1.氧化镓在压电材料上的应用，其特征在于，所述氧化镓为ε相氧化镓。
2.压电薄膜，其特征在于，由ε相氧化镓制成。
3.根据权利要求2所述压电薄膜，其特征在于，ε相氧化镓制备温度不高于850℃。
4.根据权利要求2所述压电薄膜，其特征在于，厚度为0.1～100微米。
5.根据权利要求2所述压电薄膜，其特征在于，表面的晶面取向为(001)取向。
6.根据权利要求2所述压电薄膜，其特征在于，ε相氧化镓结晶于异质衬底上，且衬底表面的实际晶向相对于衬底晶向存在0～6°的倾斜角。
7.根据权利要求6所述压电薄膜，其特征在于，所述异质衬底为蓝宝石、4h-sic、6h-sic、gaas、inp、si、sio2/si其中之一。
8.根据权利要求6所述压电薄膜，其特征在于，所述异质衬底晶向为蓝宝石(001)、4h-sic(001)、6h-sic(001)、gaas(111)、inp(111)、si(111)、sio2/si(111)其中之一。
9.应用权利要求2-8任一所述压电薄膜的压电器件。
10.根据权利要求10所述压电器件，其特征在于，具体为压电谐振器、温度传感器、化学传感器。