第一对电极或第二对电极，第三对电极和第四对电极彼此连接，并且第三对电极和第四对电极具有彼此不同的平面面积。
[0009]
根据一些示例实施例，第一像素区域、第二像素区域和第一透射区域可以交替地布置为格栅。
[0010]
根据一些示例实施例，第一透射区域可以被定义为由彼此连接的第一像素区域和第二像素区域所限定的区域。
[0011]
根据一些示例实施例，第一对电极和第二对电极可以彼此部分地表面接触。
[0012]
根据一些示例实施例，第二对电极可以在表面接触区域中布置在第一对电极上。
[0013]
根据一些示例实施例，第一透射区域和第三透射区域可以具有彼此不同的形状。
[0014]
根据一些示例实施例，第一显示区域的透光率可以与第二显示区域和第三显示区域中的至少一者的透光率不同。
[0015]
根据一些示例实施例，第一显示区域可以提供具有比由第二显示区域和第三显示区域中的至少一者提供的图像的分辨率低的分辨率的图像。
[0016]
根据一些示例实施例，主像素可以布置在第三显示区域中，主像素中的每个可以包括主像素电极、主对电极以及在主像素电极与主对电极之间的主中间层，并且主对电极可以布置在第三显示区域的整个表面上。
[0017]
根据一些示例实施例，主对电极可以连接到第二显示区域中的第四对电极。
[0018]
根据一些示例实施例，可以设置具有条带(stripe，也被称为条形)形状的多个主对电极，并且多个主对电极可以彼此间隔开。
[0019]
根据一些示例实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一显示区域、第二显示区域和第三显示区域，第一显示区域包括第一像素区域、第二像素区域和第一透射区域，第二显示区域布置为与第一显示区域相邻，第二显示区域包括第三像素区域、第四像素区域、第二透射区域和第三透射区域，第三显示区域布置为与第二显示区域相邻；第一像素，布置在第一像素区域中，第一像素中的每个包括第一像素电极、第一对电极以及在第一像素电极与第一对电极之间的第一中间层；第二像素，布置在第二像素区域中，第二像素中的每个包括第二像素电极、第二对电极以及在第二像素电极与第二对电极之间的第二中间层；第三像素，布置在第三像素区域中，第三像素中的每个包括第三像素电极、第三对电极以及在第三像素电极与第三对电极之间的第三中间层；第四像素，布置在第四像素区域中，第四像素中的每个包括第四像素电极、第四对电极以及在第四像素电极与第四对电极之间的第四中间层；以及组件，布置在基底的表面上以便与第一显示区域对应，组件包括发射或接收光的电子元件，其中，第三对电极连接到第一对电极或第二对电极，第三对电极和第四对电极彼此连接，并且第三对电极和第四对电极具有彼此不同的平面面积。
[0020]
根据一些示例实施例，组件可以发射或接收穿过第一透射区域的光，并且第二显示区域的透光率和第三显示区域的透光率可以小于第一显示区域的透光率。
[0021]
根据一些示例实施例，一种用于制造显示设备的设备，该设备包括：腔室，所述腔室的一部分被选择性地打开/关闭；第一支撑件，布置在腔室中，第一支撑件支撑基底；掩模组件，布置在腔室中，掩模组件面向基底；第二支撑件，布置在腔室中，第二支撑件支撑掩模组件；以及沉积源，布置在腔室中，沉积源将沉积材料供应到基底上，其中，掩模组件包括彼此可替换的第一掩模组件和第二掩模组件，第二掩模组件包括：掩模框架；以及掩模片，安装在掩模框架上，并且掩模片包括第一开口、布置在与掩模片中的第一开口不同的部分中的第二开口以及布置在与掩模片中的第一开口和第二开口不同的部分中的第三开口，其中，第二开口连接到第三开口，第一开口与第二开口和第三开口分开，第一开口和第二开口具有彼此不同的形状，并且第一开口的面积小于第二开口的面积。
[0022]
根据一些示例实施例，沉积源可以在腔室的角部中。
[0023]
根据一些示例实施例，第一开口可以具有正方形形状，第二开口可以具有矩形形状。
[0024]
根据一些示例实施例，第一支撑件和第二支撑件中的至少一者可以调节基底相对于第一掩模组件的位置。
[0025]
根据一些示例实施例，多个第三开口可以被设置为彼此间隔开，并且多个第三开口中的每个可以被设置为线形状。
[0026]
根据一些示例实施例，一种制造显示设备的方法，该方法包括：将基底和第一掩模组件布置在腔室中；通过使用已经从沉积源供应并且已经穿过第一掩模组件的沉积材料，在基底的第一显示区域中形成第一对电极；改变基底和第一掩模组件中的至少一者的位置；通过使用已经从沉积源供应并且已经穿过第一掩模组件的沉积材料，在第一显示区域中形成第二对电极，第一对电极和第二对电极彼此至少部分地叠置，以及在用第二掩模组件替换第一掩模组件并且将沉积材料从沉积源供应到基底上之后，在第二显示区域中形成第三对电极和第四对电极，在基底的第三显示区域中形成主对电极，其中，第三对电极将第一对电极和第二对电极中的一者连接到第四对电极，并且第三对电极和第四对电极具有彼此不同的平面面积。
[0027]
根据一些示例实施例，可以在第一对电极与第二对电极之间设置第一透射区域。
[0028]
根据一些示例实施例，第一对电极和第二对电极可以彼此部分地表面接触。
[0029]
根据一些示例实施例，可以在第一对电极和第二对电极中的一者、第三对电极以及第四对电极之间设置第二透射区域，并且可以在第一对电极和第二对电极中的一者、第三对电极、第四对电极以及主对电极之间设置第三透射区域。
[0030]
根据一些示例实施例，第二透射区域和第三透射区域可以具有彼此不同的形状。
[0031]
根据一些示例实施例，第一显示区域可以提供具有比由第二显示区域和第三显示区域中的至少一者提供的图像的分辨率低的分辨率的图像。
[0032]
根据一些示例实施例，第一显示区域的透光率可以与第二显示区域和第三显示区域中的至少一者的透光率不同。
[0033]
根据一些示例实施例，第二显示区域的透光率可以小于第一显示区域的透光率且大于第三显示区域的透光率。
[0034]
通过附图、权利要求和详细描述，公开的其它方面、特征和特性将变得更好理解。
[0035]
可以使用系统、方法、计算机可读存储介质和/或它们的组合来执行本公开的一些示例实施例的这样的一般方面和具体方面。
附图说明
[0036]
通过结合附图的以下描述，公开的某些示例实施例的上面和其它方面、特征及特性将更加明显，在附图中：
[0037]
图1是根据一些示例实施例的显示设备的透视图；
[0038]
图2是根据一些示例实施例的显示设备的剖视图；
[0039]
图3是根据一些示例实施例的显示面板的平面图；
[0040]
图4是示出图3的第一显示区域的放大图的平面图；
[0041]
图5和图6是根据一些示例实施例的显示面板中的像素的等效电路图；
[0042]
图7是根据一些示例实施例的像素中的像素电路的图；
[0043]
图8是沿着图7的线i-i'和线ii-ii'截取的剖视图；
[0044]
图9和图10是示出根据一些示例实施例的第一显示区域的一部分的平面图；
[0045]
图11和图12是沿着图9的线b-b'截取的用于示出根据一些示例实施例的显示面板的一些制造工艺的剖视图；
[0046]
图13是沿着图9的线b-b'截取的剖视图；
[0047]
图14是根据一些示例实施例的显示面板中的对电极的布置的平面图；
[0048]
图15是沿着图14的线c-c'截取的剖视图；
[0049]
图16是沿着图14的线d-d'截取的剖视图；
[0050]
图17是根据一些示例实施例的用于制造显示设备的设备的剖视图；
[0051]
图18是根据一些示例实施例的图17的第一掩模组件的透视图；
[0052]
图19是示出根据一些示例实施例的图17的第一掩模片的一部分的平面图；
[0053]
图20是示出根据一些示例实施例的图17的第二掩模片的一部分的平面图；
[0054]
图21是根据一些示例实施例的显示面板中的对电极的布置的平面图；
[0055]
图22是示出根据一些示例实施例的图17的第二掩模片的一部分的平面图；
[0056]
图23是根据一些示例实施例的显示面板中的对电极的布置的平面图；以及
[0057]
图24是示出根据一些示例实施例的图17的第二掩模片的一部分的平面图。
具体实施方式
[0058]
由于本公开允许各种改变和许多实施例，一些示例实施例的方面将在附图中示出并且在书面描述中更详细地描述。参照用于示出一个或更多个示例实施例的附图以便获得足够的理解、其优点和一些示例实施例的一些特性。然而，示例实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在此阐述的描述。
[0059]
下面将参照附图更详细地描述示例实施例。不管图号是多少，相同或对应的那些组件被赋予相同的附图标记，并且省略多余的说明。
[0060]
尽管诸如“第一”、“第二”等的术语可以用于描述各种组件，但是这样的组件不限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
[0061]
以单数使用的表达包括复数的表达，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
[0062]
在本说明书中，将理解的是，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在指示在说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部分或它们的组合的存在，而不旨在排除可以存在或可以添加一个或更多个其它特征、数量、步骤、动作、组件、部分或它们的组合的可能性。
[0063]
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
[0064]
为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，因为附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于说明而被任意示出，所以以下实施例不限于此。
[0065]
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
[0066]
当可以不同地实现某一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
[0067]
图1是根据一些示例实施例的显示设备1的透视图。
[0068]
参照图1，显示设备1包括实现(或显示)图像的显示区域da和不实现(或不显示)图像的非显示区域nda。显示区域da包括第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3。显示设备1可以基于从布置在第三显示区域da3中的多个主像素pxm发射的光来提供主图像。
[0069]
如下面将参照图2更详细地描述的，第一显示区域da1和第二显示区域da2中的至少一者可以是诸如使用红外线、可见光线或声音的传感器的组件布置在其中的区域。在下文中，为了便于描述，将描述其中组件布置在第一显示区域da1中的情况，但是实施例不限于此。
[0070]
因此，根据一些示例实施例，显示设备1可以包括具有多个子显示区域(例如，da1、da2和da3，尽管实施例不限于三个子显示区域，并且根据显示设备1的设计，各种实施例可以包括任何合适数量的子显示区域)的显示区域da。子显示区域中的一个或更多个可以是在其处布置有用于显示图像的多个主像素pxm的区域。此外，子显示区域中的一个或更多个可以是可以通过像素在其处显示图像的区域，但是也可以是一个或更多个组件(诸如传感器或发射器)可以位于其处以便接收或感测输入信号(例如，光、声音等)和/或以发射或传输输出信号(例如，光、声音等)的区域。
[0071]
第一显示区域da1可以包括第一透射区域ta1，光和/或声音可以穿过第一透射区域ta1从组件输出或发射到外部，或者从外部源行进的光和/或声音可以穿过第一透射区域ta1透射到组件。根据一些示例实施例，当光透射穿过第一显示区域da1时，透光率可以是大约10％或更大，例如，20％或更大、25％或更大、50％或更大、85％或更大或者90％或更大。
[0072]
第一显示区域da1的透光率可以与第二显示区域da2的透光率和第三显示区域da3的透光率中的至少一者不同。例如，第一显示区域da1的透光率可以大于第二显示区域da2的透光率或第三显示区域da3的透光率。根据一些示例实施例，第一显示区域da1的透光率可以大于第二显示区域da2的透光率和第三显示区域da3的透光率。在这种情况下，第二显示区域da2的透光率可以大于第三显示区域da3的透光率。例如，第二显示区域da2的透光率可以等于第一显示区域da1的透光率与第三显示区域da3的透光率之和的算术平均值。
[0073]
根据一些示例实施例，多个辅助像素pxa可以布置在第一显示区域da1中，并且图像(例如，设定的或预定的图像)可以通过使用从多个辅助像素pxa发射的光来提供。从第一显示区域da1提供的图像是具有比从第二显示区域da2和第三显示区域da3中的至少一者提供的图像的分辨率低的分辨率的辅助图像。也就是说，因为第一显示区域da1包括光和/或声音可以透射穿过其的第一透射区域ta1，所以每单位面积布置的辅助像素pxa的数量可以小于在第二显示区域da2中每单位面积布置的连接像素pxc的数量或在第三显示区域da3中每单位面积布置的主像素pxm的数量。根据一些示例实施例，在第一显示区域da1中每单位面积布置的辅助像素pxa的数量可以小于在第二显示区域da2中每单位面积布置的连接像素pxc的数量和在第三显示区域da3中每单位面积布置的主像素pxm的数量。在这种情况下，在第二显示区域da2中每单位面积布置的连接像素pxc的数量可以小于在第三显示区域da3
中每单位面积布置的主像素pxm的数量。
[0074]
在下文中，根据一些示例实施例，尽管显示设备1被描述为有机发光显示设备，但是公开不限于此。根据一些示例实施例，显示设备1可以是无机发光显示器、量子点发光显示器等。
[0075]
参照图1，第一显示区域da1在矩形形状的第二显示区域da2的一侧处，但不限于此。第一显示区域da1可以具有圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形、五边形等的多边形形状，并且第一显示区域da1的位置和数量可以进行各种修改。
[0076]
图2是根据一些示例实施例的显示设备1的剖视图。图2可以对应于沿着图1的线a-a'截取的剖面。
[0077]
参照图2，显示设备1可以包括显示面板10和组件20，其中，显示面板10包括显示元件，并且组件20在显示面板10下面以与第一显示区域da1对应。
[0078]
显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示元件层200以及作为用于密封显示元件层200的封装构件的薄膜封装层300。此外，显示面板10还可以包括布置在基底100下面的下保护膜175。
[0079]
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
[0080]
显示元件层200可以包括电路层，该电路层包括薄膜晶体管tft、作为显示元件的有机发光二极管oled以及在薄膜晶体管tft与有机发光二极管oled之间的绝缘层il。
[0081]
在第三显示区域da3中，布置均包括薄膜晶体管tft和连接到薄膜晶体管tft的有机发光二极管oled的主像素pxm。在第二显示区域da2中，布置均包括薄膜晶体管tft和连接到薄膜晶体管tft的有机发光二极管oled的连接像素pxc。在第一显示区域da1中，布置均包括薄膜晶体管tft和连接到薄膜晶体管tft的有机发光二极管oled的辅助像素pxa，并且可以布置电连接到主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa的线。
[0082]
此外，其中未布置像素的第一透射区域ta1可以在第一显示区域da1中。第一透射区域ta1可以被理解为从组件20发射的光/信号或入射到组件20的光/信号透射穿过其的区域。类似于第一显示区域da1，第二透射区域ta2和第三透射区域ta3可以在第二显示区域da2中。
[0083]
组件20可以在第一显示区域da1和第二显示区域da2中。例如，组件20可以在第一显示区域da1中。组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以包括接收光的传感器(例如，红外线传感器)、输出并感测光或声音以测量距离或者以感测指纹等的传感器、发射光的小尺寸灯或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、ir、紫外(uv)线等的各种波段的光。多个组件20可以在第一显示区域da1中。例如，可以在一个第一显示区域da1中设置发光器件和光接收器件作为组件20。可选择地，一个组件20可以包括发光部和光接收部。
[0084]
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这点上，参照图2，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
[0085]
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或更多种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅醚、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的组合。
[0086]
下保护膜175附接到基底100的下部以保护并支撑基底100。下保护膜175可以包括与第一显示区域da1对应的开口175op。因为下保护膜175包括开口175op，所以可以提高第一显示区域da1的透光率。下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚酰亚胺(pi)。
[0087]
第一显示区域da1的面积可以大于其处布置有组件20的区域的面积。在图2中，示出了第一显示区域da1具有与开口175op的面积相等的面积，但是下保护膜175中的开口175op的面积可以不等于第一显示区域da1的面积。例如，开口175op的面积可以小于第一显示区域da1的面积。
[0088]
根据一些示例实施例，诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件、透明窗等的组件可以进一步布置在显示面板10上。
[0089]
此外，根据一些示例实施例，薄膜封装层300被用作用于密封显示元件层200的封装构件，但是一个或更多个实施例不限于此。例如，经由密封剂或玻璃料结合到基底100的封装基底可以被用作用于封装显示元件层200的构件。
[0090]
图3是根据一些示例实施例的显示面板10的平面图。图4是示出图3的第一显示区域da1的放大图的平面图。
[0091]
参照图3和图4，显示面板10的各种元件在基底100上。基底100包括显示区域da以及围绕显示区域da的非显示区域nda。显示区域da包括第二显示区域da2、其中显示主图像的第三显示区域da3以及包括第一透射区域ta1并显示辅助图像的第一显示区域da1。
[0092]
多个主像素pxm在第三显示区域da3中。多个连接像素pxc在第二显示区域da2中。主像素pxm中的每个和连接像素pxc中的每个可以包括诸如有机发光二极管oled的显示元件。主像素pxm中的每个和连接像素pxc中的每个可以经由有机发光二极管oled发射光(例如，红光、绿光、蓝光或白光)。在说明书中，如上面描述的，主像素pxm中的每个和连接像素pxc中的每个可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。第二显示区域da2和第三显示区域da3被上面参照图2描述的封装构件覆盖，以便被保护免受外部空气或湿气的影响。
[0093]
第一显示区域da1可以在第二显示区域da2的一侧处，多个辅助像素pxa在第一显示区域da1中。辅助像素pxa中的每个可以包括诸如有机发光二极管oled的显示元件。辅助像素pxa中的每个可以经由有机发光二极管oled发射光(例如，红光、绿光、蓝光或白光)。在说明书中，如上面描述的，辅助像素pxa可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。此外，第一显示区域da1可以包括第一透射区域ta1。
[0094]
因为第一显示区域da1包括第一透射区域ta1，所以第一显示区域da1的分辨率可以小于第二显示区域da2和第三显示区域da3中的至少一者的分辨率。例如，第一显示区域da1的分辨率可以是第二显示区域da2和第三显示区域da3中的至少一者的分辨率的一半。在一些实施例中，第二显示区域da2和第三显示区域da3中的至少一者的分辨率可以是
400ppi或更大，第一显示区域da1的分辨率可以是大约200ppi或更大。
[0095]
下面将参照图4更详细地描述第一显示区域da1。
[0096]
第一显示区域da1可以包括辅助像素区域pa1和第一透射区域ta1，辅助像素区域pa1包括至少一个辅助像素pxa。辅助像素区域pa1和第一透射区域ta1在第一方向dr1和第二方向dr2上交替地布置，例如，布置为格栅。在示例性实施例中，当描述为区域包括元件/组件时，指该元件/组件位于该区域中。类似的，当描述为区域不包括元件/组件时，指该元件/组件不布置在该区域中。
[0097]
辅助像素区域pa1可以包括发射红光的辅助像素pr、发射绿光的辅助像素pg和发射蓝光的辅助像素pb。图4示出了pentile型辅助像素pxa，但是辅助像素pxa可以具有各种形状(例如，条带形状等)。另外，在图4中，八个辅助像素pxa在辅助像素区域pa1中，但是辅助像素pxa的数量可以根据第一显示区域da1的分辨率而改变。
[0098]
根据一些示例实施例，一个主像素pxm、一个连接像素pxc和一个辅助像素pxa可以包括彼此相同的像素电路。然而，一个或更多个实施例不限于此。主像素pxm中的像素电路、连接像素pxc中的像素电路和辅助像素pxa中的像素电路可以彼此不同。
[0099]
第一透射区域ta1可以不包括辅助像素pxa。不包括辅助像素pxa可以表示辅助像素pxa不包括诸如有机发光二极管oled的显示元件。也就是说，可以理解的是，第一透射区域ta1不包括有机发光二极管oled的像素电极、中间层和对电极以及电连接到有机发光二极管oled的像素电路。连接以向辅助像素区域pa1中的辅助像素pxa供应信号的信号线pl、dl、sl和el中的一些可以穿过第一透射区域ta1。然而，即使在这种情况下，为了提高第一透射区域ta1的透光率，信号线pl、dl、sl和el也可以围绕第一透射区域ta1的中心成为拱形。
[0100]
根据一些示例实施例，导电层可以与第一显示区域da1的辅助像素区域pa1对应地在基底100上。导电层可以在辅助像素pxa下面，例如，可以在辅助像素pxa的薄膜晶体管与基底100之间。导电层可以防止或减少从组件20发射的外部光入射到辅助像素pxa的像素电路(pc，见例如图5)以及影响辅助像素pxa的情况。将恒定电压或信号施加到导电层以防止由于静电放电而对像素电路pc造成损坏。在第一显示区域da1中可以存在多个导电层，并且如果需要，导电层可以接收彼此不同的电压。
[0101]
第二透射区域ta2和第三透射区域ta3可以类似于第一透射区域ta1。也就是说，第二透射区域ta2和第三透射区域ta3可以不包括连接像素pxc。在此，不包括连接像素pxc的描述类似于上面关于不包括辅助像素pxa的描述，因此，在此省略其详细的描述。
[0102]
返回参照图3，主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个可以电连接到非显示区域nda中的外围电路。在非显示区域nda中，可以布置第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
[0103]
第一扫描驱动电路110可以经由扫描线sl向主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以经由发射控制线el向主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置且在第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间布置有显示区域da。布置在显示区域da中的主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其它像素可以连接到第二扫描驱动电路120。根据一些示例实施例，可以省略第二扫描驱动电路120。
[0104]
端子140可以布置在基底100的一侧处。端子140可以不被绝缘层覆盖而被暴露，并且可以电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端子pcb-p可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板pcb可以将信号或电力从控制器传送到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以经由印刷电路板pcb分别传送到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以经由第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压elvdd和第二电力电压(或共电压)elvss(见图5和图6)。第一电力电压elvdd经由连接到第一电源线160的驱动电压线pl供应到主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个，第二电力电压elvss可以被提供到连接到第二电源线170的每个像素pxm或pxa的对电极。
[0105]
数据驱动电路150电连接到数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线dl提供到主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个。尽管图3示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板pcb上，但是根据一些示例实施例，数据驱动电路150可以布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以在端子140与第一电源线160之间。
[0106]
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163在x方向上彼此平行地延伸，且显示区域da置于第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170具有环形形状，该环形形状具有开口侧以部分地围绕显示区域da。
[0107]
图5和图6是根据一些示例实施例的显示面板10中的像素的等效电路图。
[0108]
参照图5和图6，主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个包括连接到扫描线sl和数据线dl的像素电路pc以及连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。
[0109]
像素电路pc包括驱动薄膜晶体管(tft)t1、开关tft t2和存储电容器cst。开关tft t2连接到扫描线sl和数据线dl并且根据通过扫描线sl输入的扫描信号sn将通过数据线dl输入的数据信号dm传送到驱动tft t1。
[0110]
存储电容器cst连接到开关tft t2和驱动电压线pl，并且存储同从开关tft t2传送的电压与供应到驱动电压线pl的第一电力电压elvdd(或驱动电压)之间的差对应的电压。
[0111]
驱动tft t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压值来控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有亮度(例如，设定的或预定的亮度)的光。
[0112]
图5示出了其中像素电路pc包括两个tft和一个存储电容器的示例，但是一个或更多个实施例不限于此。如图6中所示，像素电路pc可以包括七个tft和一个存储电容器。在图6中，像素电路pc包括一个存储电容器cst，但是像素电路pc可以包括两个或更多个存储电容器。
[0113]
参照图6，主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个包括像素电路pc和连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。像素电路pc可以包括存储电容器cst和多个tft。tft和存储电容器cst可以连接到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl。
[0114]
在图6中，主像素pxm、连接像素pxc和辅助像素pxa中的每个连接到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl，但是一个或更多个实施例不限于此。根据一些
示例实施例，信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl中的至少一者可以由相邻的像素共用。
[0115]
信号线包括传送扫描信号sn的扫描线sl、将前一扫描信号sn-1传送到第一初始化tft t4和第二初始化tft t7的前一扫描线sl-1、将发射控制信号en传送到操作控制tft t5和发射控制tft t6的发射控制线el以及与扫描线sl相交并传送数据信号dm的数据线dl。驱动电压线pl将驱动电压elvdd传送到驱动tft t1，初始化电压线vl传送用于使驱动tft t1和像素电极初始化的初始化电压vint。
[0116]
驱动tft t1的驱动栅电极g1连接到存储电容器cst的下电极ce1，驱动tft t1的驱动源电极s1经由操作控制tft t5连接到驱动电压线pl，驱动tft t1的驱动漏电极d1经由发射控制tft t6电连接到有机发光二极管oled的像素电极。驱动tft t1根据开关tft t2的开关操作接收数据信号dm，以向有机发光二极管oled供应驱动电流i
oled
。
[0117]
开关tft t2的开关栅电极g2连接到扫描线sl，开关tft t2的开关源电极s2连接到数据线dl，开关tft t2的开关漏电极d2连接到驱动tft t1的驱动源电极s1并且同时经由操作控制tft t5连接到驱动电压线pl。开关tft t2根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通并且执行将通过数据线dl传送的数据信号dm传送到驱动tft t1的驱动源电极s1的开关操作。
[0118]
补偿tft t3的补偿栅电极g3连接到扫描线sl，补偿tft t3的补偿源电极s3连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1并且同时经由发射控制tft t6连接到有机发光二极管oled的像素电极，补偿tft t3的补偿漏电极d3连接到存储电容器cst的下电极ce1、第一初始化tft t4的第一初始化漏电极d4以及驱动tft t1的驱动栅电极g1。补偿tft t3根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，以将驱动tft t1的驱动栅电极g1和驱动漏电极d1彼此电连接，并以使驱动tft t1二极管连接。
[0119]
第一初始化tft t4的第一初始化栅电极g4连接到前一扫描线sl-1，第一初始化tft t4的第一初始化源电极s4连接到第二初始化tft t7的第二初始化漏电极d7和初始化电压线vl，并且第一初始化tft t4的第一初始化漏电极d4连接到存储电容器cst的下电极ce1、补偿tft t3的补偿漏电极d3以及驱动tft t1的驱动栅电极g1。第一初始化tft t4根据通过前一扫描线sl-1传送的前一扫描信号sn-1而导通，以将初始化电压vint传送到驱动tft t1的驱动栅电极g1，并执行用于使驱动tft t1的驱动栅电极g1处的电压初始化的初始化操作。
[0120]
操作控制tft t5的操作控制栅电极g5连接到发射控制线el，操作控制tft t5的操作控制源电极s5连接到驱动电压线pl，并且操作控制tft t5的操作控制漏电极d5连接到驱动tft t1的驱动源电极s1和开关tft t2的开关漏电极d2。
[0121]
发射控制tft t6的发射控制栅电极g6连接到发射控制线el，发射控制tft t6的发射控制源电极s6连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1和补偿tft t3的补偿源电极s3，并且发射控制tft t6的发射控制漏电极d6电连接到第二初始化tft t7的第二初始化源电极s7和有机发光二极管oled的像素电极。
[0122]
操作控制tft t5和发射控制tft t6根据通过发射控制线el传送的发射控制信号en而同时导通，以将驱动电压elvdd传送到有机发光二极管oled并允许驱动电流i
oled
在有机发光二极管oled中流动。
[0123]
第二初始化tft t7的第二初始化栅电极g7连接到前一扫描线sl-1，第二初始化tft t7的第二初始化源电极s7连接到发射控制tft t6的发射控制漏电极d6和有机发光二极管oled的像素电极，并且第二初始化tft t7的第二初始化漏电极d7连接到第一初始化tft t4的第一初始化源电极s4和初始化电压线vl。第二初始化tft t7根据通过前一扫描线sl-1传送的前一扫描信号sn-1而导通，以使有机发光二极管oled的像素电极初始化。
[0124]
图6示出了其中第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7连接到前一扫描线sl-1的情况，但是一个或更多个实施例不限于此。根据一些示例实施例，第一初始化tft t4可以连接到前一扫描线sl-1以根据前一扫描信号sn-1操作，第二初始化tft t7可以连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)以根据传送到所述信号线的信号操作。
[0125]
存储电容器cst的上电极ce2连接到驱动电压线pl，并且有机发光二极管oled的对电极连接到共电压elvss。因此，有机发光二极管oled通过从驱动tft t1接收驱动电流i
oled
而发射光以显示图像。
[0126]
在图6中，补偿tft t3和第一初始化tft t4具有双栅电极，但是补偿tft t3和第一初始化tft t4可以各自具有一个栅电极。
[0127]
图7是根据一些示例实施例的像素中的像素电路的图。图8是沿着图7的线i-i'和线ii-ii'截取的剖视图。
[0128]
参照图7和图8，驱动tft t1、开关tft t2、补偿tft t3、第一初始化tft t4、操作控制tft t5、发射控制tft t6和第二初始化tft t7沿着半导体层1130布置。
[0129]
半导体层1130布置在其上布置有包括无机绝缘材料的缓冲层的基底100上。根据一些示例实施例，半导体层1130可以包括低温多晶硅(ltps)。因为多晶硅材料具有高电子迁移率(100cm
2
/vs或更大)，所以多晶硅材料由于其低能量消耗和优异的可靠性而可以被用作显示设备1中的tft的半导体层。然而，一个或更多个实施例不限于此，也就是说，根据一些示例实施例，半导体层1130可以包括非晶硅(a-si)和/或氧化物半导体。可选择地，多个tft中的一些tft中的半导体层可以包括ltps，并且一些其它tft中的半导体层可以包括a-si和/或氧化物半导体。
[0130]
半导体层1130中的一些区域与驱动tft t1、开关tft t2、补偿tft t3、第一初始化tft t4、操作控制tft t5、发射控制tft t6和第二初始化tft t7的半导体层对应。换句话说，驱动tft t1、开关tft t2、补偿tft t3、第一初始化tft t4、操作控制tft t5、发射控制tft t6和第二初始化tft t7的半导体层1130彼此连接并且以各种形状弯曲。
[0131]
半导体层1130包括沟道区以及在沟道区的相对侧处的源区和漏区，源区和漏区可以分别被理解为对应的tft的源电极和漏电极。在下文中，为了便于描述，源区和漏区将被称为源电极和漏电极。
[0132]
驱动tft t1包括与驱动沟道区叠置的驱动栅电极g1以及在驱动沟道区的相对侧处的驱动源电极s1和驱动漏电极d1。与驱动栅电极g1叠置的驱动沟道区具有弯曲形状(例如，ω形状)以在狭窄空间内建立长沟道长度。当驱动沟道区具有长的长度时，栅极电压的驱动范围增加，因此，可以精细地控制从有机发光二极管oled发射的光的灰度级，并且可以提高显示图像的质量。
[0133]
开关tft t2包括与开关沟道区叠置的开关栅电极g2以及在开关沟道区的相对侧处的开关源电极s2和开关漏电极d2。开关漏电极d2可以连接到驱动源电极s1。
[0134]
补偿tft t3是双tft，其包括分别与两个补偿沟道区叠置的补偿栅电极g3以及在两个补偿沟道区的相对侧处的补偿源电极s3和补偿漏电极d3。补偿tft t3可以经由稍后将描述的节点连接线1174连接到驱动tft t1的驱动栅电极g1。
[0135]
第一初始化tft t4是双tft，其包括分别与两个第一初始化沟道区叠置的第一初始化栅电极g4以及在两个第一初始化沟道区的相对侧处的第一初始化源电极s4和第一初始化漏电极d4。
[0136]
操作控制tft t5可以包括与操作控制沟道区叠置的操作控制栅电极g5以及在操作控制栅电极g5的相对侧处的操作控制源电极s5和操作控制漏电极d5。操作控制漏电极d5可以连接到驱动源电极s1。
[0137]
发射控制tft t6可以包括与发射控制沟道区叠置的发射控制栅电极g6以及在发射控制栅电极g6的相对侧处的发射控制源电极s6和发射控制漏电极d6。发射控制源电极s6可以连接到驱动漏电极d1。
[0138]
第二初始化tft t7可以包括与第二初始化沟道区叠置的第二初始化栅电极g7以及在第二初始化栅电极g7的相对侧处的第二初始化源电极s7和第二初始化漏电极d7。
[0139]
上面的tft可以连接到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl。
[0140]
扫描线sl、前一扫描线sl-1、发射控制线el和驱动栅电极g1可以布置在半导体层1130上，且在半导体层1130与扫描线sl、前一扫描线sl-1、发射控制线el和驱动栅电极g1之间设置有(一些)绝缘层。
[0141]
扫描线sl可以在第一方向dr1上延伸。扫描线sl中的一些区域可以与开关栅电极g2和补偿栅电极g3对应。例如，扫描线sl的与开关tft t2和补偿tft t3的沟道区叠置的区域可以分别是开关栅电极g2和补偿栅电极g3。
[0142]
前一扫描线sl-1沿着第一方向dr1延伸，前一扫描线sl-1的一些区域可以与第一初始化栅电极g4和第二初始化栅电极g7对应。例如，前一扫描线sl-1中的与第一初始化tft t4和第二初始化tft t7的沟道区叠置的区域可以分别是第一初始化栅电极g4和第二初始化栅电极g7。
[0143]
发射控制线el沿着第一方向dr1延伸。发射控制线el中的一些区域可以与操作控制栅电极g5和发射控制栅电极g6对应。例如，发射控制线el中的与操作控制tft t5和发射控制tft t6的沟道区叠置的区域可以分别是操作控制栅电极g5和发射控制栅电极g6。
[0144]
驱动栅电极g1是可以经由节点连接线1174连接到补偿tft t3的浮置电极。
[0145]
电极电压线hl可以布置在扫描线sl、前一扫描线sl-1、发射控制线el和驱动栅电极g1上，且在电极电压线hl与扫描线sl、前一扫描线sl-1、发射控制线el和驱动栅电极g1之间设置有(一些)绝缘层。
[0146]
电极电压线hl可以在第一方向dr1上延伸以与数据线dl和驱动电压线pl相交。电极电压线hl的一部分覆盖驱动栅电极g1的至少一部分，并且可以与驱动栅电极g1一起构造存储电容器cst。例如，驱动栅电极g1可以变为存储电容器cst的下电极ce1，电极电压线hl的一部分可以变为存储电容器cst的上电极ce2。
[0147]
存储电容器cst的上电极ce2电连接到驱动电压线pl。关于这点，电极电压线hl可以经由接触孔cnt连接到电极电压线hl上的驱动电压线pl。因此，电极电压线hl可以具有与驱动电压线pl相同的电压电平(恒定电压)。例如，电极电压线hl可以具有+5v的恒定电压。
电极电压线hl可以被理解为在横向方向上的驱动电压线。
[0148]
驱动电压线pl沿着第二方向dr2延伸，并且电连接到驱动电压线pl的电极电压线hl沿着与第二方向dr2相交的第一方向dr1延伸。因此，显示区域da中的多条驱动电压线pl和电极电压线hl可以产生网格结构。
[0149]
数据线dl、驱动电压线pl、初始化连接线1173和节点连接线1174可以布置在电极电压线hl上，且在电极电压线hl与数据线dl、驱动电压线pl、初始化连接线1173和节点连接线1174之间设置有(一些)绝缘层。
[0150]
数据线dl在第二方向dr2上延伸，并且可以经由接触孔1154连接到开关tft t2的开关源电极s2。数据线dl的一部分可以被理解为开关源电极s2。
[0151]
驱动电压线pl在第二方向dr2上延伸，并且如上面描述的，经由接触孔cnt连接到电极电压线hl。另外，驱动电压线pl可以经由接触孔1155连接到操作控制tft t5。驱动电压线pl可以经由接触孔1155连接到操作控制源电极s5。
[0152]
初始化连接线1173的一端经由接触孔1152连接到第一初始化tft t4和第二初始化tft t7，初始化连接线1173的另一端可以经由接触孔1151连接到稍后将描述的初始化电压线vl。
[0153]
节点连接线1174的一端可以经由接触孔1156连接到补偿漏电极d3，节点连接线1174的另一端可以经由接触孔1157连接到驱动栅电极g1。
[0154]
初始化电压线vl可以布置在数据线dl、驱动电压线pl、初始化连接线1173和节点连接线1174上，且在初始化电压线vl与数据线dl、驱动电压线pl、初始化连接线1173和节点连接线1174之间设置有(一些)绝缘层。
[0155]
初始化电压线vl在第一方向dr1上延伸。初始化电压线vl可以经由初始化连接线1173连接到第一初始化tft t4和第二初始化tft t7。初始化电压线vl可以具有恒定电压(例如，-2v等)。
[0156]
初始化电压线vl布置在与有机发光二极管oled的像素电极210(见图8)的层相同的层处，并且可以包括与像素电极210的材料相同的材料。像素电极210可以连接到发射控制tft t6。像素电极210经由接触孔1163连接到连接金属1175，连接金属1175可以经由接触孔1153连接到发射控制漏电极d6。
[0157]
在图7中，初始化电压线vl布置在与像素电极210的层相同的层处，但是根据一些示例实施例，初始化电压线vl可以与电极电压线hl布置在同一层处。
[0158]
在下文中，将参照图8描述包括在根据一些示例实施例的显示面板10中的组件的堆叠结构。
[0159]
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
[0160]
缓冲层111定位在基底100上，以减少或阻挡杂质、湿气或外部空气从基底100的下部的渗入并且以在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料或无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。用于防止或减少外部空气的渗入的情况的阻挡层可以进一步设
置在基底100与缓冲层111之间。
[0161]
栅电极g1和g6分别布置在半导体层a1和a6上，且第一栅极绝缘层112布置在栅电极g1和g6与半导体层a1和a6之间。栅电极g1和g6可以均包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可以具有单层结构或多层结构。作为示例，栅电极g1和g6可以均具有包括mo的单层。扫描线sl(见图7)、前一扫描线sl-1和发射控制线el可以设置在与栅电极g1和g6的层相同的层处。也就是说，栅电极g1和g6、扫描线sl(见图7)、前一扫描线sl-1和发射控制线el可以布置在第一栅极绝缘层112上。
[0162]
第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(sio
2
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al
2
o
3
)、氧化钛(tio
2
)、氧化钽(ta
2
o
5
)、氧化铪(hfo
2
)和过氧化锌(zno
2
)的绝缘材料。
[0163]
第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖栅电极g1和g6。第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(sio
2
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al
2
o
3
)、氧化钛(tio
2
)、氧化钽(ta
2
o
5
)、氧化铪(hfo
2
)和过氧化锌(zno
2
)的绝缘材料。
[0164]
存储电容器cst的下电极ce1可以与驱动tft t1的驱动栅电极g1一体地设置。例如，驱动tft t1的驱动栅电极g1可以用作存储电容器cst的下电极ce1。
[0165]
存储电容器cst的上电极ce2与下电极ce1叠置，且第二栅极绝缘层113在存储电容器cst的上电极ce2与下电极ce1之间。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器cst的介电层。上电极ce2可以包括包含mo、al、cu、ti等的导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构。作为示例，上电极ce2可以具有包括mo的单层或包括mo/al/mo的多层结构。
[0166]
在附图中，存储电容器cst被示出为与驱动tft t1叠置，但是公开的一个或更多个实施例不限于此。可以对存储电容器cst进行各种修改，例如，存储电容器cst可以布置为不与驱动tft t1叠置。
[0167]
上电极ce2可以用作电极电压线hl。例如，电极电压线hl的一部分可以用作存储电容器cst的上电极ce2。
[0168]
层间绝缘层115可以设置为覆盖上电极ce2。层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅(sio
2
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al
2
o
3
)、氧化钛(tio
2
)、氧化钽(ta
2
o
5
)、氧化铪(hfo
2
)和过氧化锌(zno
2
)的绝缘材料。在图8中，层间绝缘层115具有单层结构，但是根据一些示例实施例，层间绝缘层115可以具有多层结构。
[0169]
数据线dl、驱动电压线pl和连接金属1175可以布置在层间绝缘层115上。数据线dl、驱动电压线pl和连接金属1175可以包括包含mo、al、cu、ti等的导电材料，并且可以具有包括上面的材料的单层结构或多层结构。例如，数据线dl、驱动电压线pl和连接金属1175中的每者可以具有包括ti/al/ti的多层结构。
[0170]
存储电容器cst的上电极ce2可以经由限定在层间绝缘层115中的接触孔cnt连接到驱动电压线pl。这表示电极电压线hl经由接触孔cnt连接到驱动电压线pl。因此，电极电压线hl可以具有与驱动电压线pl相同的电压电平(恒定电压)。
[0171]
连接金属1175经由穿透层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔1153连接到发射控制tft t6的半导体层a6。发射控制tft t6可以经由连接金属1175电连接到有机发光二极管oled的像素电极210。
[0172]
平坦化层117定位在数据线dl、驱动电压线pl和连接金属1175上，有机发光二极管oled可以定位在平坦化层117上。
[0173]
平坦化层117可以具有平坦的上表面以使像素电极210平坦。平坦化层117可以包括包含有机材料的单层结构或多层结构。平坦化层117可以包括一般的通用聚合物(苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及它们的共混物。平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层117可以包括诸如氧化硅(sio
2
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al
2
o
3
)、氧化钛(tio
2
)、氧化钽(ta
2
o
5
)、氧化铪(hfo
2
)和过氧化锌(zno
2
)的绝缘材料。当平坦化层117包括无机材料时，如果需要，可以执行化学平坦化抛光。可选择地，平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。
[0174]
像素电极210可以是(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以包括反射层和反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括银(ag)、镁(mg)、al、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)及它们的混合物。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in
2
o
3
)、氧化铟镓和氧化铝锌(azo)组成的组中的至少一种电极材料。在一些实施例中，像素电极210可以包括包含ito/ag/ito的堆叠结构。
[0175]
像素限定层119可以定位在平坦化层117上，像素限定层119包括暴露像素电极210的中心部分的开口119op以限定像素的发光区域。另外，像素限定层119增加像素电极210的边缘与像素电极210上的对电极230之间的距离，以防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等获得。
[0176]
有机发光二极管oled的中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。有机发光层可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的功能层可以选择性地布置在有机发光层下面和有机发光层上。中间层220可以分别与多个像素电极210中的每个对应。然而，一个或更多个实施例不限于此。中间层220可以进行各种修改，也就是说，中间层220可以布置为遍及多个像素电极210，也就是说，中间层220可以遍及多个像素电极210而被共用。
[0177]
对电极230可以是透射电极或反射电极。在一些实施例中，对电极230可以是透明或半透明电极，并且可以设置为包括具有小的逸出功的li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg及它们的混合物的金属薄膜。另外，诸如ito、izo、zno或in
2
o
3
的透明导电氧化物(tco)可以进一步设置在金属薄膜之上。
[0178]
当像素电极210是反射电极并且对电极230是透射电极时，从中间层220发射的光朝向对电极230发射，显示设备1是顶部发射型。当像素电极210是透明或半透明电极并且对电极230是反射电极时，从中间层220发射的光朝向基底100出射，显示设备1可以是底部发射型。然而，一个或更多个实施例不限于此。根据一些示例实施例的显示设备1可以是其中光发射到顶表面和底表面的双发射型。
[0179]
根据一些示例实施例，对电极230被包括在定位在第一显示区域da1中的辅助像素
pxa中。然而，因为第一显示区域da1包括辅助像素pxa定位在其中的辅助像素区域pa1和第一透射区域ta1，所以对电极230可以不部分地包括在与第一透射区域ta1对应的一些区域中。在顶部发射型显示设备中，光可以朝向对电极230发射，但是由于对电极230，透光率可能在一定程度上降低。因此，因为与第一透射区域ta1对应的区域不包括对电极230，所以可以提高第一透射区域ta1的透光率。
[0180]
为此，第一显示区域da1中的对电极230可以被图案化以与每个辅助像素区域pa1对应。可以通过激光剥离工艺或通过精细金属掩模(fmm)图案化工艺通过部分地去除与第一透射区域ta1对应的区域来形成第一显示区域da1中的对电极230。在下文中，将假定的是，通过fmm图案化工艺在第一显示区域da1中形成对电极230。
[0181]
对电极230也可以被包括在第二显示区域da2中的连接像素pxc中。然而，因为第二显示区域da2包括连接像素pxc定位在其中的连接像素区域、第二透射区域ta2和第三透射区域ta3，所以对电极230可以不被包括在与第二透射区域ta2和第三透射区域ta3对应的一些区域中。在顶部发射型显示设备中，光可以朝向对电极230发射，但是由于对电极230，透光率可能在一定程度上降低。因此，对电极230不设置在与第二透射区域ta2和第三透射区域ta3对应的区域中，因此可以提高第二透射区域ta2和第三透射区域ta3的透光率。
[0182]
为此，第二显示区域da2中的对电极230可以被图案化以与每个连接像素区域对应。可以通过激光剥离工艺或通过fmm图案化工艺通过部分地去除与第二透射区域ta2和第三透射区域ta3对应的一些区域来形成第二显示区域da2中的对电极230。在下文中，将假定的是，通过fmm图案化工艺在第二显示区域da2中形成对电极230。
[0183]
对电极230设置为遍及第三显示区域da3的整个表面，并且一些边缘可以定位在非显示区域nda中。对电极230可以相对于第三显示区域da3中的主像素pxm(即，多个有机发光二极管oled)一体地设置，以与多个像素电极210对应。
[0184]
图9和图10是示出根据一些示例实施例的第一显示区域da1的一部分的平面图。
[0185]
参照图9和图10，如上面描述的，第一显示区域da1包括辅助像素区域pa1和第一透射区域ta1，辅助像素pxa布置在辅助像素区域pa1中。辅助像素区域pa1包括如图9中所示的第一像素区域pa1-1和第二像素区域pa1-2，辅助像素pxa包括如图9中所示的第一像素pxa1和第二像素pxa2。多个第一像素pxa1在第一像素区域pa1-1中，多个第二像素pxa2在第二像素区域pa1-2中。
[0186]
根据一些示例实施例，第一对电极230a在第一像素区域pa1-1中，第二对电极230b在第二像素区域pa1-2中。第一对电极230a可以与第一像素区域pa1-1对应，第二对电极230b可以与第二像素区域pa1-2对应。另外，第一对电极230a和第二对电极230b可以彼此部分地接触。在此，第一对电极230a和第二对电极230b可以具有彼此相同的形状。
[0187]
参照图10，多个第一像素pxa1布置在第一像素区域pa1-1中。多个第一像素pxa1中的每个包括用于接收扫描信号的扫描线sl和用于接收数据信号的数据线dl。扫描线sl在第一方向dr1上延伸，数据线dl可以在与第一方向dr1交叉(例如，与第一方向dr1相交)的第二方向dr2上延伸。在此，其它信号线pl、el、sl-1、vl(见图7)也可以设置在第一像素区域pa1-1中。
[0188]
数据线dl和扫描线sl可以部分地定位在第一透射区域ta1中。在这种情况下，扫描线sl例如可以具有围绕第一透射区域ta1的边缘成为拱形的拱形部分，以便提高第一透射
区域ta1的透光率。拱形部分也可以应用于除了扫描线sl之外的其它信号线pl、el、sl-1和vl(见图7)。
[0189]
第一像素区域pa1-1中的多个第一像素pxa1可以包括相对于一个第一像素区域pa1-1一体地设置的第一对电极230a。
[0190]
第二像素区域pa1-2中的多个第二像素pxa2可以包括相对于一个第二像素区域pa1-2一体地设置的第二对电极230b。
[0191]
第一像素区域pa1-1和第二像素区域pa1-2可以布置在彼此不同的行上。在这种情况下，第一像素区域pa1-1和第二像素区域pa1-2可以围绕第一透射区域ta1。也就是说，第一像素区域pa1-1和第二像素区域pa1-2可以以z字形布置。例如，如图9和图10中所示，第一像素区域pa1-1和第二像素区域pa1-2可以交替地布置在与第一方向dr1和第二方向dr2交叉的第三方向dr3和/或第四方向dr4上。
[0192]
第一对电极230a和第二对电极230b可以分别与第一像素区域pa1-1和第二像素区域pa1-2对应，并且可以彼此部分地接触。在第一像素区域pa1-1和与该第一像素区域pa1-1相邻的第二像素区域pa1-2之间存在第一对电极230a和第二对电极230b在其处彼此接触的第一接触区域cta1，第一对电极230a和第二对电极230b可以经由第一接触区域cta1彼此电连接。
[0193]
在这种情况下，因为第一对电极230a和第二对电极230b经由第一接触区域cta1彼此连接，所以可以防止第一显示区域da1中的第一对电极230a和第二对电极230b的电阻增加。
[0194]
图11和图12是沿着图9的线b-b'截取的用于示出根据一些示例实施例的显示面板10的一些制造工艺的剖视图。图13是沿着图9的线b-b'截取的剖视图。
[0195]
参照图11至图13，在基底100上形成像素电路pc定位在其中的绝缘层il，并且形成电连接到像素电路pc的第一像素电极210a和第二像素电极210b。第一像素电极210a在第一像素区域pa1-1中，第二像素电极210b在第二像素区域pa1-2中。
[0196]
在第一像素电极210a和第二像素电极210b上设置具有暴露第一像素电极210a的中心部分和第二像素电极210b的中心部分的开口的像素限定层119。在第一像素电极210a的暴露部分上设置第一中间层220a，在第二像素电极210b的暴露部分上设置第二中间层220b，其中，暴露部分通过像素限定层119的开口而被暴露。理解的是，第一中间层220a和第二中间层220b包括与上面参照图8描述的中间层220的材料相同的材料。
[0197]
之后，可以在第一中间层220a和第二中间层220b上设置第一对电极230a和第二对电极230b。根据一些示例实施例，可以通过不同的工艺来获得第一对电极230a和第二对电极230b。在此，可以利用稍后将描述的第一掩模组件的第一掩模片422a来形成第一对电极230a和第二对电极230b。也就是说，在形成第一对电极230a之后，将第一掩模组件和基底100中的至少一者移动到与初始位置不同的位置，然后可以在基底100上形成第二对电极230b。根据一些示例实施例，在形成第二对电极230b之后，第一掩模组件和基底100中的至少一者移动到与初始位置不同的位置，然后可以在基底100上形成第一对电极230a。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述其中通过在形成第一对电极230a之后移动基底100的位置来形成第二对电极230b的情况。
[0198]
详细地，如图11中所示，在第一中间层220a上形成第一对电极230a。当已经穿过第
一掩模片422a的第一开口422a-1的沉积材料沉积在基底100上时，可以形成第一对电极230a。之后，如图12中所示，将基底100移动到图11中的左侧，以在第二中间层220b上形成第二对电极230b。第二对电极230b可以通过第一掩模片422a的第一开口422a-1来制造。
[0199]
参照图13，如上面获得的第一对电极230a和第二对电极230b可以在第一接触区域cta1中彼此表面接触。第一对电极230a与第二对电极230b之间的表面接触可以被理解为第二对电极230b堆叠在第一对电极230a上以彼此接触，且第二对电极230b与第一对电极230a之间没有任何中间层。
[0200]
在第一接触区域cta1中，第二对电极230b布置在第一对电极230a上。这表示在形成第一对电极230a的后处理中获得第二对电极230b。根据一些示例实施例，当在形成第二对电极230b之后形成第一对电极230a时，第一对电极230a可以在第一接触区域cta1中布置在第二对电极230b上。因为第一对电极230a和第二对电极230b在第一接触区域cta1中彼此表面接触，所以第一接触区域cta1可以具有比其中仅布置有第一对电极230a或第二对电极230b的区域的厚度的两倍小的厚度。另外，第一接触区域cta1可以不布置在第一像素pxa1和第二像素pxa2的发光区域中。在此，发光区域形成在像素限定层119的第一开口op1和第二开口op2中，第一开口op1和第二开口op2分别暴露第一像素电极210a的中心部分和第二像素电极210b的中心部分。也就是说，第一接触区域cta1可以设置为不与形成在像素限定层119中的第一开口op1和第二开口op2叠置。
[0201]
随着第一接触区域cta1的面积增加，第一对电极230a和第二对电极230b的电阻可以进一步减小。然而，如上面描述的，当第一接触区域cta1的面积增大为大于一定程度时，第一接触区域cta1与第一像素pxa1和第二像素pxa2的发光区域叠置，这降低了第一像素pxa1和第二像素pxa2的发光性能。
[0202]
因此，可以设置第一接触区域cta1的面积以不遮挡第一开口op1和第二开口op2。
[0203]
参照图2、图11和图13，与第一像素区域pa1-1相比，第一透射区域ta1可以不包括诸如有机发光二极管oled的显示元件和电连接到显示元件的像素电路pc。此外，第一透射区域ta1可以被定义为其中基底100上的一些层被去除的区域。
[0204]
图14是根据一些示例实施例的显示面板10中的对电极的布置的平面图。图15是沿着图14的线c-c'截取的剖视图。图16是沿着图14的线d-d'截取的剖视图。
[0205]
参照图14至图16，第一显示区域da1可以包括如上面描述的第一像素区域pa1-1、第二像素区域pa1-2和第一透射区域ta1。在此，第一对电极230a可以在第一像素区域pa1-1中，第二对电极230b可以在第二像素区域pa1-2中。
[0206]
第二显示区域da2可以包括第三像素区域pa2-1、第四像素区域pa2-2、第二透射区域ta2和第三透射区域ta3。连接像素区域pa2可以包括第三像素区域pa2-1和第四像素区域pa2-2。在此，第三对电极230c可以在第三像素区域pa2-1中，第四对电极230d可以在第四像素区域pa2-2中。
[0207]
在上面的情况下，第三对电极230c和第四对电极230d可以具有彼此不同的形状。例如，第三对电极230c可以具有与第一对电极230a或第二对电极230b的形状相同的形状，第四对电极230d可以具有与第三对电极230c的形状不同的形状。具体地，第三对电极230c可以具有正方形形状，第四对电极230d可以具有矩形形状。另外，第四对电极230d可以等于或大于彼此连接的至少两个第三对电极230c。
[0208]
第三显示区域da3可以包括主像素区域pa3并且主对电极230e可以在主像素区域pa3中。
[0209]
在上面的情况下，第三对电极230c和第四对电极230d可以与主对电极230e的形成同时形成。
[0210]
可以设置多个第三对电极230c和多个第四对电极230d。多个第三对电极230c可以彼此间隔开。另外，多个第四对电极230d可以彼此间隔开。在这种情况下，多个第三对电极230c和多个第四对电极230d可以分别在图14的x方向上布置为行。另外，第三对电极230c中的每个和第四对电极230d中的每个可以在图14的y方向上布置为彼此连接。
[0211]
第三对电极230c可以连接到第一对电极230a或第二对电极230b。在此，第三对电极230c可以包括与第一对电极230a或第二对电极230b叠置的第二接触区域cta2。在这种情况下，在第二接触区域cta2中，第三对电极230c可以与第一对电极230a或第二对电极230b表面接触。另外，在第二接触区域cta2中，第三对电极230c可以布置在第一对电极230a或第二对电极230b上，或者可以布置在第一对电极230a或第二对电极230b下面。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述其中第三对电极230c在第二接触区域cta2中布置在第二对电极230b上的情况。
[0212]
在上面的情况下，第二接触区域cta2的厚度可以大于第二对电极230b的厚度或第三对电极230c的厚度。例如，第二接触区域cta2的厚度可以是第二对电极230b的厚度的大约两倍或第三对电极230c的厚度的大约两倍。
[0213]
在上面的情况下，彼此连接的第三对电极230c和第四对电极230d可以具有第三接触区域cta3，第三对电极230c和第四对电极230d在第三接触区域cta3中彼此叠置。在这种情况下，第三接触区域cta3的厚度可以与第三对电极230c的厚度或第四对电极230d的厚度相同或类似。也就是说，因为第三对电极230c和第四对电极230d同时形成在第三接触区域cta3中，所以第三对电极230c和第四对电极230d中的一者可以直接接触第三对电极230c和第四对电极230d中的另一者的上表面。在这种情况下，第三对电极230c和第四对电极230d可以彼此表面接触。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述如图16中所示的第四对电极230d在第三对电极230c上的情况。
[0214]
第四对电极230d可以连接到主对电极230e。在此，第四对电极230d可以与主对电极230e部分地间隔开，并且可以与主对电极230e部分地直接接触。在此，第四对电极230d具有t形状以连接到主对电极230e。也就是说，第四对电极230d的一部分可以朝向主对电极230e突出，并且第四对电极230d的另一部分可以在垂直于第四对电极230d的所述一部分的方向上突出。
[0215]
第二透射区域ta2可以定位在第一对电极230a和第二对电极230b中的一者、第三对电极230c以及第四对电极230d之间。第二透射区域ta2可以具有与第一透射区域ta1的形状和尺寸相同的形状和尺寸。
[0216]
第三透射区域ta3可以布置在第一对电极230a和第二对电极230b中的一者、第三对电极230c、第四对电极230d以及主对电极230e之间。在此，第三透射区域ta3可以具有与第二透射区域ta2的形状不同的形状。
[0217]
在第一像素区域pa1-1、第二像素区域pa1-2、第三像素区域pa2-1和第四像素区域pa2-2中的每个中，可以布置一个或更多个像素。例如，第一像素pxa1可以布置在第一像素
区域pa1-1中，第二像素pxa2可以布置在第二像素区域pa1-2中。另外，一个或更多个第三像素pxc1布置在第三像素区域pa2-1中，一个或更多个第四像素pxc2可以布置在第四像素区域pa2-2中。另外，主像素pxm可以布置在主像素区域pa3中。上面的像素与上面的描述中的像素相同或类似。
[0218]
图17是根据一些示例实施例的用于制造显示设备1的设备400的剖视图。图18是图17的第一掩模组件420a的透视图。图19是示出图17的第一掩模片422a的一部分的平面图。图20是示出图17的第二掩模片422b的一部分的平面图。
[0219]
参照图17至图20，可以通过使用用于制造显示设备的设备400来制造显示设备1的显示面板10。
[0220]
用于制造显示设备1的设备400可以包括腔室410、第一掩模组件420a、第二掩模组件420b、第一支撑件430、第二支撑件440、沉积源450、磁力产生器460、视觉部分470和压强调节器480。
[0221]
腔室410可以在其中包括空间并且可以具有开口部分。在此，闸阀411可以设置在腔室410的开口部分处以打开/关闭开口部分。
[0222]
第一掩模组件420a可以可选择地在腔室410中。在此，第一掩模组件420a可以包括第一掩模框架421a和第一掩模片422a。第一掩模框架421a包括彼此连接的多个框架并且可以在其中具有开口。在此，第一掩模框架421a可以包括一个开口或彼此区分开的多个开口。在这种情况下，第一掩模框架421a可以形成为诸如窗框架的格栅。第一掩模片422a可以固定在第一掩模框架421a处并且处于拉紧状态。在此，第一掩模片422a可以具有沉积材料可以穿过其的第一开口422a-1。
[0223]
第一掩模片422a可以包括沉积材料穿过其的第一开口422a-1，以形成上面描述的第一对电极230a或第二对电极230b。
[0224]
第一开口422a-1可以具有与第一像素区域pa1-1或第二像素区域pa1-2的形状对应的形状。例如，第一开口422a-1可以具有矩形形状、正方形形状或菱形形状。在上面的情况下，已经穿过第一开口422a-1的沉积材料沉积在基底100上以形成第一对电极230a或第二对电极230b。当存在多个第一开口422a-1时，多个第一开口422a-1可以彼此足够地间隔开，因此已经穿过第一开口422a-1中的每个的沉积材料可以在沉积在基底100上之后不连接到其它沉积材料。
[0225]
可以布置第一开口422a-1，以在与基底100的第一显示区域da1对应的区域中形成对电极。具体地，第一开口422a-1可以仅布置在第一掩模片422a的第一区域ar1-1中。在这种情况下，第一掩模片422a的第二区域ar1-2可以不包括附加开口。第一区域ar1-1可以与基底100的第一显示区域da1对应，第二区域ar1-2可以与基底100的第二显示区域da2和第三显示区域da3对应。
[0226]
第二掩模组件420b可以替换第一掩模组件420a。也就是说，在通过使用第一掩模组件420a在第一显示区域da1中形成第一对电极230a和第二对电极230b之后，可以利用第二掩模组件420b来在第二显示区域da2和第三显示区域da3中形成第三对电极230c、第四对电极230d和主对电极230e。
[0227]
第二掩模组件420b可以包括第二掩模框架421b和第二掩模片422b。第二掩模框架421b与第一掩模框架421a类似或相同，在此省略其详细描述。
[0228]
第二掩模片422b可以包括用于形成第三对电极230c、第四对电极230d和主对电极230e的第二开口422b-1、第三开口422b-2和第四开口422b-3。
[0229]
第二开口422b-1可以具有与第一开口422a-1的形状相同的形状。第三开口422b-2可以具有与第二开口422b-1的形状不同的形状。例如，第三开口422b-2可以大于第二开口422b-1。在这种情况下，第三开口422b-2可以具有与至少两个第二开口422b-1对应的尺寸。第二开口422b-1可以与第三开口422b-2分开。在此，第二掩模片422b的在第二开口422b-1与第三开口422b-2之间的第一宽度w1足够小，使得已经分别穿过第二开口422b-1和第三开口422b-2并且沉积在基底100上的沉积材料可以彼此连接。
[0230]
第四开口422b-3可以连接到第三开口422b-2。第二掩模片422b的在第四开口422b-3与第三开口422b-2之间的第二宽度w2大于第一宽度w1，因此第四对电极230d的仅一部分可以连接到主对电极230e。在这种情况下，由于第二掩模片422b的在第二开口422b-1与第三开口422b-2之间的部分以及在第三开口422b-2与第四开口422b-3之间的部分，当第二掩模片422b被拉紧时，可以在一定程度上确保第二掩模片422b的强度。
[0231]
第二开口422b-1至第四开口422b-3可以在第二掩模片422b的第四区域ar2-2中，第四区域ar2-2与第一掩模片422a的第二区域ar1-2对应。然而，附加开口可以不设置在第二掩模片422b的第三区域ar2-1中，第三区域ar2-1与第一掩模片422a的第一区域ar1-1对应。
[0232]
基底100可以安装在第一支撑件430上。在此，第一支撑件430可以调节基底100的位置。例如，第一支撑件430可以包括uvw台(uvw stage)。
[0233]
第一掩模组件420a或第二掩模组件420b可以安装在第二支撑件440上。在此，类似于第一支撑件430，第二支撑件440可以调节第一掩模组件420a或第二掩模组件420b的位置。
[0234]
沉积源450可以在容纳沉积材料之后使沉积材料蒸发或升华以将沉积材料供应到腔室410。在此，沉积源450可以在其中包括加热器，并且通过使用加热器加热沉积源450中的沉积材料以使沉积材料熔化或升华。在上面的情况下，沉积源450可以布置在腔室410的中心或角部处。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述其中沉积源450在腔室410的角部处的情况。
[0235]
磁力产生器460在腔室410中以允许基底100与第一掩模组件420a或者基底100与第二掩模组件420b彼此紧密接触。在此，磁力产生器460可以包括产生磁力的电磁体或永磁体。
[0236]
视觉部分470在腔室410中以拍摄第一掩模组件420a和基底100的位置或者第二掩模组件420b和基底100的位置。在此，视觉部分470可以拍摄第一掩模组件420a、第二掩模组件420b和基底100中的至少一者的对齐标记等。
[0237]
压强调节器480可以连接到腔室410以调节腔室410中的压强。压强调节器480可以包括连接到腔室410的连接管481和设置在连接管481上的泵482。
[0238]
可以通过用于制造显示设备的设备400来制造显示设备1。在此，用于制造显示设备的设备400可以根据下面将描述的一个或更多个实施例以及上面描述的实施例来制造显示设备1。在下文中，为了便于描述，下面将详细描述其中用于制造显示设备1的设备400制造图14中所示的显示面板10的像素区域的情况。在下文中，与图14的附图标记同样的附图
标记表示相同的元件。
[0239]
详细地，可以在腔室410中布置其上形成绝缘层的基底100和第一掩模组件420a。在此，可以已经形成薄膜晶体管和有机发光二极管的像素电极和有机发光层。
[0240]
在将基底100和第一掩模组件420a分别安装在第一支撑件430和第二支撑件440上之后，可以通过视觉部分470拍摄基底100和第一掩模组件420a。之后，基底100和第一掩模组件420a可以对齐。
[0241]
当沉积源450操作并供应沉积材料时，沉积材料可以穿过第一掩模片422a的第一开口422a-1，并可以沉积在基底100的有机发光层和像素限定层上。在此，已经穿过第一开口422a-1的沉积材料可以形成如上面描述的第一对电极230a或第二对电极230b。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中沉积材料形成第一对电极230a的情况。
[0242]
当如上面描述的沉积沉积材料时，第一对电极230a可以布置为一列。可以存在彼此间隔开的多个列。
[0243]
当完成上面的工艺时，可以改变基底100和第一掩模组件420a中的至少一者的位置。例如，在固定第一掩模组件420a的位置之后，可以改变基底100的位置。根据一些示例实施例，在固定基底100的位置之后，可以改变第一掩模组件420a的位置。根据一些示例实施例，可以改变基底100和第一掩模组件420a两者的位置。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中改变基底100的位置而固定第一掩模组件420a的位置的情况。
[0244]
当改变基底100的位置时，第一开口422a-1可以布置为与基底100的其中未形成第一对电极230a的部分对应。也就是说，第一开口422a-1可以布置在两个相邻的第一对电极230a之间。
[0245]
在改变基底100的位置之后，当沉积源450供应沉积材料时，沉积材料可以穿过第一开口422a-1并且可以沉积在基底100上。已经穿过第一开口422a-1的沉积材料可以沉积在基底100上以形成第二对电极230b。第二对电极230b布置在第一对电极230a之间，并且可以经由第一接触区域cta1连接到第一对电极230a。
[0246]
当完成上面的工艺时，停止沉积源450的操作或阻挡沉积源450供应沉积材料，然后可以经由压强调节器480将腔室410的内部压强保持在大气压水平。
[0247]
在打开闸阀411之后，第一掩模组件420a从腔室410的内部退出到外部，并且第二掩模组件420b可以从腔室410的外部载入到腔室410中。当第二掩模组件420b安装在第二支撑件440上时，第二掩模组件420b和基底100可以对齐。另外，压强调节器480可以将腔室410的内部压强保持在与真空状态类似的水平。沉积源450将沉积材料供应到基底100上以在基底100上形成第三对电极230c、第四对电极230d和主对电极230e。
[0248]
详细地，当在基底100上形成第三对电极230c时，第三对电极230c可以连接到第一对电极230a和第二对电极230b中的一者。当形成第三对电极230c时，第二接触区域cta2可以设置在第三对电极230c与第一对电极230a和第二对电极230b中的一者之间。在第二接触区域cta2中，第三对电极230c可以布置在第一对电极230a和第二对电极230b中的一者的上表面上。根据一些示例实施例，在基底100上形成第三对电极230c、第四对电极230d和主对电极230e，然后顺序地形成第一对电极230a和第二对电极230b。在这种情况下，可以在第三对电极230c的上表面上布置第一对电极230a和第二对电极230b中的一者。
[0249]
当如上面描述的形成第三对电极230c和第四对电极230d时，第二掩模片422b的在
第二开口422b-1与第三开口422b-2之间的第一宽度w1足够小，使得基底100上的第三对电极230c和第四对电极230d可以彼此叠置以彼此连接。
[0250]
因此，布置在基底100上的对电极可以经由接触区域彼此连接。
[0251]
另外，用于制造显示设备1的设备400可以通过将显示区域da中的对电极彼此连接来防止每个显示区域中的像素不发射光。
[0252]
图21是根据一些示例实施例的显示面板10中的对电极的布置的平面图。图22是示出根据一些示例实施例的图17的第二掩模片422b的一部分的平面图。
[0253]
参照图21和图22，显示设备1可以类似于上面参照图1至图14描述的显示设备1。在下文中，为了便于描述，将详细描述与图14中所示的对电极的布置的差异。
[0254]
第一对电极230a、第二对电极230b、第三对电极230c和第四对电极230d可以与图14的第一对电极230a、第二对电极230b、第三对电极230c和第四对电极230d相同。多个主对电极230e可以彼此间隔开并且具有条带形状。在此，多个主对电极230e可以在图21的y方向上布置。在这种情况下，主对电极230e中的每个可以不连接到另一个，并且多个主对电极230e中的一个可以连接到多个第四对电极230d。在此，主对电极230e中的每个可以连接到布置在基底100的侧表面上的布线中的每条。
[0255]
为了形成主对电极230e，第二掩模片422b可以包括彼此间隔开的第四开口422b-3。在此，多个第四开口422b-3可以在一个方向上布置为彼此间隔开。第二掩模片422b的一部分布置在相邻的第四开口422b-3之间，以将相邻的第四开口422b-3彼此区分开。
[0256]
在上面的情况下，已经穿过第四开口422b-3的沉积材料可以在第三显示区域da3中形成主对电极230e，并且如上面描述的，已经穿过不同的第四开口422b-3的沉积材料可以沉积在基底100的不同区域中以形成彼此不同的主对电极230e。
[0257]
图23是根据一些示例实施例的显示面板10中的对电极的布置的平面图。图24是示出根据一些示例实施例的图17的第二掩模片422b的一部分的平面图。
[0258]
参照图23和图24，显示设备1可以类似于上面参照图1至图14描述的显示设备1。在下文中，为了便于描述，将详细描述与图14中所示的对电极的布置的差异。
[0259]
第一对电极230a、第二对电极230b、第三对电极230c和第四对电极230d可以与图14的第一对电极230a、第二对电极230b、第三对电极230c和第四对电极230d相同。多个主对电极230e可以彼此间隔开。在此，多个主对电极230e可以在图23的y轴方向上布置。具体地，两个主对电极230e可以在图23的x轴方向上布置。在这种情况下，两个主对电极230e可以彼此不连接，而是彼此分开。主对电极230e可以彼此不连接，并且多个主对电极230e中的一些可以分别连接到第四对电极230d。在此，主对电极230e中的每个可以连接到布置在基底100的侧表面上的布线中的每条。
[0260]
为了形成主对电极230e，第二掩模片422b可以包括彼此间隔开的第四开口422b-3。在此，多个第四开口422b-3可以在一个方向上和另一个方向上布置为彼此间隔开，并且多个第四开口422b-3中的每个具有线形状。第二掩模片422b的一部分布置在相邻的第四开口422b-3之间，以将相邻的第四开口422b-3彼此区分开。也就是说，在多个第四开口422b-3之中，两个第四开口422b-3布置为一列并且均具有两个第四开口422b-3的多个列布置为多个行。
[0261]
在上面的情况下，已经穿过第四开口422b-3的沉积材料可以在第三显示区域da3
中形成主对电极230e，并且如上面描述的，已经穿过不同的第四开口422b-3的沉积材料可以沉积在基底100的不同区域中以形成彼此不同的主对电极230e。
[0262]
根据一个或更多个实施例，可以实现具有扩展的显示区域的显示面板以甚至在其中布置有组件的区域中显示图像并且可以实现包括所述显示面板的显示设备。然而，公开的范围不限于上面的效果。
[0263]
应该理解的是，在此描述的实施例应该仅以描述性含义来考虑而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在此进行形式和细节上的各种改变。