隔离结构的形成方法与流程

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种隔离结构的形成方法。

背景技术：

在隔离结构(例如浅槽隔离(shallowtrenchisolation，sti)结构、台阶型栅氧(stepoxide)以及硅局部氧化隔离(localoxidationofsilicon，locos)结构等)的形成过程中，在形成介质层后，需要通过化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工艺对隔离结构沟槽以外的介质层进行去除。

然而，在隔离结构的形成过程中，cmp工艺往往会造成晶圆表面的刮伤(scratch)现象，从而导致器件的可靠性较差，良率较低。

技术实现要素：

本申请提供了一种隔离结构的形成方法，可以解决相关技术中提供的隔离结构的形成方法中由于在cmp工艺的过程中容易造成晶圆表面刮伤所导致的器件可靠性差和制造良率较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种隔离结构的形成方法，包括：

在缓冲层上形成硬掩模层，所述缓冲层形成于晶圆上；

通过光刻工艺对目标区域进行刻蚀，去除所述目标区域的缓冲层和硬掩模层形成沟槽，所述目标区域是所述晶圆上所述隔离结构对应的区域；

通过第一沉积工艺在所述沟槽中填充第一氧化层；

通过第二沉积工艺在所述第一氧化层上形成第二氧化层，所述第二沉积工艺是除高密度等离子体沉积(highdensityplasma，hdp)工艺以外的其它工艺；

通过cmp工艺去除所述缓冲层、所述硬掩模层和所述硬掩模层上的氧化层，所述沟槽中的氧化层形成所述隔离结构。

可选的，所述第一沉积工艺为hdp工艺。

可选的，所述第二沉积工艺为高宽比沉积(highaspectratioprocess，harp)工艺。

可选的，所述第二沉积工艺为四乙氧基硅烷沉积(tetraethoxysilane，teos)工艺。

可选的，所述通过第二沉积工艺在所述第一氧化层和所述硬掩模层上形成第二氧化层后，所述硬掩模层上的氧化层的厚度为，所述硬掩模层上的氧化层包括第二氧化层，或第一氧化层和第二氧化层。

可选的，所述缓冲层包括氧化物层。

可选的，所述硬掩模层包括氮化物层。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在形成缓冲层和硬掩模层后，进行刻蚀形成隔离结构对应的沟槽，通过两种沉积工艺分别沉积形成填充沟槽的第一氧化层和需要平坦化的第二氧化层，由于形成第二氧化层的沉积工艺不是容易形成尖角(fence)的hdp工艺，因此降低了形成得到的氧化层由于容易形成尖角从而解决了在平坦化的过程中产生颗粒物造成晶圆表面刮伤的问题，提高了器件的可靠性和制造良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中提供的一种隔离结构的形成方法的示意图；

图2是本申请一个示例性实施例提供的隔离结构的形成方法的流程图；

图3至图7是本申请一个示例性实施例提供的隔离结构的形成过程的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

参考图1，其示出了相关技术中提供的一种隔离结构的形成方法的示意图。如图1所示，晶圆110上形成有缓冲层120、硬掩模层130和沟槽101，通过hdp工艺在晶圆110上方填充得到氧化层140，由于hdp工艺沉积形成的氧化层140容易形成尖角(如图1中虚线所示)，在后续的平坦化工序中，尖角会断裂称为颗粒物造成晶圆110表面的图形被刮伤。

参考图2，其示出了本申请一个示例性实施例提供的隔离结构的形成方法的流程图，该方法包括：

步骤201，在缓冲层上形成硬掩模层，缓冲层形成于晶圆上。

参考图3，其示出了在缓冲层上形成硬掩模层的剖面示意图。如图3所示，晶圆310上形成有缓冲层320，缓冲层320上形成有硬掩模层330。

可选的，缓冲层320包括氧化物(例如二氧化硅sio2)层，可通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)工艺在晶圆210上沉积二氧化硅形成缓冲层320。

可选的，硬掩模层330包括氮化物(例如氮化硅)层。可通过cvd工艺在缓冲层320上沉积氮化硅形成硬掩模层330。

步骤202，通过光刻工艺对目标区域进行刻蚀，去除目标区域的缓冲层和硬掩模层形成沟槽，目标区域是晶圆上隔离结构对应的区域。

参考图4，其示出了形成得到沟槽的剖面示意图。可通过光刻工艺在硬掩模层330上除目标区域以外其它的区域覆盖光阻，刻蚀至目标区域中晶圆110的目标深度，去除光阻，形成沟槽401。

步骤203，通过第一沉积工艺在沟槽中填充第一氧化层。

参考图5，其示出了通过第一沉积工艺在沟槽中填充第一氧化层的剖面示意图。如图5所示，可通过hdp工艺沉积得到第一氧化层341，形成得到的第一氧化层341填充沟槽401即可，形成得到第一氧化层341具有尖角(如图5中虚线所示)。

步骤204，通过第二沉积工艺在第一氧化层上形成第二氧化层，第二沉积工艺是除hdp工艺以外的其它工艺。

参考图6，其示出了通过第二沉积工艺形成得到第二氧化层的剖面示意图。如图6所示，通过第二沉积工艺形成的第二氧化层342可覆盖由hdp工艺形成的第一氧化层341形成的尖角，同时，由于第二沉积工艺不是hdp工艺，因此出现尖角的几率较低。

可选的，步骤204中，可通过harp工艺或teos工艺形成第二氧化层342。通过第二沉积工艺在第一氧化层341上形成第二氧化层342后，硬掩模层330上的氧化层的厚度h为4000埃至8000埃(例如，可以是6000埃，考虑到沉积形成的第一氧化层341不需要覆盖在晶圆310的全部区域，因此，硬掩模层330上的氧化层包括第二氧化层342，或第一氧化层341和第二氧化层342。

步骤205，通过cmp工艺去除缓冲层、硬掩模层和硬掩模层上的氧化层，沟槽中的氧化层形成隔离结构。

参考图7，其示出了通过cmp工艺处理后的单元区域的剖面图。如图7所示，通过cmp工艺去除了沟槽401外的缓冲层320、硬掩模层330和硬掩模层330上的氧化层，剩余的沟槽401内的氧化层形成隔离结构350。其中，沟槽401内的氧化层包括第一氧化层341。

综上所述，本申请实施例中，通过在形成缓冲层和硬掩模层后，进行刻蚀形成隔离结构对应的沟槽，通过两种沉积工艺分别沉积形成填充沟槽的第一氧化层和需要平坦化的第二氧化层，由于形成第二氧化层的沉积工艺不是容易形成尖角的hdp工艺，因此降低了形成得到的氧化层由于容易形成尖角从而解决了在平坦化的过程中产生颗粒物造成晶圆表面刮伤的问题，提高了器件的可靠性和制造良率。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。