用于半导体处理系统的喷淋头装置的制作方法

用于半导体处理系统的喷淋头装置
[0001]
对任何优先权申请的引用并入
[0002]
本申请要求于2019年7月18日提交的第62/875,909号美国临时专利申请的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中并用于所有目的。
技术领域
[0003]
本领域大体上涉及一种用于半导体处理系统的喷淋头装置。


背景技术：

[0004]
例如原子层沉积(ald)的气相沉积工艺是众所周知的。ald工艺通常将气相反应物交替地依序供应到衬底，以通过受控且高度保形的方式沉积到材料层，其中在脉冲之间有效地去除反应物对于将气相中的不合需要的反应物减到最少非常重要。通过ald沉积的薄膜用于各种应用中，例如用于集成电路的形成中。也非常希望受控地去除材料。可控制地去除材料以限定电路和其它结构的实例工艺是化学气相蚀刻(cve)或原子层蚀刻(ale)。一些cve工艺采用脉冲式蚀刻剂供应。例如，在一些蚀刻工艺中，气相反应物的依序脉冲可以通过受控和/或选择性方式从衬底去除微量材料。


技术实现要素：

[0005]
根据一个方面，公开一种半导体处理设备。所述设备可以包括：反应室和第一排气口，所述第一排气口被配置成从所述反应室去除蒸气。所述设备还可以包括喷淋头装置，所述喷淋头装置连接到所述反应室并且被配置成将反应物蒸气输送到所述反应室。所述喷淋头装置可以包括：进气口，所述进气口被配置成将所述反应物蒸气供应到所述喷淋头装置；与所述进气口流体连通的第一喷淋头板，所述第一喷淋头板包括多个开口；以及第二喷淋头板，所述第二喷淋头板包括：与所述多个开口流体连通的多个进气口、被配置成将所述反应蒸气输送到所述反应室的多个进气口；以及被配置成从所述反应室去除蒸气的多个第二排气口。所述设备还可以包括连接到所述第一排气口和所述多个第二排气口的一个或多个泵，所述一个或多个泵被配置成通过所述第一排气口和所述多个第二排气口从所述反应室去除蒸气。
[0006]
根据一个方面，公开一种半导体处理设备。所述设备可以包括：反应室；反应室排气口，所述反应室排气口被配置成从所述反应室去除蒸气；以及喷淋头装置，所述喷淋头装置包括：多个分布式进气孔，其与反应蒸气源和所述反应室流体连通；以及多个分布式排气孔，其与泵和所述反应室流体连通。
[0007]
根据一个方面，公开一种用于蚀刻衬底的方法。所述方法可以包括将反应物蒸气供应到喷淋头装置；通过所述喷淋头装置中的多个分布式进气孔将所述反应物蒸气传送到反应室；通过暴露于所述反应室的第一排气口从所述反应室去除蒸气；以及通过所述喷淋头装置中的多个第二排气口从所述反应室去除蒸气。
附图说明
[0008]
现将参考若干实施例的图式描述本发明的这些和其它特征、方面和优点，所述实施例旨在说明并且不限制本发明。
[0009]
图1说明根据一些实施例的具有双喷淋头装置的反应器的示意性侧视图。
[0010]
图2说明根据一些实施例的双喷淋头装置的侧视截面图。
[0011]
图3a说明根据一些实施例的用于喷淋头装置的进气口。
[0012]
图3b说明图3a的进气口的示意性三维透视图。
[0013]
图3c说明包含插入件的图3a的进气口。
[0014]
图4说明根据一些实施例的双喷淋头装置的部分的示意性侧视截面图。
[0015]
图5说明根据一些实施例的图4的喷淋头装置的下部部分的第二喷淋头板的上部平面图。
[0016]
图6说明根据一些实施例的第二喷淋头板的上部平面图。
[0017]
图7说明根据一些实施例的具有双喷淋头和可移动基座的反应器。
具体实施方式
[0018]
微电子材料的化学蚀刻可能优于等离子蚀刻。然而，为了在晶片上提供均匀蚀刻速率，蚀刻反应物(例如，吸附反应物和/或蚀刻剂)和副产物的分压、停留时间和温度不应在衬底(例如，晶片)上方在空间上显著改变。喷淋头式反应器可以使进入气体的分压均匀分布，但是副产物的分压和气体分子的停留时间可能在晶片上不恒定。例如，与从晶片的边缘进入的分子相比，从喷淋头中心进入的分子在反应器中具有更长停留时间，因为从反应室泵送到排气口通常从晶片周边进行。
[0019]
本文所公开的各种实施例可以用于刻蚀工艺(例如，cve工艺)中。在公开的实施例中可以使用任何合适的蚀刻化学反应。作为一个实例，工艺可以涉及一个或多个蚀刻循环，其中每个循环将衬底暴露于具有第一卤化物配体的第一气相卤化物反应物以在衬底表面上形成吸附的物质，且随后将衬底暴露于具有第二卤化物配体的第二气相卤化物反应物，其将吸附的物质转化为挥发性物质，从而从膜去除至少一些材料。在各种实施例中，膜可以包含w、tin、ti0
2
、tan、sin、a10
2
、a1
2
0
3
、zr0
2
、w0
3
、siocn、sioc、sicn、a1n或hf0
2
。第一气相卤化物可以是金属卤化物，例如nb、ta、mo、sn、v、re、te、w以及第5族和第6族过渡金属。第二气相卤化物可以是碳基卤化物，例如ccl
4
或cbr
4
。可以在出于所有目的以全文引用的方式并入本文中的第pct/us2017/065170号国际申请中找到可以结合所公开实施例使用的各种蚀刻化学反应和工艺的进一步实例。
[0020]
为了在整个衬底上形成副产物的恒定分压以及气体分子的均匀停留时间，可以使用双喷淋头反应器。双喷淋头结构可以针对蚀刻反应物和副产物两者实现空间上均匀的分压、停留时间和温度，由此产生在晶片上的均匀蚀刻速率。取决于哪种模式优选地实现衬底的所需蚀刻保形性，可以稳态分压模式、以分压脉冲模式，或以全压脉冲模式，或其组合使用此设备。
[0021]
此外，此设备可以与对反应器进行差动泵送集成。通过调节喷淋头装置和反应室的泵速和电导率，可以调整反应器内的停留时间分布和分压曲线，因此调整衬底(例如，晶片)的蚀刻曲线。例如，可以以稳态模式(例如，恒定蚀刻反应物，例如蚀刻剂、流量)或分压
脉冲模式(例如，在保持全压恒定时脉冲蚀刻剂流量)、压力脉冲模式(例如，恒定蚀刻剂流量、脉冲全压)或总脉冲模式(例如，脉冲分压和全压)或其组合使用设备。脉冲模式和泵送模式可以确定在动态流动条件下晶片上方的蚀刻剂气体的分压和停留时间分布，因此可以控制刻蚀工艺的保形性和均匀性。
[0022]
在各种实施例中，结合所公开实施例使用的蚀刻工艺的蚀刻保形性可以：大于50％；大于80％；大于90％；大于95％；大于98％；或大于99％。在一些实施例中，也可以控制蚀刻选择性。通过[(表面a上的蚀刻材料)-(表面b上的蚀刻材料)]/(表面a上的蚀刻材料)计算的蚀刻选择性可以作为百分比给出。可以用多种方式测量蚀刻量。例如，蚀刻量可以作为蚀刻材料的测量到的减小厚度给出，或可以基于最初存在的蚀刻材料和蚀刻工艺之后留下的蚀刻材料的比较作为测量到的蚀刻材料量给出。在一些实施例中，刻蚀工艺的选择性大于约10％、大于约50％、大于约75％、大于约85％、大于约90％、大于约93％、大于约95％、大于约98％、大于约99％或大于约99.5％。在一些实施例中，蚀刻特征的纵横比可以大于约2:1、3:1、5:1、10:1、20:1、40:1，或100:1。
[0023]
例如，喷淋头装置的第一上部室可以具有连续流，并且第二底部反应室可以具有连续泵送，其中滤去反应副产物和前体以减小压力尖峰。底部反应室可以在前体暴露时间内供应恒定分压。
[0024]
图1说明包含具有双喷淋头装置10的反应器2的半导体处理设备1。反应器2包含反应室3，所述反应室具有在基座5与喷淋头装置10之间的内部部分4。基座板5在反应器2内并且附接到反应室3。基座板5从反应室3的底座向上地延伸。在处理期间，基座板5支持衬底6(例如，晶片)。双喷淋头装置10可以安置于基座5和衬底6上方。尽管未示出，但是气体歧管可以向喷淋头装置10供应反应物和惰性气体，这可以将在衬底6的宽度上供应的气体分散到蚀刻材料。入口歧管11可以流体地连接到例如蚀刻反应物源的反应物源，例如，蚀刻剂或吸附反应物(见例如图2)。蚀刻剂源可以是储气瓶，和/或可以包含用于汽化自然地为液体或固体的蚀刻剂化学物质的汽化装置。
[0025]
在一些实施例中，双喷淋头10可以包含多个进气口18(孔)和多个出气口20(孔)或排气口。进气孔18和出气孔20可以不彼此直接连通，但两者可以与其下方的反应室3直接流体连通。在一些实施例中，第二排气管线26或排气口可以与反应室3直接流体连通以从反应室3去除气体。如图1中所展示，反应气体(例如，蚀刻气体)可以在进气口16进入双喷淋头装置10，进入上气室24并且流向固持晶片6的基座板5。双喷淋头10的出气孔20通过连接到内部或下部的喷淋头气室22的泵9从反应室3去除蒸气。第二排气管线26也可以用于通过泵9去除蒸气。在一些实施例中，相同泵9可以与排气管线20、26一起使用。在其它实施例中，出气口20、26两者具有连接到排气管线20、26中的每一个的单独泵9。在一些实施例中，阀门38连接到每个排气管线20、26，并且与泵9串联工作以控制离开反应器反应室3的气流。
[0026]
因此，在图1的实施例中，半导体处理设备1可以包含反应室3和反应室排气口7，所述反应室排气口被配置成从反应室3去除蒸气。喷淋头装置10可以包含与反应物蒸气源和反应室3流体连通的多个分布式进气孔18。喷淋头装置10可以包含与泵9和反应室3流体连通的多个分布式排气孔20。相同或不同泵9可以连接到喷淋头10和反应室3。在所说明实施例中，在喷淋头10(例如，限定在两个板之间)的下部部分14内的内部气室22可以与泵9连通。在一些实施例中，进气孔18可以延伸穿过喷淋头装置10并且可以绕过内部气室22。在喷
淋头10的下部部分14上方，进气孔18可以与上气室24连通。图1示出与上气室24连通的简单侧进气口16。然而，如从图2到3c的以下描述中将更佳地理解，上气室24可以替代地与将反应物蒸气分布在上气室24上的入口歧管连通。
[0027]
一个或多个泵9可以从喷淋头装置10中的排气口20以及从反应室3排气口7抽吸残余气体。在一些实施例中，气体通过喷淋头装置10中的反应室3排气口7的泵送速度可以在约25m
3
/h至约5000m
3
/h的范围内变化，其中泵9速度在约50m
3
/h与约2500m
3
/h之间，在一些实施例中，例如在约100m
3
/h与约2000m
3
/h之间。在一些实施例中，气体通过反应室3中的反应室3排气口7的泵送速度可以在约25m
3
/h至约5000m
3
/h的范围内变化，其中泵速度在约50m
3
/h与约2500m
3
/h之间，例如，在约100m
3
/h与约2000m
3
/h之间。在各种实施例中，可以调节泵速度(或与共用泵9连通的阀门38)以从喷淋头装置10和反应室3排气口7抽吸不同的废气流速。在一些实施例中，气体通过喷淋头装置10中的排气口20的泵送速度与气体通过反应室3中的反应室3排气口7的泵送速度的比率可以在100:1至1:100的范围内、在50:1至1:50的范围内、在10:1至1:10的范围内、在5:1至1:5的范围内、在2:1至1:2的范围内，或在1.5:1至1:1.5的范围内。通过调整泵送速度，可以调节刻蚀工艺。本文中所公开且在图1中所示的差动泵送系统和技术可以改进蚀刻技术的均匀性和保形性。
[0028]
在本文所公开的各种实施例中，可以在等离子体蚀刻反应器中调节气态或等离子体物质的停留时间。因此，在一些实施例中，设备1可以与等离子体蚀刻反应器一起使用。例如，对于如本领域中已知的rf等离子体反应器，可以在喷淋头10(喷淋头10的上部部分12和下部部分14充当等离子体电极)内，或在反应室3内原位(喷淋头装置10和基座5和/或反应室3壁充当等离子体电极)形成远程等离子体。本文所公开的实施例也可以应用于调节等离子体本身。在其它实施例中，本文所公开的设备1可以用于不是等离子体蚀刻反应器的蚀刻反应器中，和/或不用于沉积工艺的反应器中。
[0029]
在各种实施例中，可以提供节流阀来调节泵9，以通过调整有效泵送速度和/或通过使用具有x，即喷淋头装置10的进气孔18与出气孔20之间的间隔的合适值的喷淋头装置10来调节停留时间。在各种实施例中，气体分子的停留时间可以被定义为τ，其中τ＝υ/s，其中υ是反应空间的体积并且s是有效的体积泵送速度。s可以被定义为总有效泵送速度并且可以取决于喷淋头装置10中的孔数以及喷淋头装置10的进气孔18与出气孔20之间的距离x。停留时间可以描述特定气体物质在通过排气管线26泵出之前在反应空间内耗费的时间。
[0030]
在一些反应器2(等离子体以及热蚀刻反应器两者)中，反应空间的体积可以恒定。例如，如图7中所示，本文所公开的各种实施例向恒定反应空间环境提供溶液。在各种实施例中，停留时间可以在0.1毫秒至10秒的范围内。例如，停留时间可以在0.1毫秒至1毫秒、1毫秒至10毫秒、10毫秒至1秒、1秒至5秒、5秒至10秒，或5秒至1分钟的范围内。间隔距离x可以在若干毫米至若干厘米的范围内，例如在1毫米至5厘米的范围内、在1毫米至1厘米的范围内。
[0031]
图2说明根据各种实施例的半导体处理设备1的截面图，所述半导体处理设备包含用于将气体分散在衬底6上并且排气的双喷淋头装置10。在一些实施例中，双喷淋头10具有馈料到喷淋头装置10的上部部分12中的入口歧管11(例如，圆锥形顶部部分)。上部部分12可以包含上部喷淋头板13(其可以包括圆柱形或圆盘形主体)以及其下方的上气室24。上部喷淋头板13可以安置于喷淋头装置10的第二下部部分14上方。在一些实施例中，入口歧管
11和上部喷淋头板13可以单独地制造并且通过将两个组件焊接在一起而接合。在其它实施例中，入口歧管11和上部喷淋头板13可以通过机械接头接合在一起。在其它实施例中，双喷淋头10可以由单件材料制成。喷淋头10组件之间的连接可以导致真空或非真空类型的密封。在一些实施例中，在喷淋头装置10的上部部分12与下部部分14之间提供空间，这样形成上部喷淋头气室24。
[0032]
入口歧管11可以安装在上部部分12附近。入口歧管11可以连接到反应物蒸气源，这允许来自槽罐或汽化器的反应气体从入口歧管11流入喷淋头装置10中。若干通道42或分支可以形成于入口歧管11内并且可以例如通过上气室24与一个或多个进气孔18流体连通。通过入口歧管11进入喷淋头装置10中的反应物蒸气可以行进穿过在上部喷淋头板13中限定的通道15。在一些实施例中，喷淋头装置10的下部部分14可以包含进气口18(孔)和出气口或排气口20(孔)两者。反应物进气孔18通过上气室24与入口歧管气体通道42和进气口16流体连通，因此允许气体从喷淋头装置10流动以进入反应室3中。在一些实施例中，出气孔或排气孔20可以通过由例如泵9的真空源施加的真空压力将残余气体拉入喷淋头装置10中。如图所示，反应室出气口7可以从反应室3抽吸气体并且可以与一个或多个泵9流体连通。出气管线26可以连接到一个或多个泵9，这可以形成将残余物和其它气体抽吸到喷淋头装置10的排气口20中以及反应室排气口7中的真空压力。喷淋头装置10的进气口16和出气口26结构以及反应物室排气口7可以使反应器2能够针对蚀刻剂气体以及其副产物具有空间上均匀的分压、停留时间和温度。
[0033]
图3a到c说明在喷淋头装置10上方的进气歧管11的各种实施例。如可以在图3a中看出，进气歧管11可以具有主管线40。如可以在图3a和3b中看出，气体通道42可以从主管线40分出来。气体通道42在多个点处在多个方向上从主管线40分出来。主管线40可以具有略微圆锥形形状，其中主管线40的内径d朝向喷淋头的中心减小。通过朝向喷淋头10的中心减小内径d，通过入口16进入喷淋头10的气体可以通过更均匀方式行进到每个通道42。在一些实施例中，插入件44安装在主管线40内以使流径分叉，如可以在图3c中看出。插入件44阻挡主管线40内的流动，从而使气体以更均匀方式流动到每个分支42。
[0034]
图4和5示出喷淋头装置10的下部部分14可以包含在其间限定下部或内部气室22的两个板30、32。图5说明图4中所示的第二喷淋头板32。在一些实施例中，所说明的下部或内部气室22包括在第二喷淋头板32的底座上形成若干同心环的中空通道23，而第一喷淋头板30可以是平坦的以覆盖通道23。在一些实施例中，形成于第二板32中的进气孔18在通道23之间，因此绕过内部气室22(或通道)并且与第一板30中的进气孔18对准。在所说明的实施例中，出气孔20穿过通道23的底部形成。如上文所解释的，通道23或内部气室22连接到泵9。前体进气孔18、排气孔20、中空通道23以及与泵9的连接25可以跨越喷淋头装置的下部部分以分布式图案布置。例如，图5中所说明的用于反应物进气孔、排气孔和中空通道23的图案是圆形图案。本领域普通技术人员将了解，所说明的端口图案可以是不完整图案并且图案可以围绕喷淋头板的整个底座继续。在一些实施例中，前体进气口18、排气口20、中空通道23以及与泵9的连接25可以通过彼此类似或不同的图案布置。如图5中所示，在一些实施例中，喷淋头装置10的下部部分14可以具有彼此成90度的与泵9的四个连接25。在其它实施例中，喷淋头装置10的下部部分14可以具有多于或少于与泵9的四个连接25。
[0035]
图6说明根据另一实施例的喷淋头装置10的下部部分14的第二喷淋头板32的上部
平面图。图6的第二喷淋头板32可以具有以任何合适方式成形的通道23，以限定下部或内部气室22。通道23可以采用若干不同形状和图案。例如，如图6中所示，中空通道23可以布置成z形或曲径图案。在一些实施例中，第二喷淋头板32可以包含多个通道23，其中每个通道23具有不同或类似图案。进气孔18可以形成于通道23外部，而排气孔20可以形成为与通道23流体流通，同时通道23连接到一个或多个泵9。
[0036]
图7说明具有如上所述的双喷淋头装置10和可移动基座板50的反应器2。可移动基座50可以形成具有动态反应空间的反应器2。动态反应空间可以包含调整可移动基座板50与喷淋头装置10之间的距离。例如，必要时，可以针对每一循环、每一半循环，或在任何时间周期性地改变反应空间。可以通过外部运动驱动器单元52调整可移动基座板50。外部运动驱动器单元52可以包括模拟或数字电机，并且可以机械地且电气地连接到可移动基座板50，由此外部运动驱动器单元52可以调整(例如，上下)可移动基座板50。在外部运动驱动器单元52连接到设备1的情况下，必要时晶片6与喷淋头装置10(或顶板，在交叉流反应器的情况下)之间的间隙可以随时间改变。在一些实施例中，可移动基座板50可以移动在1毫米至200毫米的范围内；在2毫米至100毫米的范围内；在2毫米至50毫米的范围内；或在3毫米至30毫米的范围内的距离。在一些实施例中，基座板可以移动在0.1毫米至50毫米的范围内；在0.1毫米至30毫米的范围内；或在0.1毫米至20毫米的范围内的距离。在一些实施例中，外部运动驱动器52可以使可移动基座板50旋转。在各种实施例中，控制系统可以与电机驱动器电连通，所述控制系统被配置成在蚀刻期间调整可移动基座板50与喷淋头装置10之间的距离。
[0037]
控制系统还可以被配置成控制在设备1中使用的工艺。在利用通过顶置式喷淋头装置10喷射和排气的操作的一个实例中，例如蚀刻剂的反应物以及排气过程可以在过程期间进行脉冲或交替以用于动态压力控制。反应物剂量因此可以分成多个短脉冲，这可以改进反应物分子到反应室中的分布，从而促进在每个反应物或吹扫脉冲期间通过衬底上的扩散和/或压力梯度的快速气体扩散。接通和断开阶段可以针对反应物重复至少两次。因此，反应空间的压力在低水平压力与高水平压力之间快速地波动。在接通阶段期间在反应空间中的所得压力梯度有效地将前体分子推动到反应空间的所有区域，而在断开阶段期间在反应空间中的所得压力梯度将气态反应副产物远离反应空间的表面拉动到出气口。如果常规的相对较长脉冲(例如，1秒)释放到反应室3，则允许压力均衡，因此失去动态扩散效果并且气流的主要部分往往直接通向出气口。当释放若干段脉冲(例如，3乘以0.3秒)时，在类似时间段中实现甚至更均匀分布。
[0038]
局部压力梯度增强气体在反应空间中的交换，并且增强分子在衬底表面与反应空间的气相之间的交换。已发现，当处理(例如，蚀刻)具有高纵横比特征的晶片，例如半导体衬底中的深、窄沟槽或通孔时，每个步骤(无论是吹扫步骤还是反应物步骤)的相同气体的多个脉冲都是特别有利的。因此，对于包含具有大于20:1纵横比，且更确切地说大于40:1纵横比的通孔和沟槽的蚀刻表面，连续的多个相同蒸气脉冲的过程以及随之而来的压力波动特别有利。与单个长脉冲相比，压力波动使得在更短的总体时间内能够更均匀地分布和/或覆盖此类通孔和沟槽内的表面。因此，减少总体处理时间(或用于循环处理的循环时间)。
[0039]
现将描述蚀刻工艺的一个实例。在前体a暴露期间，晶片6与喷淋头装置10之间的间隙可以为约3毫米并且可以针对反应物a的输送优化。在吹扫期间，可以相应地调整晶片6
与喷淋头装置10之间的间隙。在反应物b暴露时间期间，可以适当地调整间隙以输送反应物b。因此，所公开的实施例为工艺的每一步骤提供灵活性。本文所描述的设备可以用于包含等离子体蚀刻工艺的刻蚀工艺中。对于等离子体工艺，可以针对工艺的任何步骤调整和优化等离子体鞘宽度、离子轰击、停留时间、等离子体密度等。
[0040]
虽然已描述某些实施例，但这些实施例仅借助于实例呈现且并不意欲限制本公开的范围。实际上，本文所描述的新颖方法和系统可以各种其它形式体现。此外，可以在不脱离本公开的精神的情况下对本文中所描述的系统和方法作出各种省略、替代和改变。所附权利要求书及其等效物意图涵盖将属于本公开的范围和精神内的此类形式或修改。因此，仅参考所附权利要求书限定本公开的范围。
[0041]
结合特定方面、实施例或实例一起描述的特征、材料、特性或群组应被理解为可适用于在此区段或本说明书别处所描述的任何其它方面、实施例或实例，除非与之不相容。在本说明书(包含任何所附权利要求书、摘要和附图)中所公开的所有特征和/或如此公开的任何方法或过程的所有步骤可以任何组合形式组合，所述特征和/或步骤中的至少一些相互排斥的组合除外。保护不限于任何前述实施例的细节。保护扩展到本说明书(包含任何所附权利要求书、摘要和附图)中所公开的特征中的任何新颖特征或任何新颖组合，或扩展到如此公开的任何方法或过程的步骤中的任何新颖步骤或任何新颖组合。
[0042]
此外，在本公开中在单独实施方案的上下文中描述的某些特征还可以在单个实施方案中组合地实施。相反地，在单个实施方案的上下文中描述的各种特征还可以单独地或以任何合适的子组合在多个实施方案中实施。此外，尽管特征可以在上文描述为以某些组合起作用，但在一些情况下，来自所要求组合的一个或多个特征可以从所述组合切离，且所述组合可以被要求为子组合或子组合的变化。
[0043]
此外，虽然操作可以特定次序在图式中描绘或在说明书中描述，但此类操作无需以所示出的特定次序或以顺序次序执行，且无需进行所有步骤，以实现令人希望的结果。未经描绘或描述的其它操作可以并入在实例方法和过程中。例如，可以在所描述操作中的任一个之前、之后、同时地或之间执行一个或多个额外操作。此外，所述操作可以在其它实施方案中重新布置或重新排序。本领域技术人员应了解，在一些实施例中，所说明和/或所公开的过程中采取的实际步骤可以不同于图中所示出的那些步骤。取决于实施例，可以去除上文所描述的某些步骤，可以添加其它步骤。此外，上文所公开的具体实施例的特征和属性可以不同方式组合以形成额外的实施例，所有额外的实施例都属于本公开的范围。并且，上文所描述的实施方案中的各种系统组件的分离不应被理解为在所有实施方案中都要求此类分离，且应理解，所描述的组件和系统可以大体上一起集成在单个产品或封装到多个产品中。
[0044]
出于本公开的目的，本文中描述了某些方面、优点和新颖特征。根据任何特定实施例，不一定所有此类优点都能实现。。因此，例如，本领域技术人员将认识到，本公开可以实现如本文中所教示的一个优点或一组优点的方式来体现或实施，而无需实现如本文可以教示或建议的其它优点。
[0045]
除非另外具体陈述或另外在如所使用的上下文内进行理解，否则条件性语言，例如“可(can、could、might或may)”一般意图传达某些实施例包含而其它实施例不包含某些特征、元件和/或步骤。因此，此条件性语言通常并非意图暗示特征、元件和/或步骤无论如
何都是一个或多个实施例所需要的，或者所述一个或多个实施例必须包含用于在具有或不具有用户输入或提示的情况下决定这些特征、元件和/或步骤是否包含于任一特定实施例中或有待于在任一特定实施例中执行的逻辑。
[0046]
除非另外具体陈述，否则例如短语“x、y和z中的至少一个”的连接性语言在所使用的上下文中一般另外理解为传达某一条目、项等可以是x、y或z中的任一个。因此，此连接性语言并非大体上意图暗示某些实施例需要存在x中的至少一个、y中的至少一个和z中的至少一个。
[0047]
本文中所使用的程度语言，例如如本文中所使用的术语“大致”、“约”、“大体上”和“基本上”表示接近所陈述的值、量或特性且仍能发挥所期望的功能或实现所期望的结果的值、量或特性。例如，术语“大致”、“约”、“大体上”和“基本上”可以指所陈述量的小于10％内、小于5％内、小于1％内、小于0.1％内和小于0.01％内的量。作为另一实例，在某些实施例中，术语“大体上平行”和“基本上平行”是指值、量或特性偏离精确平行小于或等于15度、10度、5度、3度、1度或0.1度。
[0048]
本公开的范围并不意欲由在此区段或本说明书别处的优选实施例的具体公开内容限制，且可以由如呈现在此区段或本说明书别处或如将来呈现的权利要求书限定。权利要求书的语言将广泛地基于权利要求书中采用的语言进行解释，并且不限于本说明书中或在申请审查期间所描述的实例，所述实例应被解释为非排他性的。