基板支承单元和具有该基板支承单元的基板处理装置的制作方法

[0001]
本发明涉及基板支承单元和具有该基板支承单元的基板处理装置。更具体地，本发明涉及一种具有用作下部电极的静电卡盘的基板支承单元以及具有该基板支承单元的基板处理装置。


背景技术：

[0002]
可以通过在基板上形成预定图案来制造半导体器件。当在基板上形成预定图案时，可以在用于半导体制造工艺的装置中连续地执行诸如沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺的多种工艺。


技术实现要素：

[0003]
解决的技术问题
[0004]
用于制造半导体元件的等离子体工艺可以在工艺腔室(process chamber)内进行。
[0005]
但是，随着工艺腔室中rf时间(rf time)增加，基板(例如，晶片(wafer))的边缘区域(edge zone)中的蚀刻速度(etch rate)可能会增加。在这种情况下，可能需要周期性地更换相关部分(例如，聚焦环(focus ring))，并且可能会导致过多的维护成本，并且可能缩短使用该装置的时间。
[0006]
本发明的一技术目的在于提供一种基板支承单元，其根据在工艺腔室内构成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板的中央区域和边缘区域的梯度。
[0007]
本发明的另一技术目的在于提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有基板支承单元，该基板支承单元根据在工艺腔室内形成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板的中央区域和边缘区域之间的梯度。
[0008]
本发明的目的不限于上述目的，本领域的技术人员通过下面的描述可以清楚地理解未提及的其他目的。
[0009]
解决方法
[0010]
为实现上述目的的、本发明的基板处理装置的一方面(aspect)包括：壳体；喷头单元，其设置在壳体的内部上侧，并且将用于处理基板的工艺气体引入壳体的内部；以及支承单元，其设置在壳体的内部下侧，并且具有用于放置基板的静电卡盘，其中静电卡盘包括：介电板，其构成静电卡盘的主体；第一加热器，其用于加热介电板的第一区域；以及第二加热器，其用于加热介电板的第二区域，其中通过调节分别施加到第一加热器和第二加热器的电压或阻抗来控制基板的按区域的蚀刻率。
[0011]
静电卡盘可包括：连接到第一加热器的第一电容器以及连接到第二加热器的第二电容器，其中，通过调节第一电容器的电容和第二电容器的电容来控制按区域的蚀刻率。
[0012]
第一电容器和第二电容器中的至少一个电容器可以是可变电容器。
[0013]
静电卡盘还可包括：第一滤波器，其设置在交流电源和第一加热器之间，并且用于
去除从第一加热器流向交流电源的噪声信号；以及第二滤波器，其设置在交流电源和第二加热器之间，并且用于去除从第二加热器流向交流电源的噪声信号，其中，第一电容器和第二电容器可分别通过第一滤波器和第二滤波器连接到第一加热器和第二加热器。
[0014]
当基板的第一区域的蚀刻率高于基板的第二区域的蚀刻率时，通过增加第一电容器的电容或减小第二电容器的电容来控制按区域的蚀刻率，并且当基板的第二区域的蚀刻率高于基板的第一区域的蚀刻率时，通过减小第一电容器的电容或增加第二电容器的电容来控制按区域的蚀刻率。
[0015]
静电卡盘还可以包括控制部，控制部基于按区域的蚀刻率来控制分别施加到第一加热器和第二加热器的电压或阻抗。
[0016]
为实现上述目的的、本发明的基板支承单元的一方面包括：静电卡盘，其用于放置待利用等离子体蚀刻的基板；基座，其设置在静电卡盘的下部，并且用于支承静电卡盘；以及环组件，其设置在静电卡盘的侧表面上，以将等离子体集中到基板，其中，静电卡盘包括：介电板，构成静电卡盘的主体；第一加热器，用于加热介电板的第一区域；以及第二加热器，用于加热介电板的第二区域，其中，通过调节分别施加到第一加热器和第二加热器的电压或阻抗来控制基板的按区域的蚀刻率。
[0017]
为实现上述目的的、本发明的基板处理装置的另一方面包括：壳体；喷头单元，其设置在壳体的内部上侧，并且将用于处理基板的工艺气体引入壳体的内部；以及支承单元，其设置在壳体的内部下侧，并且具有用于放置基板的静电卡盘，其中，静电卡盘包括：介电板，其包括第一加热器和第二加热器，第一加热器用于加热介电板的第一区域，且第二加热器用于加热介电板的第二区域；以及下部电极，其被施加rf电力，其中，基板处理装置还包括：下部电源，向下部电极施加rf电力；第一滤波器，其包括第一可变电容器；第二滤波器，其包括第二可变电容器；交流电源，其通过第一滤波器将第一交流信号提供至第一加热器，并通过第二滤波器将第二交流信号提供至第二加热器；以及控制部，其用于调节第一可变电容器的电容和第二可变电容器的电容中的至少一个。
[0018]
通过经由控制部调节第一可变电容器的电容和第二可变电容器的电容中的至少一个，从而可以调节下部电极的中央区域的阻抗和边缘区域的阻抗中的至少一个。
[0019]
通过经由控制部调节第一可变电容器的电容和第二可变电容器的电容中的至少一个，从而可以控制基板的按区域的蚀刻率。
[0020]
控制部可以基于蚀刻率来控制第一可变电容器的电容和第二可变电容器的电容中的至少一个。
[0021]
第一滤波器可设置在交流电源和第一加热器之间，并且去除从第一加热器流向交流电源的噪声信号，并且第二滤波器可设置在交流电源与第二加热器之间，并且去除从第二加热器流向交流电源的噪声信号。
[0022]
其他实施例的具体事项包含在详细的说明及附图中。
附图说明
[0023]
图1是概略地示出根据本发明一实施例的具有基板支承单元的基板处理装置的结构的截面图。
[0024]
图2是概略地示出根据本发明另一实施例的基板处理装置的结构的截面图。
[0025]
图3是示出根据本发明一实施例的静电卡盘的概略结构的截面图。
[0026]
图4是示出根据本发明一实施例的静电卡盘的加热构件的概略结构的平面图。
[0027]
图5是用于说明根据本发明一实施例的控制基板的中央区域和边缘区域的梯度的方法的第一例示图。
[0028]
图6是用于说明根据本发明一实施例的控制基板的中央区域和边缘区域的梯度的方法的第二例示图。
[0029]
图7是概略地示出根据本发明另一实施例的基板处理装置的结构的截面图。
具体实施方式
[0030]
在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施方式。参考结合附图在下文详细叙述的实施方式，本发明的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得明确。然而，本发明并不受限于在下文中公布的实施方式，而是可以以各种不同的形式实现，并且本实施方式仅是为了使本发明的公开内容完整并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整告知发明的范围而提供的，并且本发明仅由权利要求的范围限定。在整个说明书中，相同的参考标号指代相同的构成要素。
[0031]
元件或层被称为在另一元件或层的“上方”或“上”时，其不仅包括在另一元件或另一层的正上方，还包括中间介入有另一层或另一元件的情况。相反，元件被称为“直接在上方”或“在正上方”时，其表示中间不存介入的另一元件或层。
[0032]
可以使用“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语以便于描述如图中所示的一个元件或构成要素与其他元件或构成要素的相互关系。空间相对术语应当理解为除了图中所示的方向之外还包括元件在使用时或操作时的不同方向的术语。例如，在图中所示的元件翻转的情况下，被描述为在另一元件的“下方”或“下面”的元件可以定位成在另一元件的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下方和上方两种方向。元件也可以定向为另外的方向，且因此空间相对术语可以依据定向进行解释。
[0033]
虽然使用了第一、第二等来叙述各种元件、构成要素和/或部分，但显然这些元件、构成要素和/或部分不受这些术语的限制。这些术语仅是用于将一个元件、构成要素或部分与其他元件、构成要素或部分区分开。因此，在本发明的技术思想内，下文中提到的第一元件、第一构成要素或第一部分显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。
[0034]
本说明书中使用的术语是用于描述实施方式的，而不是旨在限制本发明。在本说明书中，除非句子中特别说明，否则单数形式还包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表示包括所提到的构成要素、步骤、操作和/或元件，而不排除一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
[0035]
除非另有定义，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以被用作本发明所属技术领域的普通技术人员通常可以理解的含义。此外，除非明确特别地进行定义，否则在通常使用的字典中定义的术语不应以理想化或过度地进行解释。
[0036]
在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方式，并且在参考附图进行描述时，与附图标号无关地，相同或对应的构成要素给予相同的参考标号，并省略对其的重复描述。
[0037]
在进行干蚀刻工艺(dry etching process)的工艺腔室(process chamber)中，随着rf时间(rf time)增加，基板(例如，晶片(wafer))的边缘区域(edge zone)中的蚀刻速度
可能(etch rate)会增加。因此，需要控制基板的中央区域和边缘区域的梯度变化。
[0038]
本发明涉及一种基板支承单元及具有该基板支承单元的基板处理装置，该基板支承单元通过在工艺腔室内构成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板的中央区域和边缘区域的梯度。以下，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
[0039]
图1是概略地示出根据本发明一实施例的具有基板支承单元的基板处理装置的结构的截面图。
[0040]
如图1所示，基板处理装置100可包括壳体110、支承单元120、等离子体生成单元130、喷头单元140、第一气体供应单元150、第二气体供应单元160、衬垫(liner)170及挡板单元(baffle unit)180。
[0041]
基板处理装置100是使用干蚀刻工艺(dry etching process)来处理基板w的系统，并且也可以被称为基板处理装置。基板处理装置100例如可以利用等离子体工艺(plasma process)来处理基板w。
[0042]
壳体110提供执行等离子体工艺的空间。壳体110可以在其下部具有排气孔111。
[0043]
排气孔111可以连接到安装有泵112的排气管线113。排气孔111可通过排气管线113将在等离子体工艺期间产生的反应副产物和残留在壳体110中的气体排放到壳体110的外部。在这种情况下，壳体110的内部空间可以被降压至预定压力。
[0044]
开口部114可形成在壳体110的侧壁上。开口部114可以起到使基板w进出壳体110的内部的通道的作用。上述开口部114可配置成通过门组件115进行开闭。
[0045]
门组件115可包括外部门115a和门驱动器115b。外部门115a设置在壳体110的外壁上。上述外部门115a可通过门驱动器115b沿竖直方向(即，第三方向30)移动。门驱动器115b可使用电机、液压缸、气压缸等来操作。
[0046]
支承单元120设置于壳体110的内部下侧区域。这种支承单元120可利用静电力来支承基板w。然而，本发明不限于此。支承单元120可以以各种方式支承基板w，例如，机械夹持(mechanical clamping)、真空等。
[0047]
当支承单元120利用静电力支承基板w时，支承单元120可包括基座121、静电卡盘(electro-static chuck)122、环组件123、加热构件124和冷却构件125。
[0048]
静电卡盘(esc)122利用静电力支承放置在其上部的基板(w)。静电卡盘122可由陶瓷材料制成，并可与基座121结合以固定到基座121上。
[0049]
静电卡盘122可以通过在壳体110内部构成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板的中央区域和边缘区域的梯度。在本实施例中，可以延长装置的使用时间并降低维护费用。静电卡盘122的这种特征将在后面参照附图进行描述。
[0050]
同时，静电卡盘122可设置成能够在壳体110中沿竖直方向(即，第三方向30)移动。当静电卡盘122形成为可沿竖直方向移动时，可将基板w定位到等离子体分布更均匀的区域中。
[0051]
环组件123围绕静电卡盘122的边缘。环组件123可具有环形形状，以支承基板w的边缘区域。环组件123可包括聚焦环(focus ring)123a和绝缘环123b。
[0052]
聚焦环123a形成在绝缘环123b的内侧，并围绕静电卡盘122。聚焦环123a可以由硅材料制成，并且可以将等离子体集中到基板w。
[0053]
绝缘环123b形成在聚焦环123a的外侧，并围绕聚焦环123a。这种绝缘环123b可以
由石英(quartz)材料制成。
[0054]
另外，环组件123还可包括与聚焦环123a的边缘紧密接触形成的边缘环(edge ring)。边缘环可以形成为防止静电卡盘122的侧表面被等离子体损坏。
[0055]
加热构件124和冷却构件125设置为当在壳体110中执行蚀刻工艺时使基板w保持工艺温度。为此，加热构件124可设置为加热线，并且冷却构件125可设置为供冷却剂流经的冷却线。
[0056]
加热构件124和冷却构件125可设置在支承单元120中，以保持基板w的工艺温度。作为一示例，加热构件124可以设置在静电卡盘122的内部，且冷却构件125可以设置在基座121的内部。
[0057]
第一气体供应单元150供应气体以去除残留在环组件123的上部或静电卡盘122的边缘部分上的杂质。第一气体供应单元150可包括第一气体供应源151和第一气体供应管线152。
[0058]
第一气体供应源151可供应氮气(n2气体)作为用于去除异物的气体。然而，本发明不限于此。第一气体供应源151可以供应其它气体或清洁剂。
[0059]
第一气体供应管线152设置在静电卡盘122和环组件123之间。例如，第一气体供应管线152可以形成为连接在静电卡盘122和聚焦环123a之间。
[0060]
另外，第一气体供应管线152可设置在聚焦环123a的内部，并且可形成为弯曲以连接静电卡盘122和聚焦环123a。
[0061]
等离子体生成单元130由残留在放电空间中的气体生成等离子体。在此，放电空间是指壳体110的内部空间中的定位在支承单元120的上部的空间。
[0062]
等离子体生成单元130可使用电感耦合等离子体(icp；inductively coupled plasma)源在壳体110内部的放电空间中生成等离子体。在这种情况下，等离子体生成单元可以使用设置在壳体110的上部的天线135作为上部电极，并且可以使用静电卡盘122作为下部电极。
[0063]
然而，本发明不限于此。等离子体生成单元130也可以利用电容耦合式等离子体(ccp：capacitively coupled plasma)源在壳体110内部的放电空间中生成等离子体。在这种情况下，等离子体生成单元130可以使用设置在壳体110中的喷头单元140作为上部电极，并且可以使用静电卡盘122作为下部电极。
[0064]
将在下文中参照附图描述当等离子体生成单元130使用电容耦合等离子体(ccp)源时的基板处理装置500的结构。
[0065]
等离子体生成单元130可包括上部电极、下部电极、上部电源131及下部电源133。
[0066]
上部电源131向上部电极施加电力。这种上部电源131起到生成等离子体的等离子体源的作用，或者与下部电源133一起起到控制等离子体特性的作用。
[0067]
虽然在图1中示出了单个上部电源131，但是在本实施例中可以设置多个上部电源131。当设置有多个上部电源131时，基板处理装置100还可以包括与多个上部电源电连接的第一匹配电路(未图示)。
[0068]
第一匹配电路可以匹配从各个上部电源输入的具有不同大小的频率的电力，并施加到喷头单元140。
[0069]
另外，在连接上部电源131和天线135的第一传输线132上可以设置第一阻抗匹配
zone)、边缘区域(edge zone)等的情况下，第二气体供应单元160还可以包括气体分配器(未图示)和气体分配管线(未图示)，以向喷头单元140的各区域供应工艺气体。
[0088]
气体分配器将从第二气体供应源161供应的工艺气体分配到喷头单元140的各区域。这种气体分配器可以通过第二气体供应管线162连接至第二气体供应源161。
[0089]
气体分配管线连接气体分配器和喷头单元140的各区域。气体分配管线可以将由气体分配器分配的工艺气体传送到喷头单元140的各区域。
[0090]
第二气体供应单元160还可以包括用于供应沉积气体(deposition gas)的第二气体供应源(未示出)。
[0091]
第二气体供应源向喷头单元140供应沉积气体以保护基板w图案的侧面，并能够进行各向异性蚀刻。第二气体供应源可以供应诸如c4f8、c2f4等的气体作为沉积气体。
[0092]
衬垫170(或壁衬垫(wall-liner))用于保护壳体110的内表面免受在工艺气体被激发的过程中产生的电弧放电以及在基板处理过程中产生的杂质的影响。这种衬垫170可设置在壳体110的内部，并且可具有上部和下部分别敞开的圆柱形形状。
[0093]
衬垫170可设置为与壳体110的内壁相邻。这种衬垫170可包括设置在其上的支承环171。支承环171从衬垫170的上部向外侧方向(即，第一方向10)突出形成，并通过抵在壳体110的上端来支承衬垫170。
[0094]
挡板单元180用于排出等离子体的工艺副产物、未反应气体等。挡板单元180可以设置在壳体110的内壁和支承单元120之间。
[0095]
挡板单元180可具有环形形状，并且可包括沿竖直方向(即，第三方向30)穿透的多个通孔。挡板单元180可以根据通孔181的数量和形状来控制工艺气体的流动。
[0096]
接下来，将描述通过构成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板w的中央区域和边缘区域的梯度的方法。
[0097]
图3是示出根据本发明一实施例的静电卡盘的概略结构的截面图。
[0098]
参照图3，静电卡盘122可包括介电板210、下部电极220、交流电源230、第一加热器240、第二加热器250、第一滤波器260和第二滤波器270。
[0099]
介电板210构成静电卡盘122的主体。这种介电板210可以设置为圆盘形状的电介质材料(dielectric substance)。
[0100]
基板w可以放置在介电板210的上表面上。介电板210的上表面可以具有小于基板w的半径。基板w的边缘区域可以位于介电板210的外侧。
[0101]
下部电极220可以被施加来自下部电源133的电力(例如，rf电力)。例如，上述电力可以具有一个以上的rf频率。
[0102]
交流电源230将交流信号提供至第一加热器240和第二加热器250。交流电源230可提供50hz至60hz的交流信号以使得第一加热器240和第二加热器250发热。交流电源230可通过第一滤波器260将交流信号提供至第一加热器240。交流电源230可通过第二滤波器270将交流信号提供至第二加热器250。
[0103]
第一加热器240和第二加热器250通过使用从交流电源230提供的交流信号来产生热。多个第一加热器240和多个第二加热器250可以设置在介电板210的整个区域上，以加热基板w的整个表面。
[0104]
如图4所示，第一加热器240和第二加热器250可以沿介电板210的径向同心地设
置。这里，将设置在介电板210的中央区域310中的加热器定义为第一加热器240，并且将设置在介电板210的边缘区域320中的加热器定义为第二加热器250。图4是示出根据本发明一实施例的静电卡盘的加热构件的平面图。
[0105]
另外，在以上描述中，基板w被划分为中央区域和边缘区域，且加热构件124也相应地包括第一加热器240和第二加热器250。然而，本发明不限于此。加热构件124可以由三个以上的加热器构成，此时，基板w的区域也可以对应于加热器的数量进行划分。
[0106]
第一滤波器260连接在交流电源230和第一加热器240之间。这种第一滤波器260允许在交流电源230和第一加热器240之间流动的交流信号通过，并阻挡从第一加热器240流向交流电源230的噪声信号。
[0107]
第二滤波器270连接在交流电源230和第二加热器250之间。这种第二滤波器270可以使在交流电源230和第二加热器250之间流动的交流信号通过，并阻挡从第二加热器250流向交流电源230的噪声信号。
[0108]
第一滤波器260和第二滤波器270可以分别包括第一电容器261和第二电容器271。在本实施例中，可以利用第一电容器261和第二电容器271来控制基板w的中央区域和边缘区域的梯度。下面将对此进行说明。
[0109]
图5是用于说明根据本发明一实施例的控制基板的中央区域和边缘区域的梯度的方法的第一例示图。下面，参照图5进行说明。
[0110]
第一电容器261连接到第一加热器240。这种第一电容器261可以被实现为可变电容器(variable capacitor)。
[0111]
第二电容器271连接到第二加热器250。这种第二电容器271也可以与第一电容器261相同地实现为可变电容器。
[0112]
在本实施例中，通过调节第一电容器261的电容和第二电容器271的电容，可以调节下部电极220的中央区域(以下称之为中央电极)和边缘区域(以下称之为边缘电极)的阻抗。
[0113]
例如，当基板w的边缘区域的蚀刻率(etch rate)高于基板w的中央区域的蚀刻率时，可以通过增加第一电容器261的电容来减小第一加热器240侧的阻抗，从而控制基板w的中央区域和边缘区域的蚀刻率保持恒定。
[0114]
此时，也可以通过减小第二电容器271的电容来增加第二加热器250侧的阻抗，从而控制基板w的中央区域和边缘区域的蚀刻率保持恒定。
[0115]
另外，当基板w的中央区域的蚀刻率高于基板w的边缘区域的蚀刻率时，可以通过增加第二电容器271的电容来减小第二加热器250侧的阻抗，从而控制基板w的中央区域和边缘区域的蚀刻率保持恒定。
[0116]
此时，也可以通过减少第一电容器261的电容来增加第一加热器240侧的阻抗，从而控制基板w的中央区域和边缘区域的蚀刻率保持恒定。
[0117]
另外，在本实施例中，也可以通过改变第一加热器240侧的电压和第二加热器250侧的电压来控制基板w的中央区域和边缘区域的蚀刻率恒定。
[0118]
另外，在图5中，分别连接交流电源230和第一加热器240、以以及交流电源230和第二加热器250的另一条线路表示加热器(heater)线路。
[0119]
另外，在本实施例中，也可以在对基板w的中央区域和边缘区域测定蚀刻率之后，
基于测定结果调节第一电容器261的电容和第二电容器271的电容。在本实施例中，如图6所示，基板处理装置100还可以包括控制部410。
[0120]
图6是用于说明根据本发明一实施例的控制基板的中央区域和边缘区域的梯度的方法的第二例示图。下面，参照图6进行说明。
[0121]
控制部410基于所测定的基板w的按区域的蚀刻率来调节第一电容器261的电容和第二电容器271的电容。例如，控制部410可以调节第一电容器261的电容和第二电容器271的电容中的至少一个，且由此可以调节中央电极的阻抗和边缘电极的阻抗中的至少一个。
[0122]
以上，参照图3至图6说明了根据本发明一实施例的静电卡盘122。在本实施例中，测定基板w的中央区域和边缘区域的蚀刻率之后，利用控制部410来调节第一电容器261的电容和第二电容器271的电容，从而通过构成下部电极220的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板w的中央区域和边缘区域的梯度。
[0123]
在本实施例中，通过这样的结构可以获得以下效果。
[0124]
首先，可以通过控制下部电极220的阻抗来控制基板w的按区域的蚀刻率，从而可以改善蚀刻均匀性(etch uniformity)。
[0125]
第二，由于使用了静电卡盘122的加热器区(heater zone)，因此可容易实现。
[0126]
第三，可以减少基板处理装置100的维护费用，并且可以延长装置的使用时间。即，可以延长pm周期。
[0127]
第四，通过改善基板处理装置100的平均清洗间隔时间(mtbc：mean time between cleaning)，可以提高生产率。
[0128]
接下来，将描述当等离子体生成单元130使用电容耦合等离子体(ccp)源时的基板处理装置500的结构。
[0129]
图7是概略地示出根据本发明另一实施例的基板处理装置的结构的截面图。以下，参照图7进行说明。
[0130]
如图7所示，基板处理装置500可包括壳体110、支承单元120、等离子体生成单元130、喷头单元140、第一气体供应单元150、第二气体供应单元160、衬垫170及挡板单元180。
[0131]
壳体110、支承单元120、喷头单元140、第一气体供应单元150、第二气体供应单元160、衬垫170、挡板单元180等已参照图1进行了说明，因此省略其详细说明。
[0132]
此外，在支承单元120的情况下，参照图3至图6描述的部分可同样地适用于图7的基板处理装置500。
[0133]
因此，对比图7的基板处理装置500与图1的基板处理装置100，只对不相同的部分进行说明。
[0134]
当等离子体生成单元130使用电容耦合式等离子体(ccp)源时，喷头单元140可用作上部电极，且静电卡盘122可用作下部电极。此时，上部电源131可以向喷头单元140施加电力。
[0135]
以上参考附图对本发明的实施方式进行了描述，但本发明所属技术领域的普通技术人员将可以理解，本发明在不变更其技术思想或必要特征的情况下，可以以其他具体的形式进行实施。因此，应理解在上文中记载的实施方式在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。