技术总结
本发明提供湿蚀刻方法，在湿蚀刻时，抑制清洗水的飞散。要进行湿蚀刻的晶片(W)支承于具有间隙的晶片支承件(3)。在通过清洗水对晶片支承件(3)所支承的晶片(W)的上表面进行清洗时，通过配置于晶片支承件(3)的下方的清洗液用瓶(32)对从晶片支承件(3)的间隙流下的清洗水进行回收。由此，能够一边抑制清洗水向晶片(W)的周围飞散一边良好地回收清洗水。片(W)的周围飞散一边良好地回收清洗水。片(W)的周围飞散一边良好地回收清洗水。
技术研发人员：松崎荣
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2020.07.28
技术公布日：2021/2/2