显示装置的制作方法

1.本揭露涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着显示装置的普及性越来越高，显示装置的性能表现越发重要，例如消费者对广色域的要求越来越重视。为此，发展出利用量子点来提升色域的显示装置。然而，常见搭配有量子点的自发光显示装置均为顶发射类型(top emission type)，而未见有将量子点应用到底发射类型(bottom emission type)的显示装置中。


技术实现要素：

3.本揭露的一实施例提供一种显示装置，其包括基板、主动元件、发光元件、颜色转换元件以及遮光元件。主动元件包括通道，且主动元件设置于基板上。发光元件通过主动元件驱动而发射第一光线。从发光元件发射的第一光线进入颜色转换元件并被转换为一第二光线，第二光线穿过基板，且主动元件的通道通过遮光元件保护而不受第二光线的至少一大部分照射。
附图说明
4.图1所示为本揭露第一实施例的显示装置的剖视示意图。
5.图2到图5所示为本揭露第一实施例的不同变化实施例的主动元件与第一遮光层的剖视示意图。
6.图6所示为本揭露第二实施例的显示装置的剖视示意图。
7.图7所示为本揭露第三实施例的显示装置的剖视示意图。
8.图8所示为本揭露第四实施例的显示装置的剖视示意图。
9.图9所示为本揭露第五实施例的显示装置的剖视示意图。
10.图10所示为本揭露第六实施例的显示装置的剖视示意图。
11.图11所示为本揭露第七实施例的显示装置的剖视示意图。
12.图12与图13所示为本揭露第八实施例的显示装置的制作方法示意图。
13.图14与图15所示为本揭露第九实施例的显示装置的制作方法示意图。
14.图16至图23所示为本揭露第十实施例的显示装置的制作方法示意图。
15.图24至图26所示为本揭露一些实施例形成彩色滤光层的方法示意图。
16.图27所示为本揭露一些实施例于第一遮光层与彩色滤光层上形成填平层与保护层的方法示意图。
17.图28所示为本揭露一些实施例形成第二遮光层的方法示意图。
18.图29至图31所示为本揭露一些实施例形成颜色转换元件与填充元件的方法示意图。
19.图32所示为本揭露一些实施例于第二遮光层与颜色转换元件上形成填平层与保
护层的方法示意图。
20.图33所示为本揭露一些实施例形成通孔结构的方法示意图。
21.图34所示为本揭露一些实施例的通孔结构示意图。
22.附图标记说明：1、2、3、4、5、6、7、8、9、10-显示装置；102-基板；102s1-下表面；102s2、108s、120s、122s、s-上表面；104-主动元件；106-发光元件；106a-第一电极；106b-发光层；106c-第二电极；106r-集光结构；108-颜色转换元件；108a-第一颜色转换元件；108a1-第一颜色转换层；108b-第二颜色转换元件；108b1-第二颜色转换层；108p、120p、122p-突起部分；110-遮光元件；110a-第一遮光层；110ap-平坦部；110b-第二遮光层；110c-第三遮光层；112-主动元件层；114-第一绝缘层；116-第二绝缘层；120-彩色滤光层；120a-第一彩色滤光层；120b-第二彩色滤光层；120c-第三彩色滤光层；122-填充元件；1221-填充层；118、124、128、136、540-填平层；124r、128r-凹陷；126、130-保护层；130p-突起部；130r-凹陷部；132-像素定义层；134-缓冲层；138-绝缘层；138s-倾斜表面；82-主动基板；94a-第一堆栈；94b-第二堆栈；94c-第三堆栈；94r-凹槽；ch；cp-通道；颜色转换元件中心点；d1-第一方向；d2-第二方向；g-闸极；l1-第一光线；l2、l2
’-
第二光线；m1-第一金属层；m2-第二金属层；op1、op2、opp、op3、op11、op12、op13、op21、op22、op23-开口；p1-上部分；p2-下部分；s1-间距；sd1-源(汲)极；sd2-汲(源)极；th、th1、th2-通孔；ts-通孔结构；ts1-第一通孔结构；ts2-第二通孔结构；vd-法线方向。
具体实施方式
23.下文结合具体实施例和附图对本揭露的内容进行详细描述，且为了使本揭露的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本揭露的范围。
24.本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词均为开放式词语，因此应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
25.以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本揭露。必需了解的是，为特别描述或图标之元件可以此技术人士所熟知之各种形式存在。此外，当元件或膜层被称为在另一元件或另一膜层上，或是被称为与另一元件或另一膜层连接时，应被了解为所述的元件或膜层是直接位于另一元件或另一膜层上，或是直接与另一元件或膜层连接，也可以是两者之间存在有其他的元件或膜层(非直接)。但相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，则应被了解两者之间不存在有插入的元件或膜层。
26.说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等之用词，以修饰权利要求之元件，其本身并不意含及代表所述要求元件有任何之前的序数，也不代表某一要求元件与另一要求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，所述序数的使用仅用来使具有某命名的一要求元件得以和另一具有相同命名的要求元件能作出清楚区分。
27.在此，“约”、“大致”的用语通常表示在一给定值或范围的15％内，例如10％内、5％
内、3％之内、2％之内、1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大致”的情况下，仍可隐含“约”、“约”、“大致”的含义。
28.需说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。
29.本揭露的显示装置可包括发光装置、感测装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。显示装置可为可弯折或可挠式显示装置。显示装置可例如是拼接显示装置，但不以此为限。需注意的是，显示装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。显示装置可以应用于任何需要光源、发光或显示设备的电子产品或电子装置中，例如但不限于电视、平板计算机、笔记本电脑、手机、相机、穿戴式装置、电子娱乐装置等。
30.图1所示为本揭露第一实施例的显示装置的剖视示意图。为清楚显示本揭露的主要特征，本文中的附图示出部分显示装置的剖视图，但不以此为限。如图1所示，本实施例所提供的显示装置1可包括基板102、主动元件104、发光元件106、颜色转换元件108、以及遮光元件110，其中主动元件104、发光元件106、颜色转换元件108与遮光元件110可设置于基板102上。发光元件106可通过主动元件104驱动而发射第一光线l1，使从发光元件106发射的第一光线l1可进入颜色转换元件108并被转换为第二光线l2、l2’，且第二光线l2、l2’可穿过基板102而从基板102相对于发光元件106的下表面102s1射出，因此显示装置1可例如为所谓的底发射类型(bottom emission type)显示装置。需说明的是，由于颜色转换元件108在吸收第一光线l1之后所产生的第二光线l2、l2’可不具有方向性，也就是第二光线l2、l2’的行进方向可不同于第一光线l1的行进方向，因此为了减缓或避免主动元件104因受到第二光线l2、l2’的照射而产生电性上的偏移(例如临界电压的偏移)或漏电，在本揭露中，主动元件104的通道ch为半导体层中与闸极(g)所对应的部分(如图1所示)，由于通道ch受到第二光线l2、l2’的照射会使得通道ch产生电性上的偏移(例如临界电压的偏移)或漏电，因此通道ch可通过遮光元件110保护使通道ch不受第二光线l2、l2’的至少一大部分照射，进而让显示装置1的运作可符合预期，其中针对通道ch可通过遮光元件110保护而不受第二光线l2、l2’的至少一大部分照射的其中一种做法，可从颜色转换元件108的中心点cp向主动元件104的通道ch任意一点画一直线(该直线即表示第二光线l2、l2’的任何一个光路径)，其中该直线有包含到(或横跨)遮光元件110的任何部分即可使得主动元件104的通道ch可通过遮光元件110保护而不受第二光线l2、l2’的至少一大部分照射，但本实施例不限于此。
31.本实施例所提供的显示装置1的具体结构将描述于下文中。在图1的实施例中，主动元件104、发光元件106、颜色转换元件108与遮光元件110可设置于基板102的同一侧上，但不限于此。基板102可例如包括可挠基板或不可挠基板。基板102的材料可例如包括玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、石英(quartz)、蓝宝石(sapphire)、亚克力(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide,pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,pet)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、聚醚砜(pes)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)或聚芳酯(par)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。
32.如图1所示，主动元件104设置于遮光元件110与基板102之间，且颜色转换元件108位于主动元件104的上方，使得遮光元件110的至少一部分可设置于颜色转换元件108与主动元件104的通道ch之间，因此遮光元件110可阻挡颜色转换元件108所产生的第二光线l2、
l2’，进而降低或避免主动元件104的电性受到第二光线l2、l2’的影响。举例来说，遮光元件110沿着法线方向vd投射到一平面(例如基板102的上表面102s2)的投影边缘与通道ch沿着法线方向vd投射到相同平面(例如基板102的上表面102s2)的投影边缘，其中遮光元件110与通道ch面对同侧的两投影边缘的间距s1范围从0.5微米到5微米，其中间距s1为所述两投影边缘之间最短的距离。在图1中，间距s1可为在平行基板102的上表面102s2的方向上的任一间距，且平行上表面102s2的方向可例如为第一方向d1或第二方向d2。
33.在一实施例中，显示装置1可包括主动元件层112，设置于遮光元件110与基板102之间以及颜色转换元件106与基板102之间，并用以控制发光元件106的开关与第一光线l1的亮度大小，使显示装置1达到显示影像的效果。主动元件层112中可设置有多个主动元件104，且主动元件104可分别电连接到发光元件106，用以驱动对应的发光元件106，其中主动元件104可包括通道ch，且通过调整通道ch中的电荷可控制通过通道ch的电流或电压大小，进而控制发光元件106的开关与第一光线l1的亮度大小。图1中的主动元件104可例如为驱动元件，但不以此为限。在图1中，一个主动元件104可电连接到一个发光元件106，但不限于此。在一些实施例中，一个主动元件104也可电连接到对应产生相同颜色的第二光线l2、l2’的颜色转换元件108的多个发光元件106。
34.在一些实施例中，主动元件层112的结构不限如图1所示，而还可包括多条信号线以及多个开关元件(图未示)，其中信号线可例如包括数据线、扫描线与电源线，而开关元件可电连接到对应的主动元件104，用以控制通道中的电荷。在一些实施例中，主动元件层112还可包括用以控制显示装置1的线路，例如闸极驱动电路，但不限于此。在一些实施例中，开关元件也可在基板102的法线方向vd上设置于遮光元件110与基板102之间，以降低或避免其电性受到第二光线l2、l2’的影响。在一些实施例中，主动元件层112可包括7t2c类型的像素电路(即包括七个薄膜晶体管以及两个电容)、7t3c类型的像素电路(即七个薄膜晶体管以及三个电容)、3t1c类型的像素电路(即三个薄膜晶体管以及一个电容)、3t2c类型的像素电路(即三个薄膜晶体管以及两个电容)或其他合适类型的像素电路架构。
35.举例来说，主动元件104及/或开关元件可为薄膜晶体管，但不限于此。图1所示的主动元件104以顶闸型薄膜晶体管为例，主动元件层112可包括通道ch、第一绝缘层114、第一金属层m1、第二绝缘层116以及第二金属层m2，第一绝缘层114可设置于通道ch上，并作为主动元件104的闸极绝缘层，第一金属层m1设置于第一绝缘层114上，并可例如形成主动元件104的闸极g以及和闸极g电性连接的扫描线，第二绝缘层116设置于第一绝缘层114与第一金属层m1上，且第二金属层m2设置于第二绝缘层116上，并可例如形成主动元件的源(汲)极sd1与汲(源)极sd2以及和汲(源)极sd2电性连接的数据线。第二绝缘层116可具有通孔，使源(汲)极sd1与汲(源)极sd2可通过通孔电连接到通道ch。在一些实施例中，主动元件104的晶体管结构不限于此，也可例如为底闸型(bottom-gate type)晶体管，或亦可视需求改为双闸极晶体管或其他适合的晶体管。或者，通道ch也可例如包括非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(low-temperature polysilicon,ltps)、低温多晶氧化物(low-temperature polycrystalline oxide,ltpo)、或氧化物半导体(metal-oxide semiconductor)，且不限于此。随着薄膜晶体管的类型的不同，显示装置1中的绝缘层的数量可不相同。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管可包含不同材料的通道ch，但不限于此。在一些实施例中，通道ch可例如包括p型掺杂或n型掺杂的半导体，但不限于此。在一些实施
例中，主动元件层112可包括填平层118，设置于主动元件104上，使得形成在主动元件层112上的元件可形成在平坦的表面上，以降低所形成的元件的不良。在一些实施例中，基板102的下表面102s1还可设置有光学膜，例如四分之一波片、抗反射层或其他适合的膜层。
36.在图1的实施例中，遮光元件110可包括第一遮光层110a与第二遮光层110b，且第一遮光层110a设置于基板102(或主动元件层112)与第二遮光层110b之间。第一遮光层110a设置于主动元件层112上且具有多个开口op1，而第二遮光层110b可设置于第一遮光层110a上并具有多个开口op2。举例来说，在法线方向vd上，一个开口op2可对应一个开口op1，且一个发光元件106可对应一个开口op2，但不限于此。在一些实施例中，对应一个开口op2的发光元件106的数量可依据实际设计做调整。在一实施例中，第一遮光层110a的遮光密度(optical density,od)及/或第二遮光层110b的遮光密度可例如大于2.5，以达到遮光或阻挡光线穿透的功能。举例来说，遮光元件110及/或第一遮光层110a的材料及/或第二遮光层110b的材料可分别包括吸光材料、反光材料或其他合适的材料，但不限于此。吸光材料可例如包括遮光树脂，举例来说，吸光材料可包括具有绝缘特性的黑色光阻材料、黑色油墨(ink)材料、掺入碳(carbon)、钛(titaium)、颜料(pigment)或染料(dye)的光阻材料、掺入碳(carbon)、钛(titaium)、颜料(pigment)或染料(dye)的油墨材料或其他合适的材料。当第一遮光层110a使用吸光材料时，第一遮光层110a在法线方向vd上的厚度范围可例如为1.2微米(μm)到2.5微米，但不限于此。反光材料可例如包括金属或其他合适的材料，当第一遮光层110a使用反光材料时，第一遮光层110a的厚度范围可例如为900埃(angstrom)到1.2微米，但不以此为限。在一些实施例中，第二遮光层110b的厚度可例如大于第一遮光层110a的厚度。需说明的是，本文中所使用的“厚度”是指元件在基板102的法线方向vd上的最大厚度。在一些实施例中，可使用光学显微镜(optical microscopy，om)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，sem)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪或其它合适的方式量测各元件的厚度。详细而言，在一些实施例中，可使用扫描式电子显微镜取得结构的任一剖面影像，并量测各元件于影像中的厚度。
37.在一些实施例中，第一遮光层110a及/或第二遮光层110b沿着法线方向vd观看的俯视形状可例如为网状、线状、块状、点状或其他合适的形状。在一些实施例中，第一遮光层110a与第二遮光层110b在剖面方向上的形状可例如分别为矩形、梯形或其他合适的形状。剖面方向可例如为第一方向d1或第二方向d2。
38.在图1的实施例中，显示装置1还可包括多个彩色滤光层120，分别设置于对应的开口op1中。彩色滤光层120与颜色转换元件108可设置于基板102的同一侧，且彩色滤光层120可设置于基板102(或主动元件层112)与颜色转换元件108之间，用以提升从基板102射出的第二光线l2、l2’的颜色纯度或提升显示装置1的色域。进一步来说，彩色滤光层120可包括第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c，分别设置于对应的开口op1中。并且，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的其中至少两个的颜色可不相同。举例来说，第一彩色滤光层120a的颜色、第二彩色滤光层120b的颜色与第三彩色滤光层120c的颜色可包括红色、绿色、黄色、洋红色(magenta)、青色(cyan)、蓝色、无色或白色。当第一彩色滤光层120a的颜色与第二彩色滤光层120b的颜色相同时，第一彩色滤光层120a与第二彩色滤光层120b可例如为黄色，而第三彩色滤光层120c可例如为无色、白色或蓝色。或者，当第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩
色滤光层120c均具有不同的颜色时，第一彩色滤光层120a可例如为红色或洋红色，第二彩色滤光层120b可例如为绿色或青色，而第三彩色滤光层120c可例如为蓝色、无色与白色，但不以此为限。举例来说，彩色滤光层120可包括光阻材料或油墨材料，但不限于此。本文中的“光阻材料”可指具有光阻型态或特性的材料。
39.在图1的实施例中，颜色转换元件108设置于基板102(或主动元件层112)与发光元件106之间，且颜色转换元件108与主动元件104的通道ch之间至少设置有第一遮光层110a，使得颜色转换元件108所产生的第二光线l2、l2’可至少被第一遮光层110a遮蔽。在法线方向vd上，颜色转换元件108可对应发光元件106，使得发光元件106所产生的第一光线l1可进入对应的颜色转换元件108，且颜色转换元件108在吸收部分第一光线l1之后会产生第二光线l2、l2’。因此，相较于第一光线l1，第二光线l2、l2’可具有较长的峰值波长。举例来说，第一光线l1可为蓝光，第二光线l2、l2’可为红光或绿光，但不限于此。颜色转换元件108可例如包括磷光材料(phosphor material)、荧光材料(fluorescent material)、量子点(quantum dots)、彩色滤光材料或其他能转换光线颜色的颜色转换材料，且上述颜色转换材料可任意排列组合，且不以此为限。在一些实施例中，由于第二遮光层110b的厚度大于第一遮光层110a的厚度，使得设置于开口op2中的颜色转换元件108在法线方向vd上的厚度可大于设置于开口op1中的彩色滤光层120的厚度，如此可提升第一光线l1在颜色转换元件108中传递路径，进而提升颜色转换元件108的颜色转换效率。在图1的实施例中，一个颜色转换元件108可对应一个发光元件106，但不限于此。在一些实施例中，一个颜色转换元件108可对应多个发光元件106。
40.如图1所示，显示装置1可包括多个颜色转换元件108，且每一个颜色转换元件108设置于对应的一个开口op2中，使得遮光元件110的第二遮光层110b可设置于两相邻的颜色转换元件108之间，用以阻挡不同颜色的第二光线l2、l2’的混光。举例来说，颜色转换元件108可包括第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b，且第一颜色转换元件108a所产生的第二光线l2的颜色不同于第二颜色转换元件108b所产生的第二光线l2’的颜色。在一实施例中，显示装置1还可包括填充元件122，设置于未对应颜色转换元件108的开口op2中。举例来说，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b与填充元件122可分别设置在对应的一个开口op2中。由于填充元件122为无色透明，因此发光元件106所产生的第一光线l1可在不改变颜色的情况下直接通过填充元件122，使得第一光线l1可做为作为像素或子像素的光线，且第一光线l1与不同颜色的第二光线l2、l2’可混合出白光。举例来说，第一光线l1可为蓝光，第一颜色转换元件108a可产生红光，且第二颜色转换元件108b可产生绿光，但不限于此。在图1的实施例中，第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b可分别为单层颜色转换层，但不限于此。在一些实施例中，第一颜色转换元件108a及/或第二颜色转换元件108b可包括多层颜色转换层，例如如图13所示。在图1的实施例中，填充元件122可为单层填充层，且填充层可包括透明树脂或其他合适的材料，但不限于此。在一些实施例中，填充元件122也可包括多层填充层。在一些实施例中，填充层可与第三彩色滤光层120c包括相同的材料或具有相同的颜色。在一些实施例中，填充元件122还可包括散射粒子(图未示)，用以均匀化从开口op2朝向基板102射出的第一光线l1。散射粒子的材料例如包括二氧化钛(tio2)、氧化锌(zno
x
)或具有散射特性的结构粒子，且不限于此。
41.在一些实施例中，如图1所示，显示装置1还可包括填平层124，设置于第一遮光层
110a与第二遮光层110b之间以及彩色滤光层120与颜色转换元件108之间，并具有平坦的上表面。需说明的是，彩色滤光层120的上表面与第一遮光层110a的上表面并非位于同一平面而有高低落差，因此当第二遮光层与颜色转换元件直接制作在不平整的表面上时，第二遮光层110b容易产生漏光，且从不同颜色转换元件108所产生的光线容易发生混光。在图1的实施例中，通过填平层124的设置，第二遮光层110b与颜色转换元件108可设置于平坦的上表面上，进而减缓或避免第二遮光层110b与颜色转换元件108的制作不良，以改善漏光与混光的问题。填平层124可例如包括透明树脂或其他合适的材料。在一些实施例中，如图1所示，显示装置1还可包括保护层126，设置于填平层124与第二遮光层110b之间或/和填平层124与颜色转换元件108之间。在此情况下，保护层126可均匀地形成在填平层124上，使得其上表面也可为平坦的。保护层126可包括无机材料层、有机材料层与无机材料层的堆栈。举例来说，无机材料层可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝或其他适合的保护材料，或上述无机材料的任一组合，但不限于此。有机材料层可包括树脂，但不限于此。在一些实施例中，保护层也可为单层无机材料层或多层无机材料层的堆栈。在一些实施例中，保护层126也可设置于第一遮光层110a与填平层124之间以及彩色滤光层120与填平层124之间。
42.在一些实施例中，如图1所示，显示装置1还可包括另一填平层128，设置于第二遮光层110b与颜色转换元件108上，且发光元件106设置于填平层128上。填平层128可例如与填平层124包括相同材料，但不限于此。在一些实施例中，显示装置1还可包括另一保护层130，设置于填平层128与发光元件106之间，其中保护层130或填平层128也可以保护水氧不进入颜色转换元件108或填充元件122。在一些实施例中，保护层130与填平层128的堆栈顺序也可互换。保护层130可例如与保护层126包括相同材料，但不限于此。
43.如图1所示，发光元件106可设置于保护层130(或填平层128)上。发光元件106可例如包括无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)、量子点发光二极管(quantum dot led，可包括qled、qdled)、纳米线发光二极管(nano wire led)或棒状发光二极管(bar type led)。在一些实施例，发光元件106还可包括荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。图1的发光元件106以有机发光二极管为例，但不限于此。发光元件106可包括第一电极106a、发光层106b与第二电极106c，且发光层106b设置于第一电极106a与第二电极106c之间，用以产生第一光线l1。在图1的实施例中，第一电极106a设置于保护层130上，且显示装置1还可包括像素定义层132，设置于保护层130与第一电极106a上，且像素定义层132可包括多个开口opp，对应多个发光区域。像素定义层132可例如包括有机材料，但不限于此。在一实施例中，不同发光元件106的发光层106b可为一连续的发光层，从像素定义层132的上表面经过侧壁延伸到由不同开口opp曝露出的不同第一电极106a上，且不同发光元件106的第二电极106c可为连续的电极，设置于发光层106b上。在一些实施例中，设置于多个第一电极106a的发光层106b与第二电极106c也可包括不连续的区块，分别对应多个第一电极106a，但不限于此。在图1的实施例中，保护层130、填平层128、第二遮光层110b、保护层126、填平层124、第一遮光层110a与填平层118可具有多个通孔th，且通孔th中设置有通孔结构ts，使发光元件106的第一电极106a可通过通孔th中的通孔结构ts电连接到对应的主动元件104。通孔结构ts可包括导电材料，所述导电材料可例如与第一电极106a包括相同材料，但不限于此。在一些
实施例中，至少一开口opp中也可设置有多个发光元件106。在一些实施例中，第二电极106c可电连接至驱动电路，但不限于此。
44.在一些实施例中，发光元件106可包括单层或多层发光层106b，且不限于此。在一些实施例中，发光元件106还可包括电洞传输层、电洞注入层、电子传输层、电子注入层与电荷产生层，设置于第一电极106a与第二电极106c之间，且不在此限。当第一电极106a为阳极，第二电极106c为阴极时，电洞传输层与电洞注入层可设置于第一电极106a与发光层106b之间，电子传输层、电子注入层可设置于第二电极106c与发光层106b之间。当发光元件106包括多层发光层106b时，电荷产生层可设置于两个发光层106b之间，但不限于此。在一些实施例中，第一电极106a与第二电极106c也可分别为阴极与阳极，但不限于此。
45.第一电极106a可包括具有透明或半透明的导电材料，例如银(ag)、铝(al)、镱(yb)、钛(ti)、镁(mg)、镍(ni)、锂(li)、钙(ca)、铜(cu)、氟化锂/镓(lif/ga)、氟化锂/铝(lif/al)、镁银(mgag)、钙银(caag)、纳米银胶或其他适合的导电材料，或上述导电材料的任意排列组合。由于第一电极106a具有例如几纳米到数十纳米的厚度，因此可允许光线通过。第二电极106c可包括具有反光特性的导电材料，例如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、铁(fe)或其他适合的金属，或上述金属的任意排列组合。
46.在一些实施例中，如图1所示，显示装置1还可选择性包括缓冲层134，设置于基板102与主动元件层112之间。缓冲层134可例如用于阻挡水气或氧气或离子进入显示装置1。缓冲层134可为单层或多层，缓冲层134的材料可例如包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、树脂、其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。
47.显示装置并不以上述实施例为限，且可具有不同的实施例或变化实施例。为简化说明，下文中不同的实施例与变化实施例将使用与第一实施例相同标号标注相同元件。为容易比较第一实施例与不同的实施例与变化实施例之间的差异，下文将突显不同的实施例与变化实施例的差异，且不再对重复部分作赘述。
48.图2到图5所示为本揭露第一实施例的不同变化实施例的主动元件与第一遮光层的剖视示意图。在一变化实施例中，如图2所示，第一遮光层110a在剖面方向上的上表面可例如为弧状，使得倾斜射入第一遮光层110a的光线可遇到具有一定厚度的第一遮光层110a，因此相较于剖面形状为矩形的第一遮光层110a，具有弧形上表面的第一遮光层110a可遮蔽较多倾斜射入的光线。在所述变化实施例中，主动元件层112及/或其他元件可与图1类似或相同，因此在此不赘述，但不以此为限。
49.在另一变化实施例中，如图3所示，第一遮光层110a也可包覆主动元件104，而设置于主动元件层112中，以此可阻挡进入主动元件层112中的第二光线照射主动元件104。在此情况下，第一遮光层110a可包括绝缘吸光材料，例如黑色的光阻材料或油墨材料，但不限于此。并且，主动元件层112可包括填平层136，设置于第一遮光层110a与基板102上。在一些实施例中，当第一遮光层110a包覆主动元件104时，显示装置1还可包括另一遮光层(图未示)，设置于主动元件层112上。所述另一遮光层或遮光元件可包括反光材料，例如钼(mo)、铝(al)、铬(cr)等金属材料，但不限于此。在所述变化实施例中，主动元件层112及/或其他元件可与图1类似或相同，因此在此不赘述，但不以此为限。
50.在又一变化实施例中，如图4所示，第一遮光层110a可包括反光金属材料，例如钼
(mo)、铝(al)、铬(cr)等金属，但不限于此。在此情况下，第一遮光层110a可围绕主动元件104，且与主动元件104分隔开。例如，第一遮光层110a与主动元件104之间设置有绝缘层138。举例来说，第一遮光层110a可具有圆弧的剖面形状，但不限于此。在所述变化实施例中，主动元件层112及/或其他元件可与图1类似或相同，因此在此不赘述，但不以此为限。
51.在再一变化实施例中，如图5所示，与图4不同的是，绝缘层138可具有平坦的两倾斜表面138s，且第一遮光层110a可包括倾斜的至少两平坦部110ap，分别设置于倾斜表面138s上，以达到遮蔽进入主动元件104的光线。各平坦部110ap与基板102的上表面102s2之间的夹角可为锐角，且平坦部110ap可彼此连接，以与基板102的上表面102s2形成三角形状，但不限于此。当第一遮光层110a包括金属材料时，相较于形成在弯曲的表面上，第一遮光层110a可与平坦表面有较好的接合度，因此通过将第一遮光层110a形成在平坦的倾斜表面138s上可提升第一遮光层110a与绝缘层138的接合度。在所述变化实施例中，主动元件层112及/或其他元件可与图1类似或相同，因此在此不赘述，但不以此为限。
52.图6所示为本揭露第二实施例的显示装置的剖视示意图。如图6所示，本实施例的第一遮光层110a与第二遮光层110b可直接接触，也就是第二遮光层110b可直接形成在第一遮光层110a上。在图6所示的实施例中，彩色滤光层120的厚度可小于第一遮光层110a的厚度，因此彩色滤光层120尚未将第一遮光层110a的开口op1填满，且剩余的空间可设置有填平层124与保护层126。并且，在开口op1中最上层的保护层126的上表面可与第一遮光层110a的上表面大致齐平，使得保护层126的上表面与第一遮光层110a的上表面呈现大致平坦的表面，以助于提升涂布在第一遮光层110a上的第二遮光层110b的质量或结构稳定性。此外，通过将第二遮光层110b直接形成在第一遮光层110a上，可阻隔从颜色转换元件108产生的第二光线l2、l2’或经过填充元件122的第一光线l2通过填平层124与保护层126传递到相邻的另一子像素中，进而降低相邻子像素的混色。在图6的实施例中，由于填平层124与保护层126并未设置在第一遮光层110a与第二遮光层110b之间，因此通孔th可设置在保护层130、填平层128、第二遮光层110b、第一遮光层110a与填平层118中，但不以此为限。
53.在一些实施例中，遮光元件110的遮光层的数量不限为两层，也可为三层以上。在一些实施例中，填平层124与保护层126的堆栈顺序也可互换，即保护层126可位于填平层124与彩色滤光层120之间，在此情况下，填平层124的上表面可与第一遮光层110a的上表面大致齐平。在一些实施例中，图6所示的显示装置2亦可采用图1的显示装置1的任一结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
54.图7所示为本揭露第三实施例的显示装置的剖视示意图。如图7所示，本实施例所提供的显示装置3可不包括彩色滤光层，因此开口op1中可设置填平层124。填平层124可例如包括无色透明光阻材料，但不限于此。在一些实施例中，开口op1中也可填有保护层126。在此情况下，颜色转换元件108可选择性包括彩色滤光颜料，由于彩色滤光颜料具有散射效果，因此通过加入彩色滤光颜料可提升颜色转换元件108的颜色转换效率。在一些实施例中，颜色转换元件108的材料可选择具有高颜色转换效率的量子点，以降低第一光线l1从颜色转换元件108的下方射出。在一些实施例中，填平层124可包括布拉格多层膜(distributed bragg reflector,dbr)。由于布拉格多层膜的材料随温度变化而产生收缩的程度可小于彩色滤光层，因此在此情况下的填平层124可与第一遮光层110a形成较平坦的表面，以提升涂布在第一遮光层110a上的第二遮光层110b的质量或结构稳定性。在一些
实施例中，图7所示的显示装置3的其他元件亦可采用图1或图6的显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
55.图8所示为本揭露第四实施例的显示装置的剖视示意图。如图8所示，本实施例的显示装置4可不包括图1中的彩色滤光层120、第一遮光层110a、填平层124以及保护层126。其中不包括彩色滤光层120的其中一种做法可将滤光颜料(color filter pigment)混入颜色转换元件108。换言之，遮光元件110可由第二遮光层110b所形成。在图8的实施例中，由于颜色转换元件108或填充元件122与第二遮光层110b设置在同一平面上，因此为了降低或避免颜色转换元件108所产生的第二光线l2、l2’或穿过填充元件122的第一光线l1照射到主动元件104，位于相邻的颜色转换元件108之间或颜色转换元件108与填充元件122之间的第二遮光层110b在平行于基板102的上表面102s2的方向上的宽度会较图1中的第一遮光层110a在相同方向上的宽度宽。举例来说，第二遮光层110b沿着法线方向vd投射到基板102的上表面102s2的投影边缘与通道ch沿着法线方向vd投射到基板102的上表面102s2的投影边缘，其中第二遮光层110b与通道ch面对同侧的两投影边缘的间距s1范围从5.5微米到10微米，间距s1可为所述两投影边缘之间最短的距离。在一些实施例中，增加间距s1的方式可同时增加第二遮光层110b的上表面的宽度与下表面的宽度，其中上表面的宽度的增加幅度可小于或等于下表面的宽度的增加幅度。在一些实施例中，增加间距s1的方式也可不改变第二遮光层110b的上表面的宽度并增加下表面的宽度。在图8的实施例中，由于显示装置4可不包括图1中的第一遮光层110a、填平层124以及保护层126，因此通孔th可设置在保护层130、填平层128、第二遮光层110b与填平层118中，但不以此为限。在一些实施例中，图8所示的显示装置4的其他元件亦可采用图1显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
56.图9所示为本揭露第五实施例的显示装置的剖视示意图。如图9所示，本实施例显示装置5中的彩色滤光层120与颜色转换元件108分别设置于基板102的相反侧，也就是分别设置于基板102的上表面102s2与下表面102s1上。在图9的实施例中，第一遮光层110a可先形成在基板102的下表面102s1上，然后将彩色滤光层120形成在第一遮光层110a的开口op1中。由于基板102的平坦性较填平层(例如填平层118)的平坦性佳，因此将第一遮光层110a与彩色滤光层120设置于基板102的下表面102s1上可有助于第一遮光层110a的形成质量或结构稳定性，而且第一遮光层110a具有遮光效果，使穿过基板上表面102s2的光不会反射回弹至通道ch。在一些实施例中，第一遮光层110a与彩色滤光层120下可设置有填平层540。在一些实施例中，如图9所示，第二遮光层110b可直接形成在主动元件104上，使得主动元件层112可不包括图1的填平层118，但不限于此。在此情况下，通孔th可设置在保护层130、填平层128与第二遮光层110b中，但不以此为限。在一些实施例中，主动元件层112也可包括设置在主动元件104与第二遮光层110b之间的填平层，以助于形成第二遮光层110b。在一些实施例中，图9所示的显示装置5的其他元件亦可采用图1显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
57.图10所示为本揭露第六实施例的显示装置的剖视示意图。如图10所示，本实施例显示装置6中的发光元件106可具有集光结构106r，用以将所产生的第一光线l1聚集并朝向颜色转换元件108或填充元件122射出。举例来说，集光结构106r可例如为n形(或倒u形)，且具有朝向基板102(或颜色转换元件108)的凹口。在图10的实施例中，颜色转换元件108的厚
度以及填充元件122的厚度可大于第二遮光层110b的厚度，使得颜色转换元件108的上表面可高于第二遮光层110b的上表面。本实施例的显示装置6可以没有像素定义层，因此设置在颜色转换元件108与第二遮光层110b上的第一电极106a、发光层106b与第二电极106c可沿着颜色转换元件108的上表面与第二遮光层110b的上表面所形成高低起伏的轮廓延伸。具体来说，显示装置6还可包括保护层130，设置于第一电极106a与颜色转换元件108(或填充元件122)之间。由于保护层130是均匀地(或共形地)形成在第二遮光层110b、颜色转换元件108与填充元件122上，因此保护层130的上表面仍可具有高低起伏的轮廓。举例来说，保护层130可具有多个凹陷部130r与多个突起部130p，依序交替连接，且凹陷部130r设置于第二遮光层110b上，而突起部130p则分别设置于颜色转换元件108与填充元件122上，因此发光元件106设置于突起部130p上的第一电极106a、发光层106b与第二电极106c可具有凹口朝下的凹槽，用以作为集光结构106r。需说明的是，由于颜色转换元件108的厚度可增加到大于第二遮光层110b的厚度，因此可提升颜色转换元件108的颜色转换效率。此外，由于发光元件106的发光层106b同时与第一电极106a以及第二电极106c接触的区域可沿着高低起伏的轮廓延伸，因此可增加发光元件106的发光面积，以提高发光元件106的发光亮度。在一些实施例中，图10所示的显示装置6的其他元件亦可采用图1显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
58.图11所示为本揭露第七实施例的显示装置的剖视示意图。如图11所示，本实施例显示装置7中的第一遮光层110a的厚度可大于颜色转换元件108的厚度与彩色滤光层120的厚度的总和。举例来说，彩色滤光层120与颜色转换元件108可包括油墨材料，以通过注入方式填入第一遮光层110a的开口op1中。在一些实施例中，由于彩色滤光层120的溶剂与颜色转换元件108(或填充元件122)的溶剂可不相同，因此彩色滤光层120与颜色转换元件108(或填充元件122)之间可设置保护层126，以防止彩色滤光层120与颜色转换元件108(或填充元件122)互相影响。在一些实施例中，彩色滤光层120与颜色转换元件108(或填充元件122)之间还可设置填平层124。由于彩色滤光层120在形成过程中容易会有收缩的情况，而造成其上表面不平整，因此通过填平层124的设置可有助于颜色转换元件108(或填充元件122)的形成。举例来说，填平层124可设置于彩色滤光层120与保护层126之间或设置于保护层126与颜色转换元件108(或填充元件122)之间。其中填平层124或保护层126也可以保护水氧不进入彩色滤光层120。
59.在一些实施例中，开口op1中的颜色转换元件108(或填充元件122)上还可设置填平层128以及保护层130，但不以此为限。在图11的实施例中，第一电极106a可设置于开口op1中的保护层130上，使得第一电极106a的上表面与第一遮光层110a的上表面大致齐平，以助于在第一遮光层110a与第一电极106a上形成像素定义层132，但不限于此。在一些实施例中，开口op1中也可设置有保护层130或填平层128，使得保护层130或填平层128的上表面与第一遮光层110a的上表面大致齐平，以助于形成第一电极106a与像素定义层132。在一些实施例中，图11所示的显示装置7的其他元件亦可采用图1显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
60.图12与图13所示为本揭露第八实施例的显示装置的制作方法示意图，其中图13所示为本揭露第八实施例的显示装置的剖视示意图。如图13所示，本实施例显示装置8中的第一遮光层110a的厚度小于彩色滤光层120的厚度。在图13的实施例中，遮光元件110的遮光
层的数量可不同于彩色滤光层120与颜色转换元件108的颜色转换层的数量总和。举例来说，遮光元件110的遮光层的数量可多于颜色转换元件108的颜色转换层的数量，例如遮光元件110可由四层遮光层所形成，而颜色转换元件108可由两层颜色转换层所形成，但不以此为限。在图13的实施例中，显示装置8可包括第一遮光层110a、彩色滤光层120与颜色转换元件108(或填充元件122)，其中彩色滤光层120可与颜色转换元件108(或填充元件122)直接接触，但不限于此。在一些实施例中，彩色滤光层120与颜色转换元件108之间还可设置保护层(如图6所示的保护层126)及/或填平层(如图6所示的填平层124)，但不限于此。在一些实施例中，图13所示的显示装置8的其他元件亦可采用图1或图6显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
61.下文将进一步描述图13所示的显示装置8的制作方法。如图12所示，首先提供主动基板82。主动基板82可包括基板102以及包含有主动元件104的主动元件层112。在一些实施例中，主动基板82还可包括缓冲层134，设置于基板102与主动元件层112之间，但不限于此。由于基板102、主动元件104、主动元件层112与缓冲层134可类似或相同于图1所示的实施例或其变化实施例，因此在此不多赘述。在图12的实施例中，形成主动基板82的方法可例如先于基板102上形成缓冲层134，然后依序在缓冲层134上形成通道ch、在通道ch上形成第一绝缘层114、在第一绝缘层114上形成包含闸极g与扫描线的第一金属层m1、在第一金属层m1与第一绝缘层114上形成第二绝缘层116、在第二绝缘层116与第一绝缘层114中形成通孔、在第二绝缘层116上形成包括源(汲)极sd1、汲(源)极sd2以及数据线的第二金属层m2、以及在第二金属层m2与第二绝缘层116上形成填平层118。在一实施例中，源(汲)极sd1与汲(源)极sd2可设置于通孔中，以电连接到通道ch，或者通孔中可设置有导电材料，将源(汲)极sd1与汲(源)极sd2电连接到通道ch。在一些实施例中，形成主动基板82的方法可随着主动元件104的类型的不同或主动基板82中的元件或电路结构的不同而作对应的调整。
62.随后，如图12所示，于主动基板82上形成第一遮光层110a，其中第一遮光层110a具有多个开口op1，曝露出主动基板82。接着，于开口op1中的主动基板82上形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c。在图12的实施例中，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c可分别部分延伸到第一遮光层110a上，而分别具有大于第一遮光层110a厚度的厚度。
63.在一实施例中，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的其中至少两个的颜色可不相同。由于第一彩色滤光层120a的颜色、第二彩色滤光层120b的颜色与第三彩色滤光层120c的颜色已描述于图1的实施例中，因此在此不多赘述。随着第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的颜色的变化，形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的方式也可不同。举例来说，当第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的颜色均不相同时，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c可分开形成于对应的开口op1中，且形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的顺序没有限制，而可为第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的任何一种排列顺序。在此情况下，第一彩色滤光层120a可例如为红色或洋红色，第二彩色滤光层120b可例如为绿色或青色，而第三彩色滤光层120c可例如为蓝色、无色与白色，但不以此为限。当第一彩色滤光层120a的颜色与第二彩色滤光层120b的颜色相同时，第一
彩色滤光层120a与第二彩色滤光层120b可同时形成于对应的开口op1中。并且，形成第一彩色滤光层120a与第二彩色滤光层120b以及形成第三彩色滤光层120c的顺序没有限制，例如第一彩色滤光层120a与第二彩色滤光层120b可在形成第三彩色滤光层120c之前或之后形成。在此情况下，第一彩色滤光层120a与第二彩色滤光层120b可例如为黄色，而第三彩色滤光层120c可例如为无色、白色或蓝色。在一些实施例中，彩色滤光层120的材料可例如包括光阻材料或油墨材料，但不限于此。
64.然后，如图13所示，于第一遮光层110a上形成第二遮光层110b。在图13的实施例中，第二遮光层110b可延伸到第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c上，使得第二遮光层110b的上表面可高于第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的上表面，但不以此为限。第二遮光层110b可具有多个开口op2，分别曝露出第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c。
65.接着，于开口op2中形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221，其中在基板102的上表面102s2的法线方向vd上，第一颜色转换层108a1可对应重迭于第一彩色滤光层120a，第二颜色转换层108b1可对应重迭于第二彩色滤光层120b，且填充层1221对应重迭于第三彩色滤光层120c。由于第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221均包括不同的材料，因此第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221可分开形成于对应的开口op2中，且形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的顺序没有限制，而可为第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的任何一种排列顺序。在一些实施例中，第一颜色转换层108a1与第二颜色转换层108b1可例如包括不同粒径的量子点，以产生不同颜色的第二光线。在一些实施例中，填充层1221可与第三彩色滤光层120c具有相同的颜色或包括相同的材料，例如包括无色、蓝色或白色的光阻材料，但不限于此。
66.随后，于第二遮光层110b上形成第三遮光层110c。在图13的实施例中，第三遮光层110c的结构可类似第二遮光层110b的结构，也就是第三遮光层110c可延伸到第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221上，且第三遮光层110c可具有多个开口op3，曝露出第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221。在图13的实施例中，在形成第三遮光层110c之后，还可重复形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的步骤以及形成第三遮光层110c的步骤，以于第三遮光层110c的开口op3中分别形成另一第一颜色转换层108a1、另一第二颜色转换层108b1以及另一填充层1221，并于第三遮光层110c上形成另一第三遮光层110c，进而形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122与遮光元件110。在图13的实施例中，遮光元件110在垂直于基板102的上表面102s2的法线方向vd上的厚度大于彩色滤光层120与颜色转换元件108在法线方向vd上的厚度总和，但不限于此。
67.重复形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的步骤以及形成第三遮光层110c的步骤的次数可取决于第一颜色转换层108a1的数量、第二颜色转换层108b1的数量以及填充层1221的数量。举例来说，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b与填充元件122分别为单层第一颜色转换层108a1、单层第二颜色转换层108b1与单层填充层1221时，不需重复进行形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的步骤以及形成第三遮光层110c的步骤。以此类推，当第一颜色转换
元件108a、第二颜色转换元件108b与填充元件122分别包括至少三层第一颜色转换层108a1、至少三层第二颜色转换层108b1与至少三层填充层1221时，可重复进行形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的步骤以及形成第三遮光层110c的步骤至少两次。
68.接着，如图13所示，在形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122与遮光元件110之后，于第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122与遮光元件110上依序形成填平层128与保护层130。在一些实施例中，填平层128与保护层130的顺序可互换，或者于第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122与遮光元件110上形成填平层128与保护层130的其中一层。
69.然后，如图13所示，于保护层130、填平层128、遮光元件110以及填平层118中形成通孔th，以曝露出主动元件104的源(汲)极sd1。接着，于通孔th中设置通孔结构ts，并形成第一电极106a。随后，在第一电极106a与保护层130上形成像素定义层132、发光层106b以及第二电极106c，进而于第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221上形成多个发光元件106，并形成本实施例的显示装置8。
70.图14与图15所示为本揭露第九实施例的显示装置的制作方法示意图，其中图15所示为本揭露第九实施例的显示装置的剖视示意图。如图15所示，本实施例所提供的显示装置9与图13所示的显示装置8的差异在于，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b与填充元件122是在形成第二遮光层110b之前形成。在图15的实施例中，遮光元件110的遮光层的数量可例如少于彩色滤光层120与颜色转换元件108的颜色转换层的数量总和，例如遮光元件110可由两层遮光层所形成，而颜色转换元件108可由两层颜色转换层所形成，但不以此为限。在一些实施例中，遮光元件110的上表面可略低于或大致齐平于颜色转换元件108的上表面及/或填充元件122的上表面，但不限于此。本实施例的显示装置9的制作方法将搭配图14与图15具体说明如下。如图14所示，在本实施例的显示装置9的制作方法中，提供主动基板82与形成第一遮光层110a的步骤可与图12以及图13所示的实施例相同，因此在此不多赘述。
71.在图14所示的实施例中，在形成第一遮光层110a之后，可在开口op1中的主动基板82上分别形成第一堆栈94a、第二堆栈94b以及第三堆栈94c，其中第一堆栈94a包括第一彩色滤光层120a以及设置于第一彩色滤光层120a上的第一颜色转换元件108a，第二堆栈94b包括第二彩色滤光层120b以及设置于第二彩色滤光层120b上的第二颜色转换元件108b，且第三堆栈94c包括第三彩色滤光层120c以及设置于第三彩色滤光层120c上的填充元件122。由于第一堆栈94a、第二堆栈94b以及第三堆栈94c的上表面可高于第一遮光层110a的上表面，因此第一堆栈94a、第二堆栈94b以及第三堆栈94c之间可具有凹槽94r，对应第一遮光层110a。形成第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c的方法进一步说明如下。在一实施例中，在形成第一遮光层110a之后，可先在开口op1中的主动基板82上分别形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c。在此情况下，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的形成方式可与图12以及图13所示的实施例相同，在此不多赘述。然后，在第一彩色滤光层120a上形成第一颜色转换层108a1，在第二彩色滤光层120b上形成第二颜色转换层108b1，以及在第三彩色滤光层120c上形成填充层1221。形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1与填充层1221的顺序没有限
制，而可为第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的任何一种排列顺序。接着，可重复形成第一颜色转换层108a1、形成第二颜色转换层108b1以及形成填充层1221的步骤，以在第一颜色转换层108a1上形成另一第一颜色转换层108a1，在第二颜色转换层108a1上形成另一第二颜色转换层108b1，以及在填充层1221上形成另一填充层1221，进而形成第一堆栈94a、第二堆栈94b以及第三堆栈94c。重复形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的次数可取决于第一颜色转换层108a1的数量、第二颜色转换层108b1的数量以及填充层1221的数量。举例来说，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b与填充元件122分别为单层第一颜色转换层108a1、单层第二颜色转换层108b1与单层填充层1221时，不需重复进行形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的步骤。以此类推，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b与填充元件122分别包括至少三层第一颜色转换层108a1、至少三层第二颜色转换层108b1与至少三层填充层1221时，可重复进行形成第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1以及填充层1221的步骤至少两次。由于第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b、第三彩色滤光层120c、第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1与填充层1221的材料或颜色可与上述图12与图13的实施例或图1所示的实施例相同，因此不再赘述。
72.本揭露形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b、第三彩色滤光层120c、第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的方法不限于上述。在一些实施例中，如图14所示，第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c可各自分开形成，且第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c的形成顺序可为第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c的任何一种排列顺序。举例来说，在形成第一遮光层110a之后，可先在对应的开口op1中的主动基板82上依序形成第一彩色滤光层120a与第一颜色转换元件108a，以形成第一堆栈94a，然后在对应的开口op1中的主动基板82上依序形成第二彩色滤光层120b与第二颜色转换元件108b，以形成第二堆栈94b。接着，在对应的开口op1中的主动基板82上依序形成第三彩色滤光层120c与填充元件122，以形成第三堆栈94c。第一颜色转换元件108a的第一颜色转换层108a1的数量、第二颜色转换元件108b的第二颜色转换层108b1的数量与填充元件122的填充层1221的数量可依据实际需求做调整。
73.在一些实施例中，如图14所示，第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c的其中两个可混和形成。举例来说，在形成第一遮光层110a之后，也可先在对应的开口op1中形成第一彩色滤光层120a与第二彩色滤光层120b，然后，在第一彩色滤光层120a上形成第一颜色转换元件108a，以及在第二彩色滤光层120b上形成第二颜色转换元件108b，以形成第一堆栈94a与第二堆栈94b。接着，在对应的开口op1中的主动基板82上依序形成第三彩色滤光层120c与填充元件122，以形成第三堆栈94c。或者，在一些实施例中，如图14所示，在形成第一遮光层110a之后，也可先在对应的开口op1中形成第一彩色滤光层120a与第三彩色滤光层120c，然后，在第一彩色滤光层120a上形成第一颜色转换元件108a，以及在第三彩色滤光层120c上形成填充元件122，以形成第一堆栈94a与第三堆栈94c。接着，在对应的开口op1中的主动基板82上依序形成第二彩色滤光层120b与第二颜色转换元件108b，以形成第二堆栈94b。本揭露形成第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c的方法不以上述为限。
74.需说明的是，在图14所示的实施例中，彩色滤光层120可例如包括光阻材料，使得第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c可分别部分延伸到第
一遮光层110a上，而分别具有大于第一遮光层110a厚度的厚度。并且，由于颜色转换元件108的颜色转换层可例如包括光阻材料，颜色转换层可在没有挡墙的情况下直接形成或堆栈在彩色滤光层120上。在图14的实施例中，第一遮光层110a、彩色滤光层120、第一颜色转换层108a1、第二颜色转换层108b1与填充层1221可例如分别包括光阻材料，因此彩色滤光层120可与颜色转换元件108(或填充层1221)直接接触，但不限于此。在一些实施例中，彩色滤光层120与颜色转换元件108之间还可设置保护层(如图6所示的保护层126)及/或填平层(如图6所示的填平层124)，但不限于此。
75.如图15所示，在形成完第一堆栈94a、第二堆栈94b以及第三堆栈94c之后，于第一堆栈94a、第二堆栈94b或第三堆栈94c的一侧或第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c的其中任两个之间的第一遮光层110a上形成第二遮光层110b，以形成遮光元件110，其中第二遮光层110b的上表面低于第一堆栈94a的上表面、第二堆栈94b的上表面与第三堆栈94c的上表面。举例来说，第二遮光层110b可包括油墨材料，在形成第二遮光层110b时可以第一堆栈94a、第二堆栈94b与第三堆栈94c作为挡墙，在凹槽94r中填入第二遮光层110b，但不限于此。在一些实施例中，第二遮光层110b也可包括光阻材料。
76.如图15所示，在形成第二遮光层110b之后，于第一堆栈94a、第二堆栈94b以及第三堆栈94c与遮光元件110的第二遮光层110b上形成填平层128、保护层130、像素定义层132以及发光元件106，进而形成本实施例的显示装置9。由于形成填平层128、保护层130、像素定义层132以及发光元件106的步骤与其变化可与上述图13所示的实施例相同，因此在此不再重复说明。在一些实施例中，图15所示的显示装置9的其他元件亦可采用图1或图6显示装置中的结构或特征或图2到图5所示的任一变化实施例的第一遮光层110a。
77.图16至图23所示为本揭露第十实施例的显示装置的制作方法示意图。如图16所示，首先提供主动基板82。主动基板82可包括基板102以及包含有主动元件104的主动元件层112。在一些实施例中，主动基板82还可包括缓冲层134，设置于基板102与主动元件层112之间，但不限于此。由于基板102、主动元件104、主动元件层112与缓冲层134可类似或相同于图1所示的实施例或其变化实施例，因此在此不多赘述。在一些实施例中，形成主动基板82的方法可类似或相同于图12所示的实施例或其他合适的变化方式，因此在此不多赘述。
78.如图16所示，于主动基板82上形成第一遮光层110a。举例来说，形成第一遮光层110a的方法可包括下述步骤。首先，通过旋转涂布(spin coating)、狭缝涂布(slit coating)制程或其他合适的制程在主动基板82上形成遮光光阻。然后，对遮光光阻进行干燥处理，例如通过真空干燥制程。接着，对遮光光阻进行温度范围在70℃到100℃之间的预烘烤(pre-baking)制程，也就是软烤(soft baking)。然后，通过光罩对遮光光阻进行曝光制程以及显影制程，以形成开口op11、开口op12以及开口op13。接着，进行温度范围在200℃到250℃之间的后烘烤(post-baking)制程，也就是硬烤(hard baking)，以形成第一遮光层110a。所形成的第一遮光层110a在剖面方向(例如第一方向d1或第二方向d2)上的形状可例如为矩形、梯形或其他合适的形状。需说明的是，开口op11与开口op12的俯视面积可彼此不相同，例如开口op11与开口op12在同一剖面方向上的宽度可彼此不相同，用以控制不同颜色的光线在穿过开口op11与开口op12后的亮度可彼此搭配并符合需求。举例来说，当后续步骤形成在开口op11中的第一彩色滤光层120a的穿透率大于形成在开口op12中的第二彩色滤光层120b的穿透率时，开口op11的俯视面积可小于开口op12的俯视面积。或者，当后续
步骤形成在开口op11上的第一颜色转换元件108a的光转换效率大于形成在开口op12上的第二颜色转换元件108b的光转换效率时，开口op11的俯视面积可小于开口op12的俯视面积。此处的光转换效率可例如为颜色转换元件所转换出的光线亮度与照射颜色转换元件的光线亮度的比例，但不限于此。依此类推，开口op11与开口op12的俯视面积可用以调整穿透后光线的亮度。在一些实施例中，开口op13也可不同于开口op11与开口op12，例如当后续步骤的开口op13中设置无色透明的填充元件122或其中加入有金属粒子或散射粒子的无色透明的填充元件122时，开口op13可小于开口op11与开口op12，但不限于此。
79.接着，如图17所示，于开口op11中形成第一彩色滤光层120a，于开口op12中形成第二彩色滤光层120b，以及于开口op13中形成第三彩色滤光层120c。在图17的实施例中，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c可分别部分延伸到第一遮光层110a上，而分别具有大于第一遮光层110a厚度的厚度。在一实施例中，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c可包括光阻材料。举例来说，形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的其中至少一个的方法可包括下述步骤。首先，通过旋转涂布、狭缝涂布制程或其他合适的制程在开口op11、开口op12或开口op13中形成具有颜色或无色透明的光阻材料。然后，对光阻材料进行干燥处理，例如通过真空干燥制程。接着，对光阻材料进行温度范围在70℃到100℃之间的预烘烤制程。然后，通过光罩对光阻材料进行曝光制程以及显影制程，以留下在开口op11、开口op12或开口op13中的光阻材料。接着，可选择性对光阻材料照射红外线，以去除光阻材料中接近上表面的部分水氧(水气及/或氧气)或离子。在一些实施例中，去除水氧或离子的方法不限照射红外线，也可为其他合适的方法。随后，进行温度范围在200℃到250℃之间的后烘烤制程，以形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的其中一个。接着，重复进行上述步骤至少两次，以形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c中的其他个。然后，可选择性进行去气体(de-gas)制程，以清除或释放所形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b、第三彩色滤光层120c与第一遮光层110a中的大部分的水氧或离子，进而降低水氧或离子对后续所形成的颜色转换元件108及/或发光元件106的影响。需说明的是，去气体制程可不仅降低膜层接近上表面的水氧或离子还可降低远离上表面的水氧或离子。
80.在一些实施例中，如图24所示，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的其中至少一个的上表面120s可具有下凹构造。换言之，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的其中至少一个可具有突起部分120p，位于第一遮光层110a上。在一些实施例中，如图25所示，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c也可包括油墨材料。举例来说，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的其中至少一个的方法可包括下述步骤。首先，通过喷墨打印(inkjet printing)制程或其他合适的制程在开口op11、开口op12或开口op13中形成具有颜色或无色透明的油墨材料。在此步骤中，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c的上表面120s低于第一遮光层110a的上表面，例如第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c在法线方向vd上的厚度会小于第一遮光层110a在法线方向vd上的厚度，以避免油墨材料溢流的问题。然后，进行温度范围在100℃到250℃之间的后烘烤制程、紫外光固化制程或其他合适的制程，以
固化油墨材料，进而形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c。接着，进行去气体制程，以清除或释放所形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c中的水氧或离子，进而降低水氧或离子对后续所形成的颜色转换元件108及/或发光元件106的影响。在一些实施例中，油墨材料中可具有高浓度的固体含量，例如具有颜色的固态滤光材料含量可高于液态的溶剂含量。在一些实施例中，当第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c包括油墨材料时，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c可具有平坦或下凹的上表面120s。在一些实施例中，如图26所示，当第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c包括油墨材料时，第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c可具有朝上突起的上表面120s。
81.如图18所示，在形成第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b以及第三彩色滤光层120c之后，于第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b、第三彩色滤光层120c以及第一遮光层110a上形成填平层124。在图18的实施例中，填平层124可具有平坦的上表面，但不限于此。在一些实施例中，在形成填平层124之后，可选择性在填平层124上形成保护层126。在一些实施例中，如图27所示，填平层124可形成于第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b、第三彩色滤光层120c以及第一遮光层110a的表面上而具有非平整表面。举例来说，当第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c在法线方向vd上的厚度大于第一遮光层110a在法线方向vd上的厚度时，填平层124可具有凹陷124r，位于第一遮光层110a的正上方。在一些实施例中，当第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的厚度小于第一遮光层110a的厚度时，填平层124可具有凹陷，位于第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c的正上方。在图27的一些实施例中，保护层126可随着填平层124的上表面的起伏而形成在填平层124上，因此也可具有对应第一遮光层110a的凹陷。在一些实施例中，填平层124也可形成在图24至图26的第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b、第三彩色滤光层120c以及第一遮光层110a所形成的表面而具有非平整表面。
82.如图19所示，在填平层124或保护层126上形成第二遮光层110b。举例来说，形成第二遮光层110b的方法可包括下述步骤。首先，通过旋转涂布、狭缝涂布制程或其他合适的制程在保护层126上形成遮光光阻。然后，对遮光光阻进行干燥处理，例如通过真空干燥制程。接着，对遮光光阻进行温度范围在70℃到100℃之间的预烘烤制程。然后，通过光罩对遮光光阻进行曝光制程以及显影制程，以形成开口op21、开口op22以及开口op23，其中开口op21、开口op22以及开口op23分别在法线方向vd上重迭于开口op11、开口op12以及开口op13。接着，进行温度范围在200℃到250℃之间的后烘烤(post-baking)制程，以形成第二遮光层110b。所形成的第二遮光层110b在剖面方向(例如第一方向d1或第二方向d2)上的形状可例如为矩形、梯形或其他合适的形状。需说明的是，开口op21与开口op22的俯视面积可彼此不相同，例如开口op21与开口op22在同一剖面方向上的宽度可彼此不相同，用以控制从开口op21与开口op22射出的不同颜色光线的亮度可彼此搭配并符合需求。举例来说，开口op21与开口op11在法线方向vd上的重迭面积可不同于开口op22与开口op12在法线方向vd上的重迭面积，使得从开口op11与开口op12朝下射出的光线亮度可搭配混合出符合需求的颜色。在一些实施例中，开口op23也可不同于开口op21与开口op22，但不限于此。在一些
实施例中，开口op21、开口op22以及开口op23的宽度可小于对应的开口op11、开口op12以及开口op13的宽度，但不限于此。在一些实施例中，如图28所示，当填平层124或保护层126具有位于第一遮光层110a的正上方的凹陷时，第二遮光层110b可设置于凹陷中124r。
83.接着，如图20所示，于开口op21中形成第一颜色转换元件108a，于开口op22中形成第二颜色转换元件108b，以及于开口op23中形成填充元件122。在图20的实施例中，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122可分别部分延伸到第二遮光层110b上，而分别具有大于第二遮光层110b厚度的厚度。在一实施例中，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122可包括光阻材料，其中第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b的材料可包括磷光材料、荧光材料、量子点或其他合适能够转换光线颜色的颜色转换材料。举例来说，形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的其中至少一个的方法可包括下述步骤。首先，通过旋转涂布、狭缝涂布制程或其他合适的制程在开口op21、开口op22中形成包括能够转换光线颜色的颜色转换材料的光阻材料或在开口op23中形成无色透明的光阻材料。然后，对光阻材料进行干燥处理，例如通过真空干燥制程。接着，对光阻材料进行温度范围在70℃到100℃之间的预烘烤制程。然后，通过光罩对光阻材料进行曝光制程以及显影制程，以留下在开口op21、开口op22或开口op23中的光阻材料。接着，对光阻材料照射红外线，以去除光阻材料中接近上表面的水氧或离子。在一些实施例中，去除水氧或离子的方法不限照射红外线，也可为其他合适的方法。随后，进行温度范围在200℃到250℃之间的后烘烤制程，以形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122中的一个。接着，重复进行上述步骤至少两次，以形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122中的其他个。然后，进行去气体制程，以清除或释放所形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122与第二遮光层110b中的水氧或离子，进而降低降低水氧或离子对所形成的颜色转换元件108及/或后续形成的发光元件106的影响。
84.在一些实施例中，如图29所示，第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b的其中至少一个的上表面108s可具有下凹构造。换言之，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的其中至少一个可具有突起部分108p，位于第二遮光层110b上。在一些实施例中，填充元件122的上表面122s也可具有下凹构造，且填充元件122可具有突起部分122p，位于第二遮光层110b上。在一些实施例中，如图30所示，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122也可包括油墨材料。举例来说，第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的其中至少一个的方法可包括下述步骤。首先，通过喷墨打印制程或其他合适的制程在开口op21、开口op22或开口op23中形成包含有颜色转换材料或无色透明的油墨材料，其中颜色转换材料可包括磷光材料、荧光材料、量子点或其他合适的材料。在此步骤中，第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b的上表面108s以及填充元件122的上表面122s低于第一遮光层110a的上表面，例如第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122在法线方向vd上的厚度会小于第二遮光层110b在法线方向vd上的厚度，以避免油墨材料溢流的问题。然后，进行温度范围在90℃到125℃之间的后烘烤制程、紫外光固化制程或其他合适的制程，以固化油墨材料，并形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122中的一个。接着，重复进行上述步骤至少两次，以形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b
以及填充元件122中的其他个。然后，进行去气体制程，以清除或释放所形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122中的水氧或离子，进而降低水氧或离子对后续所形成的颜色转换元件108及/或发光元件106的影响。在一些实施例中，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122包括油墨材料时，第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b的上表面108s以及填充元件122的上表面122s可具有平坦构造或具有凹陷构造。在一些实施例中，如图31所示，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122包括油墨材料时，第一颜色转换元件108a与第二颜色转换元件108b的上表面108s以及填充元件122可具有朝上突起的上表面122s。在一些实施例中，图20、图29、图30与图31的其中任一个所形成的第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122可搭配图17、图24、图25与图26的其中任一个所形成的第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c或图28所示的结构。
85.如图21所示，在形成第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122之后，于第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122上形成填平层128。在图21的实施例中，填平层128可具有平坦的上表面，但不限于此。在一些实施例中，在形成填平层128之后，可选择性在填平层128上形成保护层130。在一些实施例中，如图32所示，填平层128可形成于第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122以及第二遮光层110b的表面上而具有非平整表面。举例来说，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的厚度大于第二遮光层110b的厚度时，填平层128可具有凹陷128r，位于第二遮光层110b的正上方。在一些实施例中，当第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的厚度小于第二遮光层110b的厚度时，填平层128可具有凹陷，位于第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122的正上方。在图32的一些实施例中，保护层130可随着填平层128的上表面的起伏而形成在填平层128上，因此也可具有对应第二遮光层110b的凹陷。在一些实施例中，填平层128也可形成在图29至图31的第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b、填充元件122以及第二遮光层110b的表面上而具有非平整表面。在一些实施例中，图21与图32的其中任一个所形成的填平层128与保护层130也可搭配图17、图24、图25与图26的其中任一个所形成的第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c、图28所示的结构或图20、图29、图30与图31的其中任一个所形成的第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122。
86.如图22所示，在形成填平层128(或保护层130)之后，可形成贯穿填平层128、第二遮光层110b、填平层124、第一遮光层110a与填平层118的通孔th，以曝露出源(汲)极sd1。形成通孔th的方式可例如包括雷射蚀刻、干式蚀刻或湿式蚀刻的其中至少一个或其他合适的方式。接着，在通孔th中形成通孔结构ts，其中通孔结构ts可包括导电材料，所述导电材料可例如包括纳米银胶、导电粒子、导电流体材料或其他合适的导电材料。在一些实施例中，当填平层128上形成有保护层130，且填平层124上形成有保护层126时，通孔th也可贯穿保护层130与保护层126。在一些实施例中，如图33所示，通孔结构ts可包括多层结构。以通孔结构ts为两层结构为例，通孔结构ts可包括第一通孔结构ts1与设置于第一通孔结构ts1上的第二通孔结构ts2，且第一通孔结构ts1可在形成填平层124(或保护层126)之后以及在形成第二遮光层110b之前形成，第二通孔结构ts2可在形成填平层128(或保护层130)之后形
成。形成第一通孔结构ts1的方法可例如为先于填平层124、第一遮光层110a与填平层118中形成通孔th1，接着于通孔th1中形成导电材料。形成第二通孔结构ts2的方法可例如为于填平层128与第二遮光层110b中形成通孔th2，接着于通孔th2中形成导电材料。由于通孔结构ts需贯穿具有一定厚度的膜层，因此通过多层的通孔结构ts可降低通孔结构ts的上表面面积。在一些实施例中，当填平层124上形成有保护层126时，通孔th1也可贯穿保护层126。当填平层128上形成有保护层130时，通孔th2也可贯穿保护层130。在一些实施例中，通孔结构ts的层数可依据需求作调整。
87.在一些实施例中，如图34的部分(i)、部分(ii)、部分(iii)以及图22所示，通孔结构ts可例如包括上部分p1与下部分p2，其中上部分p1设置于下部分p2上以及对应的填平层128或保护层130的上表面s上，而下部分p2设置于通孔th中。并且，上部分p1在剖面方向上的宽度大于下部分p2在剖面方向上的宽度或通孔th的顶部开口宽度，以助于通孔结构ts与后续形成的元件电性连接，例如有助于与发光元件106的第一电极106a电性连接。下部分p2在剖面方向(例如第一方向d1或第二方向d2)的形状可例如为三角形、倒梯形、矩形或其他合适的形状。在一些实施例中，如图34的部分(iv)、部分(v)、部分(vi)以及图22所示，通孔结构ts也可设置于通孔th中，而由下部分p2所形成。在此情况下，下部分p2在剖面方向的形状也可例如为三角形、倒梯形、矩形或其他合适的形状。在一些实施例中，图33所示的第一通孔结构ts1及/或第二通孔结构ts2也可包括图34的部分(i)、部分(ii)与部分(iii)所示的上部分p1与下部分p2。当第一通孔结构ts1具有图34的部分(i)、部分(ii)与部分(iii)所示的上部分p1与下部分p2时，第二通孔结构ts2仍可在通孔th2与通孔th1对准存在较大的误差的情况下达到与第一通孔结构ts1之间的电性连接。在此情况下，上部分p1在剖面方向上的宽度可大于下部分p2在剖面方向上的宽度或图33所示的通孔th1或通孔th2的顶部开口宽度。在一些实施例中，第一通孔结构ts1及/或第二通孔结构ts2也可由图34的部分(iv)、部分(v)与部分(vi)所示的下部分p2所形成。在一些实施例中，第一通孔结构ts1及/或第二通孔结构ts2也可由图34的部分(i)、部分(ii)与部分(iii)所示的上部分p1与下部分p2所形成。在一些实施例中，图22、图33与图34所示的任一个通孔结构也可搭配图17、图24、图25与图26的其中任一个所形成的第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c、图28所示的结构或图20、图29、图30与图31的其中任一个所形成的第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122或图21与图32的其中任一个所形成的填平层128与保护层130。在一些实施例中，图34所示的任一个通孔结构也可适用于上述任一实施例中。
88.如图23所示，在形成通孔结构ts之后，于保护层130以及通孔结构ts上形成第一电极106a，使得第一电极106a可通过对应的通孔结构ts电连接对应的主动元件104。然后，于第一电极106a与保护层130上形成像素定义层132，其中像素定义层132可包括多个开口opp，对应多个发光区域。像素定义层132的厚度可大于第一电极106a的厚度。像素定义层132的遮光密度(optical density,od)可例如大于2.5，以达到遮光或阻挡光线穿透的功能。举例来说，像素定义层132的材料可分别包括吸光材料、反光材料或其他合适的材料，例如光阻材料，但不限于此。形成像素定义层132的方式可例如包括旋转涂布或狭缝涂布制程。在一些实施例中，像素定义层132可具有高电阻，但不限于此。接着，于像素定义层132与第一电极106a上形成发光层106b，然后于发光层106b上形成第二电极106c，进而形成发光
元件106。形成发光层106b的方式可例如包括物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、喷墨制程或其他合适的制程。在图23所示的显示装置10中，第二电极106c可具有平坦的上表面，但不限于此。由于第一电极106a、发光层106b与第二电极106c可类似或相同于图1的实施例，因此在此不多赘述。在一些实施例中，如图1所示，第二电极106c的上表面可具有凹陷。上述第十实施例的制作方法也可适用于制作图1所示的显示装置1或其他合适的实施例。在一些实施例中，图23的第一电极106a与图33所示的第二通孔结构ts2可使用同一制程形成。在一些实施例中，图23的第一电极106a与图33所示的第二通孔结构ts2可使用相同材料形成。在一些实施例中，图23的第一电极106a与图33所示的第二通孔结构ts2可使用同一制程且相同材料形成。在一些实施例中，图23与图1所示的任一个发光元件106也可搭配图17、图24、图25与图26的其中任一个所形成的第一彩色滤光层120a、第二彩色滤光层120b与第三彩色滤光层120c、图28所示的结构或图20、图29、图30与图31的其中任一个所形成的第一颜色转换元件108a、第二颜色转换元件108b以及填充元件122、图21与图32的其中任一个所形成的填平层128与保护层130或图22、图33与图34所示的任一个通孔结构。
89.综上所述，在本揭露的显示装置中，由于颜色转换元件与主动元件的通道之间设置有遮光元件，因此主动元件的通道不易受到第二光线的照射，进而可降低或避免产生电性上的偏移(例如临界电压的偏移)或漏电。如此一来，本揭露的显示装置可在搭配有颜色转换元件的情况下达到底发射的功效。
90.以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。