技术特征：
1.一种在一半导体电镀室清洗一基板的方法，所述方法包括：将一头部自一电镀槽移动至一第一位置，所述头部包括与所述头部耦接的一基板；在一第一期间内旋转所述头部以将槽液甩落回到所述电镀槽，其中残留一残留量的槽液；自一第一液体喷嘴输送一第一液体至所述基板，以至少部分地排出所述残留量的槽液使所述残留量的槽液回到所述电镀槽中；将所述头部移动至一第二位置；在一第二期间内旋转所述头部；以及自一第二液体喷嘴输送一第二液体穿过所述基板。2.如权利要求1所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第一液体喷嘴及所述第二液体喷嘴各自延伸穿过一堰，所述堰位于所述半导体电镀室附近，以及其中所述堰与一收集通道流体耦合，所述收集通道是由一清洗框在所述电镀槽上方并放射状地向外延伸所定义。3.如权利要求2所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第一位置位于所述电镀槽与一高度之间，所述高度是由所述堰的一内缘所定义，以及其中所述第二位置位于所述高度上方，所述高度为所述堰的一内缘所定义。4.如权利要求1所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中输送所述第一液体包括以一第一体积流率输送一第一体积的液体，其中输送所述第二液体包括以一第二体积流率输送一第二体积的液体，其中所述第一体积不同于所述第二体积且所述第一体积流率不同于所述第二体积流率。5.如权利要求4所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第二体积大于所述第一体积，以及所述第二体积流率大于所述第一体积流率。6.如权利要求1所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第一液体包括与所述电镀槽相容的一液体。7.如权利要求1所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第一液体与所述第二液体为不同的液体。8.如权利要求1所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第一期间延长到至少直到所述第一液体被输送至所述基板。9.如权利要求8所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中，在所述第一期间之后，将所述头部在一第三期间内持续旋转以回收所述残留量的槽液至所述电镀槽中。10.如权利要求1所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中在所述第一期间，将所述头部朝着所述第二位置升高。11.如权利要求10所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中，在所述第一期间升高所述头部时，所述第一液体被甩落以接触一堰，以及所述第一液体喷嘴延伸穿过所述堰。12.一种在一半导体电镀室清洗一基板的方法，所述方法包括：将一头部自一电镀槽移动至一第一位置，所述头部包括一密封件及耦接至所述密封件的一基板；在一第一期间内旋转所述头部；
自一第一液体喷嘴输送一第一液体至所述基板，以排出所述基板上一残留量的槽液使所述残留量的槽液回到所述电镀槽中；将所述头部朝一第二位置移动，同时自所述第一液体喷嘴输送所述第一液体至所述基板；在一第二期间内旋转所述头部；以及自一第二液体喷嘴输送一第二液体穿过所述基板，其中在所述第二位置旋转所述头部以自所述基板的一放射状的边缘甩落所述第二液体至一收集通道，所述收集通道是由一清洗框在所述电镀槽上方并放射状地向外延伸所定义。13.如权利要求12所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述第一期间延长到至少直到所述第一液体被输送至所述基板。14.如权利要求12所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，更包括输送所述第一液体，同时自所述电镀槽移动所述头部至所述第一位置，其中所述第一液体撞击所述密封件。15.如权利要求14所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，更包括当所述头部到达所述第一位置时或所述头部到达所述第一位置之前，且在所述第一期间内旋转所述头部之前，停止输送所述第一液体。16.如权利要求12所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述方法回收至少约50％的所述残留量的槽液。17.如权利要求12所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中输送所述第一液体包括输送一第一体积的所述第一液体，其中输送所述第二液体包括输送一第二体积的所述第二液体，以及其中所述第二体积大于所述第一体积。18.一种在一半导体电镀室清洗一基板的方法，所述方法包括：自一第一液体喷嘴输送一处理液体至位于一头部的一基板，其中所述头部位于所述半导体电镀室内的一第一位置；将所述头部自所述第一位置降低以进入一电镀槽；将所述头部自所述电镀槽移动至所述第一位置；旋转所述头部以将槽液甩落回到所述电镀槽中，其中残留一残留量的槽液；以及自所述第一液体喷嘴输送一第一液体至所述基板，以至少部分地排出所述残留量的槽液使所述残留量的槽液回到所述电镀槽中。19.如权利要求18所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，更包括：移动所述头部至一第二位置；旋转所述头部；以及自一第二液体喷嘴输送一第二液体穿过所述基板。20.如权利要求18所述的在一半导体电镀室清洗一基板的方法，其中所述方法回收至少约50％的所述残留量的槽液。