技术特征：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：基底；台型结构，设置在该基底上，该台型结构包括通道层以及势垒层设置在该通道层之上；钝化层，设置在该台型结构上；以及至少一接触结构，设置在该钝化层及该台型结构中，该接触结构包括主体部以及多个凸出部，其中该主体部穿过该钝化层，该些凸出部与该主体部的底面连接并且穿过该势垒层以及部分该通道层。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该主体部的底面与该势垒层的上表面齐平。3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该主体部延伸至部分该通道层中。4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中于俯视平面上，该些凸出部沿着第一方向以及第二方向排列成一阵列，该第一方向与该第二方向互相垂直。5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该些凸出部沿着该第二方向对齐，并且沿着该第一方向交错。6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包括栅极结构设置在该台型结构上并且位于两个该接触结构之间。7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中在俯视平面上，该些凸出部与该栅极结构具有相同的延伸方向。8.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中在俯视平面上，该些凸出部的延伸方向与该栅极结构的延伸方向互相垂直。9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中于俯视平面上，该接触结构的该主体部重叠该台型结构的两边缘。10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该接触结构的该主体部与该凸出部为一体成型的结构。11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该接触结构包括金、钨、钴、镍、钛、钼、铜、铝、钽、钯、铂、上述材料的化合物、复合层或合金。12.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该通道层包括氮化镓、氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铟镓、氮化铝镓铟或以上的组合。13.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该势垒层包括氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝镓铟、氮化铝或以上的组合。14.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该钝化层包括氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化锆、氧化铪、氧化镧、氧化镏、氧化镧镏或以上的组合。15.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)的制作方法，包括：提供基底；在该基底上形成台型结构，该台型结构包括通道层以及势垒层设置在该通道层之上；形成钝化层覆盖该基底及该台型结构；形成至少一第一开口，该第一开口穿过该钝化层并显露出该势垒层；形成多个第二开口，该些第二开口连接该第一开口的底面并且延伸穿过该势垒层以及
部分该通道层；以及在该第一开口及该些第二开口中填充金属层，获得接触结构。16.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该第一开口的底面与该势垒层的上表面齐平。17.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该第一开口延伸至部分该势垒层中。18.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中在俯视平面上，该些第二开口沿着第一方向以及第二方向排列成阵列，该第一方向与该第二方向互相垂直。19.如权利要求18所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中在俯视平面上，该第一开口重叠该台型结构的两边缘。20.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，另包括在该台型结构上及两个该接触结构之间形成栅极结构。
技术总结
本发明公开一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制作方法，其包括一基底、一台型结构设置在该基底上、一钝化层设置在该台型结构上，以及至少一接触结构设置在该钝化层及该台型结构中。该台型结构包括一通道层以及一势垒层设置在该通道层之上。该接触结构包括一主体部以及多个凸出部，该主体部穿过该钝化层，该些凸出部与该主体部的一底面连接并且穿过该势垒层以及部分该通道层。势垒层以及部分该通道层。势垒层以及部分该通道层。
技术研发人员：叶治东 侯俊良 廖文荣 张峻铭 徐仪珊 李瑞池
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2020.08.11
技术公布日：2022/2/23