1.一种复合压电衬底的制备方法，其特征在于，包括：
将硅片放入反应炉内，交替循环向所述反应炉内通入第一反应气氛和第二反应气氛，直至制备得到目标复合压电衬底，所述目标复合压电衬底包括在所述硅片内、由所述硅片外表面向内依次形成的交替堆叠的第一衬底层和第二衬底层，其中，所述第一反应气氛为含氧气氛或含氮气氛，所述第二反应气氛为含氧气氛或含氮气氛、且所述第二反应气氛与所述第一反应气氛不同；
当向所述反应炉内通入所述含氧气氛时，所述反应炉内的氧化温度为850-1200℃，当向所述反应炉内通入所述含氮气氛时，所述反应炉内的氮化温度为1100-1400℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交替循环向所述反应炉内通入第一反应气氛和第二反应气氛，包括：
根据目标复合压电衬底中每个第一衬底层和第二衬底层的厚度，以及，每个所述第一衬底层和第二衬底层在所述目标复合压电衬底中的位置，确定通入第一反应气氛和第二反应气氛的通入次序，以及，与所述通入次序对应的通入时长；
按照确定的通入次序，以及，与所述通入次序对应的通入时长，向所述反应炉内通入第一反应气氛和第二反应气氛。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通入次序为第n次时，对应的通入气压为p1；所述通入次序为第n+1次时，对应的通入气压为p2，其中，p2大于p1，n为大于零的正整数。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述氮化温度高于1200℃，则向所述反应炉内通完所述含氮气氛后，将反应炉内温度调整至氧化温度；
如果所述反应炉内温度达到所述氧化温度，则向所述反应炉内通入含氧气氛。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮气氛包括氮气、氨气或氮气与氨气的混合气。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧气氛包括氧气、水蒸气、氢气和氧气的混合气、氧气和水蒸气的混合气或氧气、氢气和水蒸气的混合气。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一衬底层为氮化硅层，所述第二衬底层为氧化硅层；或者，所述第一衬底层为氧化硅层，所述第二衬底层氮化硅层。
8.一种复合压电衬底，其特征在于，所述复合压电衬底由权利要求1-7任一所述复合压电衬底的制备方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的复合压电衬底，其特征在于，所述复合压电衬底中每个第一衬底层和每个第二衬底层的表面粗糙度均小于0.5nm，所述复合压电衬底中每个第一衬底层和每个第二衬底层的厚度偏差均小于0.5％。
10.一种压电器件，其特征在于，所述压电器件包括权利要求8或9所述的复合压电衬底。