显示装置的制作方法

显示装置
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求2019年8月30日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2019-0107651号的优先权，其公开通过引用整体合并于此。
技术领域
[0003]
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种其中外围区域中的发热现象减少的显示装置。


背景技术：

[0004]
通常，显示装置包括显示区域，并且许多像素位于显示区域中。当显示区域中的像素中的一些变为缺陷像素时，由显示装置呈现的图像的质量可能最终变差。因此，需要对制造过程中是否出现缺陷像素进行测试。


技术实现要素：

[0005]
在常规显示装置的情况下，由于用于测试缺陷像素的出现的结构，在外围区域中出现发热现象。
[0006]
为了解决包括上述缺点的若干缺点，一个或多个实施例包括其中外围区域中的发热现象减少的显示装置。然而，一个或多个实施例仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
[0007]
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基板，具有第一区域和第一区域外部的第二区域；多个像素，位于第一区域中；电源供给线，位于第二区域中并具有穿透电源供给线的通孔；第一绝缘层，覆盖电源供给线并填充电源供给线的通孔；测试焊盘，位于第一绝缘层上并与电源供给线电绝缘，其中测试焊盘与由通孔限定的区域重叠；第二绝缘层，覆盖测试焊盘；以及桥，位于第二绝缘层上并与测试焊盘电绝缘，并且经由第一绝缘层和第二绝缘层中的第一接触孔电连接至电源供给线。测试焊盘被设置在桥的下方。
附图说明
[0008]
根据结合附图的以下描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将变得更加显而易见，附图中：
[0009]
图1是根据实施例的显示装置的一部分的示意性概念图；
[0010]
图2是图1的部分a的示意性概念图；
[0011]
图3是沿着图2的线iii-iii截取的显示装置的示意性截面图，其还示出显示装置的其他部分；
[0012]
图4是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图；
[0013]
图5是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图；
[0014]
图6是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图；以及
[0015]
图7是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图。
具体实施方式
[0016]
现在将详细参考实施例，实施例的示例示于附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就这一点而言，目前的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于本文所记载的描述。因此，以下仅仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的各方面。本文所使用的术语“和/或”包括所列出的关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表明仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变形。
[0017]
下文中，将参考附图详细描述实施例。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此将不再重复其描述。
[0018]
应当理解，当诸如层、膜、区域或板的部件被称为在另一部件“上”时，该部件可以直接在另一部件上，或者可存在中间部件。另外，为了便于解释，附图中部件的尺寸可能被夸大。换句话说，因为附图中部件的大小和厚度是为了便于解释任意示出的，所以以下的实施例并不限于此。
[0019]
在以下的示例中，x轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系的三个轴，而是可以被广义地解释。例如，x轴、y轴和z轴可以互相垂直，或者可以表示互相不垂直的不同方向。
[0020]
图1是根据实施例的显示装置的一部分的示意性概念图。图2是图1的部分a的示意性概念图。图3是沿着图2的线iii-iii截取的显示装置的截面的示意性截面图，其还示出显示装置的其他部分。也就是说，图3是示出图2中彼此分开的部分的截面图，并且未示出彼此邻近的元件。例如，图3示出第一像素px1和第二像素px2，并且第一像素px1和第二像素px2可以不是彼此邻近的像素。另外，图3是示出图1的彼此分开的部分的截面图。彼此间隔开的部分的截面可以不是在相同方向上截取的截面。在示例实施例中，第一像素px1和第二像素px2的截面图可以沿着图1的线i-i和ii-ii(例如，x轴)截取，而最右边一个的截面图可以沿着图2的线iii-iii截取。
[0021]
如图1中所示，根据本实施例的显示装置包括多个像素区域位于其中的显示区域da以及位于显示区域da外部的外围区域pa。这可以理解为表明基板100包括显示区域da和外围区域pa。外围区域pa包括焊盘区域pada，各种电子设备、印刷电路板等被电附接至焊盘区域pada。
[0022]
基板100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当基板100具有柔性或可弯曲特性时，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。基板100也可以包括多层结构，该多层结构包括两个层以及布置在其间的阻挡层，其中这两个层分别可以包括以上所述的聚合物树脂，并且阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)。如此，基板100可以进行各种修改。
[0023]
显示区域da的边缘可以形成矩形、正方形或类似于矩形或正方形的形状。具体地，显示区域da可以包括彼此面对的第一边缘e1和第二边缘e2以及彼此面对并且位于第一边缘e1和第二边缘e2之间的第三边缘e3和第四边缘e4。焊盘区域pada与第一至第四边缘e1至e4中的第四边缘e4邻近。
[0024]
各种信号可以被施加至显示区域da。例如，用于调整每个像素中的亮度的数据信号等可以被施加至显示区域da。为此，如图1中示意性示出的，像数据线dl的各种布线可以
位于显示区域da的内部或外部。除了数据线dl之外，电源线(未示出)或扫描线(未示出)等可以位于显示区域da的内部或外部。
[0025]
如示意性示出如图1中所示的显示区域da中的一部分的截面的图3的部分i-i和ii-ii中所示，第一显示器件310和第二显示器件320以及第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220可以位于基板100的显示区域da中。第一显示器件310和第二显示器件320可以分别电连接至第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220。图3示出作为第一显示器件310和第二显示器件320的有机发光二极管位于显示区域da中。有机发光二极管至第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的电连接可以被理解为第一像素电极311和第二像素电极321至第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的电连接。
[0026]
作为参考，图3示出第一薄膜晶体管210位于第一像素px1中，第二薄膜晶体管220位于第二像素px2中，第一显示器件310电连接至第一薄膜晶体管210，并且第二显示器件320电连接至第二薄膜晶体管220。在下文中，为了便于描述，描述了第一薄膜晶体管210和第一显示器件310。该描述也可以适用于第二薄膜晶体管220和第二显示器件320。也就是说，关于每个都包括在第二薄膜晶体管220中的第二半导体层221、第二栅电极223、第二源电极225a和第二漏电极225b的描述，并且关于每个都包括在第二显示器件320中的第二像素电极321、对电极325和中间层323的描述被省略。作为参考，第二显示器件320的对电极325以及第一显示器件310的对电极315可以被一体地形成为单体。
[0027]
第一薄膜晶体管210可以包括第一半导体层211、第一栅电极213、第一源电极215a和第一漏电极215b，第一半导体层211包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。第一栅电极213可以包括各种导电材料并且具有各种层叠结构。例如，第一栅电极213可以包括钼(mo)层和铝(al)层。第一源电极215a和第一漏电极215b也可以包括各种导电材料并且具有各种层叠结构。例如，第一源电极215a和第一漏电极215b可以包括钛(ti)层和al层。
[0028]
为了确保第一半导体层211与第一栅电极213之间的绝缘性能，第一栅绝缘层121可以被布置在第一半导体层211与第一栅电极213之间。在示例实施例中，第一栅绝缘层121可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料。另外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的第一层间绝缘层131可以被布置在第一栅电极213上。第一源电极215a和第一漏电极215b可以被布置在第一层间绝缘层131上。包括如上所述的无机材料的绝缘层可以通过使用化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)来形成。这也适用于将在以下描述的实施例和修改示例。
[0029]
缓冲层110可以被布置在第一薄膜晶体管210和基板100之间。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料。缓冲层110可以增大基板100的上表面的平面度(即，减小表面粗糙度)，或者可以防止或大大减少杂质从基板100等渗透到第一薄膜晶体管210的第一半导体层211中。
[0030]
另外，平坦化层140可以被布置在第一薄膜晶体管210上。例如，如图3中所示，当有机发光二极管被布置在第一薄膜晶体管210上时，平坦化层140可以对覆盖第一薄膜晶体管210的保护层的上部进行平坦化。平坦化层140可以包括有机材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)等。图3示出平坦化层140包括单层。然而，平坦化层140可以包括多层。如此，可以进行各种修改。
[0031]
在基板100的显示区域da中，第一显示器件310可以位于平坦化层140上。第一显示
器件310可以是例如包括第一像素电极311、对电极315以及布置在其间并包括发射层的中间层313的有机发光二极管。如图3中所示，第一像素电极311经由平坦化层140等中的开口与从第一源电极215a和第一漏电极215b中选择的一个接触，以电连接至第一薄膜晶体管210。
[0032]
像素限定层150可以被布置在平坦化层140上。像素限定层150可以包括多个开口，每个开口与子像素中的一个对应并暴露第一像素电极311的至少中心部分，从而限定像素。另外，在图3中所示的情况下，像素限定层150可以通过增大第一像素电极311的边缘与第一像素电极311上方的对电极315之间的距离来防止在第一像素电极311的边缘处出现电弧等。像素限定层150可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺或hmdso等。
[0033]
有机发光二极管的中间层313可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层313包括低分子量材料时，中间层313可以包括单层结构或其中堆叠空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等的多层结构。中间层313可以通过使用真空沉积方法形成。当中间层313包括聚合物材料时，中间层313可以包括：包括htl和eml的结构。在这种情况下，htl可以包括pedot，并且eml可以包括诸如聚对苯撑乙烯撑(ppv)或聚芴等的聚合物材料。中间层313可以通过使用丝网印刷或喷墨印刷方法或激光诱导热成像(liti)方法等来形成。然而，中间层313不限于此，并且可以包括各种结构。另外，中间层313可以包括在诸如第一像素电极311和第二像素电极321的多个像素电极上一体地形成为单体的层。可替代地，中间层313可以包括图案化在诸如第一像素电极311和第二像素电极321的多个像素电极中的每一个上的层。
[0034]
对电极315被布置在显示区域da的上部分中，并且可以被布置为覆盖显示区域da。也就是说，对电极315可以相对于多个有机发光二极管一体地形成为单体，以与诸如第一像素电极311和第二像素电极321的多个像素电极对应。
[0035]
对电极315覆盖显示区域da，从而延伸至显示区域da外部的外围区域pa。在这种情况下，电极电源供给线epsl(参考图2)位于外围区域pa中相对于稍后描述的电源供给线psl与朝向显示区域da的方向相反的方向上。因此，在外围区域pa中，对电极315电连接至电极电源供给线epsl。电极电源供给线epsl也被称为elvss线。
[0036]
由于有机发光二极管可能容易受到外部湿气或氧气等的损伤，因此封装层(未示出)可以覆盖显示区域da，并且因此保护有机发光二极管。在示例实施例中，封装层可以覆盖显示区域da并且延伸至外围区域pa的至少一部分。封装层可以包括例如第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层。
[0037]
如上所述，数据线dl、电源线(未示出)等被布置在基板100的显示区域da中。各种布线等也可以位于外围区域pa中。例如，如图2中所示，电源供给线psl、电极电源供给线epsl等位于外围区域pa中。电源线(未示出)可以连接至电源供给线psl以向显示区域da中的像素供电。在示例实施例中，被称为vdd线的电源线可以在显示区域da中在y轴方向上延伸。例如，电源线可以具有与数据线dl大致平行的形状。
[0038]
外围区域pa中的电源供给线psl可以由与显示区域da中的导电层相同的材料形成。在示例实施例中，电源供给线psl可以在导电层被形成时同时形成。例如，如图3中所示，电源供给线psl可以由与第一栅电极213相同的材料形成。电源供给线psl可以在第一栅电极213被形成时同时形成。也就是说，电源供给线psl可以包括与包括在第一栅电极213中的
材料相同的材料，并且可以与第一栅电极213所处的层位于同一层上。在这种情况下，电源供给线psl可以包括与第一栅电极213的层叠结构相同的层叠结构。例如，电源供给线psl和第一栅电极213可以具有其中依次堆叠第一mo层、al层和第二mo层的结构。
[0039]
在这种情况下，第一层间绝缘层131覆盖第一栅电极213。第一绝缘层131’可以覆盖电源供给线psl。第一绝缘层131’可以由与第一层间绝缘层131相同的材料形成。在示例实施例中，第一绝缘层131’可以在第一层间绝缘层131被形成时同时形成。第一绝缘层131’可以具有与第一层间绝缘层131间隔开的形状。电源线可以由与电源供给线psl相同的材料形成。电源线和电源供给线psl可以一体地形成为单体。第一绝缘层131’也可以被称为第一层间绝缘层131。这意味着第一绝缘层131’和第一层间绝缘层131可以整体形成为单体。
[0040]
电源供给线psl包括通孔th。通孔th穿透电源供给线psl以暴露在电源供给线psl下方的层(例如，第一栅绝缘层121)。另外，测试焊盘tp可以位于第一绝缘层131’上以与电源供给线psl电绝缘。这里，测试焊盘tp与电源供给线psl的电绝缘表明测试焊盘tp不直接连接至电源供给线psl。因此，诸如薄膜晶体管等的器件可以被布置在测试焊盘tp和电源供给线psl之间。
[0041]
为了方便起见，电源供给线psl在图2中由阴影线示出。数据线dl可以位于电源供给线psl上。然而，在图2中未考虑该位置关系，其中电源供给线psl的区域由阴影线示出。
[0042]
测试焊盘tp位于第一绝缘层131’上。同样地，测试焊盘tp可以由与每个都在第一层间绝缘层131上的第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b的材料相同的材料形成。在示例实施例中，测试焊盘tp可以在第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b被形成在第一层间绝缘层131上时同时形成在第一绝缘层131’上。因此，测试焊盘tp可以具有与第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b中的每一个的层叠结构相同的层叠结构。例如，测试焊盘tp以及第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b可以包括其中依次堆叠第一ti层、al层和第二ti层的结构。
[0043]
测试焊盘tp被定位为与电源供给线psl中的通孔th对应。例如，测试焊盘tp与由通孔th(例如，通孔th的外边界)限定的区域重叠并且被设置在通孔th内。另外，测试焊盘tp电连接至数据线dl(参考图1和图2)。根据情况，测试焊盘tp和数据线dl可以被一体地形成为单体。另外，第一薄膜晶体管210的第一源电极215a和第一漏电极215b中的一个以及数据线dl可以被一体地形成为单体。
[0044]
在制造显示装置的过程中，执行检查布线或电子器件等中是否存在缺陷的过程。例如，在制造包括图3中所示的结构的显示装置的过程中，形成第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a、第二漏电极225b以及测试焊盘tp，并且然后，可以在形成平坦化层140之前执行测试。平坦化层140是覆盖第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a、第二漏电极225b以及测试焊盘tp的第二绝缘层。
[0045]
由于从测试焊盘tp检测到的电信号与施加至数据线dl的电信号对应，因此当未从特定测试焊盘tp检测到电信号时，可以确定连接至该测试焊盘tp的数据线dl处于开路状态，即有缺陷。在这种情况下，当相同的电信号被施加至全部数据线dl时，当从若干个测试焊盘tp中的一测试焊盘tp检测到的电信号不同于从其他测试焊盘tp检测到的电信号时，可以确定连接至该测试焊盘tp的数据线dl处于短路状态，即有缺陷。
[0046]
为了检查数据线dl是否有缺陷，检查设备的导电尖端接触测试焊盘tp以检测测试焊盘tp中的每一个处的电信号。在该过程中，测试焊盘tp下面的第一绝缘层131’被按压。当金属层(或导电层)位于测试焊盘tp下面时，在检查过程中由于导电尖端向第一绝缘层131’施加压力，因此测试焊盘tp可能无意地电连接至金属层，从而在测试焊盘tp与金属层之间引起短路状态。然后，短路状态被持续地保持，并且因此导致显示装置中的缺陷。也就是说，缺陷可能在检查数据线dl是否有缺陷的过程中出现。
[0047]
因此，为了防止在数据线dl的检查中出现这种问题，根据本实施例的显示装置在测试焊盘tp下面在位于测试焊盘tp下面的金属层中包括通孔th。也就是说，由于电源供给线psl位于测试焊盘tp的下面，因此电源供给线psl包括通孔th，并且测试焊盘tp被定位为与通孔th对应。因此，可以有效地防止测试焊盘tp和电源供给线psl在检查过程中处于短路状态。
[0048]
另外，测试焊盘tp的面积可以小于通孔th的面积。在缺陷检查过程中测试焊盘tp的被尖端按压的部分通常是测试焊盘tp的中心部分。然而，当测试焊盘tp的边缘被按压时，可能需要防止由于导电尖端施加的压力而在测试焊盘tp与电源供给线psl之间出现短路。通过使通孔th具有比测试焊盘tp的面积大的面积，即使测试焊盘tp的边缘被按压时，也可以有效地防止缺陷的出现。具体地，在这种情况下，通孔th在基板100上的正交投影图像可以覆盖测试焊盘tp在基板100上的正交投影图像。例如，在基板100的俯视图中，通孔th的外边界可以包围测试焊盘tp的外边界。
[0049]
由于电源供给线psl包括通孔th，因此电源供给线psl的电阻可能增大。因此，在驱动显示装置的过程中，过多的热量可能出现在电源供给线psl中。为了防止或减少这种问题的出现，根据本实施例的显示装置包括桥bg。例如，与测试焊盘tp对应的桥bg位于覆盖测试焊盘tp的第二绝缘层上，并且与测试焊盘tp电绝缘的桥bg经由第一绝缘层131’和第二绝缘层中的第一接触孔ch1电连接至电源供给线psl。这样，通过确保电信号经由桥bg的移动路径，可以减少由电源供给线psl中的通孔th导致的电阻增大的副作用。
[0050]
桥bg也可以经由第一绝缘层131’和第二绝缘层(平坦化层140)中的第二接触孔ch2电连接至电源供给线psl，第二接触孔ch2与第一接触孔ch1间隔开。在这种情况下，第二接触孔ch2可以位于相对于桥bg的中心与第一接触孔ch1的位置相对的位置。通过经由桥bg形成穿越电源供给线psl中的通孔th的电信号传输路径，可以减少电源供给线psl中的发热现象。这里，第一接触孔ch1可以位于相对于桥bg的中心朝向显示区域da的方向上。
[0051]
以上所述的第二绝缘层可以由与显示区域da中的平坦化层140的材料相同的材料形成。在示例实施例中，第二绝缘层可以在平坦化层140被形成时同时形成。在这种情况下，桥bg可以由与第一像素电极311的材料相同的材料形成。在示例实施例中，桥bg可以在第一像素电极311被形成时同时形成。因此，桥bg可以包括与第一像素电极311的层叠结构相同的层叠结构。例如，桥bg和第一像素电极311可以具有其中依次堆叠诸如al层的反射层以及包括氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)等的透光导电层的结构。根据需要，第二绝缘层和平坦化层140可以被一体地形成为单体，或者第二绝缘层可以与平坦化层140间隔开。当桥bg由与第一像素电极311的材料相同的材料形成时，桥bg可以具有与第一像素电极311的层叠结构相同的层叠结构。例如，桥bg和第一像素电极311可以具有多层结构，该多层结构包括：包括al等的反射层以及包括ito等的透光导电层。在下文中，同时形成包括相同材料的两个
层表明两个层具有相同的层叠结构。
[0052]
通过使桥bg具有比测试焊盘tp的面积大的面积，桥bg可以容易地电连接至测试焊盘tp外部的电源供给线psl。具体地，在这种情况下，桥bg在基板100上的正交投影图像可以覆盖测试焊盘tp在基板100上的正交投影图像。这样，测试焊盘tp不经由第一接触孔ch1和第二接触孔ch2暴露。因此，可以有效地防止桥bg与测试焊盘tp短路。
[0053]
图4是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图。与根据以上参考图3描述的实施例的显示装置相比，根据本实施例的显示装置的不同之处在于，除了第一层间绝缘层131之外，根据本实施例的显示装置的显示区域da进一步包括覆盖第一薄膜晶体管210的第一源电极215a和第一漏电极215b的第二层间绝缘层132。第二薄膜晶体管220的第二源电极225a和第二漏电极225b位于第二层间绝缘层132上，穿透第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132。也就是说，第一源电极215a和第一漏电极215b与第二源电极225a和第二漏电极225b分别位于不同的层上。
[0054]
第二层间绝缘层132延伸至外围区域pa，以覆盖与第一源电极215a和第一漏电极215b所处的层位于同一层上的测试焊盘tp。另外，桥bg可以由与第二源电极225a和第二漏电极225b的材料相同的材料形成。在示例实施例中，桥bg可以在第二源电极225a和第二漏电极225b被形成在第二层间绝缘层132上时同时形成在第二层间绝缘层132上。桥bg位于第二层间绝缘层132上。也就是说，在这种情况下，第二层间绝缘层132可以用作以上所述的第二绝缘层。第二层间绝缘层132可以被一体地形成为单体，以不仅与显示区域da对应，而且与外围区域pa的至少一部分对应。可替代地，显示区域da中的第二层间绝缘层132可以与外围区域pa中的第二层间绝缘层132间隔开。第一接触孔ch1形成在第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132中。例如，第一接触孔ch1穿透第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132以暴露电源供给线psl的第一部分。第二接触孔ch2形成在第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132中。例如，第二接触孔ch2穿透第一层间绝缘层131和第二层间绝缘层132以暴露电源供给线psl的第二部分。因此，第二层间绝缘层132上的桥bg电连接至电源供给线psl。例如，桥bg分别经由第一接触孔ch1和第二接触孔ch2连接电源供给线psl的第一部分和第二部分。
[0055]
图4示出第一薄膜晶体管210位于第一像素px1中，并且第二薄膜晶体管220位于第二像素px2中。然而，本公开不限于此。例如，不仅第一薄膜晶体管210，而且第二薄膜晶体管220也可以属于一个第一像素px1。也就是说，相对于都属于一个第一像素px1的第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220，第一薄膜晶体管210的第一源电极215a和第一漏电极215b与第二薄膜晶体管220的第二源电极225a和第二漏电极225b可以位于不同的层上。第二像素px2也可以包括具有与都属于第一像素px1的第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的结构相同的结构的薄膜晶体管。
[0056]
图5是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图。与根据以上参考图4描述的实施例修改示例的显示装置相比，根据本实施例的显示装置的不同之处在于，除了第一栅绝缘层121之外，根据本实施例的显示装置的显示区域da进一步包括覆盖第一薄膜晶体管210的第一栅电极213的第二栅绝缘层122，并且第二薄膜晶体管220的第二栅电极223位于第二栅绝缘层122上。也就是说，第一栅电极213和第二栅电极223位于不同的层上。第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b位于覆盖第一栅电极
213和第二栅电极223的第一层间绝缘层131上。
[0057]
在这种情况下，电源供给线psl与第一栅电极213所处的层位于同一层上，测试焊盘tp与第二栅电极223所处的层位于同一层上，并且桥bg与第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b所处的层位于同一层上。在这种情况下，第二栅绝缘层122可以用作第一绝缘层，并且第一层间绝缘层131可以用作第二绝缘层。也就是说，第一接触孔ch1形成在第二栅绝缘层122和第一层间绝缘层131中，并且第二接触孔ch2形成在第二栅绝缘层122和第一层间绝缘层131中。例如，第一接触孔ch1和第二接触孔ch2穿透第二栅绝缘层122和第一层间绝缘层131以分别暴露电源供给线psl的第一部分和第二部分。因此，第一层间绝缘层131上的桥bg分别经由第一接触孔ch1和第二接触孔ch2电连接至电源供给线psl的第一部分和第二部分。
[0058]
图6是根据另一实施例的显示装置的部分的示意性截面图。图6的部分iv-iv与图1的部分b的截面图对应。
[0059]
根据本实施例的显示装置包括第一输入焊盘ip1和第二输入焊盘ip2。第一输入焊盘ip1位于基板100的外围区域pa中相对于显示区域da的中心与测试焊盘tp的位置相对的位置。第一输入焊盘ip1位于第一层间绝缘层131上。第一输入焊盘ip1可以由与第二源电极225a和第二漏电极225b的材料相同的材料形成。在示例实施例中，第一输入焊盘ip1可以在第二源电极225a和第二漏电极225b被形成时同时形成。也就是说，第一输入焊盘ip1可以具有与第二源电极225a和第二漏电极225b的层叠结构相同的层叠结构。第二输入焊盘ip2位于第一输入焊盘ip1上方，并且可以电连接至第一输入焊盘ip1。在这种情况下，桥bg可以包括与包括在第二输入焊盘ip2中的材料相同的材料。在示例实施例中，桥bg可以在第二输入焊盘ip2被形成时同时形成。也就是说，桥bg可以包括与第二输入焊盘ip2的层叠结构相同的层叠结构。图6示出桥bg和第二输入焊盘ip2与第二像素电极321所处的层位于同一层上。然而，本公开不限于此。
[0060]
在第一输入焊盘ip1包括与第二源电极225a的材料相同的材料的情况下，当第二输入焊盘ip2不存在时，在将集成电路或印刷电路板等电连接至第一输入焊盘ip1的过程之前或期间，可能出现诸如第一输入焊盘ip1的损伤或氧化的问题。然而，当第二输入焊盘ip2存在时，由于集成电路或印刷电路板等电连接至第二输入焊盘ip2，因此可以有效地防止这种问题。为此，第二输入焊盘ip2可以包括ito等。
[0061]
图6示出第二输入焊盘ip2位于平坦化层140上并且经由接触孔与平坦化层140下面的第一输入焊盘ip1接触。然而，本公开不限于此。例如，如示出根据另一实施例的显示装置的各部分的示意性截面图的图7中所示，在第二输入焊盘ip2和第一输入焊盘ip1之间可以不存在绝缘层，但是第二输入焊盘ip2可以覆盖第一输入焊盘ip1。在这种情况下，第二输入焊盘ip2可以由与桥br的材料相同的材料形成。在示例实施例中，第二输入焊盘ip2可以在桥bg被形成时同时形成。
[0062]
根据以上所述的实施例，可以实现其中外围区域中的发热现象减少的显示装置。然而，这样的效果不限制本公开的范围。
[0063]
应当理解的是，本文所描述的实施例只被认为是描述意义，而不为限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员会理解，可以在
不超出所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种改变。