技术特征：
1.形成包括至少两种非氧元素的氧化物膜的方法，所述方法包括：将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。2.如权利要求1所述的方法，其中所述电子给体化合物包括具有未共享电子对的含氧的、含氮的、含硫的、或含磷的烃化合物。3.如权利要求1所述的方法，其中所述电子给体化合物包括如下的至少一种：c1-c10醇化合物、c2-c10醚化合物、c3-c10酮化合物、c6-c12芳基化合物、c3-c15烯丙基化合物、c4-c15二烯化合物、c5-c20β-二酮化合物、c5-c20β-酮亚胺化合物、c5-c20β-二亚胺化合物、氨、c1-c10胺化合物、c1-c10硫醇化合物、和c2-c10硫醚化合物。4.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述第一源材料提供在所述基材上之前将所述电子给体化合物提供在所述基材上。5.如权利要求4所述的方法，其进一步包括在将所述第二源材料提供在所述基材上之后并且在提供所述氧化剂之前将所述电子给体化合物提供在所述基材上。6.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述第二源材料提供在所述基材上之后并且在提供所述氧化剂之前将所述电子给体化合物提供在所述基材上。7.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一源材料提供在所述基材上在时间上至少部分地与提供所述电子给体化合物重叠。8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一中心元素和所述第二中心元素各自独立地包括如下的至少一种：铍(be)、硼(b)、钠(na)、镁(mg)、铝(al)、硅(si)、钾(k)、钙(ca)、钪(sc)、钛(ti)、钒(v)、铬(cr)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、镍(ni)、铜(cu)、锌(zn)、镓(ga)、锗(ge)、铷(rb)、锶(sr)、钇(y)、锆(zr)、铌(nb)、钼(mo)、锝(tc)、钌(ru)、铑(rh)、钯(pd)、银(ag)、镉(cd)、铟(in)、锡(sn)、锑(sb)、碲(te)、铯(cs)、钡(ba)、镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)、铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)、汞(hg)、铊(tl)、铅(pb)、铋(bi)、钋(po)、钫(fr)、镭(ra)、锕(ac)、钍(th)、镤(pa)、和铀(u)。9.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂包括如下的至少一种：h2o、o2、o3、n2o、no、no2、n2o4、h2o2、c1-c10醇、c2-c10醚、c3-c10酮、c1-c10羧酸、和c1-c10酯。10.如权利要求1所述的方法，其中
在一个原子层沉积循环中包括将所述第一源材料提供在所述基材上、提供所述电子给体化合物、将所述第二源材料提供在所述基材上、和提供所述氧化剂，其中进行所述原子层沉积循环多次。11.制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成与半导体基材的有源区域电连接的下部电极；在所述下部电极的暴露表面上形成介电膜；和在所述介电膜上形成上部电极，其中所述形成介电膜包括：将第一源材料提供在所述下部电极的所述暴露表面上；提供能够与所述第一源材料形成范德华键的电子给体化合物；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述下部电极上；和将氧化剂提供在所述下部电极上。12.如权利要求11所述的方法，其中所述电子给体化合物包括具有未共享电子对的含氧的、含氮的、含硫的、或含磷的烃化合物。13.如权利要求12所述的方法，其中所述电子给体化合物包括如下的至少一种：c1-c10醇化合物、c2-c10醚化合物、c3-c10酮化合物、c6-c12芳基化合物、c3-c15烯丙基化合物、c4-c15二烯化合物、c5-c20β-二酮化合物、c5-c20β-酮亚胺化合物、c5-c20β-二亚胺化合物、氨、c1-c10胺化合物、c1-c10硫醇化合物、和c2-c10硫醚化合物。14.如权利要求12所述的方法，其中所述电子给体化合物包括c1-c10醇化合物、c2-c10醚化合物、c3-c10酮化合物、或c1-c10胺化合物。15.如权利要求11所述的方法，其中所述第一源材料包括作为金属或半金属的第一中心元素，所述第二源材料包括作为金属或半金属的第二中心元素，和所述第一中心元素和所述第二中心元素各自为硼(b)、铝(al)、硅(si)、锗(ge)、钪(sc)、钇(y)、镧(la)、钛(ti)、锆(zr)、或铪(hf)。16.如权利要求12所述的方法，其中当提供所述电子给体化合物开始时的时间点早于当提供所述第一源材料开始时的时间点。17.如权利要求16所述的方法，其中当提供所述电子给体化合物结束时的时间点晚于当提供所述第一源材料结束时的时间点。18.如权利要求12所述的方法，其中将所述第一源材料提供在所述下部电极的所述暴露表面上在时间上至少部分地与提供所述电子给体化合物重叠。19.形成介电膜的方法，所述方法包括：将基材提供到反应室中；
将第一电子给体化合物提供在所述基材上；和重复沉积循环，直至在所述基材上形成氧化物膜至设定厚度，其中所述沉积循环包括：将第一源材料提供在所述基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供第二电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述第二电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。20.如权利要求19所述的方法，其中将所述第一源材料提供在所述基材上和将所述第二源材料提供在所述基材上在时间上分开进行，和在时间上，在将所述第一源材料提供在所述基材上和将所述第二源材料提供在所述基材上之间，至少部分地进行提供所述第二电子给体化合物。