1.一种提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，包括：
提供一工艺腔，包括位于工艺腔顶部的上电极和位于工艺腔底部的静电吸盘，所述上电极的表面附着有第一聚合物；
对所述静电吸盘进行聚合物沉积工艺，以在所述静电吸盘的表面形成一保护层；
在所述工艺腔内进行掺碳氮化硅的再生回收工艺，以使掺碳氮化硅与所述第一聚合物发生反应，生成第二聚合物并附着在所述保护层的表面；
清洗所述工艺腔，以去除所述保护层和所述第二聚合物。
2.如权利要求1所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，在所述聚合物沉积工艺前还包括：上电极清洁工艺，以减少附着在上电极表面的第一聚合物。
3.如权利要求2所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述上电极清洁工艺为等离子体干法清洗。
4.如权利要求3所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述等离子体干法清洗的过程包括：
提供一第一晶圆并将所述第一晶圆设置于所述静电吸盘，在所述工艺腔中通入第一工艺气体，同时增加所述工艺腔的源射频功率及偏压射频功率，以减少所述上电极表面的第一聚合物；
将所述第一晶圆移出所述反应腔。
5.如权利要求4所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括含氟气体、氧气以及惰性气体。
6.如权利要求5所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述含氟气体包括四氟甲烷，所述惰性气体包括氩气。
7.如权利要求1所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述掺碳氮化硅的再生回收工艺包括：提供一表面形成有掺碳氮化硅层的第二晶圆，将所述第二晶圆设置在所述保护层上并对所述掺碳氮化硅层进行刻蚀，以实现掺碳氮化硅的再生回收。
8.如权利要求1所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述聚合物沉积工艺包括：在所述工艺腔内通入第二工艺气体，并将所述第二工艺气体沉积在所述静电吸盘的表面，以形成一保护层。
9.如权利要求8所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述第二工艺气体为重聚合物气体，包括甲烷。
10.如权利要求1所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，在所述工艺腔进行钝化层的刻蚀工艺的过程中形成所述第一聚合物。
11.如权利要求10所述的提升静电吸盘使用寿命的方法，其特征在于，所述第一聚合物包括铝基聚合物，所述第二聚合物包括氮化铝聚合物。