制作半导体器件的装置的制作方法

[0001]
本发明的实施例涉及一种制作半导体器件的装置。


背景技术：

[0002]
例如晶体管等半导体器件用于多种电子器件中，例如手机、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业电子器件、商业电子器件及消费型电子器件。一般来说，半导体晶片经历一次或多次处理以在晶片上、在晶片中和/或从晶片生产半导体器件。


技术实现要素：

[0003]
本发明的一些实施例提供一种制作半导体器件的装置，所述装置包括：壳体，界定缓冲腔室；多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作所述半导体器件的制作工艺期间接纳晶片；晶片定位机器人，至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送所述晶片；吹洗端口，形成在所述壳体中，用于将吹洗气体引入到所述缓冲腔室中；泵端口，形成在所述壳体中，用于从所述缓冲腔室排放所述吹洗气体的一部分；以及第一流量增强器，所述第一流量增强器当与所述吹洗端口相邻地排列时将沿所述吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的所述吹洗气体相对于所述纵向轴线在多个径向方向上引导到所述缓冲腔室中。
附图说明
[0004]
结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0005]
图1说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置，所述装置包括泵端口与吹洗端口的不对称排列。
[0006]
图2说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置，所述装置包括泵端口与吹洗端口的对称排列。
[0007]
图3说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0008]
图4说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0009]
图5说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0010]
图6说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的侧视图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0011]
图7说明根据一些实施例的流量增强器的剖视图，所述剖视图是沿图6中的线7-7截取。
[0012]
图8说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的仰视图，所述流量增强器当与形成在缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0013]
图9说明根据一些实施例的流量增强器的剖视图，所述剖视图是沿图8中的线9-9截取。
[0014]
图10说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的立体图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0015]
图11说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的侧视图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0016]
图12说明根据一些实施例的流量增强器的剖视图，所述剖视图是沿图11中的线12-12截取。
[0017]
图13说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的仰视图，所述流量增强器当与形成在界定缓冲腔室的壳体中的端口相邻地排列时改变气流。
[0018]
图14说明根据一些实施例的流量增强器的剖视图，所述剖视图是沿图13中的线14-14截取。
[0019]
图15说明由根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的壳体界定的缓冲腔室的局部剖面图，所述装置包括与吹洗端口相邻地排列的流量增强器。
[0020]
图16说明端口及流量增强器的局部剖面图，所述端口形成在界定根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的缓冲腔室的壳体中，且所述流量增强器包括与所述端口相邻地排列的多个顶盖。
[0021]
图17说明与缓冲腔室的吹洗端口相邻地排列的流量增强器的立体图，所述缓冲腔室由根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的壳体界定，其中型态线表示通过吹洗端口引入到缓冲腔室中的吹洗气体的流动型态。
[0022]
图18说明与缓冲腔室的泵端口相邻地排列的流量增强器的立体图，所述缓冲腔室由根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的壳体界定，其中型态线表示通过泵端口从缓冲腔室抽吸的吹洗气体的流动型态。
[0023]
图19说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的顶部部分的侧视图，所述流量增强器包括支撑第一顶盖及第二顶盖的框架。
[0024]
图20说明根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的流量增强器的一部分的仰视图，所述仰视图绘示与第二顶盖的大小相对来说的第一顶盖的大小。
[0025]
图21说明由根据一些实施例的用于制作半导体器件的装置的壳体界定的缓冲腔室的立体图，其中吹洗端口及泵端口由壳体界定且晶片定位机器人设置在缓冲腔室中。
[0026]
图22说明根据一些实施例的使吹洗气体分布在缓冲腔室内的方法的流程图。
具体实施方式
[0027]
结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各方面。注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0028]
以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或例子。下文阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。例如，在以下说明中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成额外特征从而使得第一特征与第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种例子中重复使用参考编号或字母。此种重复是出于简明及清晰的目的，而非自身指示所论述的各种实施例或配置之间的关系。
[0029]
此外，为易于说明，本文中可使用例如“在
…
下边(beneath)”、“在
…
下方(below)”、“下部的(lower)”、“在
…
上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所说明的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。除图中所绘示的定向之外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同定向。装置可具有其他定向(旋转90度或处于其他定向)，且同样地可对本文中所使用的空间相对性描述语加以相应解释。
[0030]
在于晶片上制作半导体器件期间，晶片在多个工艺腔室之间运送。因此，本文中所提供的一些实施例涉及一种制作半导体器件的装置。举例来说，所述装置包括：壳体，界定缓冲腔室；以及多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作半导体器件的制作工艺期间接纳晶片。根据一些实施例，晶片定位机器人至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送晶片。所述晶片在不同的工艺腔室中经受不同的工艺，以使得可在不同的工艺腔室中在晶片中、在晶片上处理一个或多个层、从晶片移除一个或多个层、将一个或多个层添加到晶片等以及经受其他工艺。
[0031]
一些实施例包括：吹洗端口，形成在壳体的一部分中，用于将吹洗气体引入到缓冲腔室中；以及泵端口，形成在壳体的一部分中，用于从缓冲腔室排放吹洗气体的一部分。所述吹洗气体可以是惰性气体或不会与沉积到晶片上的材料发生反应的其他气体。吹洗气体的例子包括但不限于氦、氮、其组合等。根据一些实施例，吹洗端口与泵端口可被排列成相对于缓冲腔室的中心对称的排列。根据一些实施例，吹洗端口界定在壳体的底板中，且泵端口被排列成相对于所述吹洗端口关于底板的中心成近似一百八十度(180
°
)。通过吹洗端口引入到缓冲腔室中的吹洗气体弥漫在缓冲腔室中，且通过泵端口从缓冲腔室被至少部分地排出。
[0032]
根据一些实施例，第一流量增强器与吹洗端口相邻地排列，且可选地与所述吹洗端口同心。流量增强器将沿吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的吹洗气体相对于纵向轴线在多个径向方向上引导到缓冲腔室中。一些实施例涉及在线性方向上流过吹洗端口的吹洗气体，例如层流。当吹洗气体进入缓冲腔室时，所述吹洗气体遇到流量增强器。由于此遇到，吹洗气体被迫围绕流量增强器行进，从而在工艺中发生方向变化。
[0033]
在一些实施例中，第一流量增强器包括框架，所述框架将第一顶盖支撑在第一高度处，所述第一高度在垂直方向上位于形成在底板中的吹洗端口上方。第一顶盖的一些实施例包括圆形占用面积，且第一顶盖的圆形占用面积的半径对框架的高度的比率处于约1.0最大到约4.0的范围内。
[0034]
第一流量增强器的框架的一些实施例将第二顶盖支撑在第二高度处，所述第二高
度在垂直方向上位于吹洗端口与第一顶盖之间。根据一些实施例，第二顶盖可包括圆形占用面积，且第二顶盖的圆形占用面积的半径对框架的高度的比率可处于约0.25最大到约1.5的范围内。吹洗端口的一些实施例可包括界定圆形开孔的弓形壁，且第二顶盖可包括圆形占用面积。第二顶盖的圆形占用面积的半径对吹洗端口的圆形开孔的半径的比率可处于约0.5最大到约5的范围内。就第一顶盖及第二顶盖包括圆形占用面积的实施例来说，第一顶盖的圆形占用面积的半径对第二顶盖的圆形占用面积的半径的比率可处于约1.5最大到约5的范围内。
[0035]
根据一些实施例，第二流量增强器与泵端口相邻地排列且可选地与泵端口同心，其中第二流量增强器相对于泵端口的纵向轴线在径向方向上引导吹洗气体的一部分从缓冲腔室被抽吸到泵端口中，然后被抽吸到泵端口中的所述吹洗气体的所述部分再沿泵端口的纵向轴线在轴向方向上行进。
[0036]
一些实施例涉及一种促进吹洗气体在缓冲腔室中均匀分布的方法。举例来说，沿吹洗端口的纵向轴线在第一轴向方向上建立流入缓冲腔室的吹洗气体的流，所述吹洗端口形成在界定所述缓冲腔室的底板中。根据一些实施例，使用第一流量增强器将在第一轴向方向上进入缓冲腔室的吹洗气体引导到多个径向方向，所述多个径向方向大致远离吹洗端口的纵向轴线延伸。
[0037]
根据一些实施例，泵端口处的局部真空从缓冲腔室抽吸吹洗气体的一部分，所述泵端口形成在界定缓冲腔室的底板中。第二流量增强器将从缓冲腔室抽吸的所述吹洗气体的所述部分在径向流动方向上朝泵端口的纵向轴线引导，以使所述部分进入泵端口。就一些实施例来说，重新引导在径向流动方向上引导的吹洗气体的所述部分沿泵端口的纵向轴线在第二轴向方向上流过泵端口。根据一些实施例，吹洗端口与泵端口的相对排列、第一流量增强器或第二流量增强器中的至少一者的效应是促进吹洗气体在整个缓冲腔室内均匀分布。
[0038]
转向图式，图1说明在晶片102上制造半导体器件的装置100。图1中所示的装置100的实施例包括由壳体106界定的缓冲腔室104。壳体106的底板108包括表面，所述表面内界定有吹洗端口110或泵端口112中的至少一者。吹洗气体是通过吹洗端口110被引入到缓冲腔室104中。泵端口112可与真空源流体连通以在缓冲腔室104内的泵端口112处建立局部真空，以通过泵端口112从缓冲腔室104抽吸并排放吹洗气体的一部分。吹洗气体的例子包括惰性气体或不会与沉积到晶片102上的一种或多种材料发生反应的其他气体(例如氦、氮、其组合等)中的至少一者。
[0039]
在一些实施例中，吹洗端口110与泵端口112相对于缓冲腔室104的中心114呈不对称排列。举例来说，底板108可以是圆形的，被弓形周边壁116环绕。缓冲腔室104的中心114的一些实施例位于数学原点处，弓形周边壁116围绕所述数学原点以固定的径向距离从中心114延伸。在不对称排列中，吹洗端口110与泵端口112关于中心114不对称地排列。举例来说，吹洗端口110及泵端口112两者皆可排列在设置在中线118下方的同一半圆形区内，中线118在图1中以虚线形式示出。举例来说，由于吹洗端口110与泵端口112不对称地排列，因此通过吹洗端口110引入到缓冲腔室104中的吹洗气体展现出相对于缓冲腔室104内的第二位置(例如，在中线118上方的另一半圆形区)而朝泵端口112的流动偏向。因此，举例来说，可根据吹洗端口110与泵端口112相对于彼此的位置来控制缓冲腔室内的吹洗气体的分布，例
如吹洗气体去往中线118下方的区。
[0040]
图2说明根据一些实施例的用于制造半导体器件的装置100，装置100包括吹洗端口110与泵端口112的对称排列。与图1中的不对称排列相比，吹洗端口110与泵端口112排列在由中线118分隔开的不同半圆形区中。根据一些实施例，泵端口112与真空源流体连通。通过泵端口112从壳体排放通过吹洗端口110引入到壳体中的吹洗气体的一部分。根据一些实施例，吹洗端口110或泵端口112中的至少一者形成在界定缓冲腔室104的壳体106的底板108中。在一些实施例中，泵端口112被排列成与吹洗端口110关于底板108的中心114成近似一百八十度(180
°
)、
±
三十五度(35
°
)、或
±
二十五度(25
°
)、或
±
十五度(15
°
)。吹洗端口110与泵端口112的对称排列在比吹洗端口110与泵端口112的不对称排列更大的程度上促进吹洗气体在整个缓冲腔室104内均匀弥散。举例来说，缓冲腔室中在中线118下方的吹洗气体的量等于或实质上等于缓冲腔室中在中线118上方的吹洗气体的量。
[0041]
装置100的一些实施例包括多个反应器端口200，所述多个反应器端口200形成在壳体106中，例如用于与多个工艺腔室(例如a、b、c、d等)建立接口。工艺腔室a、b、c、d等中的一者或多者在制作工艺期间接纳晶片102以对所述晶片执行一个或多个操作，例如在晶片102中、在晶片102上进行沉积、刻蚀和/或以其他方式从晶片102制作半导体器件等。根据一些实施例，晶片定位机器人202至少部分地定位在缓冲腔室104内以经由所述多个反应器端口200在所述多个工艺腔室a、b、c、d等之间运送晶片102。举例来说，晶片定位机器人202可包括接纳器204，接纳器204支撑晶片102经历例如将材料(例如，硅系半导电材料和/或锗系半导电材料)沉积到晶片102上期间的制作操作。就涉及沉积多种不同材料或在不同条件下沉积材料的制作工艺来说，晶片定位机器人202可在不同的工艺腔室a、b、c、d等中的两者或更多者之间多次运送晶片102。
[0042]
图3是根据一些实施例的第一流量增强器300的立体图，第一流量增强器300当与吹洗端口110或泵端口112相邻地排列时改变吹洗气体的流。第一流量增强器300的一些实施例包括支撑第一顶盖304的框架302。举例来说，框架302的实施例包括基座306，一个或多个立柱308从基座306延伸。举例来说，基座306的一些实施例由弯曲成弓形形状(例如圆形)的金属杆形成。
[0043]
根据一些实施例，基座306的尺寸适合于允许将基座306至少部分地插入到吹洗端口110或泵端口112中的至少一者中。将基座306配置成能至少部分地插入到吹洗端口110或泵端口112中允许将第一流量增强器300插入并安装在吹洗端口110或泵端口112中，以作为零部件(aftermarket)添加到现有缓冲腔室。在安装在吹洗端口110或泵端口112中的情况下，框架302将第一顶盖304支撑在第一高度处，所述第一高度在垂直方向上位于吹洗端口110和/或泵端口112上方，如下文所述。
[0044]
根据一些实施例，第一顶盖304形成为材料的平面薄板，所述平面薄板具有圆形、卵形、矩形等形状，适合于将吹洗气体的流引导到本文中所述的方向中。就图3中所示的实施例来说，第一顶盖304包括圆形形状，耦合到框架302的顶部部分，通过立柱308与基座306分隔开。根据一些实施例，第一顶盖304包括圆形占用面积，且第一顶盖304的圆形占用面积的半径r1对框架302的高度h1的比率处于约1.0最大到约4.0的范围内。
[0045]
图4是第二流量增强器400的立体图，第二流量增强器400当与吹洗端口110或泵端口112相邻地排列时改变本文中所述的吹洗气体的流。根据一些实施例，第二流量增强器
400包括支撑第二顶盖404的框架402。第二顶盖404可形成为具有圆形，椭圆形，矩形等形状的平面材料片，该形状适合于将吹洗气体的流引导至本文所述的方向。根据一些实施例，框架402包括基座406，立柱408从基座406延伸且可选地单个中心立柱从基座406延伸。举例来说，基座406的一些实施例由弯曲成弓形形状(例如圆形)的金属杆形成。至少一个辐条410且可选地多个辐条410在基座406与立柱408之间延伸。
[0046]
根据一些实施例，基座406的尺寸适合于允许将基座406至少部分地插入到吹洗端口110或泵端口112中的至少一者中。将基座406配置成能至少部分地插入到吹洗端口110或泵端口112中允许将第二流量增强器400插入并安装在吹洗端口110或泵端口112中，以作为零部件添加到现有缓冲腔室。在安装在吹洗端口110或泵端口112中的情况下，框架402将第二顶盖404支撑在第二高度处，所述第二高度在垂直方向上位于吹洗端口110或泵端口112上方，如下文所述。
[0047]
根据一些实施例，框架402支撑第三顶盖414。第三顶盖414可形成为材料的平面薄板，所述平面薄板具有圆形、卵形、矩形等形状，适合于将吹洗气体的流引导到本文中所述的方向中。
[0048]
根据一些实施例，框架402将第三顶盖414支撑于在垂直方向上位于其中安装有第二流量增强器400的吹洗端口110或泵端口112与第二顶盖404之间的第三高度处。就图4中所示的实施例来说，第二顶盖404及第三顶盖414包括圆形形状，且耦合到框架402的不同部分，通过立柱408的一些部分与基座406分隔开。
[0049]
根据一些实施例，第三顶盖414包括圆形占用面积，且第三顶盖414的圆形占用面积的半径r
bot
对框架402的高度h的比率处于约0.25最大到约1.5的范围内。当第二流量增强器400与吹洗端口110或泵端口112相邻地排列时，框架402将第三顶盖414支撑于在垂直方向上位于吹洗端口110或泵端口112与第二顶盖404之间的第三高度处。根据一些实施例，第二顶盖404及第三顶盖414包括圆形占用面积，且第二顶盖404的圆形占用面积的半径r
top
对第三顶盖的圆形占用面积的半径r
bot
的比率处于约1.5最大到约5的范围内。
[0050]
图5到图9是根据一些实施例的第一流量增强器300的示意性表示的视图。图5是第一流量增强器300的立体图，且图6是第一流量增强器300的侧视图。图5到图9中所示的实施例的立柱308是垂直的，在一个方向上向上延伸以相对于第一顶盖304形成直角，这与图3中所示的立柱308形成对照，图3中所示的立柱308相对于第一顶盖304形成小于九十度(90
°
)的角度。如图7中所示，立柱308可被排列成与第一顶盖304的外周边700齐平。如图8及图9中所示，立柱308可从基座306的外周边800嵌入，因而在仰视第一流量增强器300时无法观察到，如图8中所示。应当理解，图5-9中示出的尺寸仅是示例，并且本申请包括权利要求的范围不限于此。
[0051]
图10到图14是根据一些实施例的第一流量增强器300的另一示意性表示的视图。图10-14中所示的内容类似于图5-9中所示的内容，但是具有例如至少一些不同的尺寸。图10是第一流量增强器300的立体图，且图11是第一流量增强器300的侧视图。图10到图14中所示的实施例的立柱308是垂直的，在一个方向上向上延伸以相对于第一顶盖304形成直角，这与图3中所示的立柱308形成对照，图3中所示的立柱308相对于第一顶盖304形成小于九十度(90
°
)的角度。如图12中所示，立柱308可被排列成与第一顶盖304的外周边1200齐平。如图13及图14中所示，立柱308可从基座306的外周边1300嵌入，因而在仰视第一流量增
强器300时无法观察到，如图13中所示。应当理解，图10-14中所示的尺寸仅是示例，并且本申请包括权利要求的范围不限于此。
[0052]
图15是壳体106的局部剖面图，壳体106内界定有缓冲腔室104。吹洗端口110及泵端口112形成在壳体106的底板108中。根据一些实施例，第一流量增强器300与吹洗端口110相邻地排列。尽管未示出，但根据一些实施例第二流量增强器400可与吹洗端口110相邻地排列。
[0053]
将吹洗气体沿吹洗端口110的纵向轴线113在第一轴向方向111上通过吹洗端口110灌输到缓冲腔室104。当吹洗气体遇到第一流量增强器300时，吹洗气体被迫围绕第一流量增强器300行进且从而相对于纵向轴线113而被引导在多个径向方向115上。
[0054]
根据一些实施例，泵端口112处的压力小于缓冲腔室104内的压力，以使得在泵端口112处建立局部真空以沿泵端口112的纵向轴线119在第二轴向方向117上通过泵端口112从缓冲腔室104抽吸吹洗气体的一部分。
[0055]
根据一些实施例，第二流量增强器400与泵端口112相邻地排列以将从缓冲腔室抽吸的吹洗气体的所述部分在径向流动方向121上朝泵端口112的纵向轴线119引导。例如由于泵端口112与缓冲腔室104之间存在压力差，因此在径向流动方向121上引导的吹洗气体的所述部分最终会被重新引导成沿泵端口112的纵向轴线119在第二轴向方向117流过泵端口112。
[0056]
尽管未示出，但根据一些实施例第一流量增强器300可与泵端口112相邻地排列。此外，尽管未示出，但第一流量增强器300的第一实例可与吹洗端口110相邻地排列，而第一流量增强器300的第二实例可与泵端口112相邻地排列。此外，尽管未示出，但第二流量增强器400的第一实例可与吹洗端口110相邻地排列，而第二流量增强器400的第二实例可与泵端口112相邻地排列。在一些实施例中，与端口相邻地排列的流量增强器可包括至少部分地插入到端口中、与端口同心、稍微偏离端口等的流量增强器。
[0057]
图16说明壳体106的局部剖面图，壳体106内界定有缓冲腔室104。流量增强器(例如第二流量增强器400)与泵端口112相邻地排列。泵管403与泵端口112相关联，通过泵管403沿纵向轴线119从缓冲腔室104排出吹洗气体。第二流量增强器400具有多个顶盖，例如第二顶盖404及第三顶盖414。
[0058]
根据一些实施例，所述装置满足以下比率：
[0059][0060][0061][0062][0063]
其中r
top
是第二顶盖404的半径，r
bot
是第三顶盖414的半径，r
pump line
是泵管403的半径，且h是第二顶盖404距壳体106的底板108的高度或距离。根据一些实施例，至少一些前
述比率，范围等对于促进相对于缓冲腔室的期望的吹洗气体分布，例如流量，流速气体进入，进入，流出缓冲室的密度，密度等是至关重要的，这反过来又促进了半导体器件的所需制造，例如就尺寸，形状，工作参数(如电压)而言相对于在半导体晶片等之中，之上或之中形成的其他半导体器件的均匀性。
[0064]
图17是壳体106的立体图的图像，壳体106内界定有缓冲腔室104。根据一些实施例，第一流量增强器300与吹洗端口110相邻地排列。将吹洗气体沿吹洗端口110的纵向轴线113在第一轴向方向111上通过吹洗端口110灌输到缓冲腔室104。当吹洗气体遇到第一流量增强器300时，吹洗气体相对于纵向轴线113被重新引导在所述多个径向方向115上。
[0065]
图18是壳体106的立体图的图像，壳体106内界定有缓冲腔室104。根据一些实施例，第二流量增强器400与泵端口112相邻地排列。泵端口112处的局部真空会从缓冲腔室104朝泵端口112抽吸吹洗气体的一部分。第二流量增强器400在径向流动方向121上引导从缓冲腔室抽吸的吹洗气体的所述部分。在径向流动方向121上引导的吹洗气体的所述部分最终会被重新引导成沿泵端口112的纵向轴线119在第二轴向方向117上流过泵端口112。
[0066]
图19说明根据一些实施例的流量增强器(例如第二流量增强器400)的顶部部分的侧视图。图20说明根据一些实施例的流量增强器(例如第二流量增强器400)的一部分的仰视图。图19及图20说明第二顶盖404大于第三顶盖414(例如，第二顶盖404具有更大的直径、周长、半径等)，且多个立柱408被实施成支撑第二顶盖404及第三顶盖414和/或将第二顶盖404与第三顶盖414分隔开。
[0067]
图21是壳体106的立体图的图像，壳体106内界定有缓冲腔室104。吹洗端口110及泵端口112形成在壳体106的底板108中。根据一些实施例，流量增强器(例如第一流量增强器300)与吹洗端口110相邻地排列。晶片定位机器人202设置在缓冲腔室104内以在装置内调动晶片。
[0068]
图22说明根据一些实施例的用于促进吹洗气体在缓冲腔室104中均匀分布的方法2200的流程图。在2202处，沿吹洗端口110的纵向轴线113在第一轴向方向111上建立流入缓冲腔室104中的吹洗气体的流，吹洗端口110形成在界定缓冲腔室104的壳体106的底板108中。在2204处，使用第一流量增强器300将在第一轴向方向111上进入缓冲腔室104的吹洗气体引导到所述多个径向方向115，所述多个径向方向115大致远离吹洗端口110的纵向轴线113延伸。根据一些实施例，径向方向115中的至少一些径向方向是不与底板108共面、彼此不共面、不垂直于纵向轴线113等的至少一者。在2206处，在泵端口112处建立局部真空以从缓冲腔室104抽吸吹洗气体的一部分，泵端口112形成在界定缓冲腔室104的底板108中。根据一些实施例，局部真空对应于缓冲腔室104与泵端口112之间的压力差，其中缓冲腔室104中的压力大于泵端口112中的压力，以使得吹洗气体从缓冲腔室104被驱策到泵端口112。在2208处，使用第二流量增强器400将从缓冲腔室104抽吸的吹洗气体的所述部分在径向流动方向121朝泵端口112的纵向轴线119引导。在2210处，使在径向流动方向121上引导的吹洗气体的所述部分沿泵端口112的纵向轴线119在第二轴向方向117上流过泵端口。
[0069]
根据一些实施例，本文中所述的第一流量增强器或第二流量增强器中的至少一者的尺寸、形状、位置、比率等中的至少一者的至少一部份至少对于促进缓冲腔室内达到所期望的吹洗气体分布至关重要，以促进所期望的吹洗气体相对于缓冲室的分布，例如吹洗气体流入，流出，流出等的流量，流速，密度等，继而能促进按照期望制作半导体器件，例如在
大小、形状、操作参数(例如，电压)、与形成在半导体晶片中、形成在半导体晶片上、从半导体晶片形成等的其他半导体器件相对来说的均匀性等方面。例如，吹洗气体被迫从第一轴向方向111径向流动方向121沿第二轴向方向117移动的速率，体积，程度等中的至少一个，是第一流量增强器300或第二流量增强器400中的至少一个的尺寸，形状，位置，比率等中的至少一个的函数。这又促进了相对于缓冲腔室的所需吹洗气体分布。
[0070]
根据一些实施例，提供一种制作半导体器件的装置。所述装置具有：壳体，界定缓冲腔室；以及多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作所述半导体器件的制作工艺期间接纳晶片。所述装置具有晶片定位机器人，所述晶片定位机器人至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送所述晶片。所述装置具有：吹洗端口，形成在所述壳体中，用于将吹洗气体引入到所述缓冲腔室中；及泵端口，形成在所述壳体中，用于从所述缓冲腔室排放所述吹洗气体的一部分。所述装置具有第一流量增强器，第一流量增强器当与所述吹洗端口相邻地排列时将沿吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的所述吹洗气体相对于所述纵向轴线在多个径向方向上引导到所述缓冲腔室中。
[0071]
根据一些实施例，其中所述壳体包括底板，且所述吹洗端口形成在所述壳体的所述底板中。
[0072]
根据一些实施例，其中所述第一流量增强器包括框架，所述框架将第一顶盖支撑在位于所述吹洗端口上方的第一高度处。
[0073]
根据一些实施例，其中所述第一顶盖包括圆形占用面积，且所述第一顶盖的所述圆形占用面积的半径对所述框架的高度的比率为至少1.0且最大到4.0。
[0074]
根据一些实施例，其中：所述吹洗端口包括弓形壁，所述弓形壁界定圆形开孔；所述第一顶盖包括圆形占用面积；且所述第一顶盖的所述圆形占用面积的半径对所述吹洗端口的所述圆形开孔的半径的比率为至少0.5且最大到5。
[0075]
根据一些实施例，其中所述框架将第二顶盖支撑在第二高度处，所述第二高度在垂直方向上位于所述吹洗端口与所述第一顶盖之间。
[0076]
根据一些实施例，其中所述第二顶盖包括圆形占用面积，且所述第二顶盖的所述圆形占用面积的半径对所述框架的高度的比率为至少0.25且最大到1.5。
[0077]
根据一些实施例，其中：所述吹洗端口包括弓形壁，所述弓形壁界定圆形开孔；所述第二顶盖包括圆形占用面积；且所述第二顶盖的所述圆形占用面积的半径对所述吹洗端口的所述圆形开孔的半径的比率为至少0.5且最大到5。
[0078]
根据一些实施例，其中：所述第一顶盖包括圆形占用面积；所述第二顶盖包括圆形占用面积；且所述第一顶盖的所述圆形占用面积的半径对所述第二顶盖的所述圆形占用面积的半径的比率为至少1.5且最大到5。
[0079]
根据一些实施例，其中所述泵端口形成在所述壳体的所述底板中，且被排列成与所述吹洗端口关于所述底板的中心点成近似一百八十度(180
°
)。
[0080]
根据一些实施例，其中所述第一流量增强器的所述框架的一部分被配置成部分地接纳在所述吹洗端口内。
[0081]
根据一些实施例，其中所述第一流量增强器与所述吹洗端口同心地排列。
[0082]
根据一些实施例，所述的装置，包括第二流量增强器，所述第二流量增强器当与所
述泵端口相邻地排列时相对于所述泵端口的纵向轴线在径向方向上引导所述吹洗气体的一部分从所述缓冲腔室被抽吸到所述泵端口中，然后被抽吸到所述泵端口中所述吹洗气体的所述部分再沿所述泵端口的所述纵向轴线在轴向方向上行进。
[0083]
根据一些实施例，提供一种制作半导体器件的装置。所述装置具有：壳体，界定缓冲腔室；以及多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作所述半导体器件的制作工艺期间接纳晶片。所述装置具有晶片定位机器人，所述晶片定位机器人至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送所述晶片。所述装置具有：吹洗端口，形成在所述壳体的底板中，用于将吹洗气体引入到所述缓冲腔室中；及泵端口，形成在所述壳体的所述底板中，用于从所述缓冲腔室排放所述吹洗气体的一部分，其中所述泵端口被排列成与所述吹洗端口关于所述底板的中心点成近似一百八十度(180
°
)。所述装置具有包括第一框架的第一流量增强器，所述第一框架支撑第一顶盖以将沿所述吹洗端口的纵向轴线进入所述缓冲腔室的所述吹洗气体的轴向流引导到多个径向方向。所述装置具有包括第二框架的第二流量增强器，所述第二框架支撑第二顶盖，以相对于所述泵端口的所述纵向轴线在径向方向上引导所述吹洗气体的一部分从所述缓冲腔室被抽吸到所述泵端口中，然后被抽吸到所述泵端口中的所述吹洗气体的所述部分再沿所述泵端口的所述纵向轴线在轴向方向上行进。
[0084]
根据一些实施例，提供一种制作半导体器件的装置，所述装置包括：壳体，界定缓冲腔室；多个反应器端口，形成在所述壳体中，用于与多个工艺腔室建立接口，所述多个工艺腔室用于在制作所述半导体器件的制作工艺期间接纳晶片；晶片定位机器人，至少部分地定位在所述缓冲腔室内以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送所述晶片；吹洗端口，形成在所述壳体的底板中，用于将吹洗气体引入到所述缓冲腔室中；泵端口，形成在所述壳体的所述底板中，用于从所述缓冲腔室排放所述吹洗气体的一部分，其中所述泵端口被排列成与所述吹洗端口关于所述底板的中心点成近似一百八十度(180
°
)；第一流量增强器，包括第一框架，所述第一框架支撑第一顶盖，以将沿所述吹洗端口的纵向轴线进入所述缓冲腔室的所述吹洗气体的轴向流引导到多个径向方向；以及第二流量增强器，包括第二框架，所述第二框架支撑第二顶盖，以相对于所述泵端口的纵向轴线在径向方向上引导所述吹洗气体的一部分从所述缓冲腔室被抽吸到所述泵端口中，然后被抽吸到所述泵端口中的所述吹洗气体的所述部分再沿所述泵端口的所述纵向轴线在轴向方向上行进。
[0085]
根据一些实施例，提供其中：所述第一框架将所述第一顶盖支撑在所述缓冲腔室内位于所述吹洗端口上方的第一高度处，所述第二框架将所述第二顶盖支撑在所述缓冲腔室内位于所述泵端口上方的第二高度处，且所述第一高度小于所述第二高度。
[0086]
根据一些实施例，提供其中所述第一流量增强器包括第三顶盖，所述第三顶盖被所述第一框架支撑在位于所述第一高度与所述壳体的所述底板的高度之间的第三高度处。
[0087]
根据一些实施例，提供其中所述第一顶盖包括第一平面，所述第一平面将进入所述缓冲腔室的所述吹洗气体的所述轴向流的第一部分在第一多个径向方向上引导，且所述第三顶盖包括第二平面，所述第二平面将进入所述缓冲腔室的所述吹洗气体的所述轴向流的第二部分在第二多个径向方向上引导。
[0088]
根据一些实施例，提供其中所述第一平面的面积大于所述第二平面的面积。
[0089]
根据一些实施例，提供一种促进吹洗气体在缓冲腔室中均匀分布的方法。所述方法包括：沿吹洗端口的纵向轴线在第一轴向方向上建立流入所述缓冲腔室的所述吹洗气体的流，所述吹洗端口形成在界定所述缓冲腔室的底板中；及使用第一流量增强器将在所述第一轴向方向上进入所述缓冲腔室的所述吹洗气体引导到多个径向方向，所述多个径向方向大致远离所述吹洗端口的所述纵向轴线延伸。所述方法包括：在泵端口处建立局部真空，以从所述缓冲腔室抽吸所述吹洗气体的一部分，所述泵端口形成在界定所述缓冲腔室的所述底板中；及使用第二流量增强器将从所述缓冲腔室抽吸的所述吹洗气体的所述部分在径向流动方向上朝所述泵端口的纵向轴线引导。所述方法包括使在所述径向流动方向上引导的所述吹洗气体的所述部分沿所述泵端口的所述纵向轴线在第二轴向方向上流过所述泵端口。
[0090]
根据一些实施例，提供一种促进吹洗气体在缓冲腔室中的均匀分布的方法，所述方法包括：沿吹洗端口的纵向轴线在第一轴向方向上建立流入所述缓冲腔室的所述吹洗气体的流，所述吹洗端口形成在界定所述缓冲腔室的底板中；使用第一流量增强器将在所述第一轴向方向上进入所述缓冲腔室的所述吹洗气体引导到多个径向方向，所述多个径向方向大致远离所述吹洗端口的所述纵向轴线延伸；在泵端口处建立局部真空，以从所述缓冲腔室抽吸所述吹洗气体的一部分，所述泵端口形成在界定所述缓冲腔室的所述底板中；使用第二流量增强器将从所述缓冲腔室抽吸的所述吹洗气体的所述部分在径向流动方向上朝所述泵端口的纵向轴线引导；以及使在所述径向流动方向上引导的所述吹洗气体的所述部分沿所述泵端口的所述纵向轴线在第二轴向方向上流过所述泵端口。
[0091]
根据一些实施例，提供所述的方法，包括：使通过所述吹洗端口被引入到所述缓冲腔室中的所述吹洗气体的入口流动速率与通过所述泵端口从所述缓冲腔室排放的所述吹洗气体的排放流动速率达到平衡，以建立通过所述缓冲腔室的所述吹洗气体的实质上均匀的流。
[0092]
以上内容概述了若干实施例的特征，以使所属领域的普通技术人员可更好地理解本公开的各方面。所属领域中的普通技术人员应明了，其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的各种实施例相同的目的或实现与本文中所介绍的各种实施例相同的优点。所属领域中的普通技术人员还应认识到，此种等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的情况下对其作出各种变化、代替及改变。
[0093]
尽管已采用结构特征或方法动作专用的语言阐述了本主题，然而应理解，所附权利要求书的主题未必仅限于上述具体特征或动作。确切来说，上述具体特征及动作是作为实施权利要求中的至少一些权利要求的示例性形式而公开的。
[0094]
本文中提供实施例的各种操作。阐述一些操作或所有操作时的次序不应被理解为暗示这些操作必须依照次序进行。将了解，替代次序也具有本说明的有益效果。此外，将理解，并非所有操作均必须存在于本文中所提供的每一实施例中。此外，将理解，在一些实施例中，并非所有操作均是必要的。
[0095]
将了解，在一些实施例中，例如出于简洁及便于理解的目的，本文中所绘示的组件、传感器、致动器、衬底、特征、元件等是以相对于彼此的特定尺寸(例如，结构尺寸或定向)而示出，且所述组件、传感器、致动器、衬底、特征、元件等的实际尺寸实质上不同于本文
中所说明的尺寸。
[0096]
此外，就本文中所使用的“示例性”或“说明性”来说，意在作为例子、实例、说明等，而未必意在有利的。本申请中所使用的“或”旨在意指包含性“或”而不是指排他性“或”。另外，除非另有规定或从上下文中清楚地表明指单数形式，否则本申请及所附权利要求书中所使用的“一(a及an)”一般来说被视为意指“一个或多个”。此外，a及b中的至少一者及/或类似表述一般来说意指a或b、或a及b两者。此外，就使用“包含(includes)”、“具有(having、has)”、“带有(with)”或其变型来说，此种用语旨在表示包含性，这与用语“包括(comprising)”相似。此外，除非另有规定，否则“第一(first)”、“第二(second)”等并不旨在暗示时间方面、空间方面、次序等。确切来说，此种用语仅用作特征、元件、物项等的识别符、名称等。举例来说，第一元件及第二元件一般来说对应于元件a及元件b、或两个不同元件、或两个相同元件、或同一元件。
[0097]
此外，尽管已针对一种或多种实施方案示出并阐述本公开，然而所属领域中的普通技术人员在阅读及理解本说明书及附图后将想到等效更改及修改形式。本公开包括所有此种修改及更改形式，且仅受限于以上权利要求书的范围。特别就由上述组件执行的各种功能来说，用于阐述此种组件的用语旨在对应于执行所述组件的指定功能的任何组件(例如，功能上等效的用语)(除非另有指示)，即使所述组件在结构上不与所公开的结构等效。另外，尽管可能仅相对于若干实施方案中的一种实施方案公开了本公开的特定特征，但在对于任何给定或特定应用来说可能为期望的及有利的时，此种特征可与其他实施方案的一种或多种其他特征进行组合。